CN116953487B - 一种封装成品缺陷批量测试工装及其测试方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及芯片测试技术领域，特别涉及一种封装成品缺陷批量测试工装及其测试方法。包括外壳体，所述外壳体顶部中心处设有上压单元，所述上压单元正下方设有测试单元，所述上压单元与测试单元活动抵触，所述测试单元包括中心转杆，所述中心转杆转动连接在外壳体底部内壁中心处，所述中心转杆四周呈环形阵列铰接有若干组测试座。本发明可以在测试过程中模拟出颠簸环境。该测试不仅可以适用室内静止设备上SIP芯片的使用环境，同时还可适用于车辆、升降机等户外移动设备上的使用环境，使得测试结果更加贴近真实，从而提高了测试准确度和测试效果。

Description

一种封装成品缺陷批量测试工装及其测试方法

技术领域

本发明属于芯片测试技术领域，特别涉及一种封装成品缺陷批量测试工装及其测试方法。

背景技术

SIP系统级芯片在生产完成后，需要对其性能进行测试。而为了模拟出SIP芯片的使用环境，需要对其测试环境进行加热，以此完成老化测试。

经检索，现引证公开号为CN116359714A，公开日为2023年06月30日，名为高功率芯片老化测试柜的专利文献，包括柜体100和多个老化测试组件，于柜体中层层设置，老化测试组件包括老化测试板和设置于老化测试板上方的液冷散热板，老化测试板上具有多个用于放置芯片的测试工位，液冷散热板上设有冷却液流动通道和与冷却液流动通道连通的冷却液入口a、冷却液出口b，用于对老化测试板及其上的芯片进行液冷散热。上述实施例在老化测试时通过所配置的液冷散热板对老化测试板及其上的芯片进行液冷散热，相较于传统的风冷散热方式，散热速度快且效率高，有助于保证高功率芯片的测试稳定性。

但上述实施例仍然具有以下缺陷：

芯片在老化测试时只能处在静止状态，无法模拟出车辆、升降机等户外移动设备上颠簸的使用环境，导致测试的准确度和测试效果有所下降。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种封装成品缺陷批量测试工装，包括外壳体，所述外壳体，所述外壳体顶部中心处设有上压单元，所述上压单元正下方设有测试单元，所述上压单元与测试单元活动抵触，所述测试单元包括中心转杆，所述中心转杆转动连接在外壳体底部内壁中心处，所述中心转杆四周呈环形阵列铰接有若干组测试座，所述测试座远离中心转杆的一侧壁底部边缘处开设有顶料斜面；所述顶料斜面上平均分布有若干组滑动滚球；所述外壳体内壁上设有模拟升降单元，所述模拟升降单元包括升降基座；所述升降基座远离连接杆一侧壁中心处设置有弧顶，所述弧顶两侧对称连接有两组弧槽，每组所述滑动滚球均与弧顶和弧槽滚动贴合。

进一步的，所述外壳体一侧壁上设有伺服电机，所述伺服电机输出端延伸至外壳体内，且传动连接有锥齿轮；所述锥齿轮一侧啮合连接有斜齿轮，所述斜齿轮套接在中心转杆上。

进一步的，所述上压单元包括第一电动推杆；所述第一电动推杆垂直安装在外壳体顶部内壁中心处，所述第一电动推杆底部连接有转轴，所述转轴外壁上转动套接有空心轴承座；所述空心轴承座侧壁上呈环形阵列分布有若干组第一阻尼铰座，所述第一阻尼铰座内设有第一扭簧；所述第一阻尼铰座上沿水平方向铰接有第一铰接杆，所述第一铰接杆另一端安装有上压密封座。

进一步的，所述上压密封座底部中心处开设有中心底槽，所述中心底槽两侧对称开设有两组第一侧槽，所述第一侧槽远离中心底槽一侧连通有第二侧槽，所述第一侧槽和第二侧槽之间设有竖滑槽，所述竖滑槽内滑动连接有滑块；所述中心底槽顶部内壁中心处设有第一弹簧，所述第一弹簧底部设有抵压测试杆，所述抵压测试杆底部延伸至中心底槽外部。

