CN117075015A - 静磁场磁铁以及磁共振成像装置 - Google Patents

静磁场磁铁以及磁共振成像装置 Download PDF

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Abstract

涉及静磁场磁铁以及磁共振成像装置。提供一种摄像装置，在使用了开放型的静磁场磁铁的摄像中，能够确保被检体的头脚方向的摄像区域广，且在摄像中容易地访问被检体。一个实施方式的静磁场磁铁用于对被检体进行拍摄的磁共振成像装置，其中，所述静磁场磁铁具有至少1个环形线圈对，该环形线圈对具有在第一方向上流过电流的第一环形线圈和在与所述第一方向相反方向的第二方向上流过电流的第二环形线圈，由形成所述第一环形线圈的第一环包围的平面即第一线圈面、和由形成所述第二环形线圈的第二环包围的平面即第二线圈面，以相互不重叠的方式，沿着特定方向排列配置，所述特定方向配置于特定平面内，所述环形线圈对生成与所述特定方向平行的静磁场。

Description

静磁场磁铁以及磁共振成像装置
本申请以日本专利申请2022-081126(申请日：2022年5月17日)为基础，享有该申请的优先权。本申请通过参照该申请，包含该申请的全部内容。
技术领域
本说明书以及附图所公开的实施方式涉及静磁场磁铁以及磁共振成像装置。
背景技术
磁共振成像装置是通过拉莫尔频率的高频(RF：Radio Frequency，射频)信号激励置于静磁场中的被检体的原子核自旋、将随着激励从被检体产生的磁共振信号(MR(Magnetic Resonance)信号)重建而生成图像的摄像装置。
很多磁共振成像(MRI：Magnetic Resonance Imaging)装置具有称作机架(gantry)的结构，在机架形成有圆筒形的空间(将该空间称作内膛)。在横卧于顶板的被检体(例如患者)已运入到圆筒形的空间内的状态下进行拍摄。在机架的内部，收纳有圆筒状的静磁场磁铁、圆筒状的倾斜磁场线圈及圆筒状的发送接收线圈(即，WB(Whole Body，全身)线圈)。在当前大量存在的这种磁共振成像装置，由于静磁场磁铁、倾斜磁场线圈及发送接收线圈是圆筒形，所以以下将这种磁共振成像装置称作圆筒型磁共振成像装置。
在圆筒型磁共振成像装置，由于在内膛内的封闭空间中进行拍摄，所以例如对于幽闭恐惧症等一部分的患者有时拍摄变得困难。
与此相对，例如开发了如下的磁共振成像装置：将2个圆柱形状的静磁场磁铁以各自的中心轴朝向铅垂方向的方式将一个静磁场磁铁配置在上侧，将另一个静磁场磁铁配置在下侧，在被2个静磁场磁铁从上下夹持的开放空间中，对横卧在顶板上的被检体进行拍摄。将这种磁共振成像装置称为开放型磁共振成像装置。在开放型磁共振成像装置，由于在比较开放的空间中拍摄，所以也能够拍摄幽闭恐惧症的患者。
在以往提出的开放型磁共振成像装置，分别内置于上侧和下侧的静磁场磁铁的线圈(例如，超导线圈)为圆形的环形线圈，上侧的圆形环形线圈和下侧的圆形环形线圈以各自的线圈面水平配置且彼此同轴的方式配置。上下的环形线圈分别为圆形，因此由2个静磁场磁铁形成的摄像区域的水平截面的形状为圆形。
因此，如果想要将横卧的被检体的摄像区域向被检体的头脚方向扩大，则必须增大上下的圆形环形线圈的直径，其结果是，上下的静磁场磁铁的直径也变大，对被检体给予封闭感。
另外，通过使上下的静磁场磁铁的直径变大，在摄像中对被检体进行经皮冠状动脉介入治疗(PCI：percutaneous coronary intervention)等手术时，难以访问被检体。
发明内容
本说明书和附图中公开的实施方式要解决的课题之一在于，在使用了开放型的静磁场磁铁的摄像中，能够确保被检体的头脚方向的摄像区域广，并且在摄像中容易地访问被检体。但是，本说明书和附图中公开的实施方式要解决的课题不限于上述课题。也能够将与后述的各实施方式所示的各结构的各效果对应的课题定位为其他课题。
