CN116938277B - 一种多通道射频前端及复合基板 - Google Patents
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 173
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims abstract description 33
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 38
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 15
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 15
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
- H01L2223/6611—Wire connections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6683—High-frequency adaptations for monolithic microwave integrated circuit [MMIC]
Abstract
本申请涉及一种多通道射频前端及复合基板，一种多通道射频前端包括复合板，复合板上设置有自检单元、功分单元和射频通道，自检单元、发射通道和部分接收通道设置于复合板的一侧，功分单元和剩余接收通道设置于复合板的另一侧，复合板上设置有用于连接多个射频通道的连接组件；复合板的两侧分别开设有第一腔体和第二腔体，第一腔体和第二腔体内分别设置有用于组成射频通道的裸芯片，第一腔体的两侧分别设置有与裸芯片连接的若干第一连接线，第二腔体的两侧分别设置有与裸芯片连接的若干第二连接线；裸芯片之间经所述复合板上的信号过孔垂直互连。本申请具有提高电路的集成密度且降低生产成本的效果。
Description
技术领域
本申请涉及射频前端的技术领域，尤其是涉及一种多通道射频前端及复合基板。
背景技术
随着现代电子技术的发展，电子系统的功能越来越复杂，而电子设备的体积却越来越小。射频系统作为电子系统的重要组成部分，提高射频系统的集成密度是实现电子系统小型化的重要途径。
目前，射频电路集成技术已先后经历了分立式板级集成、MCM混合集成和封装集成；其中，分立式板级集成技术使用分立式晶体管搭建电路，电路面积尺寸较大，集成密度低；MCM混合集成技术使用厚、薄膜工艺制作电路复合板，将裸芯片或封装器件组装于复合板上，并采用金线或再流焊工艺进行电气性能互连；封装集成技术通常使用多层复合板电路，将芯片组装于复合板上，最后将围框和盖板组装至复合板上，但集成工艺复杂，研制成本高，研制周期长。
用传统混合集成技术的组件（传统射频组件）横截面的垂直方向通常分为两个电路功能区，射频功能区主要完成射频芯片及其复合板电路的组装，主要采用微组装工艺；而非射频功能区主要完成控制、电源等器件组装，主要采用回流焊SMT工艺。两个电路功能区由结构体隔离，并通过玻璃绝缘子进行电气互连。传统射频组件射频器件在同一平面完成组装，且需要绝缘子完成两个功能区的电气互连，产品的尺寸较大，电路集成密度不高。
发明内容
为了提高电路的集成密度且降低生产成本，本申请提供一种多通道射频前端及复合基板。
第一方面，本申请提供一种多通道射频前端，采用如下的技术方案：
一种多通道射频前端，包括复合板，所述复合板上设置有自检单元、功分单元和射频通道，所述射频通道包括发射通道和多个接收通道，所述自检单元、发射通道和部分接收通道设置于复合板的一侧，所述功分单元和剩余接收通道设置于复合板的另一侧，所述复合板上设置有用于连接多个射频通道的连接组件；
所述复合板的两侧分别开设有第一腔体和第二腔体，所述第一腔体和第二腔体内分别设置有用于组成射频通道的裸芯片，所述第一腔体的两侧分别设置有与裸芯片连接的若干第一连接线，所述第二腔体的两侧分别设置有与裸芯片连接的若干第二连接线；
所述裸芯片之间经所述复合板上的信号过孔垂直互连，其中，所述裸芯片包括限幅器芯片、放大器芯片、开关滤波芯片或数控衰减器芯片。
进一步地，所述连接组件包括多个射频连接器和转接板，所述射频通道之间通过射频连接器连接，且所述射频连接器通过转接板固定在所述复合板的两侧。