进一步的，所述抵压测试杆两侧壁上对称设有两组水平延伸杆，所述水平延伸杆另一端延伸至第一侧槽内，且安装有升降块，所述升降块另一端设有第一电磁锁。

进一步的，所述第二侧槽内沿垂直方向转动连接有丝杆，所述滑块一端螺纹连接在丝杆上，所述滑块另一端延伸至第一侧槽内，且安装有第二电磁锁，所述第二电磁锁与第一电磁锁磁性连接；所述升降块上下两端分别设有一组延长架，两组所述延长架相对的两侧壁上对称设有两组压力传感器。

进一步的，所述测试座底部内壁中心处设有芯片基座，所述芯片基座上设有第一导电片；所述芯片基座两侧对称设有两组引脚基座，所述引脚基座上沿水平方向等间距分布有若干组引脚槽，所述引脚槽为倾斜设置，且所述引脚槽远离芯片基座一端的深度要大于另一端的深度；所述引脚槽内设有第二导电片；所述测试座底部设有导电基座，所述导电基座与每组第一导电片和每组第二导电片均电性连接。

进一步的，每组所述测试座正下方均设有一组接电单元，所述接电单元包括第二电动推杆；所述第二电动推杆水平安装在中心转杆上，且每组所述第二电动推杆均位于其相应的一组第二铰接杆正下方；所述第二电动推杆与中心转杆的结合处铰接有第三阻尼铰座，所述第三阻尼铰座内设有第三扭簧。

进一步的，所述第二电动推杆输出端上设有升降板，所述升降板远离第二电动推杆一侧壁上沿垂直方向开设有升降滑槽，所述升降滑槽内滑动连接有升降滑块，所述升降滑块上安装有第二弹簧，所述升降滑块一端延伸至升降滑槽外部，且安装有接电片；所述接电片与导电基座活动贴合，且贴合时两者电性连接。

一种封装成品缺陷批量测试工装的测试方法，所述测试方法包括：

将批量SIP芯片依次放置在各组测试座上，并与外部芯片的性能测试设备建立电性连接；

控制上压单元下降，直至其抵触在各组测试座顶部，并形成各组独立的测试腔体；

向测试座的密封腔体内输送热风，将SIP芯片的环境温度加热至125℃±5℃；

控制中心转杆转动，使得各组测试座以中心转杆的中轴心为中心进行圆周运动；

运动过程中，每组测试座上的滑动滚球依次与弧顶和弧槽发生滚动贴合，与弧顶滚动贴合时，测试座和上压密封座上升，与弧槽贴合时，测试座和上压密封座下降，以此模拟出颠簸环境。

本发明的有益效果是：

1、在各组测试座进行老化测试的同时，通过中心转杆带动各组测试座转动，并在转动过程中，每组测试座上的滑动滚球依次与弧顶和弧槽发生滚动贴合，在贴合过程中使得测试座和上压密封座上升。从而在测试过程中模拟出颠簸环境。该测试不仅可以适用室内静止设备上SIP芯片的使用环境，同时还可适用于车辆、升降机等户外移动设备上的使用环境，使得测试结果更加贴近真实，从而提高了测试准确度和测试效果。

2、每组测试座和与其相应的一组上压密封座之间均可构成独立腔体，并且每组第二电动推杆也可独立控制，使得装置可以对不同种类、不同测试条件的SIP芯片同时进行批量测试。也可随意选择测试的数量，从而提高了装置的兼容性。

3、当上压密封座和测试座相互贴合后，解除第一电磁锁和第二电磁锁之间的磁性连接关系。使得两组压力传感器保持静止。当SIP芯片在老化测试过程中其外壳发生变形时，抵压测试杆带动升降块上升或下降。当升降幅度过大时，便会与相应一组压力传感器相抵触，从而得知该组SIP芯片外壳因高温而发生变形。使得装置在测试SIP芯片性能的同时还能对其物理结构的耐高温程度进行测试，在不延长测试时间的同时，还丰富了测试种类。

4、在各组测试座转动过程中，其底部滑动滚球依次与弧顶和弧槽发生滚动贴合，与弧顶滚动贴合时，测试座和上压密封座上述，与弧槽贴合时，测试座和上压密封座下降，以此模拟出颠簸环境；使得测试结果更加贴近真实，从而提高了测试准确度。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了根据本发明实施例的测试工装的结构示意图。