一个实施方式的静磁场磁铁用于对被检体进行拍摄的磁共振成像装置，其中，所述静磁场磁铁具有至少1个环形线圈对，该环形线圈对具有在第一方向上流过电流的第一环形线圈和在与所述第一方向相反方向的第二方向上流过电流的第二环形线圈，由形成所述第一环形线圈的第一环包围的平面即第一线圈面、和由形成所述第二环形线圈的第二环包围的平面即第二线圈面，以相互不重叠的方式，沿着特定方向排列配置，所述特定方向配置于特定平面内，所述环形线圈对生成与所述特定方向平行的静磁场。
根据上述结构的静磁场磁铁，在使用了开放型的静磁场磁铁的摄像中，能够确保被检体的头脚方向的摄像区域广，并且能够在摄像中容易地访问被检体。
附图说明
图1是表示在实施方式的磁共振成像装置中使用的开放型的静磁场磁铁的结构概念的图。
图2是示意性地表示现有的开放型的静磁场磁铁的结构例的图。
图3是示意性地表示实施方式的静磁场磁铁的结构例的图。
图4的(a)是表示上侧静磁场磁铁的内部结构的俯视图，图4的(b)是表示上侧静磁场磁铁和下侧静磁场磁铁的内部结构例的侧视图。
图5是表示静磁场磁铁的第一变形例的结构例的图。
图6是表示静磁场磁铁10的第二变形例的结构例的图。
图7是表示静磁场磁铁10的第三变形例的结构例的图。
图8是表示静磁场磁铁10的第四变形例的结构例的图。
图9是表示静磁场磁铁10的第五变形例的结构例的图。
图10是表示静磁场磁铁10的第六变形例的结构例的图。
图11是表示静磁场磁铁的Y-Z面的静磁场分布的图。
图12是表示静磁场磁铁的X-Z面的静磁场分布的图。
图13是表示静磁场磁铁的X-Y面的静磁场分布的图。
图14是表示具有实施方式及其各变形例的静磁场磁铁的磁共振成像装置的结构的图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式进行说明。
(静磁场磁铁)
图1是表示在实施方式的磁共振成像装置1使用的开放型的静磁场磁铁10的结构概念的图。如图1所例示的那样，静磁场磁铁10例如具有长方体形状的2个静磁场磁铁10A、10B。
2个静磁场磁铁10A、10B之间的空间为磁共振成像装置1的摄像空间。例如，在被检体P仰卧在顶板64的情况下，能够以被检体P的头脚方向成为静磁场磁铁10的长边方向且被检体P的左右方向成为静磁场磁铁10的短边方向的方式，对被检体P进行拍摄。
各个静磁场磁铁10A、10B至少内置有1个由第一环形线圈101和第二环形线圈102构成的环形线圈对。在图1中，例示了内置1个环形线圈对101、102的结构，但如下所述，环形线圈对的数量也可以是2个以上(在该情况下，环形线圈的数量为4以上)。
静磁场磁铁10可以构成为超导磁铁，也可以构成为常导磁铁。
在静磁场磁铁10构成为超导磁铁的情况下，第一、第二环形线圈101、102例如能够分别构成为将铌钛(Nb-Ti)等超导材料形成为多个细的丝状而埋入铜等常导母材的极细多芯线构造。而且，第一、第二环形线圈101、102分别浸渍在例如填充有液体氦的液体氦容器(未图示)中。
另外，在静磁场磁铁10构成为超导磁铁的情况下，在励磁模式下，通过将从静磁场电源(未图示)供给的电流施加至第一、第二环形线圈101、102而产生静磁场，之后，如果转移到永久电流模式，则将静磁场电源切断。
另一方面，在静磁场磁铁10构成为常导磁铁的情况下，第一、第二环形线圈101、102分别由例如铜等常导线材构成，通过从静磁场电源(未图示)供给的电流而产生静磁场。
