CN116968224B - 扇出型封装芯片的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体芯片技术领域，具体而言，涉及扇出型封装芯片的制备方法，其包括用衬底制备公模，公模具有预设凹槽和预设凸起；电浆处理公模，以使公模的表面的接触角角度小于或等于90°；在公模的表面涂覆电子氟化液，以使公模的表面的接触角角度大于90°；用公模倒模制备环氧塑封载板，环氧塑封载板具有凹坑；在凹坑的内侧壁设置膜料；将芯片装于凹坑。本发明的扇出型封装芯片的制备方法能够改善产生烧蚀残渣、以及凹坑的侧壁平整度低的问题，并能降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体芯片技术领域，具体而言，涉及扇出型封装芯片的制备方法。
背景技术
晶圆级扇出型芯片封装可以替代焊线BGA（Ball Grid Array，球栅阵列结构的PCB）和倒装芯片BGA封装，是一种高性能的集成封装方式。晶圆级扇出型芯片封装的信号、电力和地线的布线直接通过晶圆级RDL（再布线层）工艺实现，不再需要晶圆凸点制备和封装基板，从而可以提供好于传统焊线BGA和倒装芯片BGA封装的电学功能。
相关技术在进行扇出型芯片封装时，通常需要使用激光（皮秒或飞秒）的方式，在EMC环氧树脂塑封料上烧蚀出图案以及对应的深度，以形成用于封装芯片的凹坑；但是，EMC环氧树脂塑封料在烧蚀后容易出现残渣飞溅的问题，以及受EMC环氧树脂塑封料的氧化硅填充物的粒径影响导致烧蚀出来的凹坑的侧壁不平整的问题，需要再利用干刻蚀的方式去除飞溅的残渣、以及提高凹坑的侧壁平整度，不仅操作复杂，且成本高；更重要的是，仍然难以保证残渣的可靠去除，以及难以保证可靠地提高凹坑的侧壁的平整度。
发明内容
本发明的目的在于提供扇出型封装芯片的制备方法，能够改善产生烧蚀残渣、以及凹坑的侧壁平整度低的问题，并能降低成本。
本发明是这样实现的：
本发明提供一种扇出型封装芯片的制备方法，包括：
用衬底制备公模，公模具有预设凹槽和预设凸起；
电浆处理公模，以使公模的表面的接触角角度小于或等于90°；
在公模的表面涂覆电子氟化液，以使公模的表面的接触角角度大于90°；
用公模倒模制备环氧塑封载板，环氧塑封载板具有凹坑；
在凹坑的内侧壁设置膜料；
将芯片装于凹坑。
在可选的实施方式中，用衬底制备公模的步骤，具体包括：在衬底的表面切割形成多个预设凹槽，并使相邻的两个预设凹槽之间形成预设凸起，预设凸起的宽度等于芯片的宽度、切割道的宽度以及预设宽度的总和。
在可选的实施方式中，衬底为硅晶圆；衬底的厚度为100~450μm；预设宽度为5~10μm；切割道的宽度为60~100μm。
在可选的实施方式中，电浆处理公模的步骤，具体包括：用Ar和O2对公模进行电浆处理，电浆处理的功率为200~300W，压力为0.2~0.25Torr，时间为10~20s，Ar和O2的气体总流量为5~10cc/min，Ar和O2的流量比为1:8~12。
在可选的实施方式中，电子氟化液含有2~5%wt的含氟丙烯酸聚合物。
在可选的实施方式中，用公模倒模制备环氧塑封载板的步骤，具体包括：
将公模未涂覆电子氟化液的一侧设置于临时载板上，再在公模涂覆了电子氟化液的一侧塑封环氧塑封料，拆除临时载板和公模，即可得到环氧塑封载板。
在可选的实施方式中，公模未涂覆电子氟化液的一侧通过热释膜设置于临时载板上。
在可选的实施方式中，临时载板包括硅载板、玻璃载板和金属合金载板中的一种；
临时载板的厚度为300~310mm；
拆除临时载板和公模的步骤，具体包括：将临时载板从公模拆除后，再利用粘贴膜将公模从环氧塑封载板移除。
在可选的实施方式中，在凹坑的内侧壁设置膜料的步骤，具体包括：