图2示出了根据本发明实施例的外壳体的剖视示意图。

图3示出了根据本发明实施例的上压单元的结构示意图。

图4示出了根据本发明实施例的上压密封座的剖视示意图。

图5示出了根据本发明实施例的测试单元的结构示意图。

图6示出了根据本发明实施例的测试座的俯视示意图。

图7示出了根据本发明实施例的测试座的仰视示意图。

图8示出了根据本发明实施例的模拟升降单元的结构示意图。

图9示出了根据本发明实施例的接电单元的结构示意图。

图中：100、外壳体；110、箱门；120、观测窗；130、导电滑环；200、伺服电机；210、锥齿轮；220、斜齿轮；300、模拟升降单元；310、连接杆；320、升降基座；330、弧顶；340、弧槽；400、上压单元；410、第一电动推杆；420、转轴；430、空心轴承座；440、第一铰接杆；450、上压密封座；451、中心底槽；452、第一侧槽；453、竖滑槽；454、第二侧槽；460、第一弹簧；461、抵压测试杆；462、水平延伸杆；463、升降块；464、第一电磁锁；470、丝杆；471、滑块；472、第二电磁锁；480、延长架；490、压力传感器；500、测试单元；510、中心转杆；520、第二阻尼铰座；530、第二铰接杆；540、测试座；541、上加热环；542、第一加热口；550、芯片基座；551、第一导电片；560、引脚基座；561、引脚槽；562、第二导电片；570、下加热条；571、第二加热口；580、顶料斜面；581、滑动滚球；590、导电基座；600、接电单元；610、第二电动推杆；620、升降板；630、升降滑槽；640、接电片。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地说明，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供了一种封装成品缺陷批量测试工装，包括外壳体100。示例性的，如图1和图2所示，所述外壳体100一侧壁上设有箱门110，所述箱门110上方设有观测窗120，所述外壳体100底部中心处设有导电滑环130。

所述外壳体100垂直于箱门110的一侧壁上设有伺服电机200，所述伺服电机200输出端延伸至外壳体100内，且传动连接有锥齿轮210。所述锥齿轮210一侧啮合连接有斜齿轮220。

所述外壳体100顶部内壁中心处设有上压单元400，所述上压单元400正下方设有测试单元500，所述测试单元500的主体底部转动连接在外壳体100底部内壁中心处，所述锥齿轮210套接在测试单元500的主体上，所述测试单元500的主体与导电滑环130中轴线重合，且两者电性连接。测试单元500用于对芯片进行老化测试，而在测试过程中，通过下降上压单元400，使得测试单元500构成若干组独立腔体，以实现每组独立腔体内的准确控温。

所述测试单元500的主体上呈环形阵列分布有若干组接电单元600，所述接电单元600与测试单元500输出端滑动贴合，且贴合时两者电性连接。接电单元600用于对测试单元500内的芯片性能测试进行电性连接。

所述外壳体100两侧壁上对称设有两组模拟升降单元300，所述模拟升降单元300与测试单元500滑动贴合。模拟升降单元300用于模拟芯片在颠簸环境下的性能。

所述上压单元400包括第一电动推杆410。示例性的，如图3和图4所示，所述第一电动推杆410垂直安装在外壳体100顶部内壁中心处，所述第一电动推杆410底部连接有转轴420，所述转轴420外壁上转动套接有空心轴承座430。所述空心轴承座430侧壁上呈环形阵列分布有若干组第一阻尼铰座，所述第一阻尼铰座内设有第一扭簧。所述第一阻尼铰座上沿水平方向铰接有第一铰接杆440，所述第一铰接杆440另一端安装有上压密封座450。

示例性的，所述上压密封座450底部中心处开设有中心底槽451，所述中心底槽451两侧对称开设有两组第一侧槽452，所述第一侧槽452远离中心底槽451一侧连通有第二侧槽454，所述第一侧槽452和第二侧槽454之间设有竖滑槽453，所述竖滑槽453内滑动连接有滑块471。所述中心底槽451顶部内壁中心处设有第一弹簧460，所述第一弹簧460底部设有抵压测试杆461，所述抵压测试杆461底部延伸至中心底槽451外部。所述抵压测试杆461两侧壁上对称设有两组水平延伸杆462，所述水平延伸杆462另一端延伸至相应一组第一侧槽452内，且安装有升降块463，所述升降块463另一端设有第一电磁锁464。所述第二侧槽454内沿垂直方向转动连接有丝杆470，所述滑块471一端螺纹连接在丝杆470上，所述滑块471另一端延伸至第一侧槽452内，且安装有第二电磁锁472，所述第二电磁锁472与第一电磁锁464磁性连接。所述升降块463上下两端分别设有一组延长架480，两组所述延长架480相对的两侧壁上对称设有两组压力传感器490。