图2是作为与实施方式的静磁场磁铁10相对的比较例，示意性地表示以往的开放型的静磁场磁铁200的结构例的图。现有的开放型的静磁场磁铁构成为具有上侧的静磁场磁铁200A和下侧的静磁场磁铁200B。而且，上侧和下侧的静磁场磁铁200A、200B构成为分别具有1个以上的圆形的环形线圈，例如3个圆形的环形线圈201、202、203。而且，上侧的圆形环形线圈201、202、203和下侧的圆形环形线圈201、202、203以各自的线圈面水平配置且彼此同轴的方式配置。在此，线圈面是由形成环形线圈的环包围的平面。根据这样的结构，在以往的开放型的静磁场磁铁200，能够在与各线圈面正交的方向上产生静磁场B0。
在此，上下的环形线圈201、202、203分别为圆形，因此由2个静磁场磁铁200A、200B形成的摄像区域的水平截面的形状也为圆形。因此，如果想要将横卧的被检体的摄像区域沿被检体的头脚方向扩大，则必须增大上下的圆形环形线圈201、202、203的直径。其结果是，上下的静磁场磁铁200A、200B的直径变大，对被检体给予封闭感。
另外，上下的静磁场磁铁200A、200B的直径变大，由此在对被检体进行PCI(经皮冠状动脉介入治疗)等手术时，从哪个方向都难以访问被检体。
与此相对，图3是示意性地表示实施方式的静磁场磁铁10的结构例的图。实施方式的静磁场磁铁10构成为具有上侧的静磁场磁铁200A和下侧的静磁场磁铁200B。如上所述，静磁场磁铁10例如具有长方体形状的2个静磁场磁铁10A、10B，2个静磁场磁铁10A、10B之间的空间成为磁共振成像装置1的摄像区域。
各个静磁场磁铁10A、10B内置有由多个环形线圈例如第一环形线圈101和第二环形线圈102构成的环形线圈对。而且，通过将这些多个环形线圈沿着长方体形状的静磁场磁铁10A、10B的长边方向以各自的线圈面(由形成环形线圈的环包围的平面)彼此不重合的方式排列，能够形成在静磁场磁铁10A、10B的长边方向上宽，在静磁场磁铁10A、10B的短边方向上窄的非对称形状的摄像区域。
换言之，通过将多个环形线圈排列为各个线圈面沿着特定平面的特定方向彼此不重合，从而能够将收容多个环形线圈的静磁场磁铁10A、10B的形状设为长方体形状，该长方体形状将与上述特定平面正交的方向设为厚度方向，将上述特定方向设为长边方向，将与上述厚度方向和上述长边方向正交的方向设为短边方向。
其结果是，在以被检体的头脚方向成为静磁场磁铁10的长边方向的方式横卧的状态进行拍摄的情况下，能够容易地从静磁场磁铁10的短边方向访问被检体，PCI等摄像中的手术变得容易。
另外，通过使长方体形状的静磁场磁铁10A、10B的短边方向与被检体的左右方向(或腹背方向)对应，与现有的静磁场磁铁200相比，能够大幅减轻对被检体的压迫感、闭塞感。
图4是更详细地表示实施方式的静磁场磁铁10的结构的图，图4的(a)是表示上侧静磁场磁铁10A的内部结构的俯视图，图4的(b)是表示上侧静磁场磁铁10A和下侧静磁场磁铁10B的内部结构例的侧视图。
上侧静磁场磁铁10A和下侧静磁场磁铁10B分别具有由第一环形线圈101和第二环形线圈102构成的环形线圈对。
如图4的(a)所示，由形成第一环形线圈101的第一环包围的平面即第一线圈面401和由形成第二环形线圈102的第二环包围的平面即第二线圈面402以彼此不重叠的方式沿着特定平面500的特定方向排列配置。
第一环形线圈101和第二环形线圈102的形状是相同的形状，是具有长轴和短轴的形状。在图4所示的实施方式中，第一、第二环形线圈101、102的形状为长方形，分别具有长轴301、302。在此，长轴301、302相当于第一、第二环形线圈101、102的长边方向上的线对称的轴，2个长轴301、302彼此平行地排列。另外，未图示的短轴是与第一、第二环形线圈101、102各自的长轴301、302正交的线圈面401、402上的轴。分别构成第一、第二环形线圈101、102的长轴301、302方向的尺寸与短轴方向的尺寸不同。即，第一环形线圈101和第二环形线圈102的形状为细长的相同的形状。在此，短边的长度相对于长边的长度的比即纵横比设为小于1，以使得长边的尺寸比短边的尺寸长。
