CN117055158A - 具有锥形光栅的后端工艺边缘耦合器 - Google Patents

具有锥形光栅的后端工艺边缘耦合器 Download PDF

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Abstract

本申请涉及具有锥形光栅的后端工艺边缘耦合器，提供边缘耦合器的结构以及制造此类结构的方法。该结构包括衬底以及后端工艺边缘耦合器，该后端工艺边缘耦合器包括波导芯以及沿垂直方向设置于该衬底与该波导芯间的光栅。该第一波导芯包括第一纵轴，该光栅包括第二纵轴以及沿该第二纵轴以间隔布置方式设置的多个片段，且该第二纵轴基本平行于该第一纵轴排列。

Description

具有锥形光栅的后端工艺边缘耦合器
技术领域
本揭示涉及光子芯片，尤其涉及边缘耦合器的结构以及制造此类结构的方法。
背景技术
光子芯片用于许多应用及系统中，包括但不限于数据通信系统及数据计算系统。光子芯片将光学组件(例如波导、光检测器、调制器，以及光功率分配器)与电子组件(例如场效应晶体管)集成于统一的平台中。除其它因素以外，布局面积、成本以及操作开销可通过在同一芯片上集成两种类型的组件来减小。
边缘耦合器(也称为光斑尺寸转换器(spot-size converter))通常用于将来自光子芯片的边缘附近的光源(例如激光器或光纤)的给定模式的光耦合至该光子芯片上的光学组件。当光从该光源被传输至该边缘耦合器时，该边缘耦合器支持模式转换(modetransformation)以及与模式转换相关的模式尺寸变化(mode size variation)。然而，由于该光的大模式尺寸与该边缘耦合器的小尺寸之间的显著不匹配，该边缘耦合器最初无法完全限制自该光源接收的入射模式。因此，传统的边缘耦合器可能容易受到至衬底的光的显著泄漏损失的影响。当传统的边缘耦合器自充当该光源的单模光纤(single-modefiber)接收横磁偏振模式的光时，该泄漏损失可能尤其高。
需要改进的边缘耦合器的结构以及制造此类结构的方法。
发明内容
在本发明的一个实施例中，一种结构包括衬底以及后端工艺边缘耦合器，该后端工艺边缘耦合器包括波导芯以及沿垂直方向设置于该衬底与该波导芯间的光栅。该第一波导芯包括第一纵轴，该光栅包括第二纵轴以及沿该第二纵轴以间隔布置方式设置的多个片段，且该第二纵轴基本平行于该第一纵轴排列。
在本发明的一个实施例中，一种方法包括形成后端工艺边缘耦合器，该后端工艺边缘耦合器包括波导芯以及沿垂直方向设置于衬底与该波导芯间的光栅。该波导芯包括第一纵轴，该光栅包括第二纵轴以及沿该第二纵轴以间隔布置方式设置的多个片段，且该第二纵轴基本平行于该第一纵轴排列。
附图说明
包含于并构成本说明书的一部分的附图示例说明本发明的各种实施例，并与上面所作的有关本发明的概括说明以及下面所作的有关该些实施例的详细说明一起用以解释本发明的该些实施例。在该些附图中，类似的附图标记表示不同视图中类似的特征。
图1显示依据本发明的实施例处于处理方法的初始制造阶段的结构的顶视图。
图2显示大体沿图1中的线2-2所作的剖视图。
图3显示处于图1之后的该处理方法的制造阶段的该结构的顶视图。
图4显示大体沿图3中的线4-4所作的剖视图。
图4A显示大体沿图3中的线4A-4A所作的剖视图。
图4B显示大体沿图3中的线4B-4B所作的剖视图。
图5显示处于图3之后的该处理方法的制造阶段的该结构的顶视图。
图6显示大体沿图5中的线6-6所作的剖视图。
图6A显示大体沿图5中的线6A-6A所作的剖视图。
图6B显示大体沿图5中的线6B-6B所作的剖视图。
图7显示处于图5之后的该处理方法的制造阶段的该结构的顶视图。
图8显示大体沿图7中的线8-8所作的剖视图。
图8A显示大体沿图7中的线8A-8A所作的剖视图。
图8B显示大体沿图7中的线8B-8B所作的剖视图。
图9显示依据本发明的替代实施例的结构的顶视图。
图10显示大体沿图9中的线10-10所作的剖视图。
图11显示处于图10之后的该处理方法的制造阶段的该结构的剖视图。
图12显示依据本发明的替代实施例的结构的顶视图。
图13显示依据本发明的替代实施例的结构的剖视图。
图14显示依据本发明的替代实施例的结构的顶视图。
具体实施方式