所述测试单元500包括中心转杆510。示例性的，如图5和图6所示，所述中心转杆510转动连接在外壳体100底部内壁中心处，所述中心转杆510侧壁上呈环形阵列分布有与第一阻尼铰座数量相同的第二阻尼铰座520，所述第二阻尼铰座520内设有第二扭簧。所述第二阻尼铰座520上沿水平方向铰接有第二铰接杆530，所述第二铰接杆530另一端安装有测试座540，每组所述上压密封座450均活动抵触在相应一组测试座540的顶部开口处。所述测试座540顶部开口处设有上加热环541，所述上加热环541顶部内直径小于底部内直径，且所述上加热环541内壁上呈环形阵列分布有若干组第一加热口542。所述测试座540底部内壁中心处设有芯片基座550，所述芯片基座550上设有第一导电片551。所述芯片基座550两侧对称设有两组引脚基座560，所述引脚基座560上沿水平方向等间距分布有若干组引脚槽561，所述引脚槽561为倾斜设置，且所述引脚槽561远离芯片基座550一端的深度要大于另一端的深度。所述引脚槽561内设有第二导电片562。

示例性的，所述芯片基座550与两组引脚基座560之间的缝隙中分别设有一组下加热条570，所述下加热条570靠近芯片基座550一侧壁顶部边缘处为倾斜设置，且倾斜面上等间距分布有若干组第二加热口571。

示例性的，如图7所示，所述测试座540远离中心转杆510的一侧壁底部边缘处开设有顶料斜面580，所述顶料斜面580的倾斜角度与升降基座320的倾斜角度相同。所述顶料斜面580上平均分布有若干组滑动滚球581。所述测试座540底部设有导电基座590，所述导电基座590与每组第一导电片551和每组第二导电片562均电性连接。

首先将多组SIP芯片分别放置在各组芯片基座550上，若SIP芯片为直插式，则其引脚分别落在各自相应一组引脚槽561内，并与第二导电片562电性连接。由于引脚槽561为倾斜设置，且所述引脚槽561远离芯片基座550一端的深度要大于另一端的深度，因此无论SIO芯片的引脚长度和引脚数量如何，都可以进行正常导电。若SIP芯片为贴片式，则通过SIP芯片底部与第一导电片551的贴合即可完成导电。因此提高了装置的兼容性。然后启动第一电动推杆410，通过第一电动推杆410带动各组上压密封座450下降，由于抵压测试杆461底部是延伸至中心底槽451外部，因此在上压密封座450下降的过程中，抵压测试杆461底部会首先抵触在SIP芯片顶部，然后抵压测试杆461上升并挤压第一弹簧460，直至上压密封座450抵触在测试座540顶部为止。在上压密封座450下降过程中，第一电磁锁464和第二电磁锁472磁性连接，因此升降块463与两组压力传感器490之间处在相对静止的状态下。

当上压密封座450和测试座540相互贴合后，解除第一电磁锁464和第二电磁锁472之间的磁性连接关系。使得两组压力传感器490保持静止。当SIP芯片在老化测试过程中其外壳发生变形时，抵触在其表面的抵压测试杆461便会带动水平延伸杆462和升降块463上升或下降。当上升或下降幅度过大时，便会与其中一组压力传感器490相抵触，从而利用压力传感器490的通信模块发出信号，从而得知该组测试座540内的SIP芯片在老化测试中其外壳因高温而发生变形，并以此认定该组SIP芯片为残次品。

在进行老化测试时，首先将上加热环541与下加热条570与外部加热设备进行连通，通过外部加热设备工作并向上加热环541与下加热条570提供热风，再由各组第一加热口542和各组第二加热口571喷出。由于第一加热口542和第二加热口571均为倾斜设置，且输出端均朝向芯片基座550，因此热风会从不同高度、不同方位吹向SIP芯片，使得SIP芯片加热更加迅速，缩短了加热时间，提高了测试效率。

所述模拟升降单元300包括连接杆310。示例性的，如图8所示，所述连接杆310一端水平连接在外壳体100内壁上，且另一端安装有升降基座320，所述升降基座320为倾斜设置，且倾斜角度与顶料斜面580的倾斜角度相同。所述滑动滚球581与弧顶330和弧槽340均滚动贴合。所述升降基座320远离连接杆310一侧壁中心处沿其长度方向设置有弧顶330，所述弧顶330两侧对称连接有两组弧槽340。

当各组上压密封座450和各组测试座540相互贴合后，由于第一导电片551和第二导电片562均与导电基座590电性连接，因此无论SIP芯片是直插式还是贴片式，此时都会与导电基座590处于通路状态。然后启动各组接电单元600，使其与各组导电基座590电性连接。然后启动伺服电机200，通过伺服电机200带动各组测试座540以中心转杆510的中轴线为中心进行圆周运动，而在运动的过程中，每组测试座540底部的滑动滚球581会依次与弧顶330和弧槽340发生滚动贴合，并在贴合的过程中被顶起，使得测试座540和上压密封座450上升，在离开弧顶330和弧槽340后，上压密封座450和测试座540复位。从而在测试过程中模拟出颠簸环境。该测试不仅可以适用室内静止设备上SIP芯片的使用环境，同时还可适用于车辆、升降机等户外移动设备上的使用环境，使得测试结果更加贴近真实，从而提高了测试准确度和测试效果。

所述接电单元600的数量与第二铰接杆530的数量相同，所述接电单元600包括第二电动推杆610。示例性的，如图9所示，所述第二电动推杆610水平安装在中心转杆510上，且每组所述第二电动推杆610均位于其相应的一组第二铰接杆530正下方。所述第二电动推杆610与中心转杆510的结合处铰接有第三阻尼铰座，所述第三阻尼铰座内设有第三扭簧。所述第二电动推杆610输出端上设有升降板620，所述升降板620远离第二电动推杆610一侧壁上沿垂直方向开设有升降滑槽630，所述升降滑槽630内滑动连接有升降滑块，所述升降滑块上安装有第二弹簧，所述升降滑块一端延伸至升降滑槽630外部，且安装有接电片640。所述接电片640与导电基座590活动贴合，且贴合时两者电性连接。

启动第二电动推杆610，通过第二电动推杆610推动接电片640向远离中心转杆510一侧运动，直至其贴合在导电基座590底部，并与导电基座590建立电性连接。再将接电片640与外部的芯片性能测试设备建立电性连接。然后将芯片加热，在加热过程中对芯片的性能进行检测。若SIP芯片因加热而造成工作性能降低至标准阈值以下，则表示该组SIP芯片为残次品。每组第二电动推杆610和每组测试座540均为独立控制，使得装置可以对不同种类、不同测试条件的SIP芯片同时进行批量测试。

上述实施例具有以下有益效果：

1、在各组测试座540进行老化测试的同时，通过中心转杆510带动各组测试座540转动，并在转动过程中，每组测试座540上的滑动滚球581依次与弧顶330和弧槽340发生滚动贴合，在贴合过程中使得测试座540和上压密封座450上升。从而在测试过程中模拟出颠簸环境。该测试不仅可以适用室内静止设备上SIP芯片的使用环境，同时还可适用于车辆、升降机等户外移动设备上的使用环境，使得测试结果更加贴近真实，从而提高了测试准确度和测试效果。

2、每组测试座540和与其相应的一组上压密封座450之间均可构成独立腔体，并且每组第二电动推杆610也可独立控制，使得装置可以对不同种类、不同测试条件的SIP芯片同时进行批量测试。也可随意选择测试的数量，从而提高了装置的兼容性。

3、当上压密封座450和测试座540相互贴合后，解除第一电磁锁464和第二电磁锁472之间的磁性连接关系。使得两组压力传感器490保持静止。当SIP芯片在老化测试过程中其外壳发生变形时，抵压测试杆461带动升降块463上升或下降。当升降幅度过大时，便会与相应一组压力传感器490相抵触，从而得知该组SIP芯片外壳因高温而发生变形。使得装置在测试SIP芯片性能的同时还能对其物理结构的耐高温程度进行测试，在不延长测试时间的同时，还丰富了测试种类。

4、通过各组第一加热口542和各组第二加热口571喷出老化实验所需的热风，对SIP芯片进行加热。由于第一加热口542和第二加热口571均为倾斜设置，且输出端均朝向芯片基座550，因此热风会从不同高度、不同方位吹向SIP芯片，使得SIP芯片加热更加迅速，缩短了加热时间，提高了测试效率。

在上述一种封装成品缺陷批量测试工装的基础上，本发明实施例还提出了一种用于该测试工装的测试方法，示例性的，所述测试方法包括：

将批量SIP芯片依次放置在各组测试座的芯片基座上，根据每组SIP芯片的种类选择第一导电片或第二导电片与到电机座建立电性连接；

启动各组第二电动推杆，利用第二电动推杆推动各组接电片向远离中心转杆一侧水平移动，直至接电片贴合在导电基座底部，并与导电基座建立电性连接；

启动第一电动推杆，通过第一电动推杆带动各组上压密封座下降，直至各组上压密封座抵触在各自相应一组测试座顶部；

接触第一电磁锁和第二电磁锁的磁性连接关系；

向测试座与上压密封座构成的密封腔体内输送热风，将SIP芯片的环境温度加热至125℃±5℃；

启动伺服电机，通过伺服电机带动各组测试座以中心转杆的中轴心为中心进行圆周运动；

运动过程中，每组测试座上的滑动滚球依次与弧顶和弧槽发生滚动贴合，与弧顶滚动贴合时，测试座和上压密封座上升，与弧槽贴合时，测试座和上压密封座下降，以此模拟出颠簸环境；

当SIP芯片在老化测试过程中其外壳发生变形时，抵压测试杆带动升降块上升或下降。当升降幅度过大时，便会与相应一组压力传感器相抵触；

该组压力传感器内的通信模块发出信号，以此得到不合格产品。

在各组测试座转动过程中，其底部滑动滚球依次与弧顶和弧槽发生滚动贴合，与弧顶滚动贴合时，测试座和上压密封座上述，与弧槽贴合时，测试座和上压密封座下降，以此模拟出颠簸环境；使得测试结果更加贴近真实，从而提高了测试准确度。

尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (6)

1.一种封装成品缺陷批量测试工装，包括外壳体（100），所述外壳体（100）顶部中心处设有上压单元（400），所述上压单元（400）正下方设有测试单元（500），所述上压单元（400）与测试单元（500）活动抵触，其特征在于：所述测试单元（500）包括中心转杆（510），所述中心转杆（510）转动连接在外壳体（100）底部内壁中心处，所述中心转杆（510）四周呈环形阵列铰接有若干组测试座（540），所述测试座（540）远离中心转杆（510）的一侧壁底部边缘处开设有顶料斜面（580）；所述顶料斜面（580）上平均分布有若干组滑动滚球（581）；所述外壳体（100）内壁上设有模拟升降单元（300），所述模拟升降单元（300）包括升降基座（320）；所述升降基座（320）远离连接杆（310）一侧壁中心处设置有弧顶（330），所述弧顶（330）两侧对称连接有两组弧槽（340），每组所述滑动滚球（581）均与弧顶（330）和弧槽（340）滚动贴合；

所述上压单元（400）包括第一电动推杆（410）；所述第一电动推杆（410）垂直安装在外壳体（100）顶部内壁中心处，所述第一电动推杆（410）底部连接有转轴（420），所述转轴（420）外壁上转动套接有空心轴承座（430）；所述空心轴承座（430）侧壁上呈环形阵列分布有若干组第一阻尼铰座，所述第一阻尼铰座内设有第一扭簧；所述第一阻尼铰座上沿水平方向铰接有第一铰接杆（440），所述第一铰接杆（440）另一端安装有上压密封座（450）；

所述上压密封座（450）底部中心处开设有中心底槽（451），所述中心底槽（451）两侧对称开设有两组第一侧槽（452），所述第一侧槽（452）远离中心底槽（451）一侧连通有第二侧槽（454），所述第一侧槽（452）和第二侧槽（454）之间设有竖滑槽（453），所述竖滑槽（453）内滑动连接有滑块（471）；所述中心底槽（451）顶部内壁中心处设有第一弹簧（460），所述第一弹簧（460）底部设有抵压测试杆（461），所述抵压测试杆（461）底部延伸至中心底槽（451）外部；

所述抵压测试杆（461）两侧壁上对称设有两组水平延伸杆（462），所述水平延伸杆（462）另一端延伸至第一侧槽（452）内，且安装有升降块（463），所述升降块（463）另一端设有第一电磁锁（464）；

所述第二侧槽（454）内沿垂直方向转动连接有丝杆（470），所述滑块（471）一端螺纹连接在丝杆（470）上，所述滑块（471）另一端延伸至第一侧槽（452）内，且安装有第二电磁锁（472），所述第二电磁锁（472）与第一电磁锁（464）磁性连接；所述升降块（463）上下两端分别设有一组延长架（480），两组所述延长架（480）相对的两侧壁上对称设有两组压力传感器（490）；

所述测试座（540）底部内壁中心处设有芯片基座（550），将多组SIP芯片分别放置在各组芯片基座（550）上，各组上压密封座（450）和各组测试座（540）一一对应贴合；

在各组测试座（540）转动过程中，其底部滑动滚球（581）依次与弧顶（330）和弧槽（340）发生滚动贴合，与弧顶（330）滚动贴合时，测试座（540）和上压密封座（450）上升，与弧槽（340）贴合时，测试座（540）和上压密封座（450）下降，以此模拟出颠簸环境。

2.根据权利要求1所述的一种封装成品缺陷批量测试工装，其特征在于：所述外壳体（100）一侧壁上设有伺服电机（200），所述伺服电机（200）输出端延伸至外壳体（100）内，且传动连接有锥齿轮（210）；所述锥齿轮（210）一侧啮合连接有斜齿轮（220），所述斜齿轮（220）套接在中心转杆（510）上。

3.根据权利要求1所述的一种封装成品缺陷批量测试工装，其特征在于：所述芯片基座（550）上设有第一导电片（551）；所述芯片基座（550）两侧对称设有两组引脚基座（560），所述引脚基座（560）上沿水平方向等间距分布有若干组引脚槽（561），所述引脚槽（561）为倾斜设置，且所述引脚槽（561）远离芯片基座（550）一端的深度要大于另一端的深度；所述引脚槽（561）内设有第二导电片（562）；所述测试座（540）底部设有导电基座（590），所述导电基座（590）与每组第一导电片（551）和每组第二导电片（562）均电性连接。

4.根据权利要求3所述的一种封装成品缺陷批量测试工装，其特征在于：每组所述测试座（540）正下方均设有一组接电单元（600），所述接电单元（600）包括第二电动推杆（610）；所述第二电动推杆（610）水平安装在中心转杆（510）上，且每组所述第二电动推杆（610）均位于其相应的一组第二铰接杆（530）正下方；所述第二电动推杆（610）与中心转杆（510）的结合处铰接有第三阻尼铰座，所述第三阻尼铰座内设有第三扭簧。

5.根据权利要求4所述的一种封装成品缺陷批量测试工装，其特征在于：所述第二电动推杆（610）输出端上设有升降板（620），所述升降板（620）远离第二电动推杆（610）一侧壁上沿垂直方向开设有升降滑槽（630），所述升降滑槽（630）内滑动连接有升降滑块，所述升降滑块上安装有第二弹簧，所述升降滑块一端延伸至升降滑槽（630）外部，且安装有接电片（640）；所述接电片（640）与导电基座（590）活动贴合，且贴合时两者电性连接。

6.一种采用权利要求1-5任一项所述的封装成品缺陷批量测试工装的测试方法，其特征在于：所述测试方法包括：

将批量SIP芯片依次放置在各组测试座上，并与外部芯片的性能测试设备建立电性连接；

控制上压单元下降，直至其抵触在各组测试座顶部，并形成各组独立的测试腔体；

向测试座的密封腔体内输送热风，将SIP芯片的环境温度加热至125℃±5℃；

控制中心转杆转动，使得各组测试座以中心转杆的中轴心为中心进行圆周运动；

运动过程中，每组测试座上的滑动滚球依次与弧顶和弧槽发生滚动贴合，与弧顶滚动贴合时，测试座和上压密封座上升，与弧槽贴合时，测试座和上压密封座下降，以此模拟出颠簸环境。