上述特定平面500是包含构成环形线圈对的第一、第二环形线圈101、102各自的长轴301、302的平面。另外，上述特定方向是在上述特定平面500内与2个长轴301、302分别正交的方向。另外，第一、第二环形线圈101、102关于由第一、第二环形线圈101、102构成的环形线圈对的中心轴300线对称地配置。另外，环形线圈对101、102的长边方向的长度Dz相当于环形线圈对101、102的外周的Z方向的最大长度，环形线圈对101、102的短边方向的长度Dx相当于环形线圈对的外周的X方向的最大长度。
在图4中，将彼此正交的X轴、Y轴、Z轴中的Z轴方向设为上述的特定方向，将X轴方向设为与长轴301、302平行的方向，将Y轴方向设为与特定平面500正交的方向。另外，这些关系在后述的图5至图10中也相同。
如图4的(b)所示，上侧静磁场磁铁10A的环形线圈对101、102(第一环形线圈对)配置在第一特定平面500(在图4的(b)中，上侧静磁场磁铁10A所包含的特定平面500)，下侧静磁场磁铁10B的环形线圈对101、102(第二环形线圈对)配置在第二特定平面500(在图4的(b)中，下侧静磁场磁铁10B所包含的特定平面500)。
另一方面，如图4的(a)所示，在上侧静磁场磁铁10A的第一环形线圈101中流过第一方向(例如，图4的(a)中顺时针方向)的电流i1，在第二环形线圈102中流过与第一方向相反方向的第二方向(例如图4的(a)中逆时针方向)的电流i2。
而且，在下侧静磁场磁铁10B中流过与上侧静磁场磁铁10A的第一、第二环形线圈101、102相反方向的电流。即，在下侧静磁场磁铁10B的第一环形线圈101中流过第二方向的电流i2，在第二环形线圈102中流过第一方向的电流i1。
通过使上述那样的朝向的电流流过上侧静磁场磁铁10A和下侧静磁场磁铁10B的第一、第二环形线圈101、102，能够在上侧静磁场磁铁10A与下侧静磁场磁铁10B之间的摄像区域中生成与上述特定方向(图4中的Z方向)平行的静磁场B0(参照图3)。
进而，通过使上述那样的朝向的电流流过上侧静磁场磁铁10A和下侧静磁场磁铁10B的第一、第二环形线圈101、102，能够在上侧静磁场磁铁10A与下侧静磁场磁铁10B之间的摄像区域中，生成在上述特定方向(图4中的Z方向)、与上述特定平面500正交的方向(图4中的Y方向)、以及与上述特定平面500平行且与上述特定方向正交的方向(图4中的X方向)的正交3方向上均匀化的静磁场分布。
(静磁场磁铁的变形例)
以下，使用图5至图13对静磁场磁铁10的几个变形例进行说明。
图5是表示静磁场磁铁10的第一变形例的结构例的图。在上述的实施方式的静磁场磁铁10，如图4所示，在上侧静磁场磁铁10A和下侧的静磁场磁铁10B的任一个，都以第一线圈面401和第二线圈面402位于上述特定平面500内的方式配置了第一环形线圈101和第二环形线圈102。
与此相对，在第一变形例中，以第一线圈面401和第二线圈面402相对于特定平面500绕各自的长轴301、302以规定的倾斜角θ倾斜的方式配置第一环形线圈101和第二环形线圈102。在此，第一线圈面401相对于上述特定平面500的倾斜角θ和第二线圈面402相对于上述特定平面500的倾斜角θ为彼此相反方向的角度。换言之，第一环形线圈101和第二环形线圈102相对于与特定平面500正交的中心轴300上的面镜面对称。这样，通过使第一线圈面401和第二线圈面402相对于特定平面500倾斜，能够形成自由度高的静磁场分布，能够得到更广的均匀静磁场区域。
图6是表示静磁场磁铁10的第二变形例的结构例的图。在上述实施方式的静磁场磁铁10，如图4所示，第一环形线圈101和第二环形线圈102的形状为长方形，但并不限定于此。如图6所示，第一环形线圈101和第二环形线圈102的形状也可以是具有长轴301、302的椭圆形。
图7是表示静磁场磁铁10的第三变形例的结构例的图。在上述的实施方式的静磁场磁铁10，如图4所示，具有由第一环形线圈101和第二环形线圈102构成的1个环形线圈对，但环形线圈对的数量也可以是2以上。
在图7所示的第三变形例中，具有由第一环形线圈101和第二环形线圈102构成的第一第二环形线圈对、和由第三环形线圈103和第四环形线圈104构成的第三第四环形线圈对。
在此，第一第二环形线圈对101、102和第三第四环形线圈对103、104以彼此的特定方向(即，Z轴方向)的中心位置在中心轴300上一致的方式配置。
此外，在将特定方向设为长边方向的情况下，第一第二环形线圈对101、102的长边方向的长度与第三第四环形线圈对103、104的长边方向的长度彼此不同。
另一方面，配置第一第二环形线圈对101、102的第一第二特定平面500与配置第三第四环形线圈对103、104的第三第四特定平面501如图7的(b)所示，彼此平行即可，两者无需一致。
通过具有多个环形线圈对，从而相对于环形线圈对为1个的情况，能够形成自由度更高的静磁场分布，能够得到更广的均匀静磁场区域。
图8是表示静磁场磁铁10的第四变形例的结构例的图。在上述的第三变形例的静磁场磁铁10，如图7所示，以第一线圈面401和第二线圈面402与第一第二特定平面500平行且位于第一第二特定平面500内的方式配置第一环形线圈101和第二环形线圈102，同样地，以第三线圈面403和第四线圈面404与第三第四特定平面501平行且位于第三第四特定平面501内的方式配置第三环形线圈103和第四环形线圈104。
与此相对，在第四变形例中，以第一线圈面401和第二线圈面402相对于第一第二特定平面500绕各自的长轴301、302以规定的倾斜角θ1倾斜的方式配置第一环形线圈101和第二环形线圈102。同样地，以第三线圈面403和第四线圈面404相对于第三第四特定平面501绕各自的长轴303、304以规定的倾斜角θ2倾斜的方式配置第三环形线圈103和第四环形线圈104。在此，倾斜角θ1与倾斜角θ2可以相同也可以不同。
对于第四变形例，各线圈面401、402、403、404相对于特定平面500、501具有倾斜角θ1、θ2，由此相对于第三变形例，能够形成自由度更高的静磁场分布，能够得到更广的均匀静磁场区域。
图9是表示静磁场磁铁10的第五变形例的结构例的图。在上述第三、第四变形例的静磁场磁铁10，如图7、图8所示，第一至第四环形线圈101、102、103、104各自的形状为长方形，但并不限定于此。如图9所示，第一至第四环形线圈101、102、103、104的形状也可以分别为具有长轴301、302、303、304的椭圆形。
图10是表示静磁场磁铁10的第六变形例的结构例的图。上述实施方式的静磁场磁铁10以及第一至第五变形例的静磁场磁铁10是以下结构：具有上侧静磁场磁铁10A和下侧静磁场磁铁10B，在上侧静磁场磁铁10A与下侧静磁场磁铁10B之间的空间设置摄像区域。
与此相对，图10所示的第六变形例的静磁场磁铁10是以下结构：具有上侧静磁场磁铁10A和下侧静磁场磁铁10B中的任一个静磁场磁铁10。例如，如图10所示，是仅具有下侧静磁场磁铁10B的结构。作为下侧静磁场磁铁10B，可以使用上述的实施方式及其第一至第五变形例的任一下侧静磁场磁铁10B。在图10中，将第一变形例(图5)的下侧静磁场磁铁10B用作第六变形例中的静磁场磁铁10。
在第六变形例的静磁场磁铁10，使用在静磁场磁铁10的上方生成的静磁场进行被检体P的拍摄。即，在静磁场磁铁10的上方设定摄像区域。在图10的(b)中，一并图示了被检体P横卧的顶板64、设置于顶板64与静磁场磁铁10之间的倾斜磁场线圈60和发送接收线圈62。
在第六变形例中生成的静磁场分布在特定方向(与2个长轴301、302分别正交的方向，图10的(b)中的Z方向)、以及与特定平面(包含2个长轴301、302的平面)平行且与所述特定方向正交的方向(图10的(a)中的X方向)上均匀化，在与所述特定平面正交的方向(图10的(b)中的Y方向)上单调地变化。
图11至图13是表示第六变形例的静磁场磁铁10的静磁场分布的计算例的图。图11表示将X轴的值设为零时，即，静磁场磁铁10的短边方向的中央的位置处的Y-Z面的静磁场分布。图11的曲线将静磁场强度表示为等高线。图11的横轴表示归一化后的Z方向的位置，纵轴表示归一化后的Y方向的位置。
在图11所示的计算例中，第一环形线圈101的中心位置(z，y)为(-1.0，-0.3)，第二环形线圈102的中心位置(z，y)为(+1.0，-0.3)。在该计算例中，在y为以0.6为中心的规定范围、z为-0.2至+0.2的区域中，Z方向的磁场强度均匀化，将该区域作为摄像区域。此外，在摄像区域中，在Y方向(即，与顶板64正交的方向)上，成为磁场强度单调变化的静磁场分布。
图12表示y＝0.6处的X-Z面的静磁场分布。在X-Z面中，x为以0.0为中心的规定范围、z为-0.2至+0.2的区域成为摄像区域。在摄像区域的X-Z面中，在X方向和Z方向的任一方向上，磁场都均匀化。
图13表示z＝0.0处的X-Y面的静磁场分布。在X-Y平面中，x为以0.0为中心的规定范围、y为以0.6为中心的规定范围成为摄像区域。在摄像区域的X-Y面中，X方向的磁场强度均匀化，Y方向的磁场强度成为单调变化的静磁场分布。
(磁共振成像装置)
图14是表示具有上述的实施方式及其各变形例的静磁场磁铁10的磁共振成像装置1的结构的图。该磁共振成像装置1的静磁场磁铁10与上述的实施方式及其各变形例的静磁场磁铁10中的仅具有下侧静磁场磁铁10B的第六变形例的静磁场磁铁10对应。
磁共振成像装置1除了静磁场磁铁10以外，还具有倾斜磁场线圈60、发送接收线圈62、顶板64、磁铁电源40、摄像条件设定电路50、序列控制器51、倾斜磁场电源52、发送电路53、接收电路54以及重建处理电路55。
磁铁电源40是向静磁场磁铁10的第一、第二环形线圈101、102施加电流的电源。在静磁场磁铁10构成为常导磁铁的情况下，磁铁电源40始终与静磁场磁铁10连接。另一方面，在静磁场磁铁10构成为超导磁铁的情况下，虽然磁铁电源40在励磁模式中向静磁场磁铁10供给电流，但在转移到永久电流模式之后，磁铁电源40与静磁场磁铁10分离。
摄像条件设定电路50对序列控制器51设定经由未图示的用户接口输入的脉冲序列的种类、各种参数的值等摄像条件。序列控制器51基于所设定的摄像条件，分别驱动倾斜磁场电源52以及发送电路53，由此进行被检体的扫描。
倾斜磁场电源52基于来自序列控制器51的驱动信号，对倾斜磁场线圈60施加倾斜磁场电流。发送电路53基于来自序列控制器51的驱动信号，生成RF脉冲，并将RF脉冲施加于发送接收线圈62。例如通过载置于被检体P的胸部的局部线圈接收与该施加对应地从被检体P发出的MR信号。由局部线圈接收到的MR信号在接收电路54从模拟信号转换为数字信号。转换为数字信号的MR信号作为k空间数据供给到重建处理电路55。重建处理电路55对k空间数据实施傅立叶逆变换处理等重建处理，生成磁共振图像。
根据以上说明的至少1个实施方式，在使用了开放型的静磁场磁铁的摄像中，能够确保被检体的头脚方向的摄像区域广，并且能够容易地在摄像中访问被检体。
