CN116032227B - 一种双极化高功率收发多功能芯片 - Google Patents

一种双极化高功率收发多功能芯片 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种双极化高功率收发多功能芯片，属于集成电路技术领域，包括发射功率放大器、接收低噪声放大器和双刀双掷开关；发射功率放大器的输入端作为双极化高功率收发多功能芯片的发射输入端，其输出端和双刀双掷开关的输入端连接；接收低噪声放大器的输出端作为双极化高功率收发多功能芯片的接收输出端，其输入端和双刀双掷开关的输出端连接；双刀双掷开关设置有双极化高功率收发多功能芯片的第一接收输入/发射输出端和第二接收输入/发射输出端。本发明提出一种双极化高功率收发多功能芯片，目的是通过一体化电路设计，实现大功率双刀双掷开关、功率放大器和低噪声放大器一体化集成，简化功能单元之间的匹配和互联电路。

Description

一种双极化高功率收发多功能芯片
技术领域
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种双极化高功率收发多功能芯片。
背景技术
有源相控阵系统具有抗干扰能力强、多目标、多任务和高可靠等特点，广泛应用于军用及民用信息化系统中，如通信、雷达和电子战等。双极化有源相控阵系统相比传统的单极化系统，能进一步提升系统的性能，如增加通信能力、改善雷达数据质量、减弱地面杂波以及提升探测能力等。双极化有源相控阵系统相比单极化系统，组成更加复杂，因此对射频收发前端的集成化、小型化和低成本等提出了更高的需求。
双极化有源相控阵系统的射频收发前端，主要功能电路包括双刀双掷开关、低噪声放大器、功率放大器、数控移相器和数控衰减器等，常见的实现方式是将数控移相器和数控衰减器等小信号电路集成到一块多功能芯片上，而双刀双掷开关和功率放大器等高功率器件，单片集成面临很大的设计和工艺挑战，通常只能采用单功能芯片分别实现，导致元件数量多，互联复杂，难以匹配新一代系统的小型化、低成本和高可靠的要求。
发明内容
本发明的目的是为了解决双极化相控阵系统小型化、集成化和低成本的问题，提出了一种双极化高功率收发多功能芯片。
本发明的技术方案是：一种双极化高功率收发多功能芯片包括发射功率放大器、接收低噪声放大器和双刀双掷开关；
发射功率放大器的输入端作为双极化高功率收发多功能芯片的发射输入端，其输出端和双刀双掷开关的输入端连接；
接收低噪声放大器的输出端作为双极化高功率收发多功能芯片的接收输出端，其输入端和双刀双掷开关的输出端连接；
双刀双掷开关设置有双极化高功率收发多功能芯片的第一接收输入/发射输出端和第二接收输入/发射输出端。
本发明的有益效果是：
(1)本发明提出一种双极化高功率收发多功能芯片，目的是通过一体化电路设计，实现大功率双刀双掷开关、功率放大器和低噪声放大器一体化集成，简化功能单元之间的匹配和互联电路，提高双极化相控阵系统射频前端的性能和集成度，同时有利于提高系统的集成度和可靠性；通过内部电路改进，降低开关的发射大功率损耗，并提升抗大功率烧毁能力；
(2)本发明的双刀双掷开关采用非对称的开关结构，提升了开关发射态抗高功率烧毁能力，降低了开关损耗；接收低噪声放大器采用三级电流复用结构，降低了接收功耗，并减少了外部供电端口，简化了外部电路；在功放的输出级采用了二阶并联负反馈电路，提高了设计自由度，使得电路具有宽带和高功率输出能力，并具有良好的输入输出匹配。
进一步地，发射功率放大器包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻Rf1、电容C1、接地电容C2、电容C3、电容C4、接地电容C5、接地电容C6、接地电容C7、接地电容C8、电容C9、接地电容C10、接地电容C11、接地电容C12、接地电容C13、接地电容C14、接地电容C15、接地电容C16、接地电容C17、接地电容C18、接地电容C19、电容Cf1、电容Cf2、电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电感Lf1、电感Lf2、微带线TL1、微带线TL2、微带线TL3、微带线TL4、微带线TL5、微带线TL6、微带线TL7、微带线TL8、微带线TL9、微带线TL10、微带线TL11、放大管FET1、放大管FET2和放大管FET3；