在环氧塑封载板具有凹坑的一侧贴合膜料，再将相邻的两个凹坑之间的凸起的顶部覆盖的膜料移除。
在可选的实施方式中，膜料包括晶片黏结薄膜或堆积膜；
将相邻的两个凹坑之间的凸起的顶部覆盖的膜料移除的步骤，具体包括：对凸起的顶部覆盖的膜料进行研磨，以将凸起的顶部覆盖的膜料移除。
本发明的扇出型封装芯片的制备方法包括以下有益效果：
本发明实施例提供的扇出型封装芯片的制备方法包括用衬底制备公模，电浆处理公模，并在公模涂覆电子氟化液，之后用公模倒模制备环氧塑封载板，由于公模具有预设凹槽和预设凸起，故利用公模倒模制备的环氧塑封载板对应预设凸起的位置形成凹坑，该凹坑用于封装芯片。这样一来，不需要通过激光（皮秒或飞秒）的方式直接在环氧树脂塑封料上烧蚀形成凹坑，能够避免出现烧蚀残渣飞溅的问题，进而不需要进行后续利用干刻蚀去除飞溅残渣的步骤，还能降低成本；而且，利用公模倒模形成具有凹坑的环氧塑封载板，相比于通过烧蚀的方式在环氧树脂塑封料上形成凹坑具有更加平整的侧壁。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例中扇出型封装芯片的制备方法的流程图；
图2为本发明实施例中公模的结构示意图；
图3为本发明实施例中公模涂覆有电子氟化液的示意图；
图4为本发明实施例中在公模倒模制备环氧塑封载板的示意图；
图5为本发明实施例中环氧塑封载板的结构示意图；
图6为本发明实施例中环氧塑封载板设置有膜料的示意图；
图7为本发明实施例中环氧塑封载板的凸起的顶部的膜料被除去后的示意图；
图8为本发明实施例中芯片装于环氧塑封载板的凹坑的结构示意图；
图9为本发明实施例中重布导电线的结构示意图。
附图标记：
010-公模；020-电子氟化液；030-环氧塑封载板；040-临时载板；050-热释膜；060-膜料；070-芯片；080-重布导电线。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
请参照图1-图9，本发明实施例提供一种扇出型封装芯片的制备方法，其包括：
S100：用衬底制备公模010，公模010具有预设凹槽和预设凸起；
S200：电浆处理公模010，以使公模010的表面的接触角角度小于或等于90°，例如：10°、20°、30°、40°、50°、60°、70°、80°、90°等，以增加公模010的表面的亲水性；
S300：在公模010的表面涂覆电子氟化液020，以使公模010的表面的接触角角度大于90°，例如：95°、100°、105°、110°、115°、120°等，以增加公模010的表面的疏水性；
S400：用公模010倒模制备环氧塑封载板030，环氧塑封载板030具有凹坑；
S500：在凹坑的内侧壁设置膜料060；
S600：将芯片070装于凹坑。
本发明的制备方法中，不需要通过激光（皮秒或飞秒）的方式直接在环氧树脂塑封料上烧蚀形成凹坑，能够避免出现烧蚀残渣飞溅的问题，进而不需要进行后续利用干刻蚀去除飞溅残渣的步骤，还能降低成本；而且，利用公模010倒模形成具有凹坑的环氧塑封载板030，相比于通过烧蚀的方式在环氧树脂塑封料上形成凹坑具有更加平整的侧壁。
为了进一步确保利用公模010倒模制备的环氧塑封载板030上的凹坑的侧壁具有较高的平整度，可以在制备公模010时，提高公模010上的预设凹槽和预设凸起的侧壁的平整度。
可选地，用衬底制备公模010的步骤，具体包括：在衬底的表面切割形成多个预设凹槽，并使相邻的两个预设凹槽之间形成预设凸起，预设凸起的宽度等于芯片070的宽度、切割道的宽度以及预设宽度三者的总和。用切割的方式在衬底上形成预设凹槽和预设凸起，能够确保预设凹槽和预设凸起的表面的平整度，以使后续利用公模010倒模制得的环氧塑封载板030的凹坑的侧壁的平整度。
将预设凸起的宽度配置为等于芯片070的宽度、切割道的宽度以及预设宽度三者的总和，能够在确保后续通过公模010倒模制得的环氧塑封载板030的凹坑的尺寸在经过设置膜料060等工艺后，还能顺利地将芯片070装载于凹坑内。
需要说明的是，在衬底的表面切割多个预设凹槽，具体是指可以在衬底表面切割两个及两个以上的预设凹槽，且当预设凹槽的数量大于两个时，多个预设凹槽可以呈纵横交错分布，以形成多个预设凸起。
可选地，衬底为硅晶圆，切割时可以利用钻石刀进行切割，以确保切割后切割面具有较高的平整度，即确保切割得到的预设凹槽和预设凸起的表面具有良好的平整度。
进一步地，衬底的厚度为100~450μm，例如：100μm、150μm、200μm、250μm、300μm、350μm、400μm、450μm等。需要说明的是，当衬底的厚度不满足100-450μm时，例如：硅晶圆的厚度达到200-300mm时，可以通过研磨的方式将衬底的厚度减薄，以使衬底厚度达到目标厚度，研磨包括但不限于机械研磨、化学机械研磨等，在此不作具体限定。
可选地，预设宽度为5~10μm，例如：5μm、6μm、7μm、8μm、9μm、10μm等；切割道的宽度为60~100μm，例如：60μm、65μm、70μm、75μm、80μm、85μm、90μm、95μm、100μm等。优化预设宽度和切割道的宽度，在确保后续倒模制得的环氧塑封载板030的凹坑能够顺利地装载芯片070的同时，还确保最终完成封装的芯片070满足要求。
电浆处理公模010，能够将公模010表面的氧化物、杂质等污染物清除，与此同时还可以增加公模010表面的粗糙度和接触面积，以改善表面分子活性，提高后续涂覆的电子氟化液020的附着可靠性和稳定性。
可选地，电浆处理公模010的步骤，具体包括：用Ar和O2对公模010进行电浆处理，电浆处理的功率为200~300W（例如：200W、220W、240W、260W、280W、300W等），压力为0.2~0.25Torr（例如：0.2Torr、0.21Torr、0.22Torr、0.23Torr、0.24Torr、0.25Torr等），时间为10~20s（例如：10s、12s、14s、16s、18s、20s等），Ar和O2的气体总流量为5~10cc/min（5cc/min、6cc/min、7cc/min、8cc/min、9cc/min、10cc/min等）。
Ar是有效地电浆清洗气体，其原子尺寸大，可以使用非常大的能量跃迁到公模010的表面，而正的氩离子能被吸引到负向的电极板，撞击力足以去除表面的任何污渍。O2是电浆清洗常用的活性气体，电离后产生的离子体能够对表面进行物理跃迁，形成粗糙表面；而且，高活性的O离子能够与被断键后的分子链发生化学反应形成活性基团的亲水表面，以达到表面活化的目的。
需要说明的是，Ar和O2的气体流量比例可以根据需要选择，例如：1:8~12，具体可以是1:8、1:9、1:10、1:11、1:12等，在此不作具体限定。
可选地，在公模010的表面涂覆电子氟化液020的方式可以是旋涂的方式，且涂覆的电子氟化液020的厚度为1~2μm。采用旋涂的方式能够确保预设凹槽和预设凸起均能可靠地被电子氟化液020覆盖。
进一步地，电子氟化液020含有2~5%wt的含氟丙烯酸聚合物，例如：3MTMNovecTM1700电子氟化液等，其黏度低、且表面张力低，能够可靠地增加公模010表面的疏水性。
需要说明的是，通过电浆工艺处理公模010，增加公模010表面的亲水性，可以提高后续涂覆电子氟化液020在公模010表面的附着能力，即确保电子氟化液020能够可靠地附着在公模010的表面，从而确保具有低表面能的电子氟化液020能够可靠地增加公模010的疏水性，以使后续通过公模010倒模、成型的环氧塑封载板030能够顺利地脱模。
可选地，用公模010倒模制备环氧塑封载板030的步骤，具体包括：将公模010未涂覆电子氟化液020的一侧设置于临时载板040上，再在公模010涂覆了电子氟化液020的一侧塑封环氧塑封料，拆除临时载板040和公模010，即可得到环氧塑封载板030。在公模010涂覆了电子氟化液020的一侧塑封环氧塑封料，即可对应公模010的预设凹槽和预设凸起的位置在环氧塑封料上形成对应的凸起和凹坑，而预设凸起和预设凹槽通过切割而成，表面平整，即可确保倒模对应形成的凹坑和凸起的表面平整。
进一步地，公模010未涂覆电子氟化液020的一侧通过热释膜050设置于临时载板040上。这样一来，在环氧塑封料倒模完成后，可以通过加热热释膜050的方式，降低热释膜050的粘度，以使临时载板040能够被拆卸下来；如此，即确保了拆卸临时载板040的易操作性。
可选地，临时载板040包括硅载板、玻璃载板和金属合金载板中的一种。
可选地，临时载板040的厚度为300~310mm，例如：300mm、301mm、305mm、308mm、310mm等。
可选地，将临时载板040从公模010拆除后，再利用粘贴膜将公模010从环氧塑封载板030移除，即在临时载板040从公模010拆除后，用粘贴膜与公模010粘接，拖拽粘贴膜，使粘贴膜将公模010与环氧塑封载板030分离。如此，确保了拆除公模010，使环氧塑封载板030脱模的易操作性。
需要说明的是，粘贴膜可以是指一种撕膜用的玻璃胶带，其可以是抗静电的PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）基材胶带。
可选地，在凹坑的内侧壁设置膜料060的步骤，具体包括：在环氧塑封载板030具有凹坑的一侧贴合膜料060，再将相邻的两个凹坑之间的凸起的顶部覆盖的膜料060移除。如此，确保了在凹坑的内侧壁设置膜料060的易操作性。
进一步地，膜料060包括晶片黏结薄膜（粘合膜DAF，dieattachfilm）或堆积膜（ABF膜），且膜料060设置于环氧塑封载板030具有凹坑的一侧的方式可以为热压，以确保膜料060可靠地覆盖在环氧塑封载板030具有凹槽的一侧。
可选地，将相邻的两个凹坑之间的凸起的顶部覆盖的膜料060移除的步骤，具体包括：对凸起的顶部覆盖的膜料060进行研磨，以将凸起的顶部覆盖的膜料060移除。利用研磨的方式去掉环氧塑封载板030的凹坑之间的凸起的顶部的膜料060，一方面能够确保对应位置的环氧塑封载板030露出，以避免干涉扇出封装RDL布线用，若是不将凸起的顶部覆盖的膜料060研磨、去除，不仅影响影响RDL的走线，还会形成台阶高度差，不利于作超细线宽线距的线路制作；另一方面避免去除对应位置的膜料060时，对环氧塑封载板030造成不良影响。
可选地，将芯片070装于凹坑的方式，可以为采用贴片机将芯片070正装（模具金属焊盘朝上，即Die metal pad朝上）于凹坑上。
相关技术在芯片正装前必须先制备晶圆级铜柱凸块，之后再做塑封，然后在塑封之后减薄塑封层，直到铜柱表面露出，之后再做表面酸化处理，这样一来，就容易遭减薄塑封层露出铜柱时，因减薄工艺的不稳定，导致露出的铜柱高度不一致，即相关技术通常采用研磨的方式减薄塑封层，研磨时容易导致不同位置的研磨程度不同，部分的铜柱先露出，另一部分的铜柱后露出，先露出的铜柱随着研磨的进行而被研磨、缩短，故形成了铜柱高度不一致的问题。而本发明的扇出型封装芯片的制备方法，将芯片070正装于环氧塑封载板030的凹坑中，不再需要进行塑封，然后研磨减薄的工艺，进而不会导致不同的铜柱高度因研磨、减薄而出现高度不一致的问题。
本发明的扇出型封装芯片的制备方法，还包括：在步骤S600之后采用扇出型重构晶圆封装工艺流程制备重布导电线080，并可采用丝网印刷锡球与回流焊接、模块切割等工艺，完成扇出型模块封装制备等，具体方式与相关技术类似，在此不再赘述。
以下结合实施例对本发明作进一步的详细描述。
实施例1
S100：在厚度为450μm的硅晶圆上用钻石刀切割形成纵横交错的预设凹槽和预设凸起；其中，预设凸起的宽度等于芯片的宽度、切割道的宽度60μm以及预设宽度5μm的总和。
S200：电浆处理公模，以使公模的表面的接触角角度为90°，其中，电浆处理用的气体为Ar和O2，电浆处理的功率为200W，压力为0.25Torr，时间为20s，Ar和O2的气体总流量为5cc/min，两者的流量比为1:1。
S300：在公模的表面涂覆电子氟化液，以使公模的表面的接触角角度为120°；其中，电子氟化液含有2%wt的含氟丙烯酸聚合物，且涂覆的电子氟化液的厚度为1μm。
S400：用公模倒模制备环氧塑封载板，环氧塑封载板具有凹坑；具体地，将公模未涂覆电子氟化液的一侧通过热释膜设置于厚度为310mm的临时载板上，再在公模涂覆了电子氟化液的一侧塑封环氧塑封料，拆除临时载板和公模，即可得到环氧塑封载板。
S500：在凹坑的内侧壁设置膜料；具体地，采用热压的方式在环氧塑封载板具有凹坑的一侧设置一层晶片黏结薄膜，再将环氧塑封载板的凸起的顶部的晶片黏结薄膜研磨去除。
S600：用贴片机将芯片正装于凹坑。
重布导电线。
实施例2
S100：在厚度为100μm的硅晶圆上用钻石刀切割形成纵横交错的预设凹槽和预设凸起；其中，预设凸起的宽度等于芯片的宽度、切割道的宽度100μm以及预设宽度10μm的总和。
S200：电浆处理公模，以使公模的表面的接触角角度为10°，其中，电浆处理用的气体为Ar和O2，电浆处理的功率为300W，压力为0.2Torr，时间为10s，Ar和O2的气体总流量为10cc/min，两者的流量比为2:1。
S300：在公模的表面涂覆电子氟化液，以使公模的表面的接触角角度为95°；其中，电子氟化液含有5%wt的含氟丙烯酸聚合物，且涂覆的电子氟化液的厚度为2μm。
S400：用公模倒模制备环氧塑封载板，环氧塑封载板具有凹坑；具体地，将公模未涂覆电子氟化液的一侧通过热释膜设置于厚度为301mm的临时载板上，再在公模涂覆了电子氟化液的一侧塑封环氧塑封料，拆除临时载板和公模，即可得到环氧塑封载板。
S500：在凹坑的内侧壁设置膜料；具体地，采用热压的方式在环氧塑封载板具有凹坑的一侧设置一层晶片黏结薄膜，再将环氧塑封载板的凸起的顶部的晶片黏结薄膜研磨去除。
S600：用贴片机将芯片正装于凹坑。
重布导电线。
实施例3
S100：在厚度为250μm的硅晶圆上用钻石刀切割形成纵横交错的预设凹槽和预设凸起；其中，预设凸起的宽度等于芯片的宽度、切割道的宽度80μm以及预设宽度8μm的总和。
S200：电浆处理公模，以使公模的表面的接触角角度为30°，其中，电浆处理用的气体为Ar和O2，电浆处理的功率为250W，压力为0.22Torr，时间为15s，Ar和O2的气体总流量为7cc/min，两者的流量比为2:1。
S300：在公模的表面涂覆电子氟化液，以使公模的表面的接触角角度为100°；其中，电子氟化液含有3%wt的含氟丙烯酸聚合物，且涂覆的电子氟化液的厚度为1.5μm。
S400：用公模倒模制备环氧塑封载板，环氧塑封载板具有凹坑；具体地，将公模未涂覆电子氟化液的一侧通过热释膜设置于厚度为305mm的临时载板上，再在公模涂覆了电子氟化液的一侧塑封环氧塑封料，拆除临时载板和公模，即可得到环氧塑封载板。
S500：在凹坑的内侧壁设置膜料；具体地，采用热压的方式在环氧塑封载板具有凹坑的一侧设置一层晶片黏结薄膜，再将环氧塑封载板的凸起的顶部的晶片黏结薄膜研磨去除。
S600：用贴片机将芯片正装于凹坑。
重布导电线。
对比例
对比例与实施例1的区别在于：未进行步骤S300，在步骤S200后直接进行步骤S400，步骤S400中拆除临时载板和公模时，由于公模表面未涂覆电子氟化液，无法进行脱模，环氧塑封载板的凹坑的侧壁附着有无法脱模下来的公模，即无法得到凹坑的侧壁平整度高的环氧塑封载板。
综上所述，本发明的扇出型封装芯片的制备方法能够改善产生烧蚀残渣、以及凹坑的侧壁平整度低的问题，并能降低成本。
以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种扇出型封装芯片的制备方法，其特征在于，包括：
用衬底制备公模，所述公模具有预设凹槽和预设凸起；
电浆处理所述公模，以使所述公模的表面的接触角角度小于或等于90°；所述电浆处理所述公模的步骤，具体包括：用Ar和O2对所述公模进行电浆处理，所述电浆处理的功率为200~300W，压力为0.2~0.25Torr，时间为10~20s，所述Ar和所述O2的气体总流量为5~10cc/min，所述Ar和所述O2的流量比为1:8~12；
在所述公模的表面涂覆电子氟化液，以使所述公模的表面的接触角角度大于90°；
用所述公模倒模制备环氧塑封载板，所述环氧塑封载板具有凹坑；
在所述凹坑的内侧壁设置膜料，具体包括：在所述环氧塑封载板具有所述凹坑的一侧贴合所述膜料，再将相邻的两个所述凹坑之间的凸起的顶部覆盖的所述膜料移除；
将芯片装于所述凹坑，不再进行塑封，并制备重布导电线。
2.根据权利要求1所述的扇出型封装芯片的制备方法，其特征在于，所述用衬底制备公模的步骤，具体包括：在所述衬底的表面切割形成多个所述预设凹槽，并使相邻的两个所述预设凹槽之间形成所述预设凸起，所述预设凸起的宽度等于所述芯片的宽度、切割道的宽度以及预设宽度的总和。
3.根据权利要求2所述的扇出型封装芯片的制备方法，其特征在于，所述衬底为硅晶圆；所述衬底的厚度为100~450μm；所述预设宽度为5~10μm；所述切割道的宽度为60~100μm。
4.根据权利要求1所述的扇出型封装芯片的制备方法，其特征在于，所述电子氟化液含有2~5%wt的含氟丙烯酸聚合物。
5.根据权利要求1所述的扇出型封装芯片的制备方法，其特征在于，所述用所述公模倒模制备环氧塑封载板的步骤，具体包括：
将所述公模未涂覆所述电子氟化液的一侧设置于临时载板上，再在所述公模涂覆了所述电子氟化液的一侧塑封环氧塑封料，拆除所述临时载板和所述公模，即可得到所述环氧塑封载板。
6.根据权利要求5所述的扇出型封装芯片的制备方法，其特征在于，所述公模未涂覆所述电子氟化液的一侧通过热释膜设置于所述临时载板上，所述热释膜能通过加热的方式降低其自身的粘度，以使所述临时载板能被拆卸下来。
7.根据权利要求5所述的扇出型封装芯片的制备方法，其特征在于，所述临时载板包括硅载板、玻璃载板和金属合金载板中的一种；
所述临时载板的厚度为300~310mm；
所述拆除所述临时载板和所述公模的步骤，具体包括：将所述临时载板从所述公模拆除后，再利用粘贴膜将所述公模从所述环氧塑封载板移除。
8.根据权利要求1所述的扇出型封装芯片的制备方法，其特征在于，所述膜料包括晶片黏结薄膜或堆积膜；
所述将相邻的两个所述凹坑之间的凸起的顶部覆盖的所述膜料移除的步骤，具体包括：对所述凸起的顶部覆盖的所述膜料进行研磨，以将所述凸起的顶部覆盖的所述膜料移除。
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