请参照图1、2并依据本发明的实施例，结构10包括设置于介电层14及衬底16上方的波导芯12。在一个实施例中，介电层14可由介电材料例如二氧化硅组成，且衬底16可由半导体材料例如单晶硅组成。在一个实施例中，介电层14可为绝缘体上硅衬底的埋置氧化物层，且介电层14可将波导芯12与衬底16隔开。在一个替代实施例中，在介电层14与波导芯12之间可设置由介电材料例如二氧化硅组成的额外介电层。
波导芯12可沿纵轴13排列。波导芯12可包括倒锥18、与倒锥18连接的段20，以及终止倒锥18的端部表面22。倒锥是指波导芯的锥形段，其特征在于沿模式传播方向宽度逐渐增加。在此方面，倒锥18的宽度随着沿纵轴13与端部表面22的距离增加而增加。波导芯12的段20可与其它光学组件连接。在一个替代实施例中，波导芯12的段20可包括另一个倒锥，其与倒锥18邻接，以提供复合锥(compound taper)。
波导芯12可由介电材料例如氮化硅组成，其折射率大于二氧化硅的折射率。在一个替代实施例中，波导芯12可由氮氧化硅组成。在一个替代实施例中，波导芯12可由单晶硅组成。在一个实施例中，波导芯12可通过在介电层14上沉积其构成材料层并通过光刻及蚀刻工艺图案化该沉积层来形成。
请参照图3、4、4A、4B，其中，类似的附图标记表示图1、2中类似的特征，且在下一制造阶段，在波导芯12上方形成介电层24。介电层24可由介电材料例如二氧化硅组成。波导芯12嵌埋于介电层24中，因为介电层24厚于波导芯12的高度。介电层24的厚度及波导芯12的高度可为可调节的变量。构成介电层24的介电材料与构成波导芯12的介电材料相比可具有较低的折射率。
结构10还可包括形成于介电层24上的多锥光栅26。光栅26包括沿非锥形段28的长度分布的片段34、沿倒锥形段30的长度分布的片段36，以及沿锥形段32的长度分布的片段38。片段34、36、38沿光栅26的纵轴25设置，片段36邻近片段34，片段38邻近片段36，且片段36纵向设置于片段34与片段38之间。光栅26的一端由片段34的其中之一终止，且相对端由片段38的其中之一终止。在一个实施例中，片段34、36、38可在纵轴25上居中。在一个实施例中，光栅26的纵轴25可平行于或基本平行于波导芯12的纵轴13排列。相邻成对的片段34、相邻成对的片段36，以及相邻成对的片段38由沿纵轴25的方向具有给定尺寸的间隙40隔开。
在一个实施例中，各片段34、36、38沿平行于纵轴25的方向以及沿横越于纵轴25的方向可具有方形或矩形剖面。在一个实施例中，片段34、片段36及/或片段38的间距及占空比可为均匀的，以定义周期性布置。在替代实施例中，片段34、片段36及/或片段38的间距及/或占空比可变迹(apodized)(也就是，非均匀)，以定义非周期性布置。片段34、36、38可经尺寸设计并以足够小的间距设置，以定义亚波长光栅状结构，其不会辐射或反射在操作波长(例如在400nm至3000nm的范围内的波长)的光。
光栅26的总长度包括非锥形段28、倒锥形段30以及锥形段32的各长度，且片段34、36、38沿横越于纵轴25的方向具有宽度W1。片段34的宽度W1沿非锥形段28的长度可为恒定，片段36的宽度W1可沿倒锥形段30的长度随着与非锥形段28的距离增加而增加，且片段38的宽度W1可沿锥形段32的长度随着与非锥形段28的距离增加而减小。
光栅26可由介电材料例如氮化硅碳或氢化氮化硅碳组成，其折射率大于二氧化硅的折射率。在一个替代实施例中，光栅26可由氮化硅或氮氧化硅组成。在一个实施例中，为形成光栅26，可在介电层24上沉积其构成材料层并通过光刻及蚀刻工艺图案化该沉积层以形成片段34、36、38。在该代表性实施例中，片段34、36、38可彼此断开。在一个替代实施例中，板层(slab layer)可连接片段34、36、38的下部。可在图案化光栅26时形成该板层，且该板层(设置于介电层24上)的厚度小于片段34、34、38的厚度。
请参照图5、6、6A、6B，其中，类似的附图标记表示图3、4、4A、4B中类似的特征，且在下一制造阶段，可在介电层24及光栅26上方形成后端工艺堆叠31的介电层42、44。光栅26(嵌埋于介电层42中)被包括于后端工艺堆叠31中。介电层42、44可由介电材料组成，例如正硅酸乙酯二氧化硅，氟化正硅酸乙酯二氧化硅、二氧化硅、氧化硅烷，或氧化硅的变体。在介电层42上形成介电层44。
