CN117043726A - 电容传感器系统和用于电容传感器系统的电流传送器 - Google Patents

Abstract

一种电容传感器系统包括电容传感器和耦接到电容传感器的输出的电流传送器。电流传送器包括：输入侧，包括耦接到输入电压的第一晶体管和第二晶体管；输出侧，包括耦接到电容传感器的第三晶体管和第四晶体管；第一电容器，耦接在第三晶体管的栅极和源极之间；以及第二电容器，耦接在第四晶体管的栅极和源极之间。

Description

电容传感器系统和用于电容传感器系统的电流传送器

技术领域

本公开涉及电容传感器，并且更具体地涉及用于电容传感器的电流传送器。

背景技术

这里所提供的背景技术描述是为了总体上给出本公开的背景。既不明确地承认也不暗示地承认当前列名的发明人的在背景技术部分中描述的范围内的工作、以及在提交时可能不是作为现有技术的描述的各方面为本发明的现有技术。

电子设备可以实现电容传感器，该电容传感器被配置为感测物体(例如，手指)和表面(例如，电子设备的表面)之间的接触，并且生成指示感测到的接触的感测信号。例如，参考信号发生器(例如，波形发生器)被配置为生成控制信号，并将该控制信号输出到电容传感器。在一些示例中，控制信号是正弦的(即，控制信号是正弦波)。感测信号对应于基于物体是否正在接触传感器的控制信号的幅度和/或相位的变化。因此，可以基于感测信号的幅度或相位来确定接触传感器的物体的存在或不存在(例如，参见PTL 1)。

引用列表

专利文献

[PTL 1]美国专利No.9,727,183

发明内容

技术问题

在如上所述的这种电容传感器中，包括构成电流镜电路的运算放大器和场效应晶体管(FET)在内的电流传送电路通过测量电荷改变来检测物体(例如，手指)，该电荷改变是由于物体开始与电容传感器接触所引起的电容改变而发生的。

然而，这样的电容传感器容易受到导致电流传送电路中的瞬态电压改变的各种电噪声的影响，并且在源极端子处的这样的瞬态电压改变引起电流传送电路中的FET的栅极端子和源极端子两端的电压改变。栅极-源极电压改变进而导致流经输出侧处的FET的电流改变，这可能使得难以保持电流传送电路内的电流镜偏置电压。

鉴于如上所述的与常规电容传感器相关联的问题，本公开的实施例的目的在于提供一种电容传感器系统，该电容传感器系统可以减轻响应于电流传送电路中的FET的源极端子处的瞬态电压改变而引起的栅极端子和源极端子两端的电压改变，并维持流经输出侧处的FET的电流，否则该电流会因栅极-源极电压改变而改变。

问题的解决方案

一种电容传感器系统包括电容传感器和耦接到电容传感器的输出的电流传送器。电流传送器包括：输入侧，包括耦接到输入电压的第一晶体管和第二晶体管；输出侧，包括耦接到电容传感器的第三晶体管和第四晶体管；第一电容器，耦接在第三晶体管的栅极和源极之间；以及第二电容器，耦接在第四晶体管的栅极和源极之间。

在其他特征中，电流传送器是第二代电流传送器。电流传送器包括耦接到控制信号的第一节点、耦接到电容传感器的输出的第二节点、以及基于控制信号和电容传感器的输出而输出输出电流的第三节点。电容传感器的输出是与根据与物体的接触和接近中的至少一种而修改的控制信号相对应的感测信号。耦接到第一节点的控制信号是电流传送器的输入电压，并且第二节点输出与输入电压相对应的调节电压。

在其他特征中，电流传送器包括耦接到输出侧的电流镜电路，并且其中，第三节点耦接到电流镜电路。输出侧包括第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管，电流镜电路包括第七晶体管和第八晶体管，并且第三节点耦接在第七晶体管和第八晶体管之间。第一晶体管和第七晶体管的栅极耦接在一起。第一电容器和第二电容器之间的第四节点耦接到第二节点。第一晶体管和第三晶体管的栅极耦接在一起，并且第二晶体管和第四晶体管的栅极耦接在一起。参考信号发生器被配置为向电流传送器的输入侧提供控制信号。偏移控制模块耦接到电流传送器的输出侧。

一种用于电容传感器系统的电流传送器包括：输入侧，耦接到输入电压，并且包括第一晶体管和第二晶体管；输出侧，提供输出电压和输出电流，该输出电压耦接到电容传感器，并且输出侧包括第三晶体管和第四晶体管；第一电容器，耦接在第三晶体管的栅极和源极之间；以及第二电容器，耦接在第四晶体管的栅极和源极之间。

在其他特征中，电流传送器是第二代电流传送器。第一电容器和第二电容器被配置为用作低通滤波器。电流传送器包括耦接到输入电压的第一节点、输出输出电压的第二节点、以及输出输出电流的第三节点。第三节点耦接到电流镜电路。

根据详细描述、权利要求书和附图，本公开的其他应用领域将变得显而易见。详细描述和具体示例仅旨在用于说明的目的，并不旨在限制本公开的范围。

本发明的有益效果

根据本公开的实施例，提供了一种电容传感器系统，该电容传感器系统可以减轻响应于在电流传送电路中的FET的源极端子处的瞬态电压改变在栅极端子和源极端子两端的电压改变，并且维持流经在输出侧处的FET的电流，否则该电流会因栅极-源极电压改变而改变。

附图说明

根据详细描述和附图将更全面地理解本公开，其中：

[图1]图1是包括电容传感器的示例电子设备；

[图2A]图2A是用于电容传感器的示例参考信号发生器；

[图2B]图2B是用于电容传感器的示例参考信号发生器；

[图3]图3是根据本公开的实现用于电容传感器的电流传送器的示例电容传感器系统；以及

[图4]图4是根据本公开的示例电流传送器。

在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。

具体实施方式

响应于与物体的接触而供应给电容传感器的信号(与感测信号相对应)的改变通常相对于所供应的信号(即，控制信号或驱动信号)较小，并且可能难以检测。因此，可以实现不同的方法来改善对该改变的检测。例如，向传感器提供信号的参考信号发生器也可以供应信号的副本，或者可以设置第二参考信号发生器以供应信号的副本。从供应的信号中减去副本信号，并且可以被放大以改善检测的结果对应于感测信号。

在一些示例中，参考信号发生器是正弦波发生器，例如，文氏(Wien)桥振荡器。在其他示例中，参考信号发生器可以被配置为向数模转换器(DAC)供应数字正弦波，并且DAC的输出被滤波和/或放大。在一些示例中，偏移控制模块被配置为当在物体和电容传感器之间不存在接触时生成作为感测信号的副本的偏移信号。

包括电容传感器的电子设备可以包括耦接到电容传感器的输出的调节器电路(例如，压控电流模式调节器)。调节器电路被配置为调节电容传感器的输出电压(与感测信号相对应)，并生成指示感测信号的输出电流。在一些示例中，调节器电路被实现为电流传送器。根据本公开的原理的电流传送器包括耦接在电流传送器的输入电压和输出电流之间的低通滤波器(LPF)。LPF改善了电流传送器的噪声抑制。

现在参考图1，示出了包括与电容传感器相对应的传感器模块104的示例电子设备100。参考信号发生器(例如，波形发生器)108向传感器模块104供应参考信号或控制信号(例如，方波、正弦波等)110。参考信号发生器108可以向偏移控制模块112供应控制信号110，或者可选的第二参考信号发生器116可以向偏移控制模块112提供控制信号110的副本。

传感器模块104修改控制信号110，并且基于控制信号110和与感测物体的接近或接触来生成感测信号118。换言之，感测信号118对应于根据物体的检测(例如，接触和/或接近)而修改的控制信号110。感测信号118指示物体(例如，手指)是否与传感器模块104接触。在一些示例中，感测信号118指示物体与传感器模块104的接近。无论物体是否与传感器模块104接触，感测信号118都可以与控制信号110不同(例如，幅度和/或相位不同)。

在一个示例中，偏移控制模块112被配置为在物体和传感器模块104之间没有接触的情况下生成作为感测信号118的副本的偏移信号120。换言之，偏移控制模块112被配置为当物体和传感器模块104之间不存在接触时(和/或，在一些示例中，当物体未充分靠近传感器模块104以影响感测信号118)时，以与传感器模块104相同的方式来修改控制信号110。这样，当不存在与物体的接触时，感测信号118和偏移信号120将基本上相同(例如，在幅度、相位、和/或幅度和相位两者方面)，并且感测信号118和偏移信号120之间的差异将接近于零。在其他示例中，偏移信号120可以被配置为具有相对于控制信号110相反的极性，并且可以简单地与感测信号118求和。

相反地，当在物体和传感器模块104之间存在接触时，偏移信号120和感测信号118将不同。调节器电路124输出并放大偏移信号120和感测信号118之间的差异。然后可以处理调节器电路124的指示感测信号118的输出信号128(例如，输出电流)，以检测传感器模块104和物体之间的接触。例如，可以基于输出信号128的幅度和/或相位是否超过相应阈值来确定接触。在一些示例中，感测信号118可以指示物体与传感器模块104的接近，而不管物体是否与传感器模块104直接接触。在这些示例中，感测信号118还可以指示物体和传感器模块104之间的距离。

调节器电路124还被配置为调节提供给传感器模块104的电压(例如，控制信号110的电压)。例如，调节器电路124可以是被实现为电流传送器的压控电流模式调节器。根据本公开的原理的电流传送器包括耦接在电流传送器的输入电压(例如，控制信号110的电压)和输出电流之间的LPF，以改善噪声抑制，如下文更详细地描述的。

在一些示例中，参考信号发生器108实现可能难以调谐和/或调制幅度的文氏桥振荡器。在其他示例中，参考信号发生器108可以生成随后被转换为模拟正弦波的数字正弦波。例如，如图2A和图2B中所示，参考信号发生器108可以包括数字正弦波发生器200。在图2A中，模拟DAC 204将数字正弦波转换成模拟信号，然后使用具有增益控制能力的LPF 208对该模拟信号进行滤波和放大(或者，在一些示例中，进行衰减)。例如，将幅度控制信号提供给LPF 208以控制增益。LPF 208可以是一阶滤波器以降低成本，或者在一些示例中，可以是二阶滤波器、三阶滤波器或更高阶滤波器。在其他示例中，可以使用带通滤波器。

相反，在图2B中，在数字正弦波发生器200和模拟DAC 204之间设置乘法器(multiplier)212。将幅度控制信号提供给乘法器212以控制增益。将乘法器的输出(与放大的数字正弦波相对应)提供给模拟DAC 204。使用LPF 216对由模拟DAC 204输出的模拟信号进行滤波，而无需增益控制。

现在参考图3，示出了根据本公开的包括传感器模块304(例如，电容传感器)并且实现调节器电路308的示例电容传感器系统300(例如，用于电子设备100的电容传感器系统300)。参考信号发生器312输出参考信号或控制信号316(例如，诸如方波、模拟正弦波之类的调制波形、诸如转换为模拟正弦波的数字正弦波之类的数字波形等)。控制信号316经由调节器电路308供应给传感器模块304，并且在一些示例中，供应给偏移控制模块320。偏移控制模块320被配置为基于控制信号316来生成偏移信号324。将偏移信号324提供给调节器电路308。

传感器模块304对应于包括修改提供给调节器电路308的控制信号316的幅度和相位的一个或多个寄生电容(例如，寄生电容Crg)在内的电容传感器(例如，电容触摸电路)。在一些示例中，控制信号316通过电容Crs连接到一个或多个感测电极。当物体(例如，手指332)接近(即，变得接近)和/或接触传感器模块304的一个或多个感测电极时，手指332的电容336进一步修改基于控制信号316的感测信号340的幅度和相位。因此，传感器模块304生成感测信号340作为输出电压，该感测信号340指示物体(例如，手指332)是否与传感器模块304接触，或者在一些示例中，指示手指332与传感器模块304的接近。更具体地，根据检测到的电容336来修改感测信号340。

调节器电路308检测并输出感测信号340的指示。在一些示例中，调节器电路308检测并输出感测信号340和偏移信号324之间的差异。例如，偏移控制模块320被配置为使得当在传感器模块304(例如，一个或多个感测电极)和物体(例如，手指332)之间不存在接触时，感测信号340和偏移信号324(即，感测信号340和偏移信号324的相应幅度和相位)相同。在一些示例中，偏移控制模块320被配置为调整偏移信号324的相位和幅度，使得当传感器模块304(一个或多个感测电极)和物体之间不存在接触时，调节器电路308的输出(例如，与输出电流相对应的输出信号344)变得基本为零。

换言之，偏移控制模块320被配置为调整偏移信号324的相位和幅度，使得当传感器模块304的感测电极未感测到物体的接近或接触时，偏移信号324的相位和幅度分别与感测信号340的相位和幅度一致。例如，寄生电容Crs和Crg修改控制信号316的幅度和相位。偏移控制模块320调整偏移信号324的幅度和相位，以补偿由寄生电容Crs和Crg引起的控制信号316的改变。调节器电路308的输出(即，输出信号344)基于感测信号340和偏移信号324之间的比较来指示传感器模块304和手指332之间是否存在接触，或者在一些示例中，指示手指332与传感器模块304接近。

调节器电路308从参考信号发生器312接收控制信号316(例如，作为调节器电路308的输入电压)。调节器电路308被配置为调节耦接到传感器模块304的电压(例如，控制信号316的电压)。在一些示例中，耦接到传感器模块304的电压对应于耦接到可选的传感器输入/输出(I/O)焊盘348的电压，该可选的传感器输入/输出(I/O)焊盘348进一步耦接到传感器模块304的输出。因此，感测信号340对应于调节器电路308的基于控制信号316而生成的输出电压，并且通过检测到的电容336来进一步修改。调节器电路308生成指示感测信号340的输出信号344(例如，输出电流)。

现在参考图4，更详细地示出了调节器电路308。调节器电路308包括电流传送器400(例如，第二代电流传送器(CCII))。电流传送器400包括均耦接在电源电压(例如，VDD)和参考电势(例如，接地端子)之间的输入侧404和输出侧408。输入侧404包括第一晶体管412和第二晶体管416(例如，场效应晶体管(FET))、以及电流源(例如，可调节的电流源)420和424。仅作为示例，电流源420和424可以用晶体管来实现。第一晶体管412和第二晶体管416的相应栅极和源极耦接在一起。电流源420耦接在电源电压和第一晶体管412之间。电流源424耦接在第二晶体管416和地之间。

输出侧408包括第三晶体管428、第四晶体管432、第五晶体管436和第六晶体管440(例如，FET)。第三晶体管428的栅极耦接到第一晶体管412的栅极。第四晶体管432的栅极耦接到第二晶体管416的栅极。第三晶体管428和第四晶体管432耦接到传感器模块304。第五晶体管436耦接在电源电压和第三晶体管428之间。第六晶体管440耦接在第四晶体管432和地之间。

第一晶体管412和第二晶体管416之间的第一节点444用作电流传送器400的输入电压节点(例如，Y节点)。第一节点444接收输入电压(例如，与来自参考信号发生器312的控制信号316相对应的输入电压)。第一晶体管412和第二晶体管416经由节点444耦接到输入电压，并且基于在第一节点444处接收到的输入电压来维持偏置电压参考。相反，在第三晶体管428和第四晶体管432之间的第二节点448用作电流传送器400的输出电压节点(例如，X节点)。更具体地，第一晶体管412和第二晶体管416的栅极电压控制第三晶体管428和第四晶体管432的栅极电压，使得第二节点448处的电压等于在第一节点444处接收到的输入电压。以此方式，第二节点448输出与在第一节点444处接收到的输入电压相对应的调节输出电压。

传感器模块304的输出耦接到第二节点448的输出电压。因此，提供给传感器模块304的电压对应于第二节点448的输出电压，该第二节点448的输出电压进而对应于提供给第一节点444的输入电压。当检测到的电容336改变时，第三晶体管428和第四晶体管432一起供应维持第二节点448处的输出电压所需的电流。换言之，当检测到的电容336改变时，将第二节点448的输出电压维持在与第一节点444相同的输入电压处所需的电流量也改变。以此方式，第三晶体管428和第四晶体管432的电流之和是与感测信号340相对应的输出电流。

电流传送器400还包括第七晶体管452和第八晶体管456。第七晶体管452和第八晶体管456的栅极耦接到第五晶体管436和第六晶体管440的相应栅极。第七晶体管452和第八晶体管456形成电流镜电路。例如，第五晶体管436和第六晶体管440提供指示由第七晶体管452和第八晶体管456形成的电流镜电路复制的电流-电压关系的栅极电压。换言之，由第五晶体管436和第六晶体管440分别施加到第七晶体管452和第八晶体管456的栅极电压使得第七晶体管452和第八晶体管456镜像第五晶体管436和第六晶体管440的电流。

因此，第三节点460耦接到第七晶体管452和第八晶体管456之间的电流镜电路，并且用作电流传送器400的输出电流节点(例如，Z节点)。换言之，第三节点460输出调节器电路308的输出信号344，该输出信号344对应于指示传感器模块304和手指332之间是否存在接触、或者在一些示例中，指示手指332与传感器模块304接近的输出电流。在一些示例中，第三节点460耦接到偏移电流(例如，偏移信号324)，并且输出信号344对应于输出电流与偏移电流之和。例如，偏移电流被配置为具有相对于控制信号316的电流相反的极性。将输出信号344提供给输出信号路径(例如，电容传感器系统300的输出信号路径)。

根据本公开的电流传送器400包括耦接在输入电压(即，第一节点446)和输出电流(即，第三节点460)之间的专用低通滤波器464，以改善电流传送器400的噪声抑制性能。例如，低通滤波器464降低电流传送器400的低通截止频率，并且从输出电流中滤除输入电压中的高频电压。换言之，低通滤波器464防止输入电压中的高频电压在第三节点460处被转换为输出电流中的高频电流。

例如，低通滤波器464包括耦接在第三晶体管428和第四晶体管432的栅极之间的第一电容器468和第二电容器472。第一电容器468和第二电容器472的电容值可以根据电流传送器400的期望低通截止频率来选择。例如，随着第一电容器468和第二电容器472的相应电容增加，电流传送器400的低通截止频率降低。

第一电容器468和第二电容器472之间的第四节点476耦接到第三晶体管428和第四晶体管432之间的第二节点448。换言之，第一电容器468连接在第三晶体管428的栅极和源极之间，并且第二电容器472连接在第四晶体管432的栅极和源极之间。当在第二节点448处发生电压瞬变时，对应的电压改变的一部分通过第一电容器468和第二电容器472传送到第三晶体管428和第四晶体管432的栅极。因此，响应于瞬态电压的在第三晶体管428和第四晶体管432处的栅极-源极电压改变被减小。以此方式，通过减小在第三晶体管428和第四晶体管432处的栅极-源极电压的改变，响应于瞬态电压的通过第三晶体管428和第四晶体管432的电流(并且因此，第三节点460处的输出电流)的改变也减小。

在一些示例中，低通滤波器464包括第一电阻器R1和第二电阻器R2。第一电阻器R1耦接在第一电容器468与第一晶体管412的栅极和源极之间。第二电阻器R2耦接在第二电容器472与第二晶体管416的栅极和源极之间。第一电阻器R1和第二电阻器R2进一步调节电流传送器400的低通截止频率。例如，增加第一电阻器R1和第二电阻器R2的电阻降低电流传送器400的低通截止频率。

前述描述本质上仅仅是说明性的，并且决不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以多种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但由于在研究附图、说明书和所附权利要求之后其他修改将变得显而易见，因此本公开的真实范围不应当受此限制。应当理解，方法内的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时)执行，而不改变本公开的原理。此外，尽管上面将每个实施例描述为具有某些特征，但是针对本公开的任何实施例描述的那些特征中的任何一个或多个可以在任何其他实施例的特征中实现、和/或与任何其他实施例的特征组合，即使该组合没有明确描述。换言之，所描述的实施例不是相互排斥的，并且一个或多个实施例彼此之间的排列仍然在本公开的范围内。

使用包括“连接”、“接合”、“耦接”、“相邻”、“靠近”、“在……的顶部上”、“之上”、“之下”和“设置”在内的各种术语来描述元件之间(例如，模块、电路元件、半导体层等之间)的空间和功能关系。除非明确地描述为“直接”，否则当在以上公开中描述第一元件和第二元件之间的关系时，该关系可以是其中第一元件和第二元件之间不存在其他中间元件的直接关系，但也可以是其中第一元件和第二元件之间(空间上或功能上)存在一个或多个中间元件的间接关系。如本文所使用的，短语A、B和C中的至少一个应当被解释为使用非排他性逻辑“或”来表示逻辑(A或B或C)，并且不应当被解释为表示“A中的至少一个、B中的至少一个、以及C中的至少一个”。

在附图中，如箭头所指示的，箭头的方向通常展示了图示感兴趣的信息流(例如，数据或指令)。例如，当元件A和元件B交换多种信息，但从元件A发送到元件B的信息与图示相关时，箭头可以从元件A指向元件B。该单向箭头不意味着没有其他信息从元件B发送到元件A。此外，针对从元件A发送到元件B的信息，元件B可以向元件A发送对该信息的请求、或发送对该信息的接收确认。

在本申请中，包括下面的定义，术语“模块”或术语“控制器”可以用术语“电路”代替。术语“模块”可以指代以下项、是以下项的一部分、或包括以下项：专用集成电路(ASIC)；数字、模拟、或混合模拟/数字分立电路；数字、模拟、或混合模拟/数字集成电路；组合逻辑电路；现场可编程门阵列(FPGA)；执行代码的处理器电路(共享的、专用的或组)；存储由处理器电路执行的代码的存储器电路(共享的、专用的或组)；提供所述功能的其他合适的硬件组件；或者上述中的一些或全部的组合，例如以芯片上系统的形式。

模块可以包括一个或多个接口电路。在一些示例中，接口电路可以包括连接到局域网(LAN)、互联网、广域网(WAN)、或其组合的有线接口或无线接口。本公开的任何给定模块的功能可以分布在经由接口电路连接的多个模块之间。例如，多个模块可以允许负载平衡。在进一步的示例中，服务器(也称为远程或云)模块可以代表客户端模块来完成一些功能。

如上所使用的术语“代码”可以包括软件、固件和/或微代码，并且可以指代程序、例程、函数、类、数据结构和/或对象。术语“共享处理器电路”涵盖执行来自多个模块的一些或全部代码的单个处理器电路。术语“组处理器电路”涵盖与附加处理器电路结合执行来自一个或多个模块的一些或全部代码的处理器电路。对多个处理器电路的引用涵盖分立管芯上的多个处理器电路、单个管芯上的多个处理器电路、单个处理器电路的多个核心、单个处理器电路的多个线程、或者以上的组合。术语“共享存储器电路”涵盖存储来自多个模块的一些或全部代码的单个存储器电路。术语“组存储器电路”涵盖与附加存储器结合存储来自一个或多个模块的一些或全部代码的存储器电路。

术语“存储器电路”是术语“计算机可读介质”的子集。如本文所使用，术语“计算机可读介质”不涵盖通过介质(例如，在载波上)传播的瞬态电信号或电磁信号；因此，术语“计算机可读介质”可以被解释为有形的和非暂时性的。非暂时性、有形的计算机可读介质的非限制性示例是非易失性存储器电路(例如，闪存电路、可擦除可编程只读存储器电路、或掩模只读存储器电路)、易失性存储器电路(例如，静态随机存取存储器电路、或动态随机存取存储器电路)、磁性存储介质(例如，模拟或数字磁带或硬盘驱动器)、以及光学存储介质(例如，CD、DVD或蓝光光盘)。

本申请中描述的装置和方法可以部分或全部地由专用计算机来实现，该专用计算机是通过配置通用计算机以执行计算机程序中体现的一个或多个特定功能来创建的。上述功能块、流程图组件和其他元件用作软件规范，该软件规范可以通过熟练的技术人员或程序员的例行工作而被翻译成计算机程序。

计算机程序包括存储在至少一种非暂时性、有形的计算机可读介质上的处理器可执行指令。计算机程序还可以包括或依赖于存储的数据。计算机程序可以涵盖与专用计算机的硬件交互的基本输入/输出系统(BIOS)、与专用计算机的特定设备交互的设备驱动器、一个或多个操作系统、用户应用、后台服务、后台应用等。

计算机程序可以包括：(i)要解析的描述性文本，例如HTML(超文本标记语言)、XML(可扩展标记语言)、或JSON(JavaScript对象表示法)，(ii)汇编代码，(iii)通过编译器从源代码生成的目标代码，(iv)用于解释器的执行的源代码，(v)用于即时编译器的编译和执行的源代码等。仅作为示例，源代码可以使用来自语言的语法来编写，该语言包括C、C++、C#、Objective C、Swift、Haskell、Go、SQL、R、Lisp、Java(注册商标)、Fortran、Perl、Pascal、Curl、OCaml、Javascript(注册商标)、HTML5(超文本标记语言第五修订版)、Ada、ASP(活动服务器页面)、PHP(PHP：超文本预处理器)、Scala、Eiffel、Smalltalk、Erlang、Ruby、Flash(注册商标)、Visual Basic(注册商标)、Lua、MATLAB、SIMULINK和Python(注册商标)。

附图标记列表

100 电子设备

104 传感器模块

108 参考信号发生器

110 控制信号

112 偏移控制模块

116可选的第二参考信号发生器

118 感测信号

120 偏移信号

124 调节器电路

128 输出信号

200 数字正弦波发生器

208LPF

212乘法器

216LPF

300 电容传感器系统

304 传感器模块

308 调节器电路

312 参考信号发生器

316 控制信号

320 偏移控制模块

324 偏移信号

332 手指

336 电容

340 感测信号

344 输出信号

400 电流传送器

404 输入侧

408 输出侧

412 第一晶体管

416 第二晶体管

420 电流源

424 电流源

428，432，436，440第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管

444 第一节点

448 第二节点

452 第七晶体管

456 第八晶体管

460 第三节点

464 低通滤波器

468 第一电容器

472 第二电容器

476 第四节点

Crs，Crg寄生电容

R1第一电阻器

R2第二电阻器。

Claims (15)

1.一种电容传感器系统，包括：

电容传感器；以及

电流传送器，耦接到所述电容传感器的输出，其中，所述电流传送器包括：

输入侧，包括耦接到输入电压的第一晶体管和第二晶体管，

输出侧，包括耦接到所述电容传感器的第三晶体管和第四晶体管，

第一电容器，耦接在所述第三晶体管的栅极和源极之间，以及

第二电容器，耦接在所述第四晶体管的栅极和源极之间。

2.根据权利要求1所述的电容传感器系统，其中，所述电流传送器是第二代电流传送器。

3.根据权利要求1所述的电容传感器系统，其中，所述电流传送器包括耦接到控制信号的第一节点、耦接到所述电容传感器的输出的第二节点、以及基于所述控制信号和所述电容传感器的输出而输出输出电流的第三节点。

4.根据权利要求3所述的电容传感器系统，其中，所述电容传感器的输出是与根据与物体的接触和接近中的至少一种而修改的所述控制信号相对应的感测信号。

5.根据权利要求4所述的电容传感器系统，其中，耦接到所述第一节点的所述控制信号是所述电流传送器的所述输入电压，并且所述第二节点输出与所述输入电压相对应的调节电压。

6.根据权利要求5所述的电容传感器系统，其中，所述电流传送器包括耦接到所述输出侧的电流镜电路，并且其中，所述第三节点耦接到所述电流镜电路。

7.根据权利要求6所述的电容传感器系统，其中，所述输出侧包括第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管，所述电流镜电路包括第七晶体管和第八晶体管，并且所述第三节点耦接在所述第七晶体管和所述第八晶体管之间。

8.根据权利要求7所述的电容传感器系统，其中，所述第一晶体管和所述第七晶体管的栅极耦接在一起。

9.根据权利要求3所述的电容传感器系统，其中，所述第一电容器和所述第二电容器之间的第四节点耦接到所述第二节点。

10.根据权利要求1所述的电容传感器系统，其中，所述第一晶体管和所述第三晶体管的栅极耦接在一起，并且所述第二晶体管和所述第四晶体管的栅极耦接在一起。

11.根据权利要求1所述的电容传感器系统，还包括被配置为向所述电流传送器的所述输入侧提供控制信号的参考信号发生器。

12.根据权利要求11所述的电容传感器系统，还包括耦接到所述电流传送器的所述输出侧的偏移控制模块。

13.一种用于电容传感器系统的电流传送器，所述电流传送器包括：

输入侧，包括耦接到输入电压的第一晶体管和第二晶体管；

输出侧，包括第三晶体管和第四晶体管，其中，所述输出侧提供输出电压和输出电流，并且其中，所述输出电压耦接到电容传感器；

第一电容器，耦接在所述第三晶体管的栅极和源极之间；以及

第二电容器，耦接在所述第四晶体管的栅极和源极之间。

14.根据权利要求13所述的电流传送器，其中，所述第一电容器和所述第二电容器被配置为用作低通滤波器。

15.根据权利要求14所述的电流传送器，其中，所述电流传送器包括耦接到所述输入电压的第一节点、输出所述输出电压的第二节点、以及输出所述输出电流的第三节点。