进一步地，所述复合板上设置有七个接收通道，其中三个所述接收通道与发射通道设置于复合板的一侧，剩余四个所述接收通道与功分单元设置于复合板的另一侧；且位于所述复合板两侧的射频通道交叉设置。
进一步地，所述复合板上的两侧均设置有多个射频贴装器件，所述射频贴装器件设置于第一腔体远离射频连接器的一侧。
进一步地，所述复合板的一侧设置有第一盖板，所述第一盖板上设置有与复合板固定连接的第一固定件，所述第一盖板用于将设置有自检单元、发射通道和三个接收通道的复合板的一侧封闭；所述第一盖板上设置有结构支撑，所述结构支撑远离第一盖板的一侧设置有第二盖板，所述第二盖板通过第一固定件与复合板固定连接，所述第二盖板用于将设置有功分单元和四个接收通道的复合板的一侧封闭。
进一步地，所述复合板上设置有多个联排绝缘子，所述复合板上设置有用于连接联排绝缘子的第三连接线，所述第二盖板上设置有供联排绝缘子穿设的安装槽，所述联排绝缘子穿设出安装槽的一侧用于供复合板进行二次集成。
进一步地，所述复合板上设置有隔离墙，所述隔离墙上设置有与复合板固定连接的第二固定件，所述隔离墙用于对射频通道之间进行电磁屏蔽。
进一步地，所述复合板由多层板体组成，多层所述板体上均开设有多个信号过孔，所述信号过孔用于供信号传输。
进一步地，多层所述板体设置为对称层叠结构。
第二方面，本申请提供一种复合基板，采用如下的技术方案：包括母板板体和如第一方面的一种多通道射频前端，所述母板板体上设置有用于将多通道射频前端固定在母板板体上的第三固定件，且所述母板板体上开设有供联排绝缘子穿设的通槽，所述联排绝缘子焊接于母板板体上。
综上所述，本申请具有以下有益技术效果：在对射频电路进行集成时，通过将自检单元、发射通道和部分接收通道设置于复合板的一侧，将功分单元和剩余接收通道设置于复合板的另一侧，并通过连接组件将多个射频通道连接，以在复合板两侧实现多通道分布；在复合板两侧分别开设有第一腔体和第二腔体，在第一腔体和第二腔体内放置有用于组成射频通道的裸芯片，包括限幅器芯片、放大器芯片、开关滤波芯片或数控衰减器芯片；且第一腔体通过第一连接线连接裸芯片，第二腔体通过第二连接线连接裸芯片，裸芯片之间经复合板上的信号过孔垂直互联，以在复合板两侧实现多芯片连接；从而增加在复合板上的多通道多芯片的射频电路集成密度，并且采用立体组装的混合集成技术，延续了混合集成的优点，且使用该技术对多通道多芯片的射频电路进行集成，工艺成熟度高，研制成本低，从而降低生产成本。
附图说明
图1是本申请实施例一种多通道射频前端的部分结构示意图，主要用于表示复合板一侧的剖面结构；
图2是本申请实施例一种多通道射频前端的部分结构示意图，主要用于表示复合板另一侧的剖面结构；
图3是本申请实施例一种多通道射频前端的部分结构示意图，主要用于表示发射通道与接收通道之间的位置关系；
图4是本申请实施例一种多通道射频前端的部分结构示意图，主要用于表示复合板的侧视层结构剖面图；
图5是本申请实施例一种多通道射频前端的部分结构示意图，主要用于表示第一盖板和第二盖板结构的部分剖面图；
图6是本申请实施例一种多通道射频前端的A部分结构放大图，主要用于表示射频连接器的结构；
图7是本申请实施例一种复合基板的部分结构示意图，主要用于表示复合基板的结构。
附图标记说明：1、多通道射频前端；11、自检单元；12、功分单元；13、射频通道；131、发射通道；132、接收通道；133、第一接收通道；134、第二接收通道；135、第三接收通道；136、第四接收通道；137、第五接收通道；138、第六接收通道；139、第七接收通道；14、第一腔体；141、第二腔体；142、第一信号过孔；143、第二信号过孔；144、第三信号过孔；145、第四信号过孔；146、第五信号过孔；15、裸芯片；16、复合板；2、第一盖板；21、第一螺栓；22、结构支撑；23、第二螺栓；24、隔离墙；25、第二盖板；251、安装槽；26、联排绝缘子；27、第三盖板；28、第四盖板；3、射频连接器；31、转接板；32、金带；33、射频贴装器件；4、母板板体；41、第三螺栓；42、通槽；43、漆包线。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图1-7及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
实施例一：
本申请实施例公开一种多通道射频前端。