电容C1的一端作为发射功率放大器的输入端，其另一端分别与微带线TL1的一端和接地电容C2连接；微带线TL1另的一端分别与电感L1的一端、电阻R1的一端和电容C3的一端连接；电感L1的另一端分别与电阻R2的一端和接地电容C10连接；电阻R2的另一端分别与接地电容C11和第一级栅电压VGT1连接；放大管FET1栅极分别与电阻R1的另一端和电容C3的另一端连接，其源极接地，其漏极分别与电感L2的一端和电容C4的一端连接；电感L2的另一端分别与接地电容C12、电阻R3的一端和第一级漏电压连接VDT1；电阻R3的另一端和接地电容C13连接；电容C4的另一端分别与电阻Rf1的一端、微带线TL2的一端和微带线TL7的一端连接；微带线TL7的另一端分别与微带线TL8的一端和接地电容C7连接；放大管FET3的栅极分别与微带线TL8的另一端和电阻R5的一端连接，其源极接地，其漏极和微带线TL9的一端连接；电阻R5的另一端和电感L4的一端连接；电感L4的另一端和接地电容C17连接；微带线TL9的另一端分别与接地电容C8、微带线TL10的一端和微带线TL11的一端连接；微带线TL10的另一端分别与接地电容C18和电阻R7的一端连接；电阻R7的另一端和接地电容C19连接；微带线TL2的另一端分别与微带线TL3的一端和接地电容C5连接；放大管FET2的栅极分别与微带线TL3的另一端和电阻R4的一端连接，其源极接地，其漏极和微带线TL4的一端连接；电阻R4的另一端和电感L3的一端连接；电感L3的另一端分别与接地电容C14和第二级栅电压VGT2连接；微带线TL4的另一端分别与接地电容C6、微带线TL5的一端和微带线TL6的一端连接；微带线TL5的另一端分别与接地电容C15、电阻R6的一端和第二级漏电压连接VDT2连接；电阻R6的另一端和接地电容C16连接；电阻Rf1的另一端和电容Cf2的一端连接；电容Cf2的另一端分别与电感Lf1的一端和电感Lf2的一端连接；电感Lf1的另一端和电容Cf1的一端连接；电容Cf1的另一端分别与微带线TL6的另一端、电容C9的一端、电感Lf2的另一端和微带线TL11的另一端连接；电容C9的另一端作为发射功率放大器的输出端。
进一步地，接收低噪声放大器包括电阻R8、电阻R9、接地电阻R10、电阻R11、接地电阻R12、电阻R13、接地电容C20、电容C21、接地电容C22、电容C23、电容C24、接地电容C25、电容C26、电容C27、电容C28、接地电容C29、接地电容C30、接地电容C31、接地电容C32、接地电容C33、接地电容C34、接地电容C35、接地电容C36、微带线TL12、微带线TL13、微带线TL14、微带线TL15、微带线TL16、微带线TL17、接地微带线TL18、微带线TL19、电感L5、电感L6、电感L7、电感L8、电感L9、电感L10、电感L11、电感L12、接地电感L13、接地电感L14、放大管FET4、放大管FET5和放大管FET6；
微带线TL12的一端作为接收低噪声放大器的输出端，其另一端分别与接地电容C20和电容C21的一端连接；电容C21的另一端和微带线TL13的一端连接；放大管FET6的栅极分别与微带线TL14的一端和电感L6的一端连接，其源极分别与接地电容C22和电感L9的一端连接，其漏极分别与微带线TL13的另一端和电感L5的一端连接；电感L5的另一端分别与接地电容C29、电阻R8的一端、电阻R9的一端、电阻R11的一端和漏电压VDR1连接；电阻R8的另一端和接地电容C30连接；电感L6的另一端分别与电阻R9的另一端、接地电阻R10和接地电容C31连接；微带线TL14的另一端和电容C23的一端连接；电容C23的另一端分别与电容C24的一端和接地电感L13连接；电容C24的另一端和微带线TL15的一端连接；放大管FET5的栅极分别与微带线TL16的一端和电感L7的一端连接，其源极分别与接地电容C25和电感L11的一端连接，其漏极分别与电感L10的一端和微带线TL15的另一端连接；电感L10的另一端分别与电感L9的另一端和接地电容C32连接；电阻R11的另一端分别与接地电阻R12、电感L7的另一端和接地电容C33连接；微带线TL16的另一端和电容C26的一端连接；电容C26的另一端分别与电容C27的一端和接地电感L14连接；电容C27的另一端和微带线TL17的一端连接；放大管FET4的栅极分别与微带线TL19的一端和电阻R13的一端连接，其源极和接地微带线TL18连接，其漏极分别与微带线TL17的另一端和电感L12的一端连接；电感L12的另一端分别与电感L11的另一端和接地电容C34连接；电阻R13的另一端和电感L8的一端连接；电感L8的另一端分别与接地电容C35、接地电容C36和栅电压VGR1连接；微带线TL19的另一端和电容C28的一端连接；电容C28的另一端作为接收低噪声放大器的输入端。
