CN117038700A - Led显示芯片模块及制作方法、led显示芯片及制作方法 - Google Patents

Led显示芯片模块及制作方法、led显示芯片及制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种LED显示芯片模块，包括：第一基板，形成于第一基板的表层的阴极金属环，且阴极金属环围成第一像素显示区；若干阳极金属塞，形成于第一基板的表层，阵列排布于第一像素显示区中；共阴极金属反射镜层覆盖第一像素显示区中的第一基板与阴极金属环的表面，且暴露出若干阳极金属塞；若干像素单元，通过键合胶键合于共阴极金属反射镜层表面，包围对应的第一孔洞；共阴极金属反射镜层包围的像素单元和键合胶围成一第二孔洞，并暴露出阳极金属塞；第一绝缘层，形成于第二孔洞的侧壁上；侧壁金属层，连接N型外延层的侧壁与共阴极金属反射镜层；P电极金属层，连接透明导电层与阳极金属塞。该技术方案解决了芯片转移时对准精度低的问题。

Description

LED显示芯片模块及制作方法、LED显示芯片及制作方法
技术领域
本发明涉及LED制作工艺领域，尤其涉及一种LED显示芯片模块及制作方法、LED显示芯片及制作方法。
背景技术
Micro LED(MicroLight Emitting Diode，微发光二极管)显示技术是将传统的LED结构进行微缩化和阵列化，并采用CMOS集成电路工艺制作驱动芯片，来实现对每一个像素点的定址控制和单独驱动的显示技术。
目前Micro LED显示，因其具有高解析度、低功耗、高亮度、高对比、高色彩饱和度、反应速度快、厚度薄、寿命长等特性，已被定义为显示领域中的终极显示。
尤其是Micro LED有源矩阵微显示屏，特别适合近眼信息提示类AR、运动光学显示、HUD抬头显示、以及嵌入式微投影等应用。
但是，用于微显示的Micro LED芯片像素尺寸非常小，只有几微米，尤其是用于AR眼镜显示的Micro LED芯片像素更是小至4μm以下，因而，在LED芯片与CMOS驱动芯片做像素对像素的准键合工艺时，存在极高的对准精度要求，即对准精度要求在0.5μm以内，制作难度极大。
传统的wafer to wafer键合工艺中，由于CMOS驱动版表面除了有像素显示区，还有很大面积的打线端口和划道，而显示区只占整个DIE面积的30％左右。并且wafer towafer键合工艺完成后，需要将像素区外的其他区域的GaN外延层去除掉，这样造成70％左右的GaN外延层被浪费掉。
基于此，本发明将提供一种新的工艺路线。
发明内容
本发明提供一种LED显示芯片模块及制作方法、LED显示芯片及制作方法，以解决LED芯片转移时，对准的精度低的问题。
根据本发明的第一方面，提供了一种LED显示芯片模块，包括：
第一基板结构；包括：第一基板、阴极金属环以及若干阳极金属塞；其中，所述阴极金属环形成于所述第一基板的表层，且所述阴极金属环围成的区域作为所述LED显示芯片模块的第一像素显示区；所述若干阳极金属塞形成于所述第一基板的表层，且阵列排布于所述第一像素显示区中；
共阴极金属反射镜层，包括：金属反射镜与阵列排布于所述金属反射镜上的若干第一孔洞；所述共阴极金属反射镜层覆盖于所述第一像素显示区中的所述第一基板表面与所述阴极金属环的表面，且暴露出若干所述阳极金属塞，及其周围的部分所述第一基板；
键合胶；
若干像素单元，通过所述键合胶键合于所述共阴极金属反射镜层表面，且分别包围对应的所述第一孔洞；每个像素单元均包括：沿远离所述键合胶的方向上依次堆叠的N型外延层、发光层、P型外延层以及透明导电层；其中，所述金属反射镜，及所述第一孔洞周围包围的所述像素单元和所述键合胶均围成一第二孔洞，并暴露出所述阳极金属塞及其周围的部分第一基板；
第一绝缘层；形成于所述第二孔洞的侧壁上；
侧壁金属层，连接所述N型外延层的侧壁与所述共阴极金属反射镜层；
P电极金属层，连接所述透明导电层与所述阳极金属塞。
可选的，所述发光层、所述P型外延层以及所述透明导电层，形成于所述N型外延层的表面的中央区域，以暴露出边缘区域的N型外延层；
其中，侧壁金属层，连接所述边缘区域的N型外延层与所述共阴极金属反射镜层。
可选的，所述LED显示芯片模块还包括：第二绝缘层，所述第二绝缘层形成于所述键合胶与所述共阴极金属反射镜层之间。
可选的，所述第二绝缘层与所述键合胶还延伸到所述第一孔洞的侧壁上；
其中，所述第一绝缘层覆盖于所述第一孔洞的侧壁上的所述键合胶的表面。
可选的，所述LED显示芯片模块还包括：
第三绝缘层，覆盖所述共阴极金属反射镜层的表面、所述若干像素单元的侧壁与表面、所述侧壁金属层的侧壁与表面、所述P电极金属层暴露出来的表面与侧壁，并填充于所述第二孔洞中。
根据本发明的第二方面，提供了一种LED显示芯片模块的制作方法，用于制作本发明第一方面的任一项所述的LED显示芯片模块，包括：
形成一LED外延模块；所述一LED外延模块形成于所述临时基板上；所述LED外延模块包括：沿远离所述临时基板的方向上依次堆叠于所述临时基板上的所述透明导电层、所述P型外延层、所述发光层以及所述N型外延层；其中，所述LED外延模块的面积不小于所述阳极金属塞的阵列排布区域的面积；
形成所述第一基板结构与所述共阴极金属反射镜层；其中，所述第一基板结构包括：所述第一基板、所述阴极金属环以及所述若干阳极金属塞；所述阴极金属环形成于所述第一基板的表层，且所述阴极金属环围成的区域作为所述LED显示芯片模块的所述第一像素显示区；所述若干阳极金属塞形成于所述第一基板的表层，且阵列排布于所述第一像素显示区中；所述共阴极金属反射镜层包括：所述金属反射镜与阵列排布于所述金属反射镜上的所述若干第一孔洞；所述共阴极金属反射镜层覆盖于部分所述第一基板与所述阴极金属环的表面，且暴露出若干所述阳极金属塞，及其周围的部分所述第一基板；
在所述共阴极金属反射镜层表面、所述阳极金属塞表面及其周围的部分第一基板的表面、以及所述第一孔洞的侧壁均覆盖所述键合胶；
将所述LED外延模块通过所述键合胶对准键合于所述共阴极金属反射镜层的表面，去除所述临时基板；其中，所述N型外延层通过所述键合胶直接键合于所述共阴极金属反射镜层的表面；
图形化所述LED外延模块，以在所述共阴极金属反射镜层的表面形成所述若干像素单元；其中，所述若干像素单元均分别包围对应的所述第一孔洞；所述金属反射镜，及所述第一孔洞周围包围的所述像素单元和所述键合胶均围成所述第二孔洞，并暴露出所述阳极金属塞及其周围的部分所述第一基板；
刻蚀所述第二孔洞的底部的所述键合胶，以及所述若干像素单元之间的所述键合胶；
形成所述侧壁金属层、所述第一绝缘层以及所述P电极金属层；其中，所述侧壁金属层连接所述N型外延层的侧壁与所述共阴极金属反射镜层；所述第一绝缘层形成于第二孔洞的侧壁上；所述P电极金属层连接所述透明导电层与所述阳极金属塞。
可选的，图形化所述LED外延模块，以在所述共阴极金属反射镜层的表面形成所述若干像素单元的同时，还包括：
刻蚀所述N型外延层的边缘区域的所述发光层、所述P型外延层以及所述透明导电层，以在所述N型外延层的表面的中央区域形成所述发光层、所述P型外延层以及所述透明导电层，以暴露出边缘区域的N型外延层；
其中，所述侧壁金属层连接所述边缘区域的N型外延层与所述共阴极金属反射镜层。
可选的，形成一LED外延模块包括：
提供一LED外延模块结构；所述LED外延模块结构形成于生长基板上；所述LED外延模块结构包括沿远离所述生长基板的方向上依次堆叠于所述生长基板上的所述N型外延层、所述发光层、所述P型外延层以及所述透明导电层；
提供一所述临时基板；
将所述LED外延模块结构转移到所述临时基板上，并去除所述生长基板，以暴露出所述N型外延层；其中，所述透明导电层直接键合于所述临时基板上；
对所述LED外延模块结构的N型外延层暴露出来的一面进行减薄，以在所述临时基板上形成所述LED外延模块。
可选的，所述LED显示芯片模块的制作方法还包括：
形成所述键合胶的之前，形成所述第二绝缘层；所述第二绝缘层覆盖于所述共阴极金属反射镜层表面、所述阳极金属塞表面及其周围的部分所述第一基板的表面、以及所述第一孔洞的侧壁；所述键合胶形成于所述第二绝缘层的表面；其中，所述LED外延模块通过所述键合胶对准键合于所述第二绝缘层的表面；
刻蚀所述第二孔洞的底部的所述键合胶，以及所述若干像素单元之间的所述键合胶的同时，刻蚀所述第二孔洞的底部的所述第二绝缘层，以及所述若干像素单元之间的所述第二绝缘层；
其中，所述金属反射镜，及所述第一孔洞周围包围的所述像素单元、所述键合胶以及所述第二绝缘层均围成所述第二孔洞，并暴露出所述阳极金属塞及其周围的部分所述第一基板。
可选的，形成所述侧壁金属层、所述第一绝缘层以及所述P电极金属层之后，还包括：
形成所述第三绝缘层，覆盖所述共阴极金属反射镜层、所述若干像素单元、所述侧壁金属层、所述P电极金属层中各结构暴露出来的表面与侧壁，并填充于所述第二孔洞中。
根据本发明的第三方面，提供了一种LED显示芯片，所述LED显示芯片包括：第一基板；其中，所述第一基板上包括阵列排布的若干LED芯片模块区域；
每个LED芯片模块区域中均包括：第一像素显示区与接线区域；
其中，每个所述第一像素显示区均包括如本发明第一方面的任一项所述的若干LED显示模块；每个所述接线区域均包括：若干接线端口电极，所述接线端口电极用于将所述LED显示模块与外围驱动电路电性连接。
根据本发明的第四方面，提供了一种LED显示芯片的制作方法，包括：
提供一第一基板；其中，所述第一基板上包括：阵列排布的若干LED芯片模块区域；每个LED芯片模块区域中均包括：第一像素显示区与接线区域；
形成若干如本发明第一方面中所述的第一基板结构，与如本发明第一方面所述的若干所述共阴极金属反射镜层；其中，所述第一基板结构与所述共阴极金属反射镜层均形成于对应的所述第一像素显示区中；若干所述第一基板结构与若干所述共阴极金属反射镜层阵列排布于所述第一基板上；
形成阵列排布的若干如本发明第一方面中所述的LED外延模块；所述若干LED外延模块的阵列排布方式适配于所述若干所述共阴极金属反射镜层的阵列排布方式；
在每个所述第一像素显示区中，所述共阴极金属反射镜层表面、所述阳极金属塞表面及其周围的部分第一基板的表面、以及所述第一孔洞的侧壁均覆盖所述键合胶与第二绝缘层；
将所述若干LED外延模块通过所述键合胶，分别对准键合于对应的所述第二绝缘层的表面，去除若干所述临时基板；其中，在每个所述第一像素显示区中，形成有所述N型外延层的一面键合于所述第二绝缘层的表面；
图形化所述若干LED外延模块，以在每个所述第一像素显示区中的所述共阴极金属反射镜层的表面，形成如本发明第一方面所述的若干像素单元；其中，所述金属反射镜，及所述第一孔洞周围包围的所述像素单元和所述键合胶均围成所述第二孔洞，并暴露出所述阳极金属塞及其周围的部分第一基板；
刻蚀每个所述第一像素显示区中，若干所述第一孔洞的底部的所述键合胶与所述第二绝缘层，以及所述若干像素单元之间的所述键合胶与所述第二绝缘层；
并在每个第一像素显示区均形成对应的所述侧壁金属层、所述第一绝缘层以及所述P电极金属层；
在每个所述接线区域均形成若干接线端口电极。
可选的，形成阵列排布的若干如本发明第一方面中所述的LED外延模块，具体包括：
提供一LED外延结构；所述LED外延结构形成于生长基板上；
切割所述LED外延结构，以在所述生长基板上形成若干阵列排布的LED外延模块结构；
提供一所述临时基板；
将阵列排布的所述若干LED外延模块结构一次转移到所述临时基板上；去除所述生长基板；其中，所述若干透明导电层直接键合于所述临时基板上；所述若干LED外延模块结构的阵列排布方式适配于所述若干所述共阴极金属反射镜层的阵列排布方式
对所述若干LED外延模块结构进行背面减薄，以在所述临时基板上形成所述若干LED外延模块。
根据本发明的第五方面提供了一种AR microLED显示芯片，包括本发明第三方面所述的LED显示芯片。
根据本发明的第六方面，提供了一种AR microLED显示芯片的制作方法，包括本发明第四方面的任一项所述的LED显示芯片的制作方法。
本发明提供的一种LED显示芯片模块，通过将LED显示芯片模块巧妙地设置为：CMOS驱动基板(第一基板)中的第一像素显示区埋入阴极金属环，并在阴极金属环围成的区域中埋入阵列分布的阳极金属塞；通过在CMOS驱动基板的表面覆盖一具有若干第一孔洞的共阴极金属反射镜层，以连接阴极金属环，且第一孔洞对准阳极金属塞的顶端，阳极金属塞隔离；设置键合胶于共阴极金属反射镜层表面，以用于像素单元的键合与底部绝缘；阳极金属电极分别连接若干阳极金属塞与像素单元中的透明导电层；N型外延层的侧壁金属层连接共阴极金属反射镜层与N型外延层，从而与阴极金属环一起形成共阴极结构。该LED芯片模块是一种P面出光的LED芯片结构。可见，本申请提供的技术方案，巧妙地设计了第一基板结构，一方面，使得在LED显示芯片模块的制作过程中，可以转移整片LED外延模块到共阴极金属反射镜层的表面的方式，即：通过DIE(指LED外延模块)to wafer(指第一基板)键合方式，之后可以利用光刻技术在共阴极反射镜层表面刻蚀出单个像素单元(整片LED外延层刻蚀后形成)，并露出阳极金属塞；区别于非传统的像素对像素的转移对准工艺；本发明提供的LED外延模块的对准工艺，在制作过程中对准精度远大于传统的像素对像素的工艺对准精度；因而，大大降低了对准键合的精度要求，使得制作工艺更适合产业化。另一方面，共阴极金属反射镜层置于芯片底部，作为反射镜结构，还可以提高出光率。另外，本申请提供的技术方案，仅需刻蚀掉4.5％左右的GaN外延层，大大提高GaN外延层的利用率，节省了生产成本。
进一步地，本发明提供的一种LED显示芯片模块的制作方法，通过在CMOS驱动基板(第一基板)中的第一像素显示区埋入阴极金属环，并在阴极金属环围成的区域中埋入阵列分布的阳极金属塞；通过在CMOS驱动基板的表面覆盖一具有若干第一孔洞的共阴极金属反射镜层，以连接阴极金属环，且第一孔洞对准阳极金属塞的顶端，从而与阳极金属塞隔离；转移整片LED外延模块到共阴极金属反射镜层的表面；其中，N型外延层的一面形成于所述共阴极反射镜层上；P型外延层与其上堆叠的透明导电层朝上；之后利用光刻技术在共阴极反射镜层表面刻蚀出单个像素单元(整片LED外延层刻蚀后形成)，并露出阳极金属塞；同时，可以设置键合胶和第二绝缘层于像素单元与共阴极金属反射镜层表面，以用于LED外延模块的键合与底部绝缘；最后制作阳极金属电极以分别连接若干阳极金属塞与像素单元中的透明导电层；制作N型外延层的侧壁金属层，以连接共阴极金属反射镜层与N型外延层，从而与阴极金属环一起形成共阴极结构。从而，形成一种P面出光的LED芯片结构。可见，本申请提供的技术方案，巧妙地设计了转移整片LED外延模块到共阴极金属反射镜层的表面的方式，即：通过DIE(指LED外延模块)to wafer(指第一基板)键合方式，相对于传统的单个像素对像素的工艺转移模式，大大降低了对准键合的精度要求，使得制作工艺更适合产业化。同时共阴极金属反射镜层置于芯片底部，作为反射镜结构，还可以提高出光率。另外，本申请提供的技术方案，仅需刻蚀掉4.5％左右的GaN外延层，大大提高GaN外延层的利用率，节省了生产成本。
更进一步地，本发明还提供了一种LED显示芯片，使得在LED显示芯片的制作过程中，可以转移若干整片LED外延模块到共阴极金属反射镜层的表面的方式，即：通过DIE(指LED外延模块)to wafer(指第一基板)键合方式，之后，在每个第一像素显示区，可以利用光刻技术在共阴极反射镜层表面刻蚀出单个像素单元(整片LED外延层刻蚀后形成)，并露出阳极金属塞；区别于非传统的像素对像素的转移对准工艺；本发明提供的LED外延模块的对准工艺，在制作过程中对准精度远大于传统的像素对像素的工艺对准精度；因而，大大降低了对准键合的精度要求，使得制作工艺更适合产业化。另一方面，共阴极金属反射镜层置于芯片底部，作为反射镜结构，还可以提高出光率。
更进一步地，本发明还提供了一种LED显示芯片的制作方法，巧妙地设计了转移若干整片LED外延模块到共阴极金属反射镜层的表面的方式，即：通过DIE(指LED外延模块)towafer(指第一基板)键合方式，之后在每个第一像素显示区中，通过刻蚀形成若干像素；相对于传统的单个像素对像素的工艺转移模式，大大降低了对准键合的精度要求，使得制作工艺更适合产业化。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一典型实施例提供的一种LED显示芯片模块的结构的俯视图；
图2是本发明一典型实施例提供的一种LED显示芯片模块的结构的沿AA’方向的部分截面图；
图3是本发明一典型实施例提供的根据LED显示芯片模块的制作方法制作的不同工艺阶段的器件结构示意图一；
图4是本发明一典型实施例提供的根据LED显示芯片模块的制作方法制作的不同工艺阶段的器件结构示意图二；
图5是本发明图4结构中形成键合胶与第二绝缘层之后，第一基板上的结构沿BB’方向的截面图；
图6是本发明一典型实施例提供的形成于临时基板上的LED外延模块的截面图；
图7是本发明一典型实施例提供的LED外延模块键合于所述共阴极金属反射镜层后的截面图；
图8是本发明一典型实施例提供的根据LED显示芯片模块的制作方法制作的不同工艺阶段的器件结构示意图三；
图9是本发明另一典型实施例提供的一种LED显示芯片模块的结构的俯视图；
图10是本发明一典型实施例提供的一种LED显示芯片中LED显示芯片模块的阵列分布的俯视图；
图11是本发明一典型实施例提供的一种LED外延模块结构在生长基板上的阵列分布的俯视图；
图12是本发明一典型实施例提供的一种LED外延模块在临时基板上的阵列分布的俯视图；
图13是本发明一典型实施例例提供的一种LED外延模块转移到共阴极金属反射镜层上之后的阵列分布的俯视图；
图14是本发明一典型实施例提供的一种LED显示芯片模块的制作方法的流程示意图；
图15是本发明一典型实施例提供的一种LED显示芯片的制作方法的流程示意图；
附图标记说明：
101-第一基板；
102-阴极金属环；
103-阳极金属塞；
104-共阴极金属反射镜层；
105-第二绝缘层；
106-键合胶；
107-临时基板；
108-透明导电层；
109-P型外延层；
110-发光层；
111-N型外延层；
112-侧壁金属层；
113-第一绝缘层；
114-P电极金属层；
115-第三绝缘层；
116-生长基板；
201-接线端口电极；
30-LED外延模块；
40-接线区域；
50-第一像素显示区；
60-LED芯片模块区域；
70-LED外延模块结构。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
Micro LED(MicroLight Emitting Diode，微发光二极管)显示技术是将传统的LED结构进行微缩化和阵列化，并采用CMOS集成电路工艺制作驱动芯片，来实现对每一个像素点的定址控制和单独驱动的显示技术。
目前Micro LED显示，因其具有高解析度、低功耗、高亮度、高对比、高色彩饱和度、反应速度快、厚度薄、寿命长等特性，已被定义为显示领域中的终极显示。
尤其是Micro LED有源矩阵微显示屏，特别适合近眼信息提示类AR、运动光学显示、HUD抬头显示、以及嵌入式微投影等应用。
但是，用于微显示的Micro LED芯片像素尺寸非常小，只有几微米，尤其是用于AR眼镜显示的Micro LED芯片像素更是小至4μm以下，因而，在LED芯片与CMOS驱动芯片做像素对像素的准键合工艺时，存在极高的对准精度要求，即对准精度要求在0.5μm以内，制作难度极大。
传统工艺路线是：
1)先在CMOS驱动基板表面、LED外延层的P-GaN表面蒸镀键合金属层；
2)再wafer to wafer的方式进行键合；
3)之后用激光剥离技术，将生长衬底去除掉；
4)之后在N-GaN面做像素点的电极工艺，以制备N面出光的LED芯片。
传统制作工艺中存在很多缺陷：例如：做像素点定义时，需要刻蚀键合层中的金属，刻蚀过程中的金属粒子很容易残留在像素点的侧壁，容易造成像素点漏电，影响产品可靠性。
传统LED芯片结构的制备工艺过程中，由于CMOS驱动基板表面除了有像素显示区，还有很大面积的打线端口和划道，显示区只占整个DIE面积的30％左右。而wafer to wafer键合工艺，只需要像素显示区的GaN外延层，其他区域的GaN外延层都要去除掉，这样造成70％左右的GaN外延层被浪费掉。另外，wafer to wafer键合，需要很大的键合压力，才能将外延层的翘曲压平，这样造成外延层内部存在很大的应力。
有鉴于此，本申请的发明人，通过在CMOS驱动基板中的像素显示区埋入阴极金属环，并在阴极金属环围成的区域中埋入阵列分布的阳极钨；通过在CMOS驱动基板的表面覆盖一具有孔洞的共阴极金属反射镜层，以连接阴极金属环，且孔洞对准阳极钨的顶端，从而与阳极钨隔离；转移整片LED外延层到共阴极金属反射镜层的表面；其中，N型外延层的一面形成于所述共阴极反射镜层上；P型外延层与其上堆叠的透明导电层朝上；之后利用光刻技术在共阴极反射镜层表面刻蚀出单个像素单元(整片LED外延层刻蚀后形成)，并露出阳极钨；同时，可以设置键合胶和绝缘层于像素单元与共阴极反射镜层表面，以用于LED外延层的键合与底部绝缘；最后制作阳极金属电极以分别连接若干阳极钨与像素单元中的透明导电层；制作N型外延层的侧壁金属层，以连接共阴极金属反射镜层与N型外延层，从而与阴极环一起形成共阴极结构。从而，P面出光的LED芯片结构。
可见，本申请提供的技术方案，巧妙地设计了转移整片LED外延层到共阴极金属反射镜层的表面的方式，即：通过DIE to wafer键合方式，相对于传统的单个像素对像素的工艺转移模式，大大降低了对准键合的精度要求，使得制作工艺更适合产业化。同时共阴极反射镜层置于芯片底部，可以提高出光率。
另外，本申请提供的技术方案，仅需刻蚀掉LED模块的划道部分4.5％左右的GaN外延层，大大提高GaN外延层的利用率，节省了生产成本。
下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
请参考图1-图15，图1、3、4、8以及图9中的若干方格阵列为预先设计的阳极金属塞103阵列排布的标识；围绕若干小方格阵列的矩形，为阳极金属塞103阵列排布区域的一种划分；
根据本发明的一实施例，提供了一种LED显示芯片模块，如图1或图9所示，包括：
第一基板101结构；包括：第一基板101、阴极金属环102以及若干阳极金属塞103；其中，所述阴极金属环102形成于所述第一基板101的表层，且所述阴极金属环102围成的区域作为所述LED显示芯片模块的第一像素显示区50；所述若干阳极金属塞103形成于所述第一基板101的表层，且阵列排布于所述第一像素显示区50中；
共阴极金属反射镜层104，包括：金属反射镜与阵列排布于所述金属反射镜上的若干第一孔洞；所述共阴极金属反射镜层104覆盖于所述第一像素显示区50中的所述第一基板101表面与所述阴极金属环102的表面，且暴露出若干所述阳极金属塞103，及其周围的部分所述第一基板101；
键合胶106；
若干像素单元，通过所述键合胶106键合于所述共阴极金属反射镜层104表面，且分别包围对应的所述第一孔洞；每个像素单元均包括：沿远离所述键合胶106的方向上依次堆叠的N型外延层111、发光层110、P型外延层109以及透明导电层108；其中，所述金属反射镜，及所述第一孔洞周围包围的所述像素单元和所述键合胶106均围成一第二孔洞，并暴露出所述阳极金属塞103及其周围的部分第一基板101；共阴极金属反射镜层104为导电且高反射材料，一种具体举例中，如铝、银等金属；
第一绝缘层113；形成于所述第二孔洞的侧壁上；
侧壁金属层112，连接所述N型外延层111的侧壁与所述共阴极金属反射镜层104；
P电极金属层114，连接所述透明导电层108与所述阳极金属塞103。
本发明提供的一种LED显示芯片模块，通过将LED显示芯片模块巧妙地设置为：CMOS驱动基板(第一基板)中的第一像素显示区埋入阴极金属环，并在阴极金属环围成的区域中埋入阵列分布的阳极金属塞；通过在CMOS驱动基板的表面覆盖一具有若干第一孔洞的共阴极金属反射镜层，以连接阴极金属环，且第一孔洞对准阳极金属塞的顶端，阳极金属塞隔离；设置键合胶于共阴极金属反射镜层表面，以用于像素单元的键合与底部绝缘；阳极金属电极分别连接若干阳极金属塞与像素单元中的透明导电层；N型外延层的侧壁金属层连接共阴极金属反射镜层与N型外延层，从而与阴极金属环一起形成共阴极结构。该LED芯片模块是一种P面出光的LED芯片结构。
可见，本申请提供的技术方案，巧妙地设计了第一基板结构，一方面，使得在LED显示芯片模块的制作过程中，可以转移整片LED外延模块到共阴极金属反射镜层的表面的方式，即：通过DIE(指LED外延模块)to wafer(指第一基板)键合方式，之后可以利用光刻技术在共阴极反射镜层表面刻蚀出单个像素单元(整片LED外延层刻蚀后形成)，并露出阳极金属塞；区别于非传统的像素对像素的转移对准工艺；本发明提供的LED外延模块的对准工艺，在制作过程中对准精度远大于传统的像素对像素的工艺对准精度；因而，大大降低了对准键合的精度要求，使得制作工艺更适合产业化。另一方面，共阴极金属反射镜层置于芯片底部，作为反射镜结构，还可以提高出光率。
另外，本申请提供的技术方案，仅需刻蚀掉4.5％左右的GaN外延层，大大提高GaN外延层的利用率，节省了生产成本。
一种实施例中，所述发光层110、所述P型外延层109以及所述透明导电层108，形成于所述N型外延层111的表面的中央区域，以暴露出边缘区域的N型外延层111；
其中，侧壁金属层112，连接所述边缘区域的N型外延层111与所述共阴极金属反射镜层104。
一种实施例中，所述LED显示芯片模块还包括：第二绝缘层105，所述第二绝缘层105形成于所述键合胶106与所述共阴极金属反射镜层104之间。
一种实施例中，所述第二绝缘层105与所述键合胶106还延伸到所述第一孔洞的侧壁上；
其中，所述第一绝缘层113覆盖于所述第一孔洞的侧壁上的所述键合胶106的表面。
其中，第二绝缘层105、键合胶106以及共阴极金属反射镜层104形成全向反射镜结构(ODR)。
一种实施例中，请参考图2，所述LED显示芯片模块还包括：
第三绝缘层115，覆盖所述共阴极金属反射镜层104的表面、所述若干像素单元的侧壁与表面、所述侧壁金属层112的侧壁与表面、所述P电极金属层114暴露出来的表面与侧壁，并填充于所述第二孔洞中。
其中，本发明前述实施例中所述的第一绝缘层113、第二绝缘层105和/或第三绝缘层115的材料为SiO2；当然绝缘层的实现形式也可以是其他材料，本发明并不以此为限。
根据本发明的一实施例，还提供了一种LED显示芯片模块的制作方法，该方法的流程示意图如图14所示，该方法用于制作本发明前述实施例的任一项所述的LED显示芯片模块，具体包括：
S11：形成一LED外延模块30；所述一LED外延模块30形成于所述临时基板107上；如图6所示；所述LED外延模块30包括：沿远离所述临时基板107的方向上依次堆叠于所述临时基板107上的所述透明导电层108、所述P型外延层109、所述发光层110以及所述N型外延层111；其中，所述LED外延模块30的面积不小于所述阳极金属塞103的阵列排布区域的面积；所述P型外延层109和/或N型外延层111的材料为：GaN；
S12：形成所述第一基板101结构与所述共阴极金属反射镜层104；其中，如图3所示，所述第一基板101结构包括：所述第一基板101、所述阴极金属环102以及所述若干阳极金属塞103；所述阴极金属环102形成于所述第一基板101的表层，且所述阴极金属环102围成的区域作为所述LED显示芯片模块的所述第一像素显示区50；所述若干阳极金属塞103形成于所述第一基板101的表层，且阵列排布于所述第一像素显示区50中；所述共阴极金属反射镜层104包括：所述金属反射镜与阵列排布于所述金属反射镜上的所述若干第一孔洞；所述共阴极金属反射镜层104覆盖于部分所述第一基板101与所述阴极金属环102的表面，且暴露出若干所述阳极金属塞103，及其周围的部分所述第一基板101；
通过lift off工艺，形成共阴极金属层，露出阳极金属柱；届时像素点坐落在共阴极金属层上，共阴极金属层对像素点形成全反射效果，提高像素点的发光亮度；形成所述第一基板101结构与所述共阴极金属反射镜层104后的结构俯视图，如图4所示；
S13：在所述共阴极金属反射镜层104表面、所述阳极金属塞103表面及其周围的部分第一基板101的表面、以及所述第一孔洞的侧壁均覆盖所述键合胶106；S14：将所述LED外延模块30通过所述键合胶106对准键合于所述共阴极金属反射镜层104的表面，去除所述临时基板107；其中，所述N型外延层111通过所述键合胶106直接键合于所述共阴极金属反射镜层104的表面；
S15：图形化所述LED外延模块30，以在所述共阴极金属反射镜层104的表面形成所述若干像素单元；其中，所述若干像素单元均分别包围对应的所述第一孔洞；所述金属反射镜，及所述第一孔洞周围包围的所述像素单元和所述键合胶106均围成所述第二孔洞，并暴露出所述阳极金属塞103及其周围的部分所述第一基板101；
S16：刻蚀所述第二孔洞的底部的所述键合胶106，以及所述若干像素单元之间的所述键合胶106；如图8所示；
S17：形成所述侧壁金属层112、所述第一绝缘层113以及所述P电极金属层114；其中，所述侧壁金属层112连接所述N型外延层111的侧壁与所述共阴极金属反射镜层104；所述第一绝缘层113形成于第二孔洞的侧壁上；所述P电极金属层114连接所述透明导电层108与所述阳极金属塞103；如图9所示。
本发明提供的一种LED显示芯片模块的制作方法，通过在CMOS驱动基板(第一基板)中的第一像素显示区埋入阴极金属环，并在阴极金属环围成的区域中埋入阵列分布的阳极金属塞；通过在CMOS驱动基板的表面覆盖一具有若干第一孔洞的共阴极金属反射镜层，以连接阴极金属环，且第一孔洞对准阳极金属塞的顶端，从而与阳极金属塞隔离；转移整片LED外延模块到共阴极金属反射镜层的表面；其中，N型外延层的一面形成于所述共阴极反射镜层上；P型外延层与其上堆叠的透明导电层朝上；之后利用光刻技术在共阴极反射镜层表面刻蚀出单个像素单元(整片LED外延层刻蚀后形成)，并露出阳极金属塞；同时，可以设置键合胶和第二绝缘层于像素单元与共阴极金属反射镜层表面，以用于LED外延模块的键合与底部绝缘；最后制作阳极金属电极以分别连接若干阳极金属塞与像素单元中的透明导电层；制作N型外延层的侧壁金属层，以连接共阴极金属反射镜层与N型外延层，从而与阴极金属环一起形成共阴极结构。从而，形成一种P面出光的LED芯片结构。
可见，本申请提供的技术方案，巧妙地设计了转移整片LED外延模块到共阴极金属反射镜层的表面的方式，即：通过DIE(指LED外延模块)to wafer(指第一基板)键合方式，相对于传统的单个像素对像素的工艺转移模式，大大降低了对准键合的精度要求，使得制作工艺更适合产业化。同时共阴极金属反射镜层置于芯片底部，作为反射镜结构，还可以提高出光率。
另外，本申请提供的技术方案，仅需刻蚀掉4.5％左右的GaN外延层，大大提高GaN外延层的利用率，节省了生产成本。
一种实施例中，步骤S11，形成一LED外延模块30包括：步骤S111-S114：
S111：提供一LED外延模块结构70；所述LED外延模块结构70形成于生长基板116上；所述LED外延模块结构70包括沿远离所述生长基板116的方向上依次堆叠于所述生长基板116上的所述N型外延层111、所述发光层110、所述P型外延层109以及所述透明导电层108；
S112：提供一所述临时基板107；
S113：将所述LED外延模块结构70转移到所述临时基板107上，并去除所述生长基板116，以暴露出所述N型外延层111；其中，所述透明导电层108直接键合于所述临时基板107上；
S114：对所述LED外延模块结构70的N型外延层111暴露出来的一面进行减薄，以在所述临时基板107上形成所述LED外延模块30。
一种具体实施例中，所述N型外延层111通过所述键合胶106直接键合于所述共阴极金属反射镜层104的表面；该实施方式图中未示出；步骤S13-S16具体工艺步骤包括：
步骤S13：在所述共阴极金属反射镜层104表面、所述阳极金属塞103表面及其周围的部分第一基板101的表面、以及所述第一孔洞的侧壁均覆盖所述键合胶106；
步骤S14：将所述LED外延模块30通过所述键合胶106对准键合于所述共阴极金属反射镜层104的表面，去除所述临时基板107；其中，所述N型外延层111通过所述键合胶106直接键合于所述共阴极金属反射镜层104的表面；
步骤S15：图形化所述LED外延模块30，以在所述共阴极金属反射镜层104的表面形成所述若干像素单元；其中，所述若干像素单元均分别包围对应的所述第一孔洞；所述金属反射镜，及所述第一孔洞周围包围的所述像素单元和所述键合胶106均围成所述第二孔洞，并暴露出所述阳极金属塞103及其周围的部分所述第一基板101；
步骤S16：刻蚀所述第二孔洞的底部的所述键合胶106，以及所述若干像素单元之间的所述键合胶106；
另一种具体实施例中，所述N型外延层111通过所述键合胶106键合于所述第二绝缘层105的表面；步骤S13-S16具体工艺步骤包括：
具体步骤S13：在所述共阴极金属反射镜层104表面、所述阳极金属塞103表面及其周围的部分第一基板101的表面、以及所述第一孔洞的侧壁均覆盖所述键合胶106；且所述LED显示芯片模块的制作方法还包括：形成所述键合胶106的之前，形成所述第二绝缘层105；所述第二绝缘层105覆盖于所述共阴极金属反射镜层104表面、所述阳极金属塞103表面及其周围的部分所述第一基板101的表面、以及所述第一孔洞的侧壁；所述键合胶106形成于所述第二绝缘层105的表面；其中，所述LED外延模块30通过所述键合胶106对准键合于所述第二绝缘层105的表面；图4结构中形成所述第二绝缘层105与键合胶106之后，沿BB’方向截面图(截面截止到第一基板101)如图5所示；
具体步骤S14：将所述LED外延模块30通过所述键合胶106对准键合于所述第二绝缘层105的表面，去除所述临时基板107；其中，所述N型外延层111通过所述键合胶106直接键合于所述第二绝缘层105的表面；如图6-图7所示；
具体步骤S15：图形化所述LED外延模块30，以在所述共阴极金属反射镜层104的表面形成所述若干像素单元；其中，所述金属反射镜，及所述第一孔洞周围包围的所述像素单元、所述键合胶106以及所述第二绝缘层105均围成所述第二孔洞，并暴露出所述阳极金属塞103及其周围的部分所述第一基板101；
具体步骤S16：刻蚀所述第二孔洞的底部的所述键合胶106，以及所述若干像素单元之间的所述键合胶106的同时，刻蚀所述第二孔洞的底部的所述第二绝缘层105，以及所述若干像素单元之间的所述第二绝缘层105；如图8所示；
一种具体实施方式中，进行步骤S15之后，所述侧壁金属层112直接连接N型外延层111的侧壁与所述共阴极金属反射镜层104；
另一种具体实施方式中，步骤S15中，图形化所述LED外延模块30，以在所述共阴极金属反射镜层104的表面形成所述若干像素单元的同时，还包括：
刻蚀所述N型外延层111的边缘区域的所述发光层110、所述P型外延层109以及所述透明导电层108，以在所述N型外延层111的表面的中央区域形成所述发光层110、所述P型外延层109以及所述透明导电层108，以暴露出边缘区域的N型外延层111；
其中，所述侧壁金属层112连接所述边缘区域的N型外延层111与所述共阴极金属反射镜层104。
一种实施例中，步骤S17，形成所述侧壁金属层112、所述第一绝缘层113以及所述P电极金属层114之后，还包括：
S18：形成所述第三绝缘层115，覆盖所述共阴极金属反射镜层104、所
述若干像
素单元、所述侧壁金属层112、所述P电极金属层114中各结构暴露出来的表面与侧壁，并填充于所述第二孔洞中。所述第三绝缘层115用于芯片绝缘。
其次，根据本发明的一实施例，提供了一种LED显示芯片，所述LED显示芯片包括：第一基板101；其中，所述第一基板101上包括阵列排布的若干LED芯片模块区域60；
可参考图3，每个LED芯片模块区域60中均包括：第一像素显示区50(DIE显示区)；与接线区域40118；LED芯片模块区域60的阵列排布示意图如图10所示；其中，每个所述第一像素显示区50均包括如本发明前述实施例中任一项所述的若干LED显示模块；每个所述接线区域40118均包括：若干接线端口电极201，所述接线端口电极201用于将所述LED显示模块与外围驱动电路电性连接。
本发明提供的一种LED显示芯片，使得在LED显示芯片的制作过程中，可以转移若干整片LED外延模块到共阴极金属反射镜层的表面的方式，即：通过DIE(指LED外延模块)towafer(指第一基板)键合方式，之后，在每个第一像素显示区，可以利用光刻技术在共阴极反射镜层表面刻蚀出单个像素单元(整片LED外延层刻蚀后形成)，并露出阳极金属塞；区别于非传统的像素对像素的转移对准工艺；本发明提供的LED外延模块的对准工艺，在制作过程中对准精度远大于传统的像素对像素的工艺对准精度；因而，大大降低了对准键合的精度要求，使得制作工艺更适合产业化。另一方面，共阴极金属反射镜层置于芯片底部，作为反射镜结构，还可以提高出光率。
根据本发明的一实施例，还提供了一种LED显示芯片的制作方法，该方法的流程示意图如图15所示，该方法包括：
S21：提供一第一基板101；其中，请继续参考图10，所述第一基板101上包括：阵列排布的若干LED芯片模块区域60；请继续参考图3每个LED芯片模块区域60中均包括：第一像素显示区50与接线区域40118；
S22：形成若干如本发明前述实施例中所述的第一基板101结构，与如本发明前述实施例中所述的若干所述共阴极金属反射镜层104；其中，所述第一基板101结构与所述共阴极金属反射镜层104均形成于对应的所述第一像素显示区50中；若干所述第一基板101结构与若干所述共阴极金属反射镜层104阵列排布于所述第一基板101上；所述第一基板101结构与若干所述共阴极金属反射镜层104的阵列排布方式如图10所示；
S23：形成阵列排布于临时基板107上的若干如本发明前述实施例中所述的LED外延模块30；所述若干LED外延模块30的阵列排布方式适配于所述若干所述共阴极金属反射镜层104的阵列排布方式；如图12所示；
S24：在每个所述第一像素显示区50中，所述共阴极金属反射镜层104表面、所述阳极金属塞103表面及其周围的部分第一基板101的表面、以及所述第一孔洞的侧壁均覆盖所述键合胶106与第二绝缘层105；图中未示出；
S25：将所述若干LED外延模块30通过所述键合胶106，分别对准键合于对应的所述第二绝缘层105的表面，去除若干所述临时基板107；其中，在每个所述第一像素显示区50中，形成有所述N型外延层111的一面键合于所述第二绝缘层105的表面；整片键合之后的阵列排布示意图如图13所示；
S26：图形化所述若干LED外延模块30，以在每个所述第一像素显示区50中的所述共阴极金属反射镜层104的表面，形成如本发明前述实施例所述的若干像素单元；其中，所述金属反射镜，及所述第一孔洞周围包围的所述像素单元和所述键合胶106均围成所述第二孔洞，并暴露出所述阳极金属塞103及其周围的部分第一基板101；
S27：刻蚀每个所述第一像素显示区50中，若干所述第一孔洞的底部的所述键合胶106与所述第二绝缘层105，以及所述若干像素单元之间的所述键合胶106与所述第二绝缘层105；
S28：并在每个第一像素显示区50均形成对应的所述侧壁金属层112、所述第一绝缘层113以及所述P电极金属层114；
S29：在每个所述接线区域40118均形成若干接线端口电极201；一种实施例中，每个所述第一像素显示区50中，LED显示芯片模块的结构如图1所示，另一种实施例中，LED显示芯片模块的结构如图9所示；应当知道的是：图9所示的LED显示芯片模块的结构与图1所示的LED显示芯片模块的结构，仅阳极金属塞103与对应的像素单元之间的空间排布存在区别，其他具体结构和工艺并无差别。当然，在其他实施例中，本发明所述的LED显示芯片模块的结构还可以是其他类似的结构，本申请并不以此为限，任何符合本发明描述的LED显示芯片模块的结构，均在本发明的保护范围内。
本发明提供的一种LED显示芯片的制作方法，巧妙地设计了转移若干整片LED外延模块到共阴极金属反射镜层的表面的方式，即：通过DIE(指LED外延模块)to wafer(指第一基板)键合方式，之后在每个第一像素显示区中，通过刻蚀形成若干像素；相对于传统的单个像素对像素的工艺转移模式，大大降低了对准键合的精度要求，使得制作工艺更适合产业化。
一种实施例中，形成阵列排布的若干如本发明前述实施例中所述的LED外延模块30，具体包括：
提供一LED外延结构；所述LED外延结构形成于生长基板116上；
切割所述LED外延结构，以在所述生长基板116上形成若干阵列排布的LED外延模块结构70；如图11所示；
提供一所述临时基板107；
将阵列排布的所述若干LED外延模块结构70一次转移到所述临时基板107上；
去除所述生长基板116；其中，所述若干透明导电层108直接键合于所述临时基板107上；所述若干LED外延模块结构70的阵列排布方式适配于所述若干所述共阴极金属反射镜层104的阵列排布方式；如图12所示；
对所述若干LED外延模块结构70进行背面减薄，以在所述临时基板107上形成所述若干LED外延模块30。
另一种实施例中，该实施例图中未示出；形成阵列排布的若干如本发明前述实施例中所述的LED外延模块包括：
提供一LED外延结构；所述LED外延结构形成于生长基板上；
切割所述LED外延结构，以在所述生长基板上形成若干密集排布的LED外延模块结构；
提供一临时基板；
将若干密排的LED外延模块全部转移到临时基板上；
切割临时基板，形成若干LED外延模块，以及DIE单元大小的临时基板；其中，LED外延模块形成于DIE单元大小的临时基板；
将DIE单元大小的临时基板上的LED外延模块分别单独转移到CMOS驱动基板中的对应的第一像素显示区，以在第一像素显示区形成阵列排布的若干如本发明前述实施例中所述的LED外延模块。
同时，本发明提供的LED显示芯片与LED显示芯片的制作方法，共阴极金属反射镜层置于芯片底部，作为反射镜结构，还可以提高出光率。另外，仅需刻蚀掉4.5％左右的GaN外延层，大大提高GaN外延层的利用率，节省了生产成本。
另外，根据本发明的一实施例提供了一种AR microLED显示芯片，包括本发明前述实施例所述的LED显示芯片。
最后，根据本发明的一实施例，还提供了一种AR microLED显示芯片的制作方法，包括本发明前述实施例的任一项所述的LED显示芯片的制作方法。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (15)

1.一种LED显示芯片模块，其特征在于，包括：
第一基板结构；包括：第一基板、阴极金属环以及若干阳极金属塞；其中，所述阴极金属环形成于所述第一基板的表层，且所述阴极金属环围成的区域作为所述LED显示芯片模块的第一像素显示区；所述若干阳极金属塞形成于所述第一基板的表层，且阵列排布于所述第一像素显示区中；
共阴极金属反射镜层，包括：金属反射镜与阵列排布于所述金属反射镜上的若干第一孔洞；所述共阴极金属层覆盖于部分所述第一基板与所述阴极金属环的表面，且暴露出若干所述阳极金属塞，及其周围的部分所述第一基板；
键合胶；
若干像素单元，通过所述键合胶键合于所述共阴极金属反射镜层表面，且分别包围对应的所述第一孔洞；每个像素单元均包括：沿远离所述键合胶的方向上依次堆叠的N型外延层、发光层、P型外延层以及透明导电层；其中，所述金属反射镜，及所述第一孔洞周围包围的所述像素单元和所述键合胶均围成一第二孔洞，并暴露出所述阳极金属塞及其周围的部分第一基板；
第一绝缘层；形成于所述第二孔洞的侧壁上；
侧壁金属层，连接所述N型外延层的侧壁与所述共阴极金属反射镜层；
P电极金属层，连接所述透明导电层与所述阳极金属塞。
2.根据权利要求1所述的LED显示芯片模块，其特征在于，所述发光层、所述P型外延层以及所述透明导电层，形成于所述N型外延层的表面的中央区域，以暴露出边缘区域的N型外延层；
其中，侧壁金属层，连接所述边缘区域的N型外延层与所述共阴极金属反射镜层。
3.根据权利要求2所述的LED显示芯片模块，其特征在于，所述LED显示芯片模块还包括：第二绝缘层，所述第二绝缘层形成于所述键合胶与所述共阴极金属反射镜层之间。
4.根据权利要求3所述的LED显示芯片模块，其特征在于，所述第二绝缘层与所述键合胶还延伸到所述第一孔洞的侧壁上。
5.据权利要求4所述的LED显示芯片模块，其特征在于，所述LED显示芯片模块还包括：
第三绝缘层，覆盖所述共阴极金属反射镜层、所述若干像素单元、所述侧壁金属层、所述P电极金属层暴露出来的表面与侧壁，并填充于所述第二孔洞中。
6.一种LED显示芯片模块的制作方法，用于制作权利要求1-5任一项所述的LED显示芯片模块，其特征在于，包括：
形成一LED外延模块；所述一LED外延模块形成于所述临时基板上；所述LED外延模块包括：沿远离所述临时基板的方向上依次堆叠于所述临时基板上的所述透明导电层、所述P型外延层、所述发光层以及所述N型外延层；其中，所述LED外延模块的面积不小于所述阳极金属塞的阵列排布区域的面积；
形成所述第一基板结构与所述共阴极金属反射镜层；其中，所述第一基板结构包括：所述第一基板、所述阴极金属环以及所述若干阳极金属塞；所述阴极金属环形成于所述第一基板的表层，且所述阴极金属环围成的区域作为所述LED显示芯片模块的所述第一像素显示区；所述若干阳极金属塞形成于所述第一基板的表层，且阵列排布于所述第一像素显示区中；所述共阴极金属反射镜层包括：所述金属反射镜与阵列排布于所述金属反射镜上的所述若干第一孔洞；所述共阴极金属层覆盖于部分所述第一基板与所述阴极金属环的表面，且暴露出若干所述阳极金属塞，及其周围的部分所述第一基板；
在所述共阴极金属反射镜层表面、所述阳极金属塞表面及其周围的部分第一基板的表面、以及所述第一孔洞的侧壁均覆盖所述键合胶；
将所述LED外延模块通过所述键合胶对准键合于所述共阴极金属反射镜层的表面，去除所述临时基板；其中，所述N型外延层通过所述键合胶直接键合于所述共阴极金属反射镜层的表面；
图形化所述LED外延模块，以在所述共阴极金属反射镜层的表面形成所述若干像素单元；其中，所述若干像素单元均分别包围对应的所述第一孔洞；所述金属反射镜，及所述第一孔洞周围包围的所述像素单元和所述键合胶均围成所述第二孔洞，并暴露出所述阳极金属塞及其周围的部分所述第一基板；
刻蚀所述第二孔洞的底部的所述键合胶，以及所述若干像素单元之间的所述键合胶；
形成所述侧壁金属层、所述第一绝缘层以及所述P电极金属层；其中，所述侧壁金属层连接所述N型外延层的侧壁与所述共阴极金属反射镜层；所述第一绝缘层形成于第二孔洞的侧壁上；所述P电极金属层连接所述透明导电层与所述阳极金属塞。
7.根据权利要求6所述的LED显示芯片模块的制作方法，其特征在于，图形化所述LED外延模块，以在所述共阴极金属反射镜层的表面形成所述若干像素单元的同时，还包括：
刻蚀所述N型外延层的边缘区域的所述发光层、所述P型外延层以及所述透明导电层，以在所述N型外延层的表面的中央区域形成所述发光层、所述P型外延层以及所述透明导电层，以暴露出边缘区域的N型外延层；
其中，所述侧壁金属层连接所述边缘区域的N型外延层与所述共阴极金属反射镜层。
8.根据权利要求7所述的LED显示芯片模块的制作方法，其特征在于，形成一LED外延模块包括：
提供一LED外延模块结构；所述LED外延模块结构形成于生长基板上；所述LED外延模块结构包括沿远离所述生长基板的方向上依次堆叠于所述生长基板上的所述N型外延层、所述发光层、所述P型外延层以及所述透明导电层；
提供一所述临时基板；
将所述LED外延模块结构转移到所述临时基板上，并去除所述生长基板，以暴露出所述N型外延层；其中，所述透明导电层直接键合于所述临时基板上；
对所述LED外延模块结构的N型外延层暴露出来的一面进行减薄，以在所述临时基板上形成所述LED外延模块。
9.根据权利要求8所述的LED显示芯片模块的制作方法，其特征在于，所述LED显示芯片模块的制作方法还包括：
形成所述键合胶的之前，形成所述第二绝缘层；所述第二绝缘层覆盖于所述共阴极金属反射镜层表面、所述阳极金属塞表面及其周围的部分所述第一基板的表面、以及所述第一孔洞的侧壁；所述键合胶形成于所述第二绝缘层的表面；其中，所述LED外延模块通过所述键合胶对准键合于所述第二绝缘层的表面；
刻蚀所述第二孔洞的底部的所述键合胶，以及所述若干像素单元之间的所述键合胶的同时，刻蚀所述第二孔洞的底部的所述第二绝缘层，以及所述若干像素单元之间的所述第二绝缘层；
其中，所述金属反射镜，及所述第一孔洞周围包围的所述像素单元、所述键合胶以及所述第二绝缘层均围成所述第二孔洞，并暴露出所述阳极金属塞及其周围的部分所述第一基板。
10.根据权利要求9所述的LED显示芯片模块的制作方法，其特征在于，
形成所述侧壁金属层、所述第一绝缘层以及所述P电极金属层之后，还包括：
形成所述第三绝缘层，覆盖所述共阴极金属反射镜层、所述若干像素单
元、所述侧壁金属层、所述P电极金属层中各结构暴露出来的表面与侧壁，并填充于所述第二孔洞中。
11.一种LED显示芯片，其特征在于，所述LED显示芯片包括：第一基板；其中，所述第一基板上包括阵列排布的若干LED芯片模块区域；
每个LED芯片模块区域中均包括：第一像素显示区与接线区域；
其中，每个所述第一像素显示区均包括如权利要求1-5任一项所述的若干LED显示模块；每个所述接线区域均包括：若干接线端口电极，所述接线端口电极用于将所述LED显示模块与外围驱动电路电性连接。
12.一种LED显示芯片的制作方法，其特征在于，包括：
提供一第一基板；其中，所述第一基板上包括：阵列排布的若干LED芯片模块区域；每个LED芯片模块区域中均包括：第一像素显示区与接线区域；
形成若干如权利要求6所述的第一基板结构，与如权利要求6所述的若干所述共阴极金属反射镜层；其中，所述第一基板结构与所述共阴极金属反射镜层均形成于对应的所述第一像素显示区中；若干所述第一基板结构与若干所述共阴极金属反射镜层阵列排布于所述第一基板上；
形成阵列排布的若干如权利要求6所述的LED外延模块；所述若干LED外延模块的阵列排布方式适配于所述若干所述共阴极金属反射镜层的阵列排布方式；
在每个所述第一像素显示区中，所述共阴极金属反射镜层表面、所述阳极金属塞表面及其周围的部分第一基板的表面、以及所述第一孔洞的侧壁均覆盖所述键合胶与第二绝缘层；
将所述若干LED外延模块通过所述键合胶，分别对准键合于对应的所述第二绝缘层的表面，去除若干所述临时基板；其中，在每个所述第一像素显示区中，形成有所述N型外延层的一面键合于所述第二绝缘层的表面；
图形化所述若干LED外延模块，以在每个所述第一像素显示区中的所述共阴极金属反射镜层的表面，形成如权利要求6所述的若干像素单元；其中，所述金属反射镜，及所述第一孔洞周围包围的所述像素单元和所述键合胶均围成所述第二孔洞，并暴露出所述阳极金属塞及其周围的部分第一基板；
刻蚀每个所述第一像素显示区中，若干所述第一孔洞的底部的所述键合胶与所述第二绝缘层，以及所述若干像素单元之间的所述键合胶与所述第二绝缘层；
并在每个第一像素显示区均形成对应的所述侧壁金属层、所述第一绝缘层以及所述P电极金属层；
在每个所述接线区域均形成若干接线端口电极。
13.根据权利要求12所述的LED显示芯片的制作方法，其特征在于，形成阵列排布的若干如权利要求6所述的LED外延模块，具体包括：
提供一LED外延结构；所述LED外延结构形成于生长基板上；
切割所述LED外延结构，以在所述生长基板上形成若干阵列排布的LED外延模块结构；提供一所述临时基板；
将阵列排布的所述若干LED外延模块结构一次转移到所述临时基板上；去除所述生长基板；其中，所述若干透明导电层直接键合于所述临时基板上；所述若干LED外延模块结构的阵列排布方式适配于所述若干所述共阴极金属反射镜层的阵列排布方式；
对所述若干LED外延模块结构进行背面减薄，以在所述临时基板上形成所述若干LED外延模块。
14.一种AR microLED显示芯片，其特征在于，包括权利要求11所述的LED显示芯片。
15.一种AR microLED显示芯片的制作方法，其特征在于，包括权利要求12-13任一项所述的LED显示芯片的制作方法。
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