CN117060912A - 多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关 - Google Patents

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CN117060912A CN202310975612.1A CN202310975612A CN117060912A CN 117060912 A CN117060912 A CN 117060912A CN 202310975612 A CN202310975612 A CN 202310975612A CN 117060912 A CN117060912 A CN 117060912A
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沈光煦
马海涛
章晨扬
韩叶
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Abstract

本发明公开多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关，涉及射频集成电路设计技术，属于基本电子电路的技术领域。该开关包括：第一射频端口、第二射频端口、第三射频端口、第一开关臂、第二开关臂，两个开关臂中输出匹配电路的接入点分别连接有第一补偿电感、第二补偿电感，第一补偿电感、第二补偿电感和与第一射频端口连接的第一耦合电感复用接地的第二耦合电感，使用导通开关臂中开关管的耦合谐振的工作方式实现开关的低损耗，利用断开的开关臂产生新的耦合谐振产生了新的传输极点实现了宽带宽，实现开关小型化。

Description

多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关
技术领域
本发明涉及射频集成电路设计技术，具体公开多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关，属于基本电子电路的技术领域。
背景技术
射频单刀双掷开关是一种广泛应用于通信、雷达、探测等领域的控制电路，一般为三端口电路，一端连接天线、一端连接发射链路、另一端连接接收链路。公开的单刀双掷开关，依照其电路设计原理的不同，有以下三种。
为了改善线性度以及输出功率不高导致输出功率不满足实际使用需求的缺陷，一种射频开关电路通过串联开关单元输出射频信号，通过并联开关单元将非活跃的射频信号阻滞至地，增加了开关的隔离度，通过反馈单元滤除信号中的谐波部分，降低了开关自身产生的二次谐波和三次谐波，有效地增加了开关的线性度，从而实现增加开关最大输出功率的目的。但该射频开关插入损耗较大，不能运用在低损耗电路中。
为了满足宽带毫米波通信系统的需求，一种单刀双掷开关通过并联多个单刀单掷开关实现，单刀单掷开关包括：第一并联开关晶体管与第二并联开关晶体管、变压器、四分之一波长传输线。该开关采用并联场效应管及耦合传输线的形式，同时加载1/4λ传输线实现阻抗匹配。虽然该单刀双掷开关在带宽上有不错的表现，但是该开关采用了1/4λ传输线，因此开关尺寸不能有很好的表现，同时耦合线的使用使得插入损耗也变大。
为了克服现有射频开关电路在超高频下的隔离度和线性度较差的缺陷，一种单刀双掷开关采用多级串并联晶体管的结构，实现高隔离度。然而，该结构的复用率低，且通过多级晶体管级联达到技术指标，因此该开关不能兼顾性能和尺寸，开关在实现一定隔离度的情况下，尺寸也较大。
综上所述，现有射频单刀双掷开关在以下方面有待提高：（1）元器件的复用程度不高，导致开关芯片尺寸大；（2）断开开关臂的复用程度不高；（3）很难在兼顾小型化的同时实现低损耗。
发明内容
本发明的发明目的是针对上述背景技术的不足，提供多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关，解决现有射频单刀双掷开关难以兼顾低损耗和小型化的技术问题，通过高效复用电感元件实现减小射频开关芯片尺寸并降低损耗的发明目的。
本发明为实现上述发明目的采用如下技术方案：
多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关，包括：
第一射频端口，与输入匹配电路的一端连接，输入匹配电路的另一端与第一耦合电感的一端连接，第一耦合电感的另一端与第二耦合电感的一端相连接，第二耦合电感的另一端接地；
第一开关臂，包括第一开关臂的第一晶体管、第一耦合电容、第一辅助匹配电路、第一补偿电感、第一开关臂的第二晶体管、第一输出匹配电路，第一开关臂的第一晶体管、第一耦合电容和第一辅助匹配电路串联连接形成第一串联结构，第一开关臂的第一晶体管的源极构成第一串联结构的第一自由端，第一串联结构的第一自由端作为第一开关臂的输入端与第一耦合电感和输入匹配电路的连接点相连接，第一辅助匹配电路的自由端作为第一串联结构的第二自由端与第一输出匹配电路的一端电连接，第一输出匹配电路的另一端为第一开关臂的输出端，第一补偿电感的一端与第一串联结构和第一输出匹配电路的连接点相连接，第一补偿电感的另一端与第一耦合电感和第二耦合电感的连接点相连接，第一开关臂的第二晶体管的漏极与第一串联结构和第一输出匹配电路的连接点相连接，第一开关臂的第二晶体管的源极接地，第一开关臂的第一晶体管的栅极连接第一开关臂的第一直流端口；
第二开关臂，包括第二开关臂的第一晶体管、第二耦合电容、第二辅助匹配电路、第二补偿电感、第二开关臂的第二晶体管、第二输出匹配电路，第二开关臂的第一晶体管、第二耦合电容和第二辅助匹配电路串联连接形成第二串联结构，第二开关臂的第一晶体管的漏极作为第二串联结构的第一自由端，第二串联结构的第一自由端作为第二开关臂的输入端与第一耦合电感和输入匹配电路的连接点相连接，第二辅助匹配电路的自由端作为第二串联结构的第二自由端与第二输出匹配电路的一端电连接，第二输出匹配电路的另一端为第二开关臂的输出端，第二补偿电感的一端与第二串联结构和第二输出匹配电路的连接点相连接，第二补偿电感的另一端与第一耦合电感和第二耦合电感的连接点相连接，第二开关臂的第二晶体管的漏极与第二串联结构和第二输出匹配电路的连接点相连接，第二开关臂的第二晶体管的源极接地，第二开关臂的第一晶体管的栅极连接第二开关臂的第一直流端口，第二开关臂的第二晶体管的栅极连接第二开关臂的第一直流端口，所述第一开关臂的第一直流端口接入的逻辑电平与第一开关臂的第二直流端口接入的逻辑电平相反，所述第二开关臂的第一直流端口接入的逻辑电平与第二开关臂的第二直流端口接入的逻辑电平相反，第一开关臂的第一直流端口接入的逻辑电平与第二开关臂的第一直流端口接入的逻辑电平相反，第一开关臂的第二直流端口接入的逻辑电平与第二开关臂的第二直流端口接入的逻辑电平相反；
第二射频端口，与第一开关臂的输出端连接；及，
第三射频端口，与第二开关臂的输出端连接。
作为多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关的进一步优化方案，在第二耦合电感的电感值为0时，则第一耦合电感、第一补偿电感、第二补偿电感共地。
作为多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关的进一步优化方案，
第一开关臂还包括第一连接电感、第一开关臂的第三晶体管、第三补偿电感组成的第一并联谐振单元，所述第一连接电感的一端连接第一串联结构的第二自由端，第一连接电感的另一端与第三补偿电感的一端、第一开关臂的第三晶体管的漏极相连接，第三补偿电感的另一端与第一耦合电感和第二耦合电感的连接点相连，第一开关臂的第三晶体管的源极接地，第一开关臂的第三晶体管的栅极连接第一开关臂的第三直流端口，所述第一开关臂的第三直流端口接入的逻辑电平与第一开关臂的第二直流端口接入的逻辑电平相同；
第二开关臂包含有与所述第一并联谐振单元电路结构对称的第二并联谐振单元。
作为多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关的再进一步优化方案，直流端口经栅极电阻接入直流偏置电压。
作为多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关的再进一步优化方案，输入匹配电路、第一辅助匹配电路、第二辅助匹配电路、第一输出匹配电路、第二输出匹配电路为纯电感、纯电容或电容和电感组成的匹配电路。
作为多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关的再进一步优化方案，晶体管为场效应晶体管或高电子迁移率晶体管或mHEMT或pHEMT晶体管。
作为多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关的更进一步优化方案，第一耦合电感、第二耦合电感、第一补偿电感、第二补偿电感、第三补偿电感、第一连接电感、第二连接电感、输入匹配电路中的电感、第一辅助匹配电路中的电感、第二辅助匹配电路中的电感、第一输出匹配电路中的电感、第二输出匹配电路中的电感为微带线电感或带状线电感或螺线电感。
作为多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关的更进一步优化方案，第一耦合电容、第二耦合电容、输入匹配电路中的电容、第一辅助匹配电路中的电容、第二辅助匹配电路中的电容、第一输出匹配电路中的电容、第二输出匹配电路中的电容的为微带线电容或金属-绝缘体-金属电容或金属-氧化物-金属电容或平板电容或交指电容。
作为多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关的再进一步优化方案，晶体管的源极接地、耦合电感接地通过端接金属化接地通孔实现。
面向毫米波射频前端芯片，包括上述多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关。
本发明采用上述技术方案，具有以下有益效果：
（1）本发明所提多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关，两个开关臂中输出匹配电路的接入点分别连接有第一补偿电感、第二补偿电感，使用导通开关臂中开关管的耦合谐振的工作方式实现开关的低损耗，利用断开的开关臂产生新的耦合谐振产生了新的传输极点实现了宽带宽。
（2）本发明所提多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关，第一补偿电感、第二补偿电感和与第一射频端口连接的第一耦合电感复用接地的第二耦合电感，复用耦合电感，实现了开关的小型化。
附图说明
图1为本发明实施例1提供的多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关的结构示意图。
图2为本发明实施例2提供的辅助匹配电路直通的多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关的结构示意图。
图3为本发明实施例3提供的延展的多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关的结构示意图。
图4为本发明实施例4提供的延展的多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关的特殊形式的结构示意图。
图5为本发明的一般结构示意图。
图6为本发明实施例1仿真散射参数随频率变化的曲线。
图中标号说明：P1、第一射频端口，P2、第二射频端口，P3、第三射频端口，Xin、输入匹配电路，Xout1、第一输出匹配电路，Xout2、第二输出匹配电路，Lin、输入匹配电感，Lout1、第一输出匹配电感，Lout2、第二输出匹配电感，K11、第一开关臂的第一直流端口，K12、第一开关臂的第二直流端口，K13、第一开关臂的第三直流端口，K21、第二开关臂的第一直流端口，K22、第二开关臂的第二直流端口，K23、第二开关臂的第三直流端口，L1、第一耦合电感，L2、第二耦合电感，M11、第一开关臂的第一晶体管，C1、第一耦合电容，J1、第一辅助匹配电路，LA1、第一补偿电感，M12、第一开关臂的第二晶体管，M21、第二开关臂的第一晶体管，C2、第二耦合电容，J2、第二辅助匹配电路，LA2、第二补偿电感，M22、第二开关臂的第二晶体管，Lj1、第一辅助电感，Lj2、第二辅助电感，M13、第一开关臂的第三晶体管，LB1、第三补偿电感，M23、第二开关臂的第三晶体管，LB2、第四补偿电感，Ll1、第一连接电感，Ll2、第二连接电感。
具体实施方式
下面结合附图对发明的技术方案进行详细说明。
本发明公开的多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关的一般电路结构如图5所示，包括：第一射频端口P1、第二射频端口P2、第三射频端口P3、第一开关臂、第二开关臂。
第一射频端口P1与输入匹配电路Xin的一端连接，输入匹配电路Xin的另一端与第一耦合电感L1的一端连接，第一耦合电感L1的另一端与第二耦合电感L2的一端相连，第二耦合电感L2的另一端接地。
第一开关臂包括：第一开关臂的第一晶体管M11、第一耦合电容C1、第一辅助匹配电路J1、第一补偿电感LA1、第一开关臂的第二晶体管M12、第一输出匹配电路Xout1，第一开关臂的第一晶体管M11、第一耦合电容C1和第一辅助匹配电路J1三者串联连接形成第一串联结构，第一开关臂的第一晶体管M11的源极构成第一串联结构的第一自由端，第一串联结构的第一自由端作为第一开关臂的输入端与第一耦合电感L1和输入匹配电路Xin的连接点相连，第一辅助匹配电路J1的一端与第一耦合电容C1串联连接，第一辅助匹配电路J1的另一端即自由端作为第一串联结构的第二自由端与第一输出匹配电路Xout1的一端电连接，第一输出匹配电路Xout1的另一端作为第一开关臂的输出端与第二射频端口P2相连接，第一补偿电感LA1的一端连接在第一串联结构与第一输出匹配电路Xout1的连接点上，第一补偿电感LA1的另一端连接在第一耦合电感L1与第二耦合电感L2的连接点上，第一开关臂的第二晶体管M12的漏极与第一串联结构和第一输出匹配电路Xout1的连接点相连，第一开关臂的第二晶体管M12的源极接地。第一开关臂的第一晶体管M11的栅极连接第一开关臂的第一直流端口K11，第一开关臂的第二晶体管M12的栅极连接第一开关臂的第二直流端口K12。
第二开关臂包括：第二开关臂的第一晶体管M21、第二耦合电容C2、第二辅助匹配电路J2、第二补偿电感LA2、第二开关臂的第二晶体管M22、第二输出匹配电路Xout2，第二开关臂的第一晶体管M21、第二耦合电容和C2和第二辅助匹配电路J2三者串联连接形成第二串联结构，第二开关臂的第一晶体管M21的漏极作为第二串联结构的第一自由端，第二串联结构的第一自由端作为第二开关臂的输入端与第一耦合电感L1和输入匹配电路Xin的连接点相连，第二辅助匹配电路J2的自由端作为第二串联结构的第二自由端与第二输出匹配电路的Xout2一端电连接，第二输出匹配电路Xout2的另一端为第二开关臂的输出端与第三射频端口P3相连接，第二补偿电感LA2的一端连接在第二串联结构与第二输出匹配电路Xout2的连接点上，第二补偿电感的另一端LA2连接在第一耦合电感L1与第二耦合电感L2的连接点上，第二开关臂的第二晶体管M22的漏极与第二串联结构和第二输出匹配电路Xout2的连接点相连，第二开关臂的第二晶体管M22的源极接地。第二开关臂的第一晶体管M21的栅极连接第二开关臂的第一直流端口K21，第二开关臂的第二晶体管M22的栅极连接第二开关臂的第一直流端口K22。
第一开关臂的第一直流端口K11的逻辑电平与第一开关臂的第二直流端口K12的逻辑电平相反；第二开关臂的第一直流端口K21的逻辑电平与第二开关臂的第二直流端口K22的逻辑电平相反；第一开关臂的第一直流端口K11的逻辑电平与第二开关臂的第一直流端口K21的逻辑电平相反；第一开关臂的第二直流端口K12的逻辑电平与第二开关臂的第二直流端口K22的逻辑电平相反。例如，当K11接入高电平，K12接入低电平，K21接入低电平，K22接入高电平时，第一开关臂导通，第二开关臂关断；第一开关臂的第一晶体管M11导通时的寄生电感与第一耦合电容C1以及第一辅助匹配电路J1谐振，第一开关臂的第二晶体管M12关断时的寄生电容与第一补偿电感LA1以及第二耦合电感L2谐振，即利用耦合谐振的工作方式降低开关损耗；第二开关臂整个开关臂的与第一耦合电感L1以及第二耦合电感L2谐振，即利用断开的开关臂产生新的耦合谐振产生新的传输极点。而当K11、K12、K21、K22接入相反逻辑电平时，第一开关臂关断，第二开关臂导通。
实施例1
本实施例所提一种多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关电路是依据图5所示一般电路形式设计的，该射频开关的具体电路结构如图1所示，输入匹配电路Xin、第一输出匹配电路Xout1、第二输出匹配电路Xout2分别为输入匹配电感Lin、第一输出匹配电感Lout1、第二输出匹配电感Lout2；第一辅助匹配电路J1、第二辅助匹配电路J2分别为第一辅助电感Lj1、第二辅助电感Lj2；第一开关臂的第一直流端口K11、第一开关臂的第二直流端口K12、第二开关臂第一直流端口K21、第二开关臂第二直流端口K22分别加载场效应管栅极保护电阻Rg11、Rg12、Rg21、Rg22与晶体管相连。
图6为本发明实施例1的散射参数与频率关系的仿真曲线图。如图6所示，本发明实施例1公开的单刀双掷开关工作在20-50GHz，插入损耗小于1.5dB，回波损耗大于20dB。
实施例2
本发明公开的多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关的另一种具体实现方式如图2所示，该实施例与实施例1整体拓扑相同，相较于实施例1，实施例2所示片上毫米波单刀双掷射频开关，第二耦合电感L2的电感值为0，第一辅助匹配电路J1的电感值为0，第二辅助匹配电路J2的电感值为0，此时，第一耦合电感L1、第一补偿电感LA1、第二补偿电感LA2共地，即，第一耦合电感L1、第一补偿电感LA1、第二补偿电感LA2复用第二耦合电感L2实现共地，实现开关的小型化。
实施例3
本发明公开的多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关的另一种具体实现方式如图3所示，该实施例在实施例1的基础上进行了延展，在第一开关臂上通过加载第一连接电感Ll1增加第一开关臂的第三晶体管M13与第三补偿电感LB1组成的第一并联谐振单元，第一连接电感Ll1的一端连接第一串联结构的第二自由端，第一连接电感Ll1的另一端与第三补偿电感LB1的一端、第一开关臂的第三晶体管M13的漏极相连接，第三补偿电感LB1的另一端与第一耦合电感L1和第二耦合电感L2的连接点相连，第一开关臂的第三晶体管M13的源极接地，第一开关臂的第三晶体管M13的栅极连接第一开关臂的第三直流端口K13；在第二开关臂上通过加载第二连接电感Ll2增加第二开关臂的第三晶体管M23与第四补偿电感LB2组成的第二并联谐振单元.，第二连接电感Ll2的一端连接第二串联结构的第二自由端，第二连接电感Ll2的另一端与第四补偿电感LB2的一端、第二开关臂的第三晶体管M23的漏极相连接，第四补偿电感LB2的另一端第一耦合电感L1和第二耦合电感L2的连接点相连，第二开关臂的第三晶体管M23的源极接地，第二开关臂的第三晶体管M23的栅极连接第二开关臂的第三直流端口K23。
同一开关臂中的串联晶体管和并联晶体管接入的逻辑电平相反，同一开关臂中的所有并联晶体管接入的逻辑电平相同；不同开关臂中串联晶体管接入的逻辑电平相反；不同开关臂中并联晶体管接入的逻辑电平相反。例如，当K11接入高电平，K12、K13接入低电平，K21接入低电平，K22、K23接入高电平时，第一开关管导通，第二开关臂关断。
实施例4
本发明公开的多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关的另一种具体实现方式如图4所示，该实施例是实施例3的一种特殊情形，本实施例是实施例3中第二补偿电感LA2的电感值为0的特殊情况。
以上实施例仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明保护范围之内。

Claims (10)

1.多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关，其特征在于，包括：
第一射频端口，与输入匹配电路的一端连接，输入匹配电路的另一端与第一耦合电感的一端连接，第一耦合电感的另一端与第二耦合电感的一端相连接，第二耦合电感的另一端接地；
第一开关臂，包括第一开关臂的第一晶体管、第一耦合电容、第一辅助匹配电路、第一补偿电感、第一开关臂的第二晶体管、第一输出匹配电路，第一开关臂的第一晶体管、第一耦合电容和第一辅助匹配电路串联连接形成第一串联结构，第一开关臂的第一晶体管的源极构成第一串联结构的第一自由端，第一串联结构的第一自由端作为第一开关臂的输入端与第一耦合电感和输入匹配电路的连接点相连接，第一辅助匹配电路的自由端作为第一串联结构的第二自由端与第一输出匹配电路的一端电连接，第一输出匹配电路的另一端为第一开关臂的输出端，第一补偿电感的一端与第一串联结构和第一输出匹配电路的连接点相连接，第一补偿电感的另一端与第一耦合电感和第二耦合电感的连接点相连接，第一开关臂的第二晶体管的漏极与第一串联结构和第一输出匹配电路的连接点相连接，第一开关臂的第二晶体管的源极接地，第一开关臂的第一晶体管的栅极连接第一开关臂的第一直流端口；
第二开关臂，包括第二开关臂的第一晶体管、第二耦合电容、第二辅助匹配电路、第二补偿电感、第二开关臂的第二晶体管、第二输出匹配电路，第二开关臂的第一晶体管、第二耦合电容和第二辅助匹配电路串联连接形成第二串联结构，第二开关臂的第一晶体管的漏极作为第二串联结构的第一自由端，第二串联结构的第一自由端作为第二开关臂的输入端与第一耦合电感和输入匹配电路的连接点相连接，第二辅助匹配电路的自由端作为第二串联结构的第二自由端与第二输出匹配电路的一端电连接，第二输出匹配电路的另一端为第二开关臂的输出端，第二补偿电感的一端与第二串联结构和第二输出匹配电路的连接点相连接，第二补偿电感的另一端与第一耦合电感和第二耦合电感的连接点相连接，第二开关臂的第二晶体管的漏极与第二串联结构和第二输出匹配电路的连接点相连接，第二开关臂的第二晶体管的源极接地，第二开关臂的第一晶体管的栅极连接第二开关臂的第一直流端口，第二开关臂的第二晶体管的栅极连接第二开关臂的第一直流端口，所述第一开关臂的第一直流端口接入的逻辑电平与第一开关臂的第二直流端口接入的逻辑电平相反，所述第二开关臂的第一直流端口接入的逻辑电平与第二开关臂的第二直流端口接入的逻辑电平相反，第一开关臂的第一直流端口接入的逻辑电平与第二开关臂的第一直流端口接入的逻辑电平相反，第一开关臂的第二直流端口接入的逻辑电平与第二开关臂的第二直流端口接入的逻辑电平相反；
第二射频端口，与第一开关臂的输出端连接；及，
第三射频端口，与第二开关臂的输出端连接。
2.根据权利要求1所述的多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关，其特征在于，在第二耦合电感的电感值为0时，则第一耦合电感、第一补偿电感、第二补偿电感共地。
3.根据权利要求1所述的多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关，其特征在于，
所述第一开关臂还包括第一连接电感、第一开关臂的第三晶体管、第三补偿电感组成的第一并联谐振单元，所述第一连接电感的一端连接第一串联结构的第二自由端，第一连接电感的另一端与第三补偿电感的一端、第一开关臂的第三晶体管的漏极相连接，第三补偿电感的另一端与第一耦合电感和第二耦合电感的连接点相连，第一开关臂的第三晶体管的源极接地，第一开关臂的第三晶体管的栅极连接第一开关臂的第三直流端口，所述第一开关臂的第三直流端口接入的逻辑电平与第一开关臂的第二直流端口接入的逻辑电平相同；
所述第二开关臂包含有与所述第一并联谐振单元电路结构对称的第二并联谐振单元。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关，其特征在于，所述直流端口经栅极电阻接入直流偏置电压。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关，所述输入匹配电路、第一辅助匹配电路、第二辅助匹配电路、第一输出匹配电路、第二输出匹配电路为纯电感、纯电容或电容和电感组成的匹配电路。
6.根据权利要求1至3中任意一项所述的多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关，其特征在于，所述晶体管为场效应晶体管或高电子迁移率晶体管或mHEMT或pHEMT晶体管。
7.根据权利要求1至3中任意一项所述的多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关，其特征在于，所述晶体管的源极接地、耦合电感接地通过端接金属化接地通孔实现。
8.根据权利要求5所述的多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关，其特征在于，所述第一耦合电感、第二耦合电感、第一补偿电感、第二补偿电感、第三补偿电感、第一连接电感、第二连接电感、输入匹配电路中的电感、第一辅助匹配电路中的电感、第二辅助匹配电路中的电感、第一输出匹配电路中的电感、第二输出匹配电路中的电感为微带线电感或带状线电感或螺线电感。
9.根据权利要求5所述的多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关，其特征在于，所述第一耦合电容、第二耦合电容、输入匹配电路中的电容、第一辅助匹配电路中的电容、第二辅助匹配电路中的电容、第一输出匹配电路中的电容、第二输出匹配电路中的电容的为微带线电容或金属-绝缘体-金属电容或金属-氧化物-金属电容或平板电容或交指电容。
10.面向毫米波射频前端芯片，其特征在于，包括权利要求1所述多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关。
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