对几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提出的，并不意图限定发明的范围。这些实施方式能够以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更、实施方式彼此的组合。这些实施方式及其变形包含在发明的范围或主旨中，同样包含在权利要求书所记载的发明及其均等的范围内。

Claims (15)

1.一种静磁场磁铁，用于对被检体进行拍摄的磁共振成像装置，其中，
所述静磁场磁铁具有至少1个环形线圈对，该环形线圈对具有在第一方向上流过电流的第一环形线圈和在与所述第一方向相反方向的第二方向上流过电流的第二环形线圈，
由形成所述第一环形线圈的第一环包围的平面即第一线圈面、和由形成所述第二环形线圈的第二环包围的平面即第二线圈面，以相互不重叠的方式，沿着特定方向排列配置，
所述特定方向配置于特定平面内，
所述环形线圈对生成与所述特定方向平行的静磁场。
2.根据权利要求1所述的静磁场磁铁，其中，
所述第一线圈面和所述第二线圈面配置于所述特定平面内。
3.根据权利要求1所述的静磁场磁铁，其中，
所述第一环和所述第二环为相同的形状，且为具有长轴和短轴的形状。
4.根据权利要求1所述的静磁场磁铁，其中，
所述第一环与所述第二环为相同的形状，且为细长的环形状。
5.根据权利要求1所述的静磁场磁铁，其中，
所述第一环和所述第二环各自的形状为长方形。
6.根据权利要求1所述的静磁场磁铁，其中，
所述第一环和所述第二环各自的形状为椭圆形。
7.根据权利要求3所述的静磁场磁铁，其中，
所述第一环形线圈和所述第二环形线圈以所述第一环和所述第二环各自的长轴位于所述特定平面内且彼此并排且与所述特定方向正交的方式排列。
8.根据权利要求1所述的静磁场磁铁，其中，
以所述第一线圈面和所述第二线圈面位于所述特定平面内的方式配置所述第一环形线圈和所述第二环形线圈。
9.根据权利要求1所述的静磁场磁铁，其中，
以所述第一线圈面和所述第二线圈面相对于所述特定平面以规定的倾斜角倾斜的方式配置所述第一环形线圈和所述第二环形线圈。
10.根据权利要求9所述的静磁场磁铁，其中，
所述第一线圈面相对于所述特定平面的所述倾斜角和所述第二线圈面相对于所述特定平面的所述倾斜角为彼此反向的角度。
11.根据权利要求1所述的静磁场磁铁，其中，
具有多个所述环形线圈对，
所述多个环形线圈对在以所述特定方向为长边方向时，所述长边方向的长度分别不同，以各自的长边方向的中心位置一致的方式，沿着所述特定方向配置。
12.根据权利要求1所述的静磁场磁铁，其中，
通过所述第一环形线圈和所述第二环形线圈的配置，所述被检体的摄像区域中的所述静磁场的分布在所述特定方向以及与所述特定平面平行且与所述特定方向正交的方向上均匀化，在与所述特定平面正交的方向上单调变化。
13.根据权利要求1所述的静磁场磁铁，其中，
所述至少1个环形线圈对构成为具有第一环形线圈对和第二环形线圈对，
所述第一环形线圈对配置于第一特定平面，
所述第二环形线圈对配置于第二特定平面，
所述第二特定平面相对于所述第一特定平面平行，与所述第一特定平面具有规定的隔离距离。
14.根据权利要求13所述的静磁场磁铁，其中，
通过所述第一环形线圈对和所述第二环形线圈对的配置，所述被检体的摄像区域中的所述静磁场的分布在包含所述特定方向、与所述第一或第二特定平面平行且与所述特定方向正交的方向、以及与所述第一或第二特定平面正交的方向的正交3方向上均匀化。
15.一种磁共振成像装置，其具有权利要求1～14中任1项所述的静磁场磁铁。
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