CN117075019A - 一种探针用校准片 - Google Patents
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 36
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种探针用校准片,属于测试技术领域,该校准片上设置有若干负载;每个负载均包括两部分对称结构,每部分结构均包括信号‑导体金、地‑导体金、薄膜电阻、基板;信号‑导体金、地‑导体金和薄膜电阻均分布在基板上,薄膜电阻包括上下两部分结构,呈“非”字形状。本发明保证射频探针针尖间距300微米‑600微米时实现回波损耗优于‑20dB,实现高性能负载;电阻最小尺寸大于0.09mm,方便加工,对微带制作工艺要求低,提高成品率,降低产品成本。
Description
技术领域
本发明属于测试技术领域,具体涉及一种探针用校准片。
背景技术
传统的射频探针校准片常采用的两种方法是:
1、单个电阻50欧母连接signal和ground;
2、两个电阻100欧母并联连接signal和ground。
这两种方法的校准片的常规性能优秀,但是当探针针尖间距(pitch)较大,超过300微米时,高频率性能表现不足,且电阻尺寸很小,加工难度大。传统形式的校准片方法已无法满足大间距探针40GHz以上和更高频率时高性能要求。
在使用微波测量探针的测试系统中,探针针尖与被测器件端口相接触进行测试,探针内部同轴电缆的外导体与测试电路的地相接。最常使用的同轴线在片测试探针是GSG结构的,即中间为信号探针,两侧为接地探针。以一般的GSG信号形式的微波测量探针为例,三个针尖接触测试点的位置会影响校准及测试结果,当GSG间距超过300微米或者更大时,因为引入寄生参数过大,严重影响校准及测试结果,尤其是探针用校准片中负载(load或Termination)的性能直接影响射频探针校准的效果,影响测试的精度。
1、单个电阻50欧母连接signal和ground;如图1(通常左右各一组,对称,图示为其中一个),灰色为导体金,深色为薄膜电阻。
2、两个电阻100欧母并联连接signal和ground。如图2(通常左右各一组,对称,图示为其中一个),灰色为导体金,深色为薄膜电阻。通常为薄膜电路工艺实现。
这两种方法的校准片,当探针针尖间距(pitch)较大,超过300微米时,高频率性能表现不足。传统形式的校准片负载,大间距时高频率段、尤其是毫米波段性能下降。
这两种方法的校准片薄膜电阻尺寸小,甚至达到0.02mm*0.04mm,实现难度大。
发明内容
针对现有技术中存在的上述技术问题,本发明提出了一种探针用校准片及其校准方法,设计合理,克服了现有技术的不足,具有良好的效果。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种探针用校准片,该校准片上设置有若干负载;每个负载均包括两部分对称结构,每部分结构均包括信号-导体金、地-导体金、薄膜电阻、基板;信号-导体金、地-导体金和薄膜电阻均分布在基板上,薄膜电阻包括上下两部分结构,呈“非”字形状。
优选地,基板采用抛光陶瓷基板,抛光陶瓷基板的厚度为0.635mm。
优选地,薄膜电阻为50欧母。
本发明所带来的有益技术效果:
本发明保证射频探针针尖间距300微米-600微米时实现回波损耗优于-20dB,实现高性能负载;电阻最小尺寸大于0.09mm,方便加工,对微带制作工艺要求低,提高成品率,降低产品成本。
附图说明
图1为单个电阻50欧母连接signal和ground的示意图;
图2为两个电阻100欧母并联连接signal和ground的示意图;
图3为负载局部示意图;
图4为校准片全局示意图;
图5为传统校准片的负载(左)与大间距探针针尖(右)对比图;
图6为大间距被测件接口(左)与探针针尖(右)对比图;
图7为大间距校准片负载(左)与探针针尖(右)尺寸对比图;
图8为大间距被测件(左)与探针针尖(右)对比图。
具体实施方式
下面结合附图以及具体实施方式对本发明作进一步详细说明:
实施例1:
如图3和图4所示,一种探针用校准片,该校准片上设置有若干负载;每个负载均包括两部分对称结构,每部分结构均包括信号-导体金、地-导体金、薄膜电阻、基板;信号-导体金、地-导体金和薄膜电阻均分布在基板上,薄膜电阻包括上下两部分结构,呈“非”字形状。
基板采用抛光陶瓷基板,抛光陶瓷基板的厚度为0.635mm。
薄膜电阻为50欧母。
实施例2:
在上述实施例1的基础上,本发明还提到一种探针用校准片配套探针针尖,具体如下:
针尖为GSG结构形式,包括三个接触片,两侧为G,为地信号英文GND缩写G,中间S,是信号英文Signal的缩写S。
接触片尺寸与校准片或者被测件尺寸接近,接触片的前端有40微米左右的触点,材料为砒铜或者类似金属材料。
图5为传统校准片的负载(左)与大间距探针针尖(右)对比图;图6为大间距被测件接口(左)与探针针尖(右)对比图;图7为大间距校准片负载(左)与探针针尖(右)尺寸对比图;图8为大间距被测件(左)与探针针尖(右)对比图。
当然,上述说明并非是对本发明的限制,本发明也并不仅限于上述举例,本技术领域的技术人员在本发明的实质范围内所做出的变化、改型、添加或替换,也应属于本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种探针用校准片,其特征在于:该校准片上设置有若干负载;每个负载均包括两部分对称结构,每部分结构均包括信号-导体金、地-导体金、薄膜电阻、基板;信号-导体金、地-导体金和薄膜电阻均分布在基板上,薄膜电阻包括上下两部分结构,呈“非”字形状。
2.根据权利要求1所述的探针用校准片,其特征在于:基板采用抛光陶瓷基板,抛光陶瓷基板的厚度为0.635mm。
3.根据权利要求1所述的探针用校准片,其特征在于:薄膜电阻为50欧母。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310934242.7A CN117075019A (zh) | 2023-07-28 | 2023-07-28 | 一种探针用校准片 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310934242.7A CN117075019A (zh) | 2023-07-28 | 2023-07-28 | 一种探针用校准片 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117075019A true CN117075019A (zh) | 2023-11-17 |
Family
ID=88712506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310934242.7A Pending CN117075019A (zh) | 2023-07-28 | 2023-07-28 | 一种探针用校准片 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117075019A (zh) |
-
2023
- 2023-07-28 CN CN202310934242.7A patent/CN117075019A/zh active Pending
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Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination |