CN117012615A - 掩膜版清洗方法及系统 - Google Patents

掩膜版清洗方法及系统 Download PDF

Info

Publication number
CN117012615A
CN117012615A CN202210476440.9A CN202210476440A CN117012615A CN 117012615 A CN117012615 A CN 117012615A CN 202210476440 A CN202210476440 A CN 202210476440A CN 117012615 A CN117012615 A CN 117012615A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cleaning
mask
reticle
mask plate
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210476440.9A
Other languages
English (en)
Inventor
李德建
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN202210476440.9A priority Critical patent/CN117012615A/zh
Publication of CN117012615A publication Critical patent/CN117012615A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

一种掩膜版清洗方法及系统，清洗系统包括：掩膜版清洗装置，用于承载掩膜版，并通过清洗液对所述掩膜版进行清洗；电流产生组件，用于在清洗液内通入电流。利用产生的电流能中和掩膜版表面和污染物颗粒表面的电荷，使得掩膜版表面和污染物颗粒表面呈现电中性，进而降低掩膜版和污染物颗粒之间的吸附作用，提升清洗效率和良率。清洗方法包括：提供掩膜版，表面具有污染物颗粒；提供掩膜版清洗装置，用于承载掩膜版并容纳清洗液；在清洗液内通入电流。通过在清洗液内通入电流。利用电流能中和掩膜版表面和污染物颗粒表面的电荷，使得掩膜版表面和污染物颗粒表面呈现电中性，降低掩膜版和污染物颗粒之间的吸附作用，提升清洗效率和良率。

Description

掩膜版清洗方法及系统
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩膜版清洗方法及系统。
背景技术
在集成电路制造领域，光刻技术被用来将图案从包含电路设计信息的光刻掩膜版上转移到晶圆(Wafer)上，其中的光刻掩膜版(Mask)，也称为光刻版、掩膜版或者光罩，是一种对于曝光光线具有局部透光性的平板，所述平板上具有对于曝光光线具有遮光性的至少一个几何图形，所述几何图形为设计图形，所述设计图形用于在晶圆表面的光刻胶上曝光形成相应的图形。
在使用掩膜版进行硅片光刻的过程中，会在掩膜版的表面产生一定量的污染物颗粒，污染物颗粒存在于掩膜版上会引发光刻缺陷，进而导致产品合格率降低。因此，每当产生一定数量的污染物颗粒时，就需要对掩膜版进行清洗处理。
然而，现有技术中在掩膜版的清洗过程中仍存在诸多问题。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种掩膜版清洗方法及系统，以提升清洗效率和清洗良率。
为解决上述问题，本发明提供一种掩膜版清洗系统，包括：掩膜版清洗装置，用于承载掩膜版，并通过清洗液对所述掩膜版进行清洗；电流产生组件，用于在所述清洗液内通入电流。
可选的，所述电流为：1微安～1000微安。
可选的，所述掩膜版清洗装置采用旋转式清洗，所述掩膜版清洗装置包括：清洗载台，所述掩膜版固定于所述清洗载台上，且所述清洗载台带动所述掩膜版旋转；清洗作业臂，所述清洗作业臂位于所述掩膜版上方，通过所述清洗作业臂喷洒所述清洗液，在所述掩膜版表面形成流动液体，所述流动液体覆盖所述掩膜版的表面。
可选的，所述掩膜版清洗装置采用旋浸泡式清洗，所述掩膜版清洗装置包括：清洗槽，所述清洗槽内承装所述清洗液，所述掩膜版放置于所述清洗槽中，且浸泡于所述清洗液中；超声振动装置，用于在所述清洗液内产生超声波。
可选的，电流产生组件包括：第一导线，所述第一导线的端部具有第一金属头，所述第一金属头置于所述清洗液内；第二导线，所述第二导线的端部具有第二金属头，所述第二金属头置于所述清洗液；电源装置，分别与所述第一导线和所述第二导线电连接，用于使所述第一金属头、第一导线、第二导线、第二金属头以及清洗液形成闭合回路。
可选的，还包括：若干功能作业臂，所述第一导线和所述第二导线固定于所述功能作业臂上。
可选的，所述清洗液包括：TMAH、NH4OH、H2O2、CO2、H2、HCl和去离子水的混合液中的一种或多种。
相应的，本发明技术方案中还提供了一种掩膜版清洗方法，包括：提供掩膜版清洗装置，用于承载掩膜版，并通过清洗液对所述掩膜版进行清洗；在所述清洗液内通入电流。
可选的，所述电流为：1微安～1000微安。
可选的，所述掩膜版清洗装置采用旋转式清洗，所述掩膜版清洗装置包括：清洗载台，所述掩膜版固定于所述清洗载台上，且所述清洗载台带动所述掩膜版旋转；清洗作业臂，所述清洗作业臂位于所述掩膜版上方，通过所述清洗作业臂喷洒所述清洗液，在所述掩膜版表面形成流动液体，所述流动液体覆盖所述掩膜版的表面。
可选的，所述掩膜版清洗装置采用浸泡式清洗，所述掩膜版清洗装置包括：清洗槽，所述清洗槽内承装所述清洗液，所述掩膜版放置于所述清洗槽中，且浸泡于所述清洗液中；超声振动装置，用于在所述清洗液内产生超声波。
可选的，在所述清洗液内通入电流的方法：提供第一导线和第二导线，所述第一导线的端部具有第一金属头，所述第二导线的端部具有第二金属头；将所述第一金属头和所述第二金属头置于所述清洗液内；提供电源装置，分别与所述第一导线和所述第二导线电连接，用于使所述第一金属头、第一导线、第二导线、第二金属头以及清洗液形成闭合回路。
可选的，所述清洗液包括：TMAH、NH4OH、H2O2、CO2、H2、HCl和去离子水的混合液中的一种或多种。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明的技术方案的掩膜版清洗系统中，包括：电流产生组件，用于在所述清洗液内通入电流。利用所述电流能中和所述掩膜版表面和所述污染物颗粒表面的电荷，使得所述掩膜版表面和所述污染物颗粒表面呈现电中性，进而降低所述掩膜版和所述污染物颗粒之间的吸附作用，进而提升清洗效率和清洗良率。
本发明的技术方案的掩膜版清洗方法中，通过在所述清洗液内通入电流。利用所述电流能中和所述掩膜版表面和所述污染物颗粒表面的电荷，使得所述掩膜版表面和所述污染物颗粒表面呈现电中性，进而降低所述掩膜版和所述污染物颗粒之间的吸附作用，进而提升清洗效率和清洗良率。
附图说明
图1是掩膜版和污染物颗粒结构示意图；
图2是本发明实施例中掩膜版清洗系统的俯视图；
图3是本发明实施例中掩膜版清洗系统的主视图；
图4是本发明实施例中掩膜版清洗方法流程示意图；
图5是本发明另一实施例中掩膜版清洗系统的俯视图；
图6是本发明另一实施例中掩膜版清洗系统的主视图；
图7是本发明另一实施例中掩膜版清洗方法流程示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术中在掩膜版的清洗过程中仍存在诸多问题。以下将进行具体说明。
图1是掩膜版和污染物颗粒结构示意图。
请参考图1，掩膜版100上的污染物颗粒101来源多种多样，所以污染物颗粒101本身的材质也呈现多样化，可能是金属、金属化合物、有机高分子、无机高分子等成分。经过工艺过程中的曝光、显影、蚀刻、清洗等作用之后污染物颗粒101表面本身或者与其他离子结合会带电性，掩膜版100表面在清洗过程中也会带有电性。如果污染物颗粒101与掩膜版100表面电性不同，污染物颗粒101将容易吸附在掩膜版100表面，而不容易被清洗去除。可能的阴离子有SO4 -、CL-、OH-、CO3-、HCO3-、F-、O-等，阳离子有Cr+、Fe+、Al+、NH4+、H+等。因为电性相反污染物颗粒101吸附在掩膜版100表面，通过正常的清洗较难去除。污染物颗粒101也可能带正电性，而掩模版100表面可能带负电性，那么污染物颗粒101也会吸附在掩模版表面。
污染物颗粒101移除的过程同时必须保证掩膜版100上的图形不被破坏，所以随着图形尺寸越来越小，清洗所使用的化学和物理方式作用力都不能太强。否则，清洗的同时图形破坏将造成掩膜版100报废的风险。
现有清洗技术为了保证不对掩膜版100上的图形造成破坏，只能控制清洗过程中的作用力。例如，严格控制物理清洗方式的超声波震动的功率在较低水平，并且控制化学清洗方式的化学品浓度在较低水平，及作用较短的时间。这样就牺牲了部分清洗效率，而且清洗良率也会受到影响。
在此基础上，本发明提供一种掩膜版清洗方法及系统，通过在所述清洗液内通入电流。利用所述电流能中和所述掩膜版表面和所述污染物颗粒表面的电荷，使得所述掩膜版表面和所述污染物颗粒表面呈现电中性，进而降低所述掩膜版和所述污染物颗粒之间的吸附作用，进而提升清洗效率和清洗良率。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细地说明。
图2是本发明实施例中掩膜版清洗系统的俯视图；图3是本发明实施例中掩膜版清洗系统的主视图。
请参考图2和图3，一种掩膜版清洗系统，包括：掩膜版清洗装置，用于承载掩膜版200，并通过清洗液203对所述掩膜版200进行清洗；电流产生组件204，用于在所述清洗液203内通入电流。
需要说明的是，在本实施例中，经过工艺过程中的曝光、显影、蚀刻、清洗等作用之后所述掩膜版200上的污染物颗粒201表面本身或者与其他离子结合会带电性，所述掩膜版200表面在清洗过程中也会带有电性。如果所述污染物颗粒201与所述掩膜版200表面电性不同，所述污染物颗粒201将容易吸附在所述掩膜版200表面，而不容易被清洗去除。可能的阴离子有SO4 -、CL-、OH-、CO3-、HCO3-、F-、O-等，阳离子有Cr+、Fe+、Al+、NH4+、H+等。因为电性相反所述污染物颗粒201吸附在所述掩膜版200表面，通过正常的清洗较难去除。所述污染物颗粒201也可能带正电性，而所述掩模版200表面可能带负电性，那么所述污染物颗粒201也会吸附在所述掩模版200表面。
在本实施例中，利用所述电流产生组件204产生的电流，能中和所述掩膜版200表面和所述污染物颗粒201表面的电荷，使得所述掩膜版200表面和所述污染物颗粒201表面呈现电中性，进而降低所述掩膜版200和所述污染物颗粒201之间的吸附作用，进而提升清洗效率和清洗良率。
在本实施例中，所述电流为1微安～1000微安，通电流清洗的时间依据制程需求定义。
请继续参考图2和图3，在本实施例中，所述掩膜版清洗装置采用旋转式清洗，所述掩膜版清洗装置包括：清洗载台202，所述掩膜版200固定于所述清洗载台202上，且所述清洗载台202带动所述掩膜版200旋转；清洗作业臂205，所述清洗作业臂205位于所述掩膜版200上方，通过所述清洗作业臂205喷洒所述清洗液203，在所述掩膜版200表面形成流动液体，所述流动液体覆盖所述掩膜版200的表面。
在本实施例中，通过清洗载台202带动所述掩膜版200旋转，保证在对所述掩膜版200清洗的过程中，所述清洗液203相对于所述掩膜版200的表面具有一个更快的相对流速，以此提升清洗效果。
在本实施例中，通过所述清洗作业臂205从所述掩膜版200的上方喷洒所述清洗液203，能够对所述掩膜版200的表面具有一定的冲击力，以此提升清洗效果。
请继续参考图2和图3，在本实施例中，电流产生组件204包括：第一导线2041，所述第一导线2041的端部具有第一金属头2041a，所述第一金属头2041a置于所述清洗液203内；第二导线2042，所述第二导线2042的端部具有第二金属头2042a，所述第二金属头2042a置于所述清洗液203；电源装置(未图示)，分别与所述第一导线2041和所述第二导线2042电连接，用于使所述第一金属头2041a、第一导线2041、第二导线2042、第二金属头2042a以及清洗液203形成闭合回路。
当电源装置启动之后，产生的电流会依次流经第一导线2041、第一金属头2041a、清洗液203、第二金属头2042a以及第二导线2042，其中流经所述清洗液203的电流能中和所述掩膜版200表面和所述污染物颗粒201表面的电荷，使得所述掩膜版200表面和所述污染物颗粒201表面呈现电中性，进而降低所述掩膜版200和所述污染物颗粒201之间的吸附作用，进而提升清洗效率和清洗良率。
需要说明的是，所述电源装置中配备有电流控制器(未图示)，用于调节电流大小。
请继续参考图2和图3，在本实施例中，所述掩膜版清洗系统还包括：若干功能作业臂206，所述第一导线2041和所述第二导线2042固定于所述功能作业臂206上。
在其他实施例中，所述第一导线和所述第二导线还可以固定于所述清洗作业臂上。
在本实施例中，所述清洗液203包括：TMAH、NH4OH、H2O2、CO2、H2、HCl和去离子水的混合液中的一种或多种。
图4是本发明实施例中一种掩膜版清洗方法流程示意图。
相应的，本发明的实施例中还提供了一种掩膜版清洗方法，包括：
步骤S101：提供掩膜版清洗装置，用于承载掩膜版200，并通过清洗液203对所述掩膜版201进行清洗；
步骤S102：在所述清洗液203内通入电流。
在本实施例中，通过在所述清洗液203内通入电流。利用所述电流能中和所述掩膜版200表面和所述污染物颗粒201表面的电荷，使得所述掩膜版200表面和所述污染物颗粒201表面呈现电中性，进而降低所述掩膜版200和所述污染物颗粒201之间的吸附作用，进而提升清洗效率和清洗良率。
在本实施例中，所述电流为1微安～1000微安，通电流清洗的时间依据制程需求定义。
请继续参考图2和图3，在本实施例中，所述掩膜版清洗装置采用旋转式清洗，所述掩膜版清洗装置包括：清洗载台202，所述掩膜版200固定于所述清洗载台202上，且所述清洗载台202带动所述掩膜版200旋转；清洗作业臂205，所述清洗作业臂205位于所述掩膜版200上方，通过所述清洗作业臂205喷洒所述清洗液203，在所述掩膜版200表面形成流动液体，所述流动液体覆盖所述掩膜版200的表面。
在本实施例中，通过清洗载台带动所述掩膜版200旋转，保证在对所述掩膜版200清洗的过程中，所述清洗液203相对于所述掩膜版200的表面具有一个更快的相对流速，以此提升清洗效果。
在本实施例中，通过所述清洗作业臂205从所述掩膜版200的上方喷洒所述清洗液203，能够对所述掩膜版200的表面具有一定的冲击力，以此提升清洗效果。
请继续参考图2和图3，在本实施例中，在所述清洗液203内通入电流的方法：提供第一导线2041和第二导线2042，所述第一导线2041的端部具有第一金属头2041a，所述第二导线2042的端部具有第二金属头2042a；将所述第一金属头2041a和所述第二金属头2042a置于所述清洗液203内；提供电源装置(未图示)，分别与所述第一导线2041和所述第二导线2042电连接，用于使所述第一金属头2041a、第一导线2041、第二导线2042、第二金属头2042a以及清洗液203形成闭合回路。
当电源装置启动之后，产生的电流会依次流经第一导线2041、第一金属头2041a、清洗液203、第二金属头2042a以及第二导线2042，其中流经所述清洗液203的电流能中和所述掩膜版200表面和所述污染物颗粒201表面的电荷，使得所述掩膜版200表面和所述污染物颗粒201表面呈现电中性，进而降低所述掩膜版200和所述污染物颗粒201之间的吸附作用，进而提升清洗效率和清洗良率。
需要说明的是，所述电源装置中配备有电流控制器(未图示)，用于调节电流大小。
在本实施例中，所述清洗液203包括：TMAH、NH4OH、H2O2、CO2、H2、HCl和去离子水的混合液中的一种或多种。
图5是本发明另一实施例中掩膜版清洗系统的俯视图；图6是本发明另一实施例中掩膜版清洗系统的主视图。
本实施例是在上述实施例的基础上继续对掩膜版清洗系统进行说明，本实施例和上述实施例的不同点在于：对所述掩膜版的清洗方式不同。以下将结合附图进行具体说明。
请参考图5和图6，一种掩膜版清洗系统，包括：掩膜版清洗装置，用于承载掩膜版300，并通过清洗液303对所述掩膜版300进行清洗；电流产生组件304，用于在所述清洗液303内通入电流。
需要说明的是，在本实施例中，经过工艺过程中的曝光、显影、蚀刻、清洗等作用之后所述掩膜版300上的污染物颗粒301表面本身或者与其他离子结合会带电性，所述掩膜版300表面在清洗过程中也会带有电性。如果所述污染物颗粒301与所述掩膜版300表面电性不同，所述污染物颗粒301将容易吸附在所述掩膜版300表面，而不容易被清洗去除。可能的阴离子有SO4 -、CL-、OH-、CO3-、HCO3-、F-、O-等，阳离子有Cr+、Fe+、Al+、NH4+、H+等。因为电性相反所述污染物颗粒301吸附在所述掩膜版300表面，通过正常的清洗较难去除。所述污染物颗粒301也可能带正电性，而所述掩模版300表面可能带负电性，那么所述污染物颗粒301也会吸附在所述掩模版300表面。
在本实施例中，利用所述电流产生组件304产生的电流，能中和所述掩膜版300表面和所述污染物颗粒301表面的电荷，使得所述掩膜版300表面和所述污染物颗粒301表面呈现电中性，进而降低所述掩膜版300和所述污染物颗粒301之间的吸附作用，进而提升清洗效率和清洗良率。
在本实施例中，所述电流为1微安～1000微安，通电流清洗的时间依据制程需求定义。
请继续参考图5和图6，在本实施例中，所述掩膜版清洗装置采用浸泡式清洗，所述掩膜版清洗装置包括：清洗槽302，所述清洗槽302内具有所述清洗液303，所述掩膜版300放置于所述清洗槽302中，且浸泡于所述清洗液303中；超声振动装置305，用于在所述清洗液303内产生超声波。
在本实施例中，通过将所述掩膜版300完全浸泡于所述清洗液303中，能够对所述掩膜版300起到更为全面的清洗。
在本实施例中，利用产生的超声波在所述清洗液303中的空化作用、加速度作用及直进流作用对所述掩膜版300进行直接、间接的作用，使粘附于所述掩膜版300上的所述污染物颗粒301被分散、乳化、剥离而达到清洗目的。
请继续参考5和图6，在本实施例中，电流产生组件304包括：第一导线3041，所述第一导线3041的端部具有第一金属头3041a，所述第一金属头3041a置于所述清洗液303内；第二导线3042，所述第二导线3042的端部具有第二金属头3042a，所述第二金属头3042a置于所述清洗液303；电源装置(未图示)，分别与所述第一导线3041和所述第二导线3042电连接，用于使所述第一金属头3041a、第一导线3041、第二导线3042、第二金属头3042a以及清洗液303形成闭合回路。
当电源装置启动之后，产生的电流会依次流经第一导线3041、第一金属头3041a、清洗液303、第二金属头3042a以及第二导线3042，其中流经所述清洗液303的电流能中和所述掩膜版300表面和所述污染物颗粒301表面的电荷，使得所述掩膜版300表面和所述污染物颗粒301表面呈现电中性，进而降低所述掩膜版300和所述污染物颗粒301之间的吸附作用，进而提升清洗效率和清洗良率。
需要说明的是，所述电源装置中配备有电流控制器(未图示)，用于调节电流大小。
请继续参考图5和图6，在本实施例中，所述掩膜版清洗系统还包括：若干功能作业臂306，所述第一导线3041和所述第二导线3042固定于所述功能作业臂306上。
在本实施例中，所述超声振动装置安装于所述清洗槽302内。在其他实施例中，所述超声振动装置还可以通过所述功能作业臂控制伸入所述清洗液中。
在本实施例中，所述清洗液303包括：TMAH、NH4OH、H2O2、CO2、H2、HCl和去离子水的混合液中的一种或多种。
图7是本发明实施例中一种掩膜版清洗方法流程示意图。
相应的，本发明的实施例中还提供了一种掩膜版清洗方法，包括：
步骤S201：提供掩膜版清洗装置，用于承载掩膜版300，并通过清洗液303对所述掩膜版300进行清洗；
步骤S202：在所述清洗液303内通入电流。
在本实施例中，通过在所述清洗液303内通入电流。利用所述电流能中和所述掩膜版300表面和所述污染物颗粒301表面的电荷，使得所述掩膜版300表面和所述污染物颗粒301表面呈现电中性，进而降低所述掩膜版300和所述污染物颗粒301之间的吸附作用，进而提升清洗效率和清洗良率。
在本实施例中，所述电流为1微安～1000微安，通电流清洗的时间依据制程需求定义。
请继续参考图5和图6，在本实施例中，所述掩膜版清洗装置采用浸泡式清洗，所述掩膜版清洗装置包括：清洗槽302，所述清洗槽302内具有所述清洗液303，所述掩膜版300放置于所述清洗槽302中，且浸泡于所述清洗液303中；超声振动装置305，用于在所述清洗液303内产生超声波。
在本实施例中，通过将所述掩膜版300完全浸泡于所述清洗液303中，能够对所述掩膜版300起到更为全面的清洗
在本实施例中，利用产生的超声波在所述清洗液303中的空化作用、加速度作用及直进流作用对所述掩膜版300进行直接、间接的作用，使粘附于所述掩膜版300上的所述污染物颗粒301被分散、乳化、剥离而达到清洗目的。
请继续参考图5和图6，在本实施例中，在所述清洗液303内通入电流的方法：提供第一导线3041和第二导线3042，所述第一导线3041的端部具有第一金属头3041a，所述第二导线3042的端部具有第二金属头3042a；将所述第一金属头3041a和所述第二金属头3042a置于所述清洗液303内；提供电源装置(未图示)，分别与所述第一导线3041和所述第二导线3042电连接，用于使所述第一金属头3041a、第一导线3041、第二导线3042、第二金属头3042a以及清洗液303形成闭合回路。
当电源装置启动之后，产生的电流会依次流经第一导线3041、第一金属头3041a、清洗液303、第二金属头3042a以及第二导线3042，其中流经所述清洗液303的电流能中和所述掩膜版300表面和所述污染物颗粒301表面的电荷，使得所述掩膜版300表面和所述污染物颗粒301表面呈现电中性，进而降低所述掩膜版300和所述污染物颗粒301之间的吸附作用，进而提升清洗效率和清洗良率。
需要说明的是，所述电源装置中配备有电流控制器(未图示)，用于调节电流大小。
请继续参考图5和图6，在本实施例中，所述掩膜版清洗系统还包括：若干功能作业臂306，所述第一导线3041和所述第二导线3042固定于所述功能作业臂306上。
在本实施例中，所述超声振动装置安装于所述清洗槽302内。在其他实施例中，所述超声振动装置还可以通过所述功能作业臂控制伸入所述清洗液中。
在本实施例中，所述清洗液303包括：TMAH、NH4OH、H2O2、CO2、H2、HCl和去离子水的混合液中的一种或多种。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (13)

1.一种掩膜版清洗系统，其特征在于，包括：
掩膜版清洗装置，用于承载掩膜版，并通过清洗液对所述掩膜版进行清洗；电流产生组件，用于在所述清洗液内通入电流。
2.如权利要求1所述掩膜版清洗系统，其特征在于，所述电流为：1微安～1000微安。
3.如权利要求1所述掩膜版清洗系统，其特征在于，所述掩膜版清洗装置采用旋转式清洗，所述掩膜版清洗装置包括：清洗载台，所述掩膜版固定于所述清洗载台上，且所述清洗载台带动所述掩膜版旋转；清洗作业臂，所述清洗作业臂位于所述掩膜版上方，通过所述清洗作业臂喷洒所述清洗液，在所述掩膜版表面形成流动液体，所述流动液体覆盖所述掩膜版的表面。
4.如权利要求1所述掩膜版清洗系统，其特征在于，所述掩膜版清洗装置采用浸泡式清洗，所述掩膜版清洗装置包括：清洗槽，所述清洗槽内承装所述清洗液，所述掩膜版放置于所述清洗槽中，且浸泡于所述清洗液中；超声振动装置，用于在所述清洗液内产生超声波。
5.如权利要求1所述掩膜版清洗系统，其特征在于，电流产生组件包括：第一导线，所述第一导线的端部具有第一金属头，所述第一金属头置于所述清洗液内；第二导线，所述第二导线的端部具有第二金属头，所述第二金属头置于所述清洗液；电源装置，分别与所述第一导线和所述第二导线电连接，用于使所述第一金属头、第一导线、第二导线、第二金属头以及清洗液形成闭合回路。
6.如权利要求5所述掩膜版清洗系统，其特征在于，还包括：若干功能作业臂，所述第一导线和所述第二导线固定于所述功能作业臂上。
7.如权利要求1所述掩膜版清洗系统，其特征在于，所述清洗液包括：TMAH、NH4OH、H2O2、CO2、H2、HCl和去离子水的混合液中的一种或多种。
8.一种掩膜版清洗方法，其特征在于，包括：
提供掩膜版清洗装置，用于承载掩膜版，并通过清洗液对所述掩膜版进行清洗；
在所述清洗液内通入电流。
9.如权利要求8所述掩膜版清洗方法，其特征在于，所述电流为：1微安～1000微安。
10.如权利要求8所述掩膜版清洗方法，其特征在于，所述掩膜版清洗装置采用旋转式清洗，所述掩膜版清洗装置包括：清洗载台，所述掩膜版固定于所述清洗载台上，且所述清洗载台带动所述掩膜版旋转；清洗作业臂，所述清洗作业臂位于所述掩膜版上方，通过所述清洗作业臂喷洒所述清洗液，在所述掩膜版表面形成流动液体，所述流动液体覆盖所述掩膜版的表面。
11.如权利要求8所述掩膜版清洗方法，其特征在于，所述掩膜版清洗装置采用浸泡式清洗，所述掩膜版清洗装置包括：清洗槽，所述清洗槽内承装所述清洗液，所述掩膜版放置于所述清洗槽中，且浸泡于所述清洗液中；超声振动装置，用于在所述清洗液内产生超声波。
12.如权利要求8所述掩膜版清洗方法，其特征在于，在所述清洗液内通入电流的方法：提供第一导线和第二导线，所述第一导线的端部具有第一金属头，所述第二导线的端部具有第二金属头；将所述第一金属头和所述第二金属头置于所述清洗液内；提供电源装置，分别与所述第一导线和所述第二导线电连接，用于使所述第一金属头、第一导线、第二导线、第二金属头以及清洗液形成闭合回路。
13.如权利要求8所述掩膜版清洗方法，其特征在于，所述清洗液包括：TMAH、NH4OH、H2O2、CO2、H2、HCl和去离子水的混合液中的一种或多种。
CN202210476440.9A 2022-04-29 2022-04-29 掩膜版清洗方法及系统 Pending CN117012615A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210476440.9A CN117012615A (zh) 2022-04-29 2022-04-29 掩膜版清洗方法及系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210476440.9A CN117012615A (zh) 2022-04-29 2022-04-29 掩膜版清洗方法及系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117012615A true CN117012615A (zh) 2023-11-07

Family

ID=88571564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210476440.9A Pending CN117012615A (zh) 2022-04-29 2022-04-29 掩膜版清洗方法及系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117012615A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7682457B2 (en) Frontside structure damage protected megasonics clean
KR20040083103A (ko) 전해질 처리장치 및 방법
US6946036B2 (en) Method and device for removing particles on semiconductor wafers
KR100559268B1 (ko) 세정 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 액티브매트릭스형 표시 장치의 제조 방법
US20170066021A1 (en) Gigasonic cleaning techniques
CN117012615A (zh) 掩膜版清洗方法及系统
KR20240013837A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6969750B2 (ja) 炭酸水素水及びこれを使用する洗浄方法
CN102039288A (zh) 晶圆的清洗方法
KR20010021348A (ko) 반도체 웨이퍼 표면 세정 방법 및 장치
JPH08107094A (ja) 基板の洗浄方法
CN108010830A (zh) 一种晶圆清洗方法
JP4952297B2 (ja) フォトマスク洗浄方法及びフォトマスク洗浄装置
JP2002289565A (ja) 洗浄方法、半導体装置の製造方法及びアクティブマトリクス型表示装置の製造方法
JP3863229B2 (ja) 洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP4174446B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
WO2020189010A1 (ja) 基板処理方法、半導体製造方法、および、基板処理装置
US8969217B2 (en) Methods of treating semiconductor substrates, methods of forming openings during semiconductor fabrication, and methods of removing particles from over semiconductor substrates
EP1250712A2 (en) Process and apparatus for cleaning silicon wafers
TW200919545A (en) Method of forming pattern, method of manufacturing semiconductor device, and cleaning apparatus
JP4541012B2 (ja) 半導体ウエハの接着前表面処理
Busnaina et al. Nanoscale defects and surface preparation in nanomanufacturing
CN101752206B (zh) 改善研磨颗粒残留的方法
JP6268954B2 (ja) 洗浄方法、洗浄装置及び洗浄装置用プログラム
CN115246099A (zh) 在化学机械平坦化期间移除杂质的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination