CN117063285A - 阵列基板、液晶显示面板和显示装置 - Google Patents

阵列基板、液晶显示面板和显示装置 Download PDF

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刘召
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樊建雄
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苏海东
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Abstract

一种阵列基板、液晶显示面板和显示装置，其中，阵列基板包括：基底(10)以及第一绝缘层(20)、第二绝缘层(30)、第三绝缘层(40)、平坦层(50)、第一电极层(90A)、第四绝缘层(70)和第二电极层(90B)；第三绝缘层(40)包括依次叠设的第一层间绝缘层(40A)、第二层间绝缘层(40B)和第三层间绝缘层(40C)；第一层间绝缘层(40A)位于第二层间绝缘层(40B)靠近基底(10)的一侧，第三层间绝缘层(40C)位于第二层间绝缘层(40B)远离基底(10)的一侧；第一层间绝缘层(40A)和第三层间绝缘层(40C)的材料包括硅氧化物；第二层间绝缘层(40B)的材料包括硅氮化物。

Description

阵列基板、液晶显示面板和显示装置
本申请要求于2022年3月11日提交中国专利局、申请号为202210238472.5、发明名称为“阵列基板、液晶显示面板和显示装置”的中国专利申请的优先权，其内容应理解为通过引用的方式并入本申请中。
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、液晶显示面板和显示装置。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，已得到迅速发展。液晶显示面板包括对盒(CELL)的薄膜晶体管阵列(Thin Film Transistor，简称TFT)基板和彩膜(Color Filter，简称CF)基板，液晶(Liquid Crystal，简称LC)分子设置在阵列基板和彩膜基板之间，通过控制公共电极和像素电极来形成驱动液晶偏转的电场，实现灰阶显示。
发明内容
以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
第一方面，本公开提供了一种阵列基板，包括：基底以及依次叠设在所述基底上的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、平坦层、第一电极层、第四绝缘层和第二电极层；
所述第三绝缘层包括依次叠设的第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和第三层间绝缘层；所述第一层间绝缘层位于所述第二层间绝缘层靠近所述基底的一侧，所述第三层间绝缘层位于所述第二层间绝缘层远离所述基底的一侧；
所述第一层间绝缘层和所述第三层间绝缘层的材料包括硅氧化物；所述第二层间绝缘层的材料包括硅氮化物。
在示例性实施方式中，所述第一层间绝缘层的厚度在1980埃至2420埃范围内；所述第二层间绝缘层的厚度在1260至1540埃范围内；所述第三层间绝缘层的厚度在855埃至1045埃范围内。
在示例性实施方式中，所述第二绝缘层包括：第一子绝缘层和第二子绝缘层，所述第二子绝缘层位于所述第一子绝缘层远离所述基底的一侧；
所述第一子绝缘层的材料包括硅氧化物；所述第二子绝缘层的材料包括硅氮化物。
在示例性实施方式中，所述第一子绝缘层的厚度在720埃至880埃范围内，所述第二子绝缘层的厚度在360埃至440埃范围内。
在示例性实施方式中，所述第一绝缘层包括第一缓冲层；所述第一缓冲层的材料包括硅氧化物；所述第一缓冲层的厚度在2700埃至3300埃范围内。
在示例性实施方式中，所述第一绝缘层还包括第二缓冲层；所述第二缓冲层位于所述基底与所述第一缓冲层之间；所述第二缓冲层的材料包括硅氮化物。
在示例性实施方式中，所述第一电极层包括像素电极，所述第二电极层包括公共电极；
所述像素电极在基底上的正投影与所述公共电极在所述基底上的正投影存在交叠。
在示例性实施方式中，所述第一电极层和第二电极层的材料相同，且包括ITO。
第二方面，本公开还提供了一种液晶显示面板，包括：相对设置的彩膜基板和上述阵列基板，以及位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶层。
在示例性实施方式中，所述液晶层包括液晶材料，其中，所述液晶材料的双折射率为0.09至0.13；所述液晶材料的清亮点大于或等于100℃。
在示例性实施方式中，所述彩膜基板包括：黑矩阵层和滤光层；所述黑矩阵层包括黑矩阵，所述滤光层包括滤光单元；所述彩膜基板包括像素开口区；所述像素开口区被所述黑矩阵包围设置；所述滤光单元覆盖所述像素开口区；
其中，所述黑矩阵在所述基底上的正投影与像素电极在所述基底上的正投影存在部分交叠。
在示例性实施方式中，所述黑矩阵在所述基底上的正投影与公共电极在所述基底上的正投影存在部分交叠。
在示例性实施方式中，所述公共电极包括多个狭缝，所述多个狭缝在所述基底上的正投影与所述黑矩阵在所述基底上的正投影无交叠，且与所述像素电极在基底上的正投影存在部分交叠。
在示例性实施方式中，所述滤光层包括蓝色滤光单元，绿色滤光单元以及红色滤光单元；
其中，所述蓝色滤光单元的透过率峰值对应波长为445nm至465nm范围内，所述蓝色滤光单元的一个半透过率峰值对应波长在378nm至388nm范围内，所述蓝色滤光单元的另一个半透过率峰值对应波长在509nm至519nm范围内。
在示例性实施方式中，所述绿色滤光单元的透过率峰值对应波长为523nm至533nm范围内，所述绿色滤光单元的一个半透过率峰值对应波长在473nm至483nm范围内，所述绿色滤光单元的另一个半透过率峰值对应波长在598nm至608nm范围内。
第三方面，本公开还提供了一种显示装置，包括背光源以及上述液晶显示面板。
在示例性实施方式中，所述背光源的发光主峰波长为445nm至465nm范围内，所述背光源的发光辅波峰波长为480nm至600nm范围内。
在示例性实施方式中，所述显示装置为投影显示装置。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方 案的限制。
图1为膜层间光线的折射与反射示意图；
图2为本公开实施例提供的阵列基板的平面结构示意图；
图3为本公开实施例提供的阵列基板的截面图；
图4为一种示例性实施例提供的阵列基板的截面图；
图5为另一示例性实施例提供的阵列基板的截面图；
图6为又一示例性实施例提供的阵列基板的截面图；
图7为多个阵列基板的透过率对比图；
图8为多个阵列基板的横向色偏对比图；
图9为多个阵列基板的纵向色偏对比图；
图10为一种液晶显示面板的结构示意图；
图11为本公开实施例提供的液晶显示面板的截面图；
图12为一种示例性实施例提供的液晶显示面板的截面图一；
图13为一种示例性实施例提供的液晶显示面板的截面图二；
图14为一种示例性实施例提供的液晶显示面板的截面图三；
图15为本公开实施例提供的阵列基板的结构示意图一；
图16为本公开实施例提供的阵列基板的结构示意图二；
图17为本公开实施例提供的液晶显示面板的结构示意图一；
图18为本公开实施例提供的液晶显示面板的结构示意图二。
具体实施方式
本公开描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说，在本公开所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元 件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
本公开包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本公开已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的技术方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它技术方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的技术方案。因此，应当理解，在本公开中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。
除非另外定义，本公开公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述的对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
高规格的屏幕显示效果可以带来极致的视觉体验，在有机发光二极管画质为王的手机市场，LCD在发挥无闪烁低功耗的优势之外，提高显示效果特别是透过率尤为重要。
LCD显示产品中的阵列基板为膜层堆叠结构。图1为膜层间光线的折射与反射示意图，如图1所示，光线在阵列基板的不同膜层进行传播时，因各层材料的折射率n和消光系数k不同，会产生反射光与折射光，不同界面折射光②与反射光①发生干涉，当相干相消时，反射光降低，实现低反效果。折射光a和折射光b发生干涉，当两者光程差为半波长的偶数倍，即发生相干相长，膜层的透过率增加；当两者光程差为半波长的奇数倍，相干相消，膜层的透过率降低，因此，阵列基板的膜层透过率与各个膜层的折射率和厚 度相关。经发明人研究发现，现有的阵列基板的膜层堆叠结构使得阵列基板在可见光波段380-780nm的照射下透过率约为77％，也就是说，现有的阵列基板的透过率较低，降低了液晶显示产品的显示效果。
图2为本公开实施例提供的阵列基板的平面结构示意图，图3为本公开实施例提供的阵列基板的截面图。如图2和图3所示，本公开实施例提供的阵列基板包括：显示区域AA和非显示区域AA’，显示区域包括：驱动区域AA1和非驱动区域AA2，驱动区域包括：薄膜晶体管、设置为向薄膜晶体管提供驱动信号的扫描线S1到Sm和设置为向薄膜晶体管提供数据信号的数据线D1到Dn，位于非驱动区域的阵列基板包括：基底10以及依次叠设在基底上的第一绝缘层20、第二绝缘层30、第三绝缘层40、平坦层50、第一电极层60、第四绝缘层70和第二电极层80。非驱动区域AA2的透过率大于阈值透过率。
在一种示例性实施例中，基底10可以为刚性衬底或柔性衬底，其中，刚性衬底可以为但不限于玻璃、金属萡片中的一种或多种；柔性衬底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维中的一种或多种。示例性地，基底10可以为玻璃基底。
在一种示例性实施例中，薄膜晶体管可以包括：有源层、栅电极、源漏电极。示例性地，薄膜晶体管的结构可以为顶栅结构，还可以为底栅结构，本公开实施例对此不作任何限定。
在一种示例性实施例中，源漏电极之间的间距可以约为10纳米至50微米，源漏电极的高度可以约为10纳米至20微米。
在一种示例性实施例中，多条扫描线可以沿着水平方向延伸并沿着竖直方向依次设置，多条数据线可以沿着竖直方向延伸并沿着水平方向依次设置，相互交叉的多条扫描线和多条数据线限定出规则排布的多个像素区域。
在一种示例性实施例中，至少一个像素区域可以包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极，薄膜晶体管分别与扫描线、数据线和像素电极连接。
在一种示例性实施例中，如图2所示，阵列基板还可以包括多条公共电 极线(E1到Eo)，多条公共电极线可以沿着水平方向延伸并沿着竖直方向依次设置，多条公共电极线与多个像素区域中的公共电极对应连接。
在一种示例性实施例中，阵列基板可以为高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch，ADS)显示模式的阵列基板。
在一种示例性实施例中，非显示区域可以设置有扫描驱动器和数据驱动器。
在一种示例性实施例中，多条扫描线被引出到非显示区域，并与扫描驱动器连接，多条数据线被引出到非显示区域，并与数据驱动器连接，扫描驱动器和数据驱动器的至少一部分可以形成在阵列基板上。
在一种示例性实施例中，外部控制装置(如时序控制器)可以将适合于数据驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据驱动器，数据驱动器可以利用接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。外部控制装置可以将适合于扫描驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描驱动器，扫描驱动器可以利用时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm，m可以是自然数。例如，扫描驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号。
在一种示例性实施例中，阈值透过率为80％。一种示例性实施例中，阵列基板中的非驱动区域的透过率为82.4％。
本公开实施例提供的阵列基板包括：显示区域和非显示区域，显示区域包括：驱动区域和非驱动区域，驱动区域包括：薄膜晶体管、设置为向薄膜晶体管提供驱动信号的扫描线到和设置为向薄膜晶体管提供数据信号的数据线到，位于非驱动区域的阵列基板包括：基底以及依次叠设在基底上的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、平坦层、第一电极层、第四绝缘层和第 二电极层，非驱动区域的透过率大于阈值透过率。本公开实施例提供的阵列基板的膜层堆叠结构使得非驱动区域的透过率大于阈值透过率。
图4为一种示例性实施例提供的阵列基板的截面图，图5为另一示例性实施例提供的阵列基板的截面图，图6为又一示例性实施例提供的阵列基板的截面图。如图4至图6所示，一种示例性实施例提供阵列基板中的第一绝缘层20为单层结构，第一绝缘层20的厚度L1大于第二电极层80的厚度L7，且第一绝缘层20的折射率大于基底10的折射率。
在一种示例性实施例中，第一绝缘层10的厚度L1约为第二电极层80的厚度L7的7.5至9.8倍。
在一种示例性实施例中，第一绝缘层10的厚度L1约为2950埃至3950埃。
在一种示例性实施例中，第一绝缘层10的制作材料包括：氧化硅。
在一种示例性实施例中，如图4所示，当第一绝缘层20的厚度L1大于2950埃至3600埃时，第三绝缘层40可以包括：依次叠设的第一层间绝缘层40A、第二层间绝缘层40B和第三层间绝缘层40C。其中，第一层间绝缘层40A位于第二层间绝缘层40B靠近基底的一侧，第三层间绝缘层40C位于第二层间绝缘层40B远离基底的一侧。
在一种示例性实施例中，第一层间绝缘层40A的厚度L31可以大于第二层间绝缘层40B的厚度L32。
在一种示例性实施例中，第二层间绝缘层40B的厚度L32大于第三层间绝缘层40C的厚度L33。
在一种示例性实施例中，第一层间绝缘层40A的折射率小于第二层间绝缘层40B的折射率。
在一种示例性实施例中，第三层间绝缘层40C的折射率小于第二层间绝缘层40B的折射率。
在一种示例性实施例中，第二层间绝缘层40B的折射率大于基底的折射率。
在一种示例性实施例中，第一层间绝缘层40A的厚度L31可以约为第二 层间绝缘层40B的厚度的1.1至1.2倍。
在一种示例性实施例中，第二层间绝缘层40B的厚度L32约为第三层间绝缘层40C的厚度的3.2至3.5倍。
在一种示例性实施例中，第三层间绝缘层40C的厚度L33约为第二电极层的厚度的0.9至1.1倍。
在一种示例性实施例中，第一层间绝缘层40A的厚度L31可以约为1500埃至1700埃。示例性地，第一层间绝缘层40A的厚度可以为1600埃。
在一种示例性实施例中，第二层间绝缘层40B的厚度L32可以约为1330至1470埃。示例性地，第二层间绝缘层40B的厚度可以为1400埃。
在一种示例性实施例中，第三层间绝缘层40C的厚度可以约为380埃至420埃。示例性地，第三层间绝缘层40C的厚度可以为400埃。
在一种示例性实施例中，如图4是以第一绝缘层10的厚度为3000埃，第一层间绝缘层40A的厚度为1600埃，第二层间绝缘层40B的厚度为1400埃，第三层间绝缘层40C的厚度为400埃为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，如图4所示，第一层间绝缘层40A和第三层间绝缘层40C的制作材料可以包括：氧化硅。
在一种示例性实施例中，如图4所示，第二层间绝缘层40B的制作材料可以包括：氮化硅。
在一种示例性实施例中，如图5所示，当第一绝缘层10的厚度L1大于3885埃时，第三绝缘层40可以包括：依次叠设的第一层间绝缘层40A、第二层间绝缘层40B和第三层间绝缘层40C。其中，第一层间绝缘层40A位于第二层间绝缘层40B靠近基底10的一侧，第三层间绝缘层40C位于第二层间绝缘层40B远离基底10的一侧。
在一种示例性实施例中，如图5所示，第一层间绝缘层40A的厚度可以大于第二层间绝缘层40B的厚度。
在一种示例性实施例中，第二层间绝缘层40B的厚度可以小于第三层间绝缘层40C的厚度。
在一种示例性实施例中，第一层间绝缘层40A的折射率小于第二层间绝 缘层40B的折射率。
在一种示例性实施例中，第三层间绝缘层40C的折射率小于第二层间绝缘层40B的折射率。
在一种示例性实施例中，第二层间绝缘层40B的折射率大于基底10的折射率。
在一种示例性实施例中，第一层间绝缘层40A的厚度可以约为第二层间绝缘层40B的厚度1.7至1.8倍。
在一种示例性实施例中，第三层间绝缘层40C的厚度可以约为第二层间绝缘层40B的厚度的1.05至1.1倍。
在一种示例性实施例中，第二层间绝缘层40B的厚度可以约为第二电极层的厚度的3.3至3.7倍。
在一种示例性实施例中，第一层间绝缘层40A的厚度L31可以约为2280埃至2520埃。示例性地，第一层间绝缘层40A的厚度L31可以为2400埃。
在一种示例性实施例中，第二层间绝缘层40B的厚度L32可以约为1330至1470埃。示例性地，第二层间绝缘层40B的厚度L32可以为1400埃。
在一种示例性实施例中，第三层间绝缘层40C的厚度L33约为1420埃至1080埃。示例性地，第三层间绝缘层40C的厚度L33为1500埃。
在一种示例性实施例中，图5是以第一绝缘层10的厚度L1为3900埃，第一层间绝缘层40A的厚度L31为2400埃，第二层间绝缘层40B的厚度L32为1400埃，第三层间绝缘层40C的厚度L33为1500埃为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，如图5所示，第一层间绝缘层40A和第三层间绝缘层40C的制作材料可以包括：氧化硅。
在一种示例性实施例中，如图5所示，第二层间绝缘层40B的制作材料可以包括：氮化硅。
在一种示例性实施例中，如图6所示，当第一绝缘层10的厚度L1大于或者等于3500埃，且小于3885埃时，第三绝缘层40可以包括：依次叠设的第二层间绝缘层40B和第三层间绝缘层40C；第二层间绝缘层40B位于第三层间绝缘层40C靠近基底的一侧。
在一种示例性实施例中，如图6所示，第三层间绝缘层40C的厚度L33可以大于第二层间绝缘层40B的厚度L32。
在一种示例性实施例中，如图6所示，第二层间绝缘层40B的厚度L33可以大于第二电极层的厚度L7。
在一种示例性实施例中，第三层间绝缘层40C的折射率可以小于第二层间绝缘层40B的折射率。
在一种示例性实施例中，第二层间绝缘层40B的折射率可以大于基底的折射率。
在一种示例性实施例中，第三层间绝缘层40C的厚度可以约为第二层间绝缘层40B的厚度的1.7至1.8倍。
在一种示例性实施例中，第二层间绝缘层40B的厚度可以约为第二电极层的厚度的3.3至3.7倍。
在一种示例性实施例中，第二层间绝缘层40B的厚度约为1330至1470埃。示例性地，第二层间绝缘层40B的厚度为1400埃。
在一种示例性实施例中，第三层间绝缘层40C的厚度约为2280埃至2520埃。示例性地，第三层间绝缘层40C的厚度为2400埃。
在一种示例性实施例中，图6是以第一绝缘层的厚度为3700埃，第二层间绝缘层40B的厚度为1400埃，第三层间绝缘层40C的厚度为2400埃为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，如图6所示，第二层间绝缘层40B的制作材料可以包括：氮化硅。
在一种示例性实施例中，如图6所示，第三层间绝缘层40C的制作材料可以包括：氧化硅。
在一种示例性实施例中，第一电极层可以为透明导电层。
在一种示例性实施例中，第二电极层可以为透明导电层。
在一种示例性实施例中，如图4至6所示，阵列基板中的第二绝缘层30包括：第一子绝缘层30A和第二子绝缘层30B。第二子绝缘层30B位于第一 子绝缘层30A远离基底10的一侧。
在一种示例性实施例中，如图4至6所示，第一子绝缘层30A的厚度L21可以大于第二子绝缘层30B的厚度L22，且可以大于第二电极层80的厚度L7。
在一种示例性实施例中，第一电极层60的厚度L5可以大于第二电极层80的厚度L7。
在一种示例性实施例中，第四绝缘层70的厚度L6可以大于第二电极层80的厚度L7。
在一种示例性实施例中，平坦层50的厚度L4可以大于第一电极层60的厚度L5。
在一种示例性实施例中，第一子绝缘层30A的厚度L21可以约为第二子绝缘层30B的厚度L22的1.8至2.2倍。
在一种示例性实施例中，第二子绝缘层30B的厚度L22可以约为第二电极层80的厚度L7的0.9至1.1倍。
在一种示例性实施例中，第一电极层60的厚度L5可以约为第二电极层80的厚度L7的1.8至2.2倍；
在一种示例性实施例中，第四绝缘层70的厚度L6可以约为第二电极层80的厚度L7的1.8至2.2倍。第四绝缘层70的厚度L6可以约为第一电极层60的厚度L5的0.9至1.1倍。
在一种示例性实施例中，平坦层50的厚度L4可以约为第一电极层60的厚度L5的28.5至29倍。
在一种示例性实施例中，第一子绝缘层30A的厚度L21可以约为760埃至840埃。示例性地，第一子绝缘层30A的厚度L21为800埃。
在一种示例性实施例中，第二子绝缘层30B的厚度L22约为380埃至420埃。示例性地，第二子绝缘层30B的厚度L22可以为400埃。
在一种示例性实施例中，平坦层50的厚度L4约为21850埃至24150埃。示例性地，平坦层50的厚度L4可以为23000埃。
在一种示例性实施例中，第一电极层60的厚度L5约为760埃至840埃。示例性地，第一电极层60的厚度L5可以为800埃。
在一种示例性实施例中，第四绝缘层70的厚度L6约为760埃至840埃。示例性地，第四绝缘层70的厚度L6可以为800埃。
在一种示例性实施例中，第二电极层80的厚度L7约为380埃至420埃。示例性地，第二电极层80的厚度L7可以为400埃。
在一种示例性实施例中，如图4至图6是以第一子绝缘层30A的厚度L21为800埃，第二子绝缘层30B的厚度L22为400埃，平坦层50的厚度L4为23000埃，第一电极层60的厚度L5为800埃，第四绝缘层70的厚度L6为800埃，第二电极层80的厚度L7为400埃为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，第一子绝缘层30A的折射率可以小于第二子绝缘层30B的折射率。
在一种示例性实施例中，第一子绝缘层30A的折射率大于基底10的折射率。
在一种示例性实施例中，平坦层50的折射率大于基底10的折射率。
在一种示例性实施例中，第二电极层80的折射率大于平坦层50的折射率。
在一种示例性实施例中，第四绝缘层70的折射率大于第二电极层80的折射率和第一电极层60的折射率。
在一种示例性实施例中，第一子绝缘层30A的制作材料可以包括：氧化硅。
在一种示例性实施例中，第二子绝缘层30B的制作材料可以包括：氮化硅。
在一种示例性实施例中，第四绝缘层70的制作材料可以包括：氮化硅。
在一种示例性实施例中，第一电极层60和第二电极层80的制作材料可以包括：氧化铟锡。
在一种示例性实施例中，阵列基板包括：位于显示区域的多个像素区域， 每个像素区域包括：第一电极和第二电极，位于同一像素区域的第一电极在基底10上的正投影与第二电极在基底10上的正投影至少部分重叠。
在一种示例性实施例中，第一电极层60可以包括：至少一个像素区域的第一电极。第一电极可以为公共电极。
在一种示例性实施例中，第一电极为面状电极。
在一种示例性实施例中，第二电极层80包括：至少一个像素区域的第二电极。第二电极可以为像素电极，
在一种示例性实施例中，第二电极可以包括：阵列排布的多个子电极。子电极可以为块状电极。
在一种示例性实施例中，位于驱动区域的阵列基板可以包括：基底10以及依次叠设在基底10上的第一绝缘层20、半导体层、第二绝缘层30、第一导电层、第三绝缘层40、第二导电层、平坦层50、第一电极层60和第四绝缘层70。
在一种示例性实施例中，半导体层可以包括：薄膜晶体管的有源层。
在一种示例性实施例中，第一导电层可以包括：薄膜晶体管的栅电极和扫描线；
在一种示例性实施例中，第二导电层可以包括：薄膜晶体管的源漏电极和数据线。
在一种示例性实施例中，半导体层可以为非晶硅层、多晶硅层，或者可以为金属氧化物层。其中，金属氧化物层可以采用包含铟和锡的氧化物、包含钨和铟的氧化物、包含钨和铟和锌的氧化物、包含钛和铟的氧化物、包含钛和铟和锡的氧化物、包含铟和锌的氧化物、包含硅和铟和锡的氧化物或者包含铟或镓和锌的氧化物。金属氧化物层可以单层，或者可以是双层，或者可以是多层。
在一种示例性实施例中，第一导电层和第二导电层可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Mo/Cu/Mo等。
在一种示例性实施例中，第一绝缘层可以称为缓冲层，第二绝缘层称为栅绝缘层、第三绝缘层称为层间绝缘层，第四绝缘层可以称为钝化层。
图4提供的阵列基板和图5提供的阵列基板的区别之处在于第一绝缘层和第三绝缘层的厚度，图4中的第一绝缘层的厚度小于图5中的第一绝缘层的厚度，图4中的第一层间绝缘层的厚度小于图5中的第一层间绝缘层的厚度，图4中的第二层间绝缘层的厚度等于图5中的第二层间绝缘层的厚度，图4中的第三层间绝缘层的厚度小于图5中的第三层间绝缘层的厚度
图4提供的阵列基板和图6提供的阵列基板的区别之处在于第三绝缘层的结构以及第一绝缘层和层间绝缘层的厚度，图4中的第三绝缘层包括：第一层间绝缘层至第三层间绝缘层，图6中的第三绝缘层仅包括：第二层间绝缘层和第三层间绝缘层。图4中的第一绝缘层的厚度小于图6中的第一绝缘层的厚度，图4中的第二层间绝缘层的厚度等于图6中的第二层间绝缘层的厚度，图4中的第三层间绝缘层的厚度小于图6中的第三层间绝缘层的厚度。
图5提供的阵列基板和图6提供的阵列基板的区别之处在于第三绝缘层的结构以及第一绝缘层和层间绝缘层的厚度，图5中的第三绝缘层包括：第一层间绝缘层至第三层间绝缘层，图6中的第三绝缘层仅包括：第二层间绝缘层和第三层间绝缘层。图5中的第一绝缘层的厚度大于图6中的第一绝缘层的厚度，图5中的第二层间绝缘层的厚度等于图6中的第二层间绝缘层的厚度，图5中的第三层间绝缘层的厚度小于图6中的第三层间绝缘层的厚度。
图7为多个阵列基板的透过率对比图。图7中的方案一提供的阵列基板为图4提供的阵列基板，方案二提供的阵列基板为图5提供的阵列基板，方案三提供的阵列基板为图6提供的阵列基板，方案四提供的阵列基板为现有的阵列基板。现有的阵列基板中的第一绝缘层包括：第一缓冲绝缘层和第二缓冲绝缘层，第二绝缘层包括：第一子绝缘层和第二子绝缘层，第三绝缘层包括：第一层间绝缘层至第三层间绝缘层，其中，第一缓冲绝缘层的制作材料为氮化硅，且厚度为1000埃，第二缓冲绝缘层的制作材料为氧化硅，且厚度为3000埃，第一子绝缘层的制作材料为氧化硅，且厚度为800埃，第二子绝缘层的制作材料为氮化硅，且厚度为400埃，第一层间绝缘层的制作材料为氧化硅，且厚度为2000埃，第二层间绝缘层的制作材料为氮化硅，且厚度 为1600埃，第三层间绝缘层的制作材料为氧化硅，且厚度为1000埃，平坦层的厚度为23000埃，第一电极层的厚度为800埃，第四绝缘层的厚度为800埃，第二电极层的厚度为400埃。
方案四提供的阵列基板与图4提供的阵列基板区别之处在于第一绝缘层的结构以及第一绝缘层和第三绝缘层的厚度。方案四中的第一绝缘层的厚度大于图4中的第一绝缘层的厚度，方案四中的第一层间绝缘层的厚度大于图4中的第一层间绝缘层的厚度，方案四中的第二层间绝缘层的厚度大于图4中的第二层间绝缘层的厚度，方案四中的第三层间绝缘层的厚度大于图4中的第三层间绝缘层的厚度。
方案四提供的阵列基板与图5提供的阵列基板区别之处在于第一绝缘层的结构以及第一绝缘层和第三绝缘层的厚度。方案四中的第一绝缘层的厚度大于图5中的第一绝缘层的厚度，方案四中的第一层间绝缘层的厚度小于图5中的第一层间绝缘层的厚度，方案四中的第二层间绝缘层的厚度大于图5中的第二层间绝缘层的厚度，方案四中的第三层间绝缘层的厚度小于图5中的第三层间绝缘层的厚度。
方案四提供的阵列基板与图5提供的阵列基板区别之处在于第一绝缘层的结构、第三绝缘层的结构以及第一绝缘层和第三绝缘层的厚度。方案四中的第一绝缘层的厚度大于图5中的第一绝缘层的厚度，方案四中的第二层间绝缘层的厚度大于图5中的第二层间绝缘层的厚度，方案四中的第三层间绝缘层的厚度小于图5中的第三层间绝缘层的厚度。
图7中的横坐标为入射光线的波长，纵坐标为非驱动区域的透过率。经测试，如图7所示，本公开提供的方案一至方案三在可见光波段380-780nm的透过率约为82.4％，而方案四在可见光波段380-780nm的透过率约为77％，透过率提升约7％，其中430-780nm波段透过率有明显提升。
如图7所示，方案二在波段380-480nm的透过率大于方案三在可见光波段380-480nm的透过率，方案三在波段380-480nm的透过率大于方案一在可见光波段580-480nm的透过率。
如图7所示，方案三在波段480-580nm的透过率大于方案二在可见光波 段480-580nm的透过率，方案二在波段480-580nm的透过率大于方案一在可见光波段480-580nm的透过率。
如图7所示，方案一在波段580-780nm的透过率大于方案二在可见光波段580-780nm的透过率，方案二在波段580-780nm的透过率大于方案三在可见光波段580-780nm的透过率。
图8为多个阵列基板的横向色偏对比图，图9为多个阵列基板的纵向色偏对比图。如图8所示，本公开提供的方案一至方案三在大视角(可视角度大于60度)时，横向色偏小于3JNCD。本公开提供的阵列基板的色偏优于方案四提供的阵列基板，可以保证阵列基板在大视角无发红发绿相关不良，提升了显示效果。
如图8所示，在可视角度大于50度时，方案四提供的阵列基板的横向色偏大于方案一至方案三的横向色偏，方案一提供的阵列基板的横向色偏大于方案三提供的阵列基板的横向色偏，方案三提供的阵列基板的横向色偏大于方案二提供的阵列基板的横向色偏。即在可视角度大于50度时，方案二提供的阵列基板的横向色偏最小。
如图9所示，方案一至方案四提供的阵列基板在可视角度为13度时纵向色偏最小。在可视角度为10度至16度时，方案一至方案四提供的阵列基板纵向色偏基本保持一致。在可视角度为1度至2度、5度至8度、16度至20度以及23度至25度时，方案四提供的阵列基板的纵向色偏大于方案三的阵列基板的纵向色偏，方案三提供的阵列基板的纵向色偏大于方案一的阵列基板的纵向色偏，方案一提供的阵列基板的纵向色偏大于方案三的阵列基板的纵向色偏。在可视角度为2度至5度、8度至16度以及20度至23度时，方案四提供的阵列基板的纵向色偏大于方案一的阵列基板的纵向色偏，方案一提供的阵列基板的纵向色偏大于方案三的阵列基板的纵向色偏，方案三提供的阵列基板的纵向色偏大于方案二的阵列基板的纵向色偏。与方案一、方案三和方案四相比，方案二提供的阵列基板的纵向色偏在可视角度为1度至25度时最小。
本公开通过改变阵列基板中的第一绝缘层和第三绝缘层的厚度以及膜层堆叠结构通改变了膜层间折射光与反射光的相长相消关系，从而达到提升透 过率和改善大视角发红的效果。
图10为一种液晶显示面板的结构示意图，图11为本公开实施例提供的液晶显示面板的截面图。如图10和图11所示，本公开实施例提供的液晶显示面板，包括：相对设置的彩膜基板200和阵列基板100以及位于彩膜基板200和阵列基板100之间的液晶层300。
在一种示例性实施例中，阵列基板为前述任一实施例提供的阵列基板，其实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
在一种示例性实施例中，液晶显示面板还可以包括：设置为支撑彩膜基板和阵列基板的隔垫物以及封框胶等结构，本公开对此不作任何限定。
图12为一种示例性实施例提供的液晶显示面板的截面图一，图13为一种示例性实施例提供的液晶显示面板的截面图二，图14为一种示例性实施例提供的液晶显示面板的截面图三。如图11至图14所示，彩膜基板200包括：基底210以及设置在基底210上的黑矩阵层220和滤光层230。其中，黑矩阵层220在基底上的正投影与驱动区域AA1在基底上的正投影至少部分重叠，滤光层230在基底上的正投影与非驱动区域AA2在基底上的正投影至少部分重叠。图12是以阵列基板为图4提供的阵列基板为例进行说明的，图13是以阵列基板为图5提供的阵列基板为例进行说明的，图14是以阵列基板为图6提供的阵列基板为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，基底210可以为刚性衬底或柔性衬底，其中，刚性衬底可以为但不限于玻璃、金属萡片中的一种或多种；柔性衬底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维中的一种或多种。示例性地，基底210可以为玻璃基底。
在一种示例性实施例中，黑矩阵层和滤光层可以同层设置。黑矩阵层设置有过孔，滤光层填充在黑矩阵层的过孔中。
在一种示例性实施例中，黑矩阵层在基底上的正投影与滤光层在基底上的正投影可以不存在重叠区域，或者可以存在重叠区域，本公开对此不作任何限定。
在一种示例性是实施例中，滤光层可以包括：多个不同颜色的滤光片，彩膜基板上与每个像素区域的对应的区域设置有一个滤光片。
在一种示例性实施例中，滤光片可以包括：红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片。
图15为本公开实施例提供的阵列基板的结构示意图一，图16为本公开实施例提供的阵列基板的结构示意图二。如图15和图16所示，本公开实施例提供的一种阵列基板可以包括：基底10以及依次叠设在基底10上的第一绝缘层20、第二绝缘层30、第三绝缘层40、平坦层50、第一电极层90A、第四绝缘层70和第二电极层90B。第三绝缘层40包括依次叠设的第一层间绝缘层40A、第二层间绝缘层40B和第三层间绝缘层40C；第一层间绝缘层40A位于第二层间绝缘层40B靠近基底10的一侧，第三层间绝缘层40C位于所述第二层间绝缘层40B远离基底10的一侧。
在示例性实施方式中，第一层间绝缘层40A和第三层间绝缘层40C的材料包括硅氧化物；第二层间绝缘层40B的材料包括硅氮化物。
本公开实施例提供的阵列基板的膜层堆叠结构可以使得阵列基板的透过率较高，从而提升阵列基板所在的显示产品的光利用率，提升显示效果。
示例性地，第一层间绝缘层40A和第三层间绝缘层40C由硅氧化物制作而成，第二层间绝缘层40B由硅氮化物制作而成。硅氧化物可以表示为Si xO y；硅氮化物可以表示为Si mN n。
在示例性实施方式中，第一层间绝缘层40A的厚度在1980埃至2420埃范围内。示例性地，第一层间绝缘层40A的厚度L31可以为2200埃。第二层间绝缘层40B的厚度在1260至1540埃范围内。示例性地，第二层间绝缘层40B的厚度L32可以为1400埃。第三层间绝缘层40C的厚度在855埃至1045埃范围内。示例性地，第三层间绝缘层40C的厚度L33可以为950埃。
在一种示例性实施例中，基底10可以为刚性衬底或柔性衬底，其中，刚性衬底可以为但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种；柔性衬底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维 中的一种或多种。示例性地，基底可以为玻璃基底。
在示例性实施例方式中，第一电极层90A和第二电极层90B仅代表膜层的位置并不代表膜层的具体结构。
在一种示例性实施例中，阵列基板可以为高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch，ADS)显示模式的阵列基板。
在示例性实施方式中，第一层间绝缘层40A和第三层间绝缘层40C的折射率可以小于第二层间绝缘层折射率40B。例如，第一层间绝缘层40A和第三层间绝缘层40C的折射率在1.1至1.4范围内；例如，第二层间绝缘层40B的折射率可以在1.7至1.9范围内。在示例性实施方式中，如图15和图16所示，第二绝缘层30可以包括：第一子绝缘层30A和第二子绝缘层30B。其中，第二子绝缘层30B可以位于第一子绝缘层30A远离基底10的一侧。
在示例性实施方式中，如图15和图16所示，第一子绝缘层30A的材料包括硅氧化物；第二子绝缘层的材料包括硅氮化物。示例性地，第一子绝缘层30A由硅氧化物制作而成；第二子绝缘层30B由硅氮化物制作而成。第二绝缘层30的材料与膜层厚度可以与第三绝缘层相互配合，以实现更高的透过率。
在示例性实施方式中，第一子绝缘层30A的厚度L21在720埃至880埃范围内。示例性地，第一子绝缘层30A的厚度L21可以为800埃。
在示例性实施方式中，第二子绝缘层30B的厚度L22在360埃至440埃范围内。示例性地，第二子绝缘层30B的厚度L22可以为400埃。
在示例性实施方式中，第一子绝缘层30A的折射率小于第二子绝缘层30B的折射率。例如，第一子绝缘层30A的折射率可以在1.3至1.5范围内；例如，第二子绝缘层30B的折射率在1.8至2.1范围内。
在示例性实施方式中，第一绝缘层20为单层结构，或者为双层结构。图15是以第一绝缘层为单层结构为例进行说明的；图16是以第一绝缘层为双层结构为例进行说明的。第一绝缘层20的材料与膜层厚度可以与第三绝缘层相互配合，以实现更高的透过率。
在示例性实施方式中，如图15所示，第一绝缘层20包括第一缓冲层20A, 第一缓冲层20A的材料可以包括硅氧化物或硅氮化物。例如，第一缓冲层20A由硅氧化物或硅氮化物中的一者制而成。
在示例性实施方式中，第一缓冲层20A的材料包括硅氧化物。示例性地，第一缓冲层20A由硅氮化物制作而成；例如，第一缓冲层20A的厚度在2700埃至3300埃范围内。示例性地，第一缓冲层20A的厚度可以为3000埃。
在示例性实施方式中，第一缓冲层20A的折射率为1.3至1.5。
在示例性实施方式中，如图16所示，第一绝缘层包括第一缓冲层20A和第二缓冲层20B；第二缓冲层20B位于基底10与第一缓冲层20A之间；第二缓冲层20A的材料包括硅氮化物。示例性地，第一缓冲层20A由硅氮化物制作而成。在示例性实施方式中，第一缓冲层20A的厚度在2700埃至3300埃范围内。示例性地，第一缓冲层20A的厚度可以为3000埃。在示例性实施方式中，第一缓冲层20A的折射率为1.3至1.5。
在示例性实施方式中，第二缓冲层20B的材料可以包括硅氮化物。示例性地，第二缓冲层20B由硅氮化物制作而成。
在示例性实施方式中，第二缓冲层20B的厚度L12在0埃至1100埃范围内，例如，第二缓冲层20B的厚度L12为1000埃。
在示例性实施方式中，第二缓冲层20B的折射率为1.8至2.1。
在示例性实施方式中，第一电极层90A包括像素电极，第二电极层90B包括公共电极；像素电极在基底上的正投影与公共电极在基底上的正投影存在交叠。在示例性实施方式中，像素电极和公共电极的位置可以互换；或者，公共电极与像素电极同层设置，只要能在像素电极与公共电极之间形成水平电场，驱动液晶偏转即可。
在示例性实施方式中，第一电极层90A和第二电极层90B的材料相同。例如，第一电极层90A和第二电极层90B的材料包括氧化铟锡(ITO)。例如，第一电极层90A和第二电极层90B都是由ITO制作而成的。第一电极层60和第二电极层80的材料为ITO可以提升阵列基板的透光率。
在示例性实施方式中，第一电极层90A和第二电极层90B的折射率在2.0至2.1范围内。
在示例性实施方式中，第一电极层90A的厚度L5可以为720埃至880埃。示例性地，第一电极层90A的厚度L5可以为800埃。
在示例性实施方式中，第二电极层90B的厚度为360埃至440埃。示例性地，第二电极层90B的厚度L7可以为400埃。
在示例性实施方式中，如图15和图16所示，平坦层50的厚度L4可以为22950埃至28050埃，示例性地，平坦层50的厚度L4可以为25500埃。
在示例性实施方式中，平坦层50的材料包括：有机材料，例如为有机树脂。例如，平坦层50的折射率可以为1.5至1.8。
在示例性实施方式中，如图15和图16所示，第四绝缘层70的厚度L6在720埃至880埃范围内，示例性地，第四绝缘层70的厚度L6可以为800埃。
在示例性实施方式中，第四绝缘层70的材料包括硅氮化物。例如，第四绝缘层70的材料由硅氮化物制作而成。例如，第四绝缘层70的折射率在1.6至2.0范围内。
在示例性实施方式中，第一缓冲层20A与第一子绝缘层30A采用两次工艺制备，如此，第一缓冲层20A与第一子绝缘层30A之间存在明显的分界。例如，第一缓冲层20A与第一子绝缘层30A采用的工艺有所区别，以使第一缓冲层20A与第一子绝缘层30A具有不同的折射率。示例性地，第一子绝缘层30A的折射率大于第一缓冲层20A的折射率，如此，可以有较好的透过率效果。
在示例性实施方式中，第一缓冲层20A的厚度可以为3000埃，第一子绝缘层30A的厚度可以为800埃，第二子绝缘层30B的厚度可以为400埃，第一层间绝缘层40A的厚度可以为2200埃，第二层间绝缘层40B的厚度可以为1400埃，第三层间绝缘层40C的厚度可以为950埃；每个膜层的厚度可以在正负10％范围内波动；根据本实施方式，示例性地，第一缓冲层20A的材料包括硅氧化物，第一子绝缘层30A的材料包括硅氧化物，第二子绝缘层30B的材料包括硅氮化物，第一层间绝缘层40A的材料包括硅氧化物，第二层间绝缘层40B的材料包括硅氮化物，第三层间绝缘层40C的材料包括硅氧化物。如此，阵列基板的透过率较高。根据本实施方式，示例性地，第一 缓冲层20A的折射率在1.3至1.5范围内，第一子绝缘层30A的折射率在1.3至1.5范围内，第二子绝缘层30B的折射率在1.8至2.1范围内，第一层间绝缘层40A的折射率在1.1至1.4范围内，第二层间绝缘层40B的折射率在1.7至1.9范围内，第三层间绝缘层40C的折射率在1.1至1.4范围内。例如，阵列基板非驱动区域的透过率可以达到不小于83％(typ.)，例如可以达到83.6％(typ.)。
在示例性实施方式中，第一缓冲层20A的厚度可以为3000埃，第一子绝缘层30A的厚度可以为800埃，第二子绝缘层30B的厚度可以为400埃，第一层间绝缘层40A的厚度可以为2200埃，第二层间绝缘层40B的厚度可以为1400埃，第三层间绝缘层40C的厚度可以为950埃；根据本实施方式，示例性地，第一缓冲层20A的材料包括硅氧化物，第一子绝缘层30A的材料包括硅氧化物，第二子绝缘层30B的材料包括硅氮化物，第一层间绝缘层40A的材料包括硅氧化物，第二层间绝缘层40B的材料包括硅氮化物，第三层间绝缘层40C的材料包括硅氧化物。如此，阵列基板的透过率较高。根据本实施方式，示例性地，第一缓冲层20A的折射率在1.3至1.5范围内，第一子绝缘层30A的折射率在1.3至1.5范围内，第二子绝缘层30B的折射率在1.8至2.1范围内，第一层间绝缘层40A的折射率在1.1至1.4范围内，第二层间绝缘层40B的折射率在1.7至1.9范围内，第三层间绝缘层40C的折射率在1.1至1.4范围内。
在示例性实施方式中，第一缓冲层20A的厚度可以为3000埃，第一子绝缘层30A的厚度可以为800埃，第二子绝缘层30B的厚度可以为400埃，第一层间绝缘层40A的厚度可以为2200埃，第二层间绝缘层40B的厚度可以为1400埃，第三层间绝缘层40C的厚度可以为950埃；各膜层的厚度可以在正负10％范围内波动；其中，第一缓冲层20A由硅氧化物制作而成，第一子绝缘层30A由硅氧化物制作而成，第二子绝缘层30B由硅氮化物制作而成，第一层间绝缘层40A由硅氧化物制作而成，第二层间绝缘层40B由硅氮化物制作而成，第三层间绝缘层40C由硅氧化物制作而成。如此，阵列基板的透过率较高。根据本实施方式，示例性地，第一缓冲层20A的折射率在1.3至1.5范围内，第一子绝缘层30A的折射率在1.3至1.5范围内，第二子绝缘 层30B的折射率在1.8至2.1范围内，第一层间绝缘层40A的折射率在1.1至1.4范围内，第二层间绝缘层40B的折射率在1.7至1.9范围内，第三层间绝缘层40C的折射率在1.1至1.4范围内。
图17为本公开实施例提供的液晶显示面板的结构示意图一，图18为本公开实施例提供的液晶显示面板的结构示意图二。如图17和图18所示，本公开实施例提供的液晶显示面板，包括：相对设置的彩膜基板200和阵列基板100，以及位于彩膜基板200和阵列基板100之间的液晶层300。
阵列基板为前述任一个实施例提供的阵列基板，实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
在示例性实施方式中，图17和图18中的第一电极层90A和第二电极层90B所在的膜层仅示出了像素电极和公共电极部分，实际上，第四绝缘层的绝缘材料会填充在第一电极层的像素电极之间。
在示例性实施方式中，液晶层300包括液晶材料，其中，液晶材料的双折射率为0.09至0.13，如此，液晶的光透过率较高，有利于实现显示面板的高透过率。
在示例性实施方式中，液晶材料的清亮点大于或者等于100℃。例如，液晶显示面板的工作温度可以为-30至100℃。本公开实施例的液晶层的工作温度可以使得液晶显示面板的适用范围更加广阔，解决液晶显示面板的在高温环境下的超清亮点问题。
在一种示例性实施例中，液晶层可以包括宽温液晶聚合物。
在示例性实施方式中，如图17和图18所示，彩膜基板200可以包括：彩膜基底210以及设置在彩膜基底210上的黑矩阵层220和滤光层230。
在示例性实施方式中，如图17和图18所示，黑矩阵层220包括黑矩阵221，滤光层230包括滤光单元231。彩膜基板200包括像素开口区K；像素开口区K被黑矩阵包围设置；滤光单元覆盖像素开口区K。例如，黑矩阵221在彩膜基底210上的正投影与驱动区域AA1在彩膜基底210上的正投影至少部分重叠；例如，滤光单元231在彩膜基底210上的正投影与非驱动区域AA2在基底上的正投影至少部分重叠。
在示例性实施方式中，滤光单元231可以包括红色滤光单元、绿色滤光单元和蓝色滤光单元。在示例性实施方式中，如图17和图18所示，黑矩阵221在基底10上的正投影与像素电极91在基底10上的正投影存在部分交叠。例如，像素电极91的边缘在基底10上的正投影与黑矩阵221在基底10上的正投影相交叠。
在示例性实施方式中，黑矩阵221在基底10上的正投影与公共电极92在基底上的正投影存在部分交叠。
在示例性实施方式中，公共电极92可以包括一个或多个狭缝V。图17是以一个狭缝为例进行说明的。示例性地，如图18所述，狭缝V的数量为3个，有利于驱动液晶充分偏转，提升显示效果。例如，狭缝V的宽度相等。
例如，如图17和图18所示，狭缝V垂直于示意出的截面方向延伸。例如，在垂直于狭缝V的延伸方向上(也即图17和图18示意的截面的水平方向)，狭缝V在基底10上的正投影与黑矩阵在基底10上的正投影不存在交叠。例如，在垂直于狭缝V的延伸方向上，一个狭缝V或多个狭缝V整体的两侧边缘可以暴露于像素开口区K中。
例如，狭缝V在基底10上的正投影与像素电极91在基底上的正投影存在交叠。例如，狭缝V在基底10上的正投影位于像素电极91在基底上的正投影内。
本公开实施例中的显示面板，可以在实现显示面板较大开口率的同时，具有较好的显示效果。
在示例性实施方式中，狭缝的横截面的形状可以为矩形，也可为梯形或其他形状，本公开对此不做任何限定。
在一种示例性实施例中，如图17和图18所示，在像素的一个延伸方向上，像素电极沿水平方向的宽度大于公共电极狭缝沿水平方向的宽度。
在一种示例性实施例中，如图17和图18所示，例如，在与狭缝的延伸方向垂直的方向上，像素电极沿水平方向的宽度大于公共电极狭缝沿水平方向的宽度。
在示例性实施方式中，液晶显示面板可以包括多个子像素，每个子像素 包括公共电极和像素电极，相邻子像素的公共电极电连接。每个子像素包括一个滤光单元。包括红色滤光单元的子像素可以成为红色子像素，包括绿色滤光单元的子像素可以成为绿色子像素，包括蓝色滤光单元的子像素可以成为蓝色子像素。
在示例性实施方式中，子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，阵列基板被黑矩阵层覆盖的区域可以设置有薄膜晶体管、扫描线和数据线，扫描线被配置为向薄膜晶体管提供驱动信号，数据线被配置为向薄膜晶体管提供数据信号，扫描线的延伸方向和数据线的延伸方向相交，例如，扫描线的延伸方向和数据线的延伸方向可以垂直。
在示例性实施方式中，前述任一个实施例提供的阵列基板的膜层结构指的是阵列基板被彩膜层覆盖的区域的膜层结构。阵列基板被黑矩阵层覆盖的区域的膜层结构可以包括：基底10以及依次叠设在基底10上的第一绝缘层20、半导体层、第二绝缘层30、栅导电层、第三绝缘层40、源漏导电层、平坦层50、第一电极层90A、第四绝缘层70和第二电极层90B。其中，半导体层至少可以包括：薄膜晶体管的有源层；栅导电层至少可以包括：薄膜晶体管的栅电极和扫描线(gate线)；源漏导电层至少可以包括：薄膜晶体管的源漏电极和数据线(data线)。
例如，黑矩阵221包括沿扫描线延伸的部分以及沿数据线延伸的部分。例如，黑矩阵221包括沿扫描线延伸的部分以及沿数据线延伸的部分交叉形成像素开口区。例如，黑矩阵221沿数据线延伸的部分的宽度小于扫描线延伸的部分的宽度。具体地，黑矩阵221沿数据线延伸的部分的宽度小于3微米，例如为2.8微米；黑矩阵221沿扫描线延伸的部分的宽度小于10微米，例如为8微米，如此，像素开口率较大，显示面板整体光透过率高。示例性地，扫描线在基底10上的正投影位于黑矩阵221内；数据线在基底10上的正投影位于黑矩阵221内。
在示例性实施方式中，滤光层包括蓝色滤光单元，绿色滤光单元以及红色滤光单元。其中，滤光单元的透过率峰值以及半透过率峰值对应波长可以 与阵列基板的膜层设计相互配合，以达到显示面板高透过率的效果。
在示例性实施方式中，蓝色滤光单元的透过率峰值对应波长在445nm至465nm范围内。例如，蓝色滤光单元的透过率峰值对应波长在450nm至460nm范围内。示例性地，绿色滤光单元的透过率峰值对应波长为455nm。
在示例性实施方式中，蓝色滤光单元的一个半透过率峰值对应波长在378nm至388nm范围内；另一个半透过率峰值对应波长在509nm至519nm范围内。示例性地，蓝色滤光单元的半透过率峰值对应波长可以包括383nm和514nm。
蓝色滤光单元的半透过率峰值对应波长可以有2个波长位置对应。蓝色滤光单元的半透过率峰值对应波长可以理解为当透过率位于透过率峰值一半处对应的波长。
在示例性实施方式中，绿色滤光单元的一个透过率峰值对应波长在523nm至533nm范围内。示例性地，绿色滤光单元的透过率峰值对应波长为530nm。
在示例性实施方式中，绿色滤光单元的一个半透过率峰值对应波长在473nm至483nm范围内；绿色滤光单元的另一个半透过率峰值对应波长在598nm至608nm范围内。示例性地，绿色滤光单元的半透过率峰值对应波长可以包括478nm和603nm。
在示例性实施方式中，绿色滤光单元的半透过率峰值对应波长可以有2个波长位置对应。绿色滤光单元的半透过率峰值对应波长可以理解为当透过率位于透过率峰值一半处对应的波长。
如此，滤光单元与阵列基板的膜层设计相互配合，可以提升显示面板的透过率。
本公开实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括：背光源和液晶显示面板。
液晶显示面板为前述任一实施例提供的液晶显示面板，其实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
在示例性实施方式中，背光源的发光主峰波长在445nm至465nm范围 内；例如，背光源的发光主峰波长在450nm至460nm范围内；示例性地，背光源的发光主峰波长为455nm。例如，背光源还包括发光辅波峰，发光辅波峰波长在480nm至600nm范围内；例如，发光辅波峰波长在540nm至560nm范围内。示例性地，背光源的辅波峰波长可以为550nm。
在本公开实施例提供的显示装置中，蓝色滤光单元的制作材料可以与为液晶显示面板提供光线的背光源的主发光峰波长相适配；绿色滤光单元的制作材料可以与为液晶显示面板提供光线的背光源的辅发光峰波长相适配，如此，在保证显示面板高透过率的情况下可以使人员观看较为舒适。在本公开实施例提供的显示面板与背光源相互配合下，B的色点达成(0.143 0.101)，白画面下色点达成(0.276 0.310)。
表1是液晶显示面板一和液晶显示面板二的亮度对比表。液晶显示面板为本公开实施例提供的液晶显示面板，液晶显示面板一为市面上常用的液晶显示面板。坐标1-9表示在显示画面上平均分布的9个区域选取的采样点。对9个位置的亮度进行测量，如表1所示，在同一坐标下，液晶显示面板二的亮度均大于液晶显示面板一的亮度，液晶显示面板二的平均亮度大于液晶显示面板一的平均亮度，液晶显示面板二的平均亮度较液晶显示面板一的平均亮度约提升10％左右。
表1
液晶显示面板一 液晶显示面板二
坐标1 219.9 248.6
坐标2 303 343
坐标3 252.4 286
坐标4 262.5 297
坐标5 367 398
坐标6 294 327
坐标7 232.6 243.5
坐标8 335 358
坐标9 262.4 292
平均亮度 276.7 305.7
本公开实施例提供的液晶显示面板可以通过采用前述实施例提供的阵列基板提升透过率，通过滤光单元的设计以及背光源的设计以及使用宽温液晶聚合物可以提升画质效果。在示例性实施方式中，显示装置可以为投影显示装置、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。需要说明的是，当显示装置为投影显示装置时，具有高透过率的阵列基板和显示面板可以提升投影显示装置的光效，并且减少强光照射显示面板时造成的热量聚集，提高投影显示装置的信赖性。
本公开中的附图只涉及本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (18)

  1. 一种阵列基板，包括：基底以及依次叠设在所述基底上的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、平坦层、第一电极层、第四绝缘层和第二电极层；
    所述第三绝缘层包括依次叠设的第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和第三层间绝缘层；所述第一层间绝缘层位于所述第二层间绝缘层靠近所述基底的一侧，所述第三层间绝缘层位于所述第二层间绝缘层远离所述基底的一侧；
    所述第一层间绝缘层和所述第三层间绝缘层的材料包括硅氧化物；所述第二层间绝缘层的材料包括硅氮化物。
  2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一层间绝缘层的厚度在1980埃至2420埃范围内；所述第二层间绝缘层的厚度在1260至1540埃范围内；所述第三层间绝缘层的厚度在855埃至1045埃范围内。
  3. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第二绝缘层包括：第一子绝缘层和第二子绝缘层，所述第二子绝缘层位于所述第一子绝缘层远离所述基底的一侧；
    所述第一子绝缘层的材料包括硅氧化物；所述第二子绝缘层的材料包括硅氮化物。
  4. 根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述第一子绝缘层的厚度在720埃至880埃范围内，所述第二子绝缘层的厚度在360埃至440埃范围内。
  5. 根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其中，所述第一绝缘层包括第一缓冲层；所述第一缓冲层的材料包括硅氧化物；所述第一缓冲层的厚度在2700埃至3300埃范围内。
  6. 根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述第一绝缘层还包括第二缓冲层；所述第二缓冲层位于所述基底与所述第一缓冲层之间；所述第二缓冲层的材料包括硅氮化物。
  7. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一电极层包括像素电极，所述第二电极层包括公共电极；
    所述像素电极在基底上的正投影与所述公共电极在所述基底上的正投影 存在交叠。
  8. 根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述第一电极层和第二电极层的材料相同，且包括ITO。
  9. 一种液晶显示面板，包括：相对设置的彩膜基板和如权利要求1至8任一项所述的阵列基板，以及位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶层。
  10. 根据权利要求9所述的液晶显示面板，其中，所述液晶层包括液晶材料，其中，所述液晶材料的双折射率为0.09至0.13；所述液晶材料的清亮点大于或者等于100℃。
  11. 根据权利要求9所述的液晶显示面板，其中，所述彩膜基板包括：黑矩阵层和滤光层；所述黑矩阵层包括黑矩阵，所述滤光层包括滤光单元；所述彩膜基板包括像素开口区；所述像素开口区被所述黑矩阵包围设置；所述滤光单元覆盖所述像素开口区；
    其中，所述黑矩阵在所述基底上的正投影与像素电极在所述基底上的正投影存在部分交叠。
  12. 根据权利要求11所述的液晶显示面板，其中，所述黑矩阵在所述基底上的正投影与公共电极在所述基底上的正投影存在部分交叠。
  13. 根据权利要求11所述的液晶显示面板，其中，所述公共电极包括多个狭缝，所述多个狭缝在所述基底上的正投影与所述黑矩阵在所述基底上的正投影无交叠，且与所述像素电极在基底上的正投影存在交叠。
  14. 根据权利要求11所述的液晶显示面板，其中，所述滤光层包括蓝色滤光单元，绿色滤光单元以及红色滤光单元；
    其中，所述蓝色滤光单元的透过率峰值对应波长在445nm至465nm范围内；所述蓝色滤光单元的一个半透过率峰值对应波长在378nm至388nm范围内，所述蓝色滤光单元的另一个半透过率峰值对应波长在509nm至519nm范围内。
  15. 根据权利要求14所述的液晶显示面板，其中，所述绿色滤光单元的透过率峰值对应波长在523nm至533nm范围内；所述绿色滤光单元的一个 半透过率峰值对应波长在473nm至483nm范围内，所述绿色滤光单元的另一个半透过率峰值对应波长在598nm至608nm范围内。
  16. 一种显示装置，包括背光源以及如权利要求9至15任一项所述的液晶显示面板。
  17. 根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述背光源的发光主峰波长在445nm至465nm范围内；所述背光源的发光辅波峰波长在480nm至600nm范围内。
  18. 根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述显示装置为投影显示装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102023435B (zh) * 2009-09-23 2013-01-02 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示器及其制造方法
JP2011253921A (ja) * 2010-06-02 2011-12-15 Mitsubishi Electric Corp アクティブマトリックス基板及び液晶装置
CN103295959B (zh) * 2012-09-14 2015-11-25 上海中航光电子有限公司 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板
CN103926742B (zh) * 2013-12-31 2017-12-29 上海天马微电子有限公司 一种彩膜基板以及液晶显示面板
CN114744048A (zh) * 2015-07-08 2022-07-12 应用材料公司 氮氧化硅梯度构思
CN107085337B (zh) * 2017-06-14 2020-07-10 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN109696759A (zh) * 2018-12-29 2019-04-30 武汉华星光电技术有限公司 高穿透性液晶显示面板制造方法及其显示面板
CN110082977B (zh) * 2019-05-15 2020-11-24 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft阵列基板及显示面板
CN111323960A (zh) * 2020-04-07 2020-06-23 Tcl华星光电技术有限公司 透光基板及显示装置
CN113113431B (zh) * 2021-04-13 2023-08-29 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置
CN114664867B (zh) * 2022-03-11 2024-05-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、液晶显示面板和显示装置

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