介电层42的介电材料设置于相邻成对的片段34、36、38之间的间隙40中。片段34、36、38以及位于间隙40中的介电层42的介电材料可定义超材料结构，其中，构成片段34、36、38的介电材料与介电层42的介电材料相比具有较高的折射率，且片段34、36、38定义亚波长光栅状结构。可将包括片段34、36、38以及位于间隙40中的介电层42的介电材料的该超材料结构视为均质材料，其有效折射率介于构成片段34、36、38的介电材料的折射率与介电层42的介电材料的折射率之间。
结构10还可包括在光栅26的层级上方的后端工艺堆叠31的一个层级中形成的波导芯46、47、48。波导芯46、47、48在介电层44上具有横向间隔的并排布置。波导芯46、47、48可由介电材料例如氮化硅组成，其折射率大于二氧化硅的折射率。在一个实施例中，波导芯46、47、48可通过在介电层44上沉积其构成材料层并通过光刻及蚀刻工艺图案化该沉积层来形成。在一个实施例中，波导芯46、47、48可由与光栅26不同的介电材料组成。
各波导芯46、47、48可沿纵轴35排列。纵轴35可平行于或基本平行于彼此排列，且纵轴35可平行于或基本平行于光栅26的纵轴25排列。波导芯46可在相对端部截断，以定义波导芯46的长度，波导芯47可在相对端部截断，以定义波导芯47的长度，且波导芯48可在相对端部截断，以定义波导芯48的长度。在一个实施例中，波导芯46、47、48的长度可相等或基本相等。波导芯47沿横向方向设置于波导芯46与波导芯48之间，且波导芯47可与光栅26的片段34、36、38重叠。在一个实施例中，波导芯46、47、48可相对于光栅26的片段34、36、38以对称布置方式横向设置。
请参照图7、8、8A、8B，其中，类似的附图标记表示图5、6、6A、6B中类似的特征，且在下一制造阶段，可在波导芯46、47、48上方形成后端工艺堆叠31的介电层50、52。介电层50、52可由介电材料组成，例如正硅酸乙酯二氧化硅、氟化正硅酸乙酯二氧化硅、二氧化硅、氧化硅烷，或氧化硅的变体。波导芯46、47、48嵌埋于介电层50中。
结构10还可包括波导芯54，其形成于波导芯46、47、48的层级上方的后端工艺堆叠31的一个层级中。在一个实施例中，波导芯54可与波导芯47重叠。波导芯54可沿纵轴45排列。在一个实施例中，波导芯54的纵轴45可平行于或基本平行于光栅26的纵轴25排列。波导芯54可在相对端部截断，以使波导芯54具有一长度。在一个实施例中，波导芯54与波导芯47可具有相等或基本相等的长度。在一个替代实施例中，波导芯54的长度可短于波导芯47。
波导芯54可由介电材料例如氮化硅组成，其折射率大于二氧化硅的折射率。在一个实施例中，波导芯54可通过在介电层52上沉积其构成材料层并通过光刻及蚀刻工艺图案化该沉积层来形成。在一个实施例中，波导芯54可由与波导芯46、47、48相同的介电材料组成。在一个实施例中。波导芯54可由与光栅26不同的介电材料组成。
可在波导芯54上方形成后端工艺堆叠31的额外介电层56(以虚线示意显示)，包括提供防潮层(moisture barrier)的介电层56。
光栅26，波导芯46、47、48，以及波导芯54可定义位于后端工艺堆叠31中的结构10的边缘耦合器。光源60可邻近该边缘耦合器设置。在一个实施例中，光源60可为单模光纤，其设置于邻近该边缘耦合器的芯片边缘处并在后端工艺堆叠31、衬底16或两者中形成的腔体内部。在一个替代实施例中，光源60可为设置于邻近该边缘耦合器的芯片边缘处的半导体激光器，且该半导体激光器可安装(例如，倒装芯片接合(flip-chip bonded))于衬底16中所形成的腔体内部。在该代表性实施例中，衬底16在该边缘耦合器下方可为实心。
光栅26的片段36(分布于倒锥形段30中)沿纵轴25设置于光源60与光栅26的片段38(分布于锥形段32中)之间。位于倒锥形段30中的片段36的宽度随着与光源60的距离增加而增加，且位于锥形段32中的片段38的宽度随着与光源60的距离增加而减小。片段34(分布于非锥形段28中)沿纵轴25设置于光源60与倒锥形段30之间。
结构10(在本文中所述的该结构的任意实施例中)可被部署为光子芯片中的边缘耦合器。除光学组件外，该光子芯片可包括电子组件，例如场效应晶体管。
可将光(例如，激光)沿模式传播方向61从光源60向该边缘耦合器引导，以由该边缘耦合器耦合至波导芯12。由该边缘耦合器接收的该光可具有给定的波长、强度、模式形状，以及模式尺寸，且该边缘耦合器可为该光提供光斑尺寸转换。在替代实施例中，该边缘耦合器在包括波导芯54的层级中可包括额外的波导芯。在替代实施例中，该边缘耦合器在包括波导芯46、47、48的层级中可包括额外的或更少的波导芯。
结构10的多锥光栅26可呈现至衬底16的转换及传播泄漏所导致的插入损失减小。该减小的插入损失可允许去除作为泄漏损失措施的底切(undercut)，并可导致该边缘耦合器下方无底切、实心的衬底16。去除该底切简化用于形成该边缘耦合器的流程，以及因移除介电层14下方的衬底16的部分并因此去除该边缘耦合器下方的支撑的部分而导致的潜在机械问题。包括光栅26的结构10还可有效抑制较高阶模式，以及提供由较少的模式波动表征的模式转换和针对基本模式的改进的通带(through-band)性能。
请参照图9、10并依据本发明的替代实施例，可在光栅26上方形成介电层62。介电层62可由介电材料例如二氧化硅组成。光栅26嵌埋于介电层62中，因为介电层62厚于光栅26的高度。介电层62的厚度及光栅26的高度可为可调节的变量。构成介电层62的介电材料与构成光栅26的材料相比可具有较低的折射率。介电层62的介电材料设置于相邻成对的片段34、36、38之间的间隙40中。片段34、36、38与位于间隙40中的介电层62的介电材料可定义超材料结构。
可向结构10的该边缘耦合器添加多锥光栅66。光栅66设置于包括光栅26的层级与包括后续形成的波导芯46、47、48的层级之间的后端工艺堆叠31的一个层级中。光栅26沿垂直方向设置于光栅66与衬底16之间。光栅66包括沿非锥形段68的长度分布的片段74、沿倒锥70的长度分布的片段76，以及沿锥72的长度分布的片段78。片段74、76、78沿光栅66的纵轴55设置，片段76邻近片段74，片段78邻近片段76，且片段76纵向设置于片段74与片段78之间。光栅66的一端由片段74的其中之一终止，且相对端由片段78的其中之一终止。在一个实施例中，片段74、76、78可在纵轴55上居中。在一个实施例中，光栅66的纵轴55可平行于光栅26的纵轴25排列。相邻成对的片段74、相邻成对的片段76，以及相邻成对的片段78由沿纵轴55具有给定尺寸的间隙80隔开。
在一个实施例中，各片段74、76、78沿平行于纵轴55的方向以及沿横越于纵轴55的方向可具有方形或矩形剖面。在一个实施例中，片段74、片段76及/或片段78的间距及占空比可为均匀的，以定义周期性布置。在替代实施例中，片段74、片段76及/或片段78的间距及/或占空比可变迹(也就是，非均匀)，以定义非周期性布置。片段74、76、78可经尺寸设计并以足够小的间距设置，以定义亚波长光栅状结构，其不会辐射或反射在操作波长的光。
光栅66的总长度包括非锥形段68、倒锥70以及锥72的各长度，且片段74、76、78沿横越于纵轴55的方向具有宽度W2。片段74的宽度W2沿非锥形段68的长度可为恒定，片段76的宽度W2可沿倒锥70的长度随着与非锥形段68的距离增加而增加，且片段78的宽度W2可沿锥72的长度随着与非锥形段68的距离增加而减小。片段76的宽度W1与片段78的宽度W1沿纵轴55朝相反方向变化。
光栅66可由介电材料例如氮化硅碳或氢化氮化硅碳组成，其折射率大于二氧化硅的折射率。在一个替代实施例中，光栅66可由氮化硅或氮氧化硅组成。在一个实施例中，为形成光栅66，可在介电层62上沉积其构成材料层并通过光刻及蚀刻工艺图案化该沉积层以形成片段74、76、78。在该代表性实施例中，片段74、76、78可彼此断开。在一个替代实施例中，板层可连接片段74、76、78的下部。可在图案化光栅66时形成该板层，且该板层(设置于介电层62上)的厚度小于片段74、76、78的厚度。
在一个实施例中，光栅26的片段34、36、38的图案可与光栅66的片段74、76、78的图案相同。在此例中，片段34、36、38的尺寸可与片段74、76、78的尺寸相同，且片段34、36、38可与片段74、76、78对齐，以提供完全重叠。在一个替代实施例中，光栅26的片段34、36、38的图案可不同于光栅66的片段74、76、78的图案。例如，片段74、76、78可具有与片段34、36、38不同的间距及/或占空比。