上述进一步方案的有益效果是：接收低噪声放大器采用三级电流复用结构，降低了接收功耗，并减少了外部供电端口，简化了外部电路。
进一步地，双刀双掷开关包括电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、微带线TL20、微带线TL21、微带线TL22、微带线TL23、微带线TL24、微带线TL25、微带线TL26、微带线TL27、微带线TL28、微带线TL29、微带线TL30、微带线TL31、开关管FET7、开关管FET8、开关管FET9、开关管FET10、开关管FET11和开关管FET12；
微带线TL20的一端作为双刀双掷开关的输入端，其另一端分别与微带线TL21的一端和微带线TL22的一端连接；开关管FET7的栅极和电阻R15的一端连接，其源极和开关管FET8的漏极连接，其漏极分别与微带线TL21的另一端和微带线TL23的一端连接；开关管FET8的栅极和电阻R14的一端连接，其源极接地；电阻R14的另一端分别与电阻R15的另一端和控制电压SW1连接；微带线TL23的另一端分别与微带线TL24的一端和微带线TL25的一端连接；微带线TL24的另一端作为双刀双掷开关的第一接收输入/发射输出端；开关管FET9的栅极和电阻R17的一端连接，其源极和开关管FET10的漏极连接，其漏极分别与微带线TL22的另一端和微带线TL30的一端连接；开关管FET10的栅极和电阻R16的一端连接，其源极接地；电阻R16的另一端分别与电阻R17的另一端和控制电压SW2连接；开关管FET11的栅极和电阻R18的一端连接，其源极接地，其漏极分别与微带线TL25的另一端和微带线TL27的一端连接；电阻R18的另一端和控制电压SW3连接；开关管FET12的栅极和电阻R19的一端连接，其源极接地，其漏极分别与微带线TL28的一端和微带线TL29的一端连接；电阻R19的另一端和控制电压SW4连接；微带线TL27的另一端分别与微带线TL28的另一端和微带线TL26的一端连接；微带线TL26的另一端作为双刀双掷开关的输出端；微带线TL29的另一端分别与微带线TL30的另一端和微带线TL31的一端连接；微带线TL31的另一端作为双刀双掷开关的第二接收输入/发射输出端。
上述进一步方案的有益效果是：双刀双掷开关为一个低损耗的非对称电路结构，其整体电路结构为并联开关管结构；与发射功率放大器连接的端口，采用多个开关管串联堆叠的并联开关结构，提高开关的抗烧毁功率，保证大功率发射状态的可靠性；与接收低噪声放大器连接的端口，采用单个开关管的并联开关结构，提高开关的隔离度。
附图说明
图1所示为本发明实施例提供的一种双极化高功率收发多功能芯片原理框图。
图2所示为本发明实施例提供的发射功率放大器电路图；
图3所示为本发明实施例提供的接收低噪声放大器电路图；
图4所示为本发明实施例提供的双刀双掷开关电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例作进一步的说明。
如图1所示，本发明提供了一种双极化高功率收发多功能芯片，包括发射功率放大器、接收低噪声放大器和双刀双掷开关；
发射功率放大器的输入端作为双极化高功率收发多功能芯片的发射输入端，其输出端和双刀双掷开关的输入端连接；
接收低噪声放大器的输出端作为双极化高功率收发多功能芯片的接收输出端，其输入端和双刀双掷开关的输出端连接；
双刀双掷开关设置有双极化高功率收发多功能芯片的第一接收输入/发射输出端和第二接收输入/发射输出端。