请参照图11，其中，类似的附图标记表示图10中类似的特征，且在下一制造阶段，如上所述，继续该流程，以完成结构10，该结构10经修改以包括光栅66。在此方面，可在光栅66上方形成介电层42。介电层62可由介电材料例如二氧化硅组成。光栅66嵌埋于介电层62中，因为介电层62厚于光栅66的高度。介电层62的厚度及光栅66的高度可为可调节的变量。构成介电层62的介电材料与构成光栅66的材料相比可具有较低的折射率。介电层62的介电材料设置于相邻成对的片段74、76、78之间的间隙80中。片段74、76、78与位于间隙80中的介电层62的介电材料可定义超材料结构，其与参与位于后端工艺堆叠31的下方层级中的不同超材料结构的片段34、36、38重叠。
在后端工艺堆叠31的多个层级中的多个超材料结构可用以增强如前所述由后端工艺堆叠31的单个层级中的超材料结构所提供的改进。
请参照图12并依据本发明的替代实施例，光栅26可包括覆盖在非锥形段28的片段34上面的肋84，覆盖在倒锥形段30的片段36上面的倒锥形肋86，以及覆盖在锥形段32的片段38上面的锥形肋88。在替代实施例中，可自非锥形段28省略肋84，可自倒锥形段30省略倒锥形肋86，以及/或者可自锥形段32省略锥形肋88。
请参照图13并依据本发明的替代实施例，可在该边缘耦合器下方的衬底16中形成底切82。为形成底切82，可图案化导孔(pilot opening)，该些导孔穿过介电层14，接着，利用由横向及垂直蚀刻分量表征的等向性蚀刻工艺，通过该些导孔所提供的通道蚀刻衬底16。底切82可提供至衬底16的泄漏损失的额外减少。
请参照图14并依据本发明的替代实施例，光栅26可以给定的角度旋转或倾斜，以使纵轴25平行于或基本平行于光源60的模式传播方向61，光源60为半导体激光器，其具有发光层59，该发光层也可以给定的角度旋转或倾斜。波导芯46、47、48的纵轴35及波导芯64的纵轴45可类似地旋转或倾斜。在一个实施例中，包括光栅26，波导芯46、47、48及波导芯54的该边缘耦合器可以与发光层59相同的角度旋转或倾斜。光栅26的该旋转可保持发光层59及模式传播方向61相对于该边缘耦合器的平行入射。
上述方法用于集成电路芯片的制造。制造者可以原始晶片形式(例如，作为具有多个未封装芯片的单个晶片)、作为裸管芯，或者以封装形式分配所得的集成电路芯片。可将该芯片与其它芯片、分立电路元件和/或其它信号处理装置集成，作为中间产品或最终产品的部分。该最终产品可为包括集成电路芯片的任意产品，例如具有中央处理器的计算机产品或智能手机。
本文中引用的由近似语言例如“大约”、“大致”及“基本上”所修饰的术语不限于所指定的精确值。该近似语言可对应于用以测量该值的仪器的精度，且除非另外依赖于该仪器的精度，否则可表示所述值的+/-10％。
本文中引用术语例如“垂直”、“水平”等作为示例来建立参考框架，并非限制。本文中所使用的术语“水平”被定义为与半导体衬底的传统平面平行的平面，而不论其实际的三维空间取向。术语“垂直”及“正交”是指垂直于如刚刚所定义的水平的方向。术语“横向”是指在该水平平面内的方向。
与另一个特征“连接”或“耦接”的特征可与该另一个特征直接连接或耦接，或者可存在一个或多个中间特征。如果不存在中间特征，则特征可与另一个特征“直接连接”或“直接耦接”。如存在至少一个中间特征，则特征可与另一个特征“非直接连接”或“非直接耦接”。在另一个特征“上”或与其“接触”的特征可直接在该另一个特征上或与其直接接触，或者可存在一个或多个中间特征。如果不存在中间特征，则特征可直接在另一个特征“上”或与其“直接接触”。如存在至少一个中间特征，则特征可“不直接”在另一个特征“上”或与其“不直接接触”。若一个特征延伸于另一个特征上方并覆盖其部分，则不同的特征“重叠”。
对本发明的各种实施例所作的说明是出于示例说明的目的，而非意图详尽无遗或限于所揭示的实施例。许多修改及变更对于本领域的普通技术人员将显而易见，而不背离所述实施例的范围及精神。本文中所使用的术语经选择以最佳解释实施例的原理、实际应用或在市场已知技术上的技术改进，或者使本领域的普通技术人员能够理解本文中所揭示的实施例。

Claims (20)

1.一种结构，其特征在于，包括：
衬底；以及
后端工艺边缘耦合器，包括第一波导芯以及沿垂直方向设置于该衬底与该第一波导芯间的第一光栅，该第一波导芯包括第一纵轴，该第一光栅包括第二纵轴以及沿该第二纵轴以第一间隔布置方式设置的多个第一片段，且该第二纵轴基本平行于该第一纵轴排列。
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该多个第一片段由多个间隙隔开，且该第一光栅还包括设置于该多个间隙中的介电材料。
3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该多个第一片段及该介电材料包括超材料结构。
4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
光源，邻近该后端工艺边缘耦合器设置，该光源经配置以沿模式传播方向向该后端工艺边缘耦合器提供光，
其中，该第一光栅的该多个第一片段分布于锥形段及倒锥形段中，且该倒锥形段沿该第二纵轴设置于该锥形段与该光源间。
5.如权利要求4所述的结构，其特征在于，位于该倒锥形段中的该多个第一片段具有第一宽度，该第一宽度随着与该光源的距离增加而增加，且位于该锥形段中的该多个第一片段具有第二宽度，该第二宽度随着与该光源的距离增加而减小。
6.如权利要求4所述的结构，其特征在于，该多个第一片段还分布于非锥形段中，且该非锥形段沿该第二纵轴设置于该光源与该倒锥形段间。
7.如权利要求4所述的结构，其特征在于，该光源为单模光纤。
8.如权利要求4所述的结构，其特征在于，该光源为半导体激光器。
9.如权利要求8所述的结构，其特征在于，该半导体激光器包括以第一角度倾斜的发光层，且该第一光栅的该第二纵轴以等于该第一角度的第二角度倾斜。
10.如权利要求4所述的结构，其特征在于，该第一光栅包括覆盖于该锥形段中的该多个第一片段上的锥形肋。
11.如权利要求4所述的结构，其特征在于，该第一光栅包括覆盖于该倒锥形段中的该多个第一片段上的倒锥形肋。
12.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该后端工艺边缘耦合器包括邻近该第一波导芯沿横向方向设置的第二波导芯。
13.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该后端工艺边缘耦合器包括第二波导芯，且该第一波导芯沿该垂直方向设置于该第二波导芯与该第一光栅间。
14.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该后端工艺边缘耦合器包括覆盖于该多个第一片段上的肋。
15.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一波导芯包括氮化硅，且该第一光栅包括氮化硅碳或氢化氮化硅碳。
16.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一波导芯包括氮化硅，且该第一光栅包括氮化硅或氮氧化硅。
17.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该衬底包括底切，且该后端工艺边缘耦合器与位于该衬底中的该底切具有重叠布置。
18.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该衬底在该后端工艺边缘耦合器下方为实心。
19.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该后端工艺边缘耦合器包括沿该垂直方向设置于该第一光栅与该第一波导芯间的第二光栅，该第二光栅包括第三纵轴以及沿该第三纵轴以第二间隔布置方式设置的多个第二片段，且该第三纵轴基本平行于该第一纵轴排列。
20.一种方法，其特征在于，包括：
形成后端工艺边缘耦合器，该后端工艺边缘耦合器包括波导芯以及沿垂直方向设置于衬底与该波导芯间的光栅，
其中，该波导芯包括第一纵轴，该光栅包括第二纵轴以及沿该第二纵轴以间隔布置方式设置的多个片段，且该第二纵轴基本平行于该第一纵轴排列。
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