在本发明实施例中，如图2所示，发射功率放大器包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻Rf1、电容C1、接地电容C2、电容C3、电容C4、接地电容C5、接地电容C6、接地电容C7、接地电容C8、电容C9、接地电容C10、接地电容C11、接地电容C12、接地电容C13、接地电容C14、接地电容C15、接地电容C16、接地电容C17、接地电容C18、接地电容C19、电容Cf1、电容Cf2、电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电感Lf1、电感Lf2、微带线TL1、微带线TL2、微带线TL3、微带线TL4、微带线TL5、微带线TL6、微带线TL7、微带线TL8、微带线TL9、微带线TL10、微带线TL11、放大管FET1、放大管FET2和放大管FET3；
电容C1的一端作为发射功率放大器的输入端，其另一端分别与微带线TL1的一端和接地电容C2连接；微带线TL1另的一端分别与电感L1的一端、电阻R1的一端和电容C3的一端连接；电感L1的另一端分别与电阻R2的一端和接地电容C10连接；电阻R2的另一端分别与接地电容C11和第一级栅电压VGT1连接；放大管FET1栅极分别与电阻R1的另一端和电容C3的另一端连接，其源极接地，其漏极分别与电感L2的一端和电容C4的一端连接；电感L2的另一端分别与接地电容C12、电阻R3的一端和第一级漏电压连接VDT1；电阻R3的另一端和接地电容C13连接；电容C4的另一端分别与电阻Rf1的一端、微带线TL2的一端和微带线TL7的一端连接；微带线TL7的另一端分别与微带线TL8的一端和接地电容C7连接；放大管FET3的栅极分别与微带线TL8的另一端和电阻R5的一端连接，其源极接地，其漏极和微带线TL9的一端连接；电阻R5的另一端和电感L4的一端连接；电感L4的另一端和接地电容C17连接；微带线TL9的另一端分别与接地电容C8、微带线TL10的一端和微带线TL11的一端连接；微带线TL10的另一端分别与接地电容C18和电阻R7的一端连接；电阻R7的另一端和接地电容C19连接；微带线TL2的另一端分别与微带线TL3的一端和接地电容C5连接；放大管FET2的栅极分别与微带线TL3的另一端和电阻R4的一端连接，其源极接地，其漏极和微带线TL4的一端连接；电阻R4的另一端和电感L3的一端连接；电感L3的另一端分别与接地电容C14和第二级栅电压VGT2连接；微带线TL4的另一端分别与接地电容C6、微带线TL5的一端和微带线TL6的一端连接；微带线TL5的另一端分别与接地电容C15、电阻R6的一端和第二级漏电压连接VDT2连接；电阻R6的另一端和接地电容C16连接；电阻Rf1的另一端和电容Cf2的一端连接；电容Cf2的另一端分别与电感Lf1的一端和电感Lf2的一端连接；电感Lf1的另一端和电容Cf1的一端连接；电容Cf1的另一端分别与微带线TL6的另一端、电容C9的一端、电感Lf2的另一端和微带线TL11的另一端连接；电容C9的另一端作为发射功率放大器的输出端。
在本发明实施例中，如图3所示，接收低噪声放大器包括电阻R8、电阻R9、接地电阻R10、电阻R11、接地电阻R12、电阻R13、接地电容C20、电容C21、接地电容C22、电容C23、电容C24、接地电容C25、电容C26、电容C27、电容C28、接地电容C29、接地电容C30、接地电容C31、接地电容C32、接地电容C33、接地电容C34、接地电容C35、接地电容C36、微带线TL12、微带线TL13、微带线TL14、微带线TL15、微带线TL16、微带线TL17、接地微带线TL18、微带线TL19、电感L5、电感L6、电感L7、电感L8、电感L9、电感L10、电感L11、电感L12、接地电感L13、接地电感L14、放大管FET4、放大管FET5和放大管FET6；
微带线TL12的一端作为接收低噪声放大器的输出端，其另一端分别与接地电容C20和电容C21的一端连接；电容C21的另一端和微带线TL13的一端连接；放大管FET6的栅极分别与微带线TL14的一端和电感L6的一端连接，其源极分别与接地电容C22和电感L9的一端连接，其漏极分别与微带线TL13的另一端和电感L5的一端连接；电感L5的另一端分别与接地电容C29、电阻R8的一端、电阻R9的一端、电阻R11的一端和漏电压VDR1连接；电阻R8的另一端和接地电容C30连接；电感L6的另一端分别与电阻R9的另一端、接地电阻R10和接地电容C31连接；微带线TL14的另一端和电容C23的一端连接；电容C23的另一端分别与电容C24的一端和接地电感L13连接；电容C24的另一端和微带线TL15的一端连接；放大管FET5的栅极分别与微带线TL16的一端和电感L7的一端连接，其源极分别与接地电容C25和电感L11的一端连接，其漏极分别与电感L10的一端和微带线TL15的另一端连接；电感L10的另一端分别与电感L9的另一端和接地电容C32连接；电阻R11的另一端分别与接地电阻R12、电感L7的另一端和接地电容C33连接；微带线TL16的另一端和电容C26的一端连接；电容C26的另一端分别与电容C27的一端和接地电感L14连接；电容C27的另一端和微带线TL17的一端连接；放大管FET4的栅极分别与微带线TL19的一端和电阻R13的一端连接，其源极和接地微带线TL18连接，其漏极分别与微带线TL17的另一端和电感L12的一端连接；电感L12的另一端分别与电感L11的另一端和接地电容C34连接；电阻R13的另一端和电感L8的一端连接；电感L8的另一端分别与接地电容C35、接地电容C36和栅电压VGR1连接；微带线TL19的另一端和电容C28的一端连接；电容C28的另一端作为接收低噪声放大器的输入端。
在本发明实施例中，如图4所示，双刀双掷开关包括电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、微带线TL20、微带线TL21、微带线TL22、微带线TL23、微带线TL24、微带线TL25、微带线TL26、微带线TL27、微带线TL28、微带线TL29、微带线TL30、微带线TL31、开关管FET7、开关管FET8、开关管FET9、开关管FET10、开关管FET11和开关管FET12；
微带线TL20的一端作为双刀双掷开关的输入端，其另一端分别与微带线TL21的一端和微带线TL22的一端连接；开关管FET7的栅极和电阻R15的一端连接，其源极和开关管FET8的漏极连接，其漏极分别与微带线TL21的另一端和微带线TL23的一端连接；开关管FET8的栅极和电阻R14的一端连接，其源极接地；电阻R14的另一端分别与电阻R15的另一端和控制电压SW1连接；微带线TL23的另一端分别与微带线TL24的一端和微带线TL25的一端连接；微带线TL24的另一端作为双刀双掷开关的第一接收输入/发射输出端；开关管FET9的栅极和电阻R17的一端连接，其源极和开关管FET10的漏极连接，其漏极分别与微带线TL22的另一端和微带线TL30的一端连接；开关管FET10的栅极和电阻R16的一端连接，其源极接地；电阻R16的另一端分别与电阻R17的另一端和控制电压SW2连接；开关管FET11的栅极和电阻R18的一端连接，其源极接地，其漏极分别与微带线TL25的另一端和微带线TL27的一端连接；电阻R18的另一端和控制电压SW3连接；开关管FET12的栅极和电阻R19的一端连接，其源极接地，其漏极分别与微带线TL28的一端和微带线TL29的一端连接；电阻R19的另一端和控制电压SW4连接；微带线TL27的另一端分别与微带线TL28的另一端和微带线TL26的一端连接；微带线TL26的另一端作为双刀双掷开关的输出端；微带线TL29的另一端分别与微带线TL30的另一端和微带线TL31的一端连接；微带线TL31的另一端作为双刀双掷开关的第二接收输入/发射输出端。
表1为本发明实施例的控制真值表。
表1
本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。

Claims (3)

1.一种双极化高功率收发多功能芯片，其特征在于，包括发射功率放大器、接收低噪声放大器和双刀双掷开关；
所述发射功率放大器的输入端作为双极化高功率收发多功能芯片的发射输入端，其输出端和双刀双掷开关的输入端连接；
所述接收低噪声放大器的输出端作为双极化高功率收发多功能芯片的接收输出端，其输入端和双刀双掷开关的输出端连接；
所述双刀双掷开关设置有双极化高功率收发多功能芯片的第一接收输入/发射输出端和第二接收输入/发射输出端；
所述双刀双掷开关包括电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、微带线TL20、微带线TL21、微带线TL22、微带线TL23、微带线TL24、微带线TL25、微带线TL26、微带线TL27、微带线TL28、微带线TL29、微带线TL30、微带线TL31、开关管FET7、开关管FET8、开关管FET9、开关管FET10、开关管FET11和开关管FET12；
所述微带线TL20的一端作为双刀双掷开关的输入端，其另一端分别与微带线TL21的一端和微带线TL22的一端连接；所述开关管FET7的栅极和电阻R15的一端连接，其源极和开关管FET8的漏极连接，其漏极分别与微带线TL21的另一端和微带线TL23的一端连接；所述开关管FET8的栅极和电阻R14的一端连接，其源极接地；所述电阻R14的另一端分别与电阻R15的另一端和控制电压SW1连接；所述微带线TL23的另一端分别与微带线TL24的一端和微带线TL25的一端连接；所述微带线TL24的另一端作为双刀双掷开关的第一接收输入/发射输出端；所述开关管FET9的栅极和电阻R17的一端连接，其源极和开关管FET10的漏极连接，其漏极分别与微带线TL22的另一端和微带线TL30的一端连接；所述开关管FET10的栅极和电阻R16的一端连接，其源极接地；所述电阻R16的另一端分别与电阻R17的另一端和控制电压SW2连接；所述开关管FET11的栅极和电阻R18的一端连接，其源极接地，其漏极分别与微带线TL25的另一端和微带线TL27的一端连接；所述电阻R18的另一端和控制电压SW3连接；所述开关管FET12的栅极和电阻R19的一端连接，其源极接地，其漏极分别与微带线TL28的一端和微带线TL29的一端连接；所述电阻R19的另一端和控制电压SW4连接；所述微带线TL27的另一端分别与微带线TL28的另一端和微带线TL26的一端连接；所述微带线TL26的另一端作为双刀双掷开关的输出端；所述微带线TL29的另一端分别与微带线TL30的另一端和微带线TL31的一端连接；所述微带线TL31的另一端作为双刀双掷开关的第二接收输入/发射输出端。
2.根据权利要求1所述的双极化高功率收发多功能芯片，其特征在于，所述发射功率放大器包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻Rf1、电容C1、接地电容C2、电容C3、电容C4、接地电容C5、接地电容C6、接地电容C7、接地电容C8、电容C9、接地电容C10、接地电容C11、接地电容C12、接地电容C13、接地电容C14、接地电容C15、接地电容C16、接地电容C17、接地电容C18、接地电容C19、电容Cf1、电容Cf2、电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电感Lf1、电感Lf2、微带线TL1、微带线TL2、微带线TL3、微带线TL4、微带线TL5、微带线TL6、微带线TL7、微带线TL8、微带线TL9、微带线TL10、微带线TL11、放大管FET1、放大管FET2和放大管FET3；
所述电容C1的一端作为发射功率放大器的输入端，其另一端分别与微带线TL1的一端和接地电容C2连接；所述微带线TL1的另一端分别与电感L1的一端、电阻R1的一端和电容C3的一端连接；所述电感L1的另一端分别与电阻R2的一端和接地电容C10连接；所述电阻R2的另一端分别与接地电容C11和第一级栅电压VGT1连接；所述放大管FET1栅极分别与电阻R1的另一端和电容C3的另一端连接，其源极接地，其漏极分别与电感L2的一端和电容C4的一端连接；所述电感L2的另一端分别与接地电容C12、电阻R3的一端和第一级漏电压连接VDT1；所述电阻R3的另一端和接地电容C13连接；所述电容C4的另一端分别与电阻Rf1的一端、微带线TL2的一端和微带线TL7的一端连接；所述微带线TL7的另一端分别与微带线TL8的一端和接地电容C7连接；所述放大管FET3的栅极分别与微带线TL8的另一端和电阻R5的一端连接，其源极接地，其漏极和微带线TL9的一端连接；所述电阻R5的另一端和电感L4的一端连接；所述电感L4的另一端和接地电容C17连接；所述微带线TL9的另一端分别与接地电容C8、微带线TL10的一端和微带线TL11的一端连接；所述微带线TL10的另一端分别与接地电容C18和电阻R7的一端连接；所述电阻R7的另一端和接地电容C19连接；所述微带线TL2的另一端分别与微带线TL3的一端和接地电容C5连接；所述放大管FET2的栅极分别与微带线TL3的另一端和电阻R4的一端连接，其源极接地，其漏极和微带线TL4的一端连接；所述电阻R4的另一端和电感L3的一端连接；所述电感L3的另一端分别与接地电容C14和第二级栅电压VGT2连接；所述微带线TL4的另一端分别与接地电容C6、微带线TL5的一端和微带线TL6的一端连接；所述微带线TL5的另一端分别与接地电容C15、电阻R6的一端和第二级漏电压连接VDT2连接；所述电阻R6的另一端和接地电容C16连接；所述电阻Rf1的另一端和电容Cf2的一端连接；所述电容Cf2的另一端分别与电感Lf1的一端和电感Lf2的一端连接；所述电感Lf1的另一端和电容Cf1的一端连接；所述电容Cf1的另一端分别与微带线TL6的另一端、电容C9的一端、电感Lf2的另一端和微带线TL11的另一端连接；所述电容C9的另一端作为发射功率放大器的输出端。
3.根据权利要求1所述的双极化高功率收发多功能芯片，其特征在于，所述接收低噪声放大器包括电阻R8、电阻R9、接地电阻R10、电阻R11、接地电阻R12、电阻R13、接地电容C20、电容C21、接地电容C22、电容C23、电容C24、接地电容C25、电容C26、电容C27、电容C28、接地电容C29、接地电容C30、接地电容C31、接地电容C32、接地电容C33、接地电容C34、接地电容C35、接地电容C36、微带线TL12、微带线TL13、微带线TL14、微带线TL15、微带线TL16、微带线TL17、接地微带线TL18、微带线TL19、电感L5、电感L6、电感L7、电感L8、电感L9、电感L10、电感L11、电感L12、接地电感L13、接地电感L14、放大管FET4、放大管FET5和放大管FET6；
所述微带线TL12的一端作为接收低噪声放大器的输出端，其另一端分别与接地电容C20和电容C21的一端连接；所述电容C21的另一端和微带线TL13的一端连接；所述放大管FET6的栅极分别与微带线TL14的一端和电感L6的一端连接，其源极分别与接地电容C22和电感L9的一端连接，其漏极分别与微带线TL13的另一端和电感L5的一端连接；所述电感L5的另一端分别与接地电容C29、电阻R8的一端、电阻R9的一端、电阻R11的一端和漏电压VDR1连接；所述电阻R8的另一端和接地电容C30连接；所述电感L6的另一端分别与电阻R9的另一端、接地电阻R10和接地电容C31连接；所述微带线TL14的另一端和电容C23的一端连接；所述电容C23的另一端分别与电容C24的一端和接地电感L13连接；所述电容C24的另一端和微带线TL15的一端连接；所述放大管FET5的栅极分别与微带线TL16的一端和电感L7的一端连接，其源极分别与接地电容C25和电感L11的一端连接，其漏极分别与电感L10的一端和微带线TL15的另一端连接；所述电感L10的另一端分别与电感L9的另一端和接地电容C32连接；所述电阻R11的另一端分别与接地电阻R12、电感L7的另一端和接地电容C33连接；所述微带线TL16的另一端和电容C26的一端连接；所述电容C26的另一端分别与电容C27的一端和接地电感L14连接；所述电容C27的另一端和微带线TL17的一端连接；所述放大管FET4的栅极分别与微带线TL19的一端和电阻R13的一端连接，其源极和接地微带线TL18连接，其漏极分别与微带线TL17的另一端和电感L12的一端连接；所述电感L12的另一端分别与电感L11的另一端和接地电容C34连接；所述电阻R13的另一端和电感L8的一端连接；所述电感L8的另一端分别与接地电容C35、接地电容C36和栅电压VGR1连接；所述微带线TL19的另一端和电容C28的一端连接；所述电容C28的另一端作为接收低噪声放大器的输入端。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117060942B (zh) * 2023-10-12 2024-01-05 四川益丰电子科技有限公司 一种紧凑型氮化镓收发前端电路

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108111185A (zh) * 2016-11-23 2018-06-01 英飞凌科技股份有限公司 用于毫米波5g mimo通信系统的发射器/接收器模块
CN108337013A (zh) * 2018-01-23 2018-07-27 广东欧珀移动通信有限公司 射频电路、电子装置及改善天线辐射性能的方法
CN110943757A (zh) * 2019-11-29 2020-03-31 维沃移动通信有限公司 射频电路及电子设备
CN111181620A (zh) * 2020-01-06 2020-05-19 维沃移动通信有限公司 一种射频电路和电子设备
CN114157321A (zh) * 2022-02-09 2022-03-08 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种双通道收发多功能芯片
CN114567272A (zh) * 2022-04-28 2022-05-31 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种超宽带延时放大收发多功能芯片
CN115378456A (zh) * 2022-10-25 2022-11-22 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种收发放大衰减多功能芯片

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101840879B1 (ko) * 2011-12-26 2018-03-22 한국전자통신연구원 고주파 수동 소자를 이용한 ｒｆ 송수신기의 전치단 장치
KR102519079B1 (ko) * 2018-06-19 2023-04-07 삼성전자주식회사 복수개의 급전 단자들을 포함하는 안테나와 통신 회로를 선택적으로 연결하는 복수의 스위치들을 포함하는 전자 장치 및 이의 구동 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108111185A (zh) * 2016-11-23 2018-06-01 英飞凌科技股份有限公司 用于毫米波5g mimo通信系统的发射器/接收器模块
CN108337013A (zh) * 2018-01-23 2018-07-27 广东欧珀移动通信有限公司 射频电路、电子装置及改善天线辐射性能的方法
CN110943757A (zh) * 2019-11-29 2020-03-31 维沃移动通信有限公司 射频电路及电子设备
CN111181620A (zh) * 2020-01-06 2020-05-19 维沃移动通信有限公司 一种射频电路和电子设备
CN114157321A (zh) * 2022-02-09 2022-03-08 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种双通道收发多功能芯片
CN114567272A (zh) * 2022-04-28 2022-05-31 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种超宽带延时放大收发多功能芯片
CN115378456A (zh) * 2022-10-25 2022-11-22 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种收发放大衰减多功能芯片

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A DC-50GHz DPDT Switch with >27dBm IP1dB in 45nm CMOS SOI;Yuqi Liu等;《2022 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2022》;149-151 *
高动态高线性单片低噪声放大器研究;杨杰;《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》;I135-485 *

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