参照图1、图2和图3，一种多通道射频前端包括复合板16，复合板16上设置有自检单元11、功分单元12和射频通道13，射频通道13包括发射通道131和七个接收通道132，自检单元11、发射通道131和三个接收通道132设置于复合板16的一侧，功分单元12和四个接收通道132设置于复合板16的另一侧；且位于复合板16两侧的相邻射频通道13交叉设置。
具体地，自检单元11设置在复合板16一侧，用于为接收通道132提供自检信号；功分单元12由多个功分器组成，分别位于复合板16的两侧，用于自检信号的功率分配；接收通道132包括第一接收通道133、第二接收通道134、第三接收通道135、第四接收通道136、第五接收通道137、第六接收通道138和第七接收通道139，在复合板16的一侧，按照发射通道131、第七接收通道139、第六接收通道138和第五接收通道137的顺序排列，在复合板16的另一侧，按照第一接收通道133、第二接收通道134、第三接收通道135和第四接收通道136的顺序排列；其中，位于复合板16两侧的射频通道13交叉设置，即是说第一接收通道133位于发射通道131与第七接收通道139之间，第二接收通道134位于第七接收通道139与第六接收通道138之间，第三接收通道135位于第六接收通道138与第五接收通道137之间，第四接收通道136位于第五接收通道137原理第六接收通道138的一侧。
进一步地，发射通道131和自检单元11设置于第七接收通道139远离第六接收通道138的一侧。
上述实施方式中，通过将包括发射通道131和七个接收通道132分别设置在复合板16的两侧，并且通过将复合板16两侧相邻的射频通道13交叉设置，以实现复合板16的高密度集成。
参照图5和图6，复合板16的一侧设置有第一盖板2，第一盖板2上设置有与复合板16固定连接的第一固定件，第一盖板2用于将设置有自检单元11、发射通道131和三个接收通道132的复合板16的一侧封闭，并实现隔离墙24、复合板16与结构支撑22三者的固定；第一盖板2上设置有结构支撑22，结构支撑22远离第一盖板2的一侧设置有第二盖板25，第二盖板25通过第一固定件与复合板16固定连接，第二盖板25用于将设置有功分单元12和四个接收通道132的复合板16的一侧封闭；复合板16两侧均设置有隔离墙24，隔离墙24上设置有与复合板16固定连接的第二固定件。
作为隔离墙24的一种实施方式，复合板16的一侧设置有分离式隔离墙24，复合板16另外一侧设置有一体式隔离墙24，一体式隔离墙24与结构支撑22一体化设计，隔离墙24用于对射频通道13之间进行电磁屏蔽。
具体地，结构支撑22用于固定复合板16，且在本申请实施例中，第一固定件包括第一螺栓21，第一盖板2上开设有供第一螺栓21穿过的第一通孔，隔离墙24上开设有用于供第一螺栓21穿过的第一螺纹孔，第一螺栓21与第一螺纹孔相适配，第一螺栓21穿设于第一通孔与隔离墙24螺纹连接；第二固定件包括第二螺栓23，隔离墙24上开始有供第二螺栓23穿过的第二通孔，复合板16上开设有供第二螺栓23穿过的第二螺纹孔，第二螺栓23与第二螺纹孔相适配，第二螺栓23穿设于第二通孔与复合板16螺纹连接，且结构支撑22上开设有供第二螺栓23穿过的第三螺纹孔，第二螺栓23与第三螺纹孔相适配，第二螺栓23穿设于第二通孔和第三螺纹孔与结构支撑22螺纹连接；第二盖板25上开设有供第一螺栓21穿过的第三通孔，结构支撑22上开设有供第一螺栓21穿过的第四螺纹孔，第一螺栓21与第四螺纹孔相适配，第一螺栓21穿设于第三通孔与结构支撑22螺纹连接。
上述实施方式中，通过第一螺栓21将第二盖板25固定在结构支撑22上，且还通过第一螺栓21将第一盖板2固定在隔离墙24上，通过第二螺栓23将隔离墙24、复合板16和结构支撑22固定连接，并且通过第一盖板2将设置有自检单元11、发射通道131和三个接收通道132的复合板16的一侧封闭，第二盖板25将设置有功分单元12和四个接收通道132的复合板16的一侧封闭，从而将复合板16封装在第一盖板2、结构支撑22和第二盖板25之间；通过隔离墙24设置在各个射频通道13之间，在一定程度上能够完成复合板16两侧上的射频通道13之间的电磁屏蔽。
作为复合板16的一种实施方式，第一盖板2和第二盖板25上均设置有第三盖板27，第一盖板2上的第三盖板27位于第一盖板2远离结构支撑22的一侧，第二盖板25上的第三盖板27位于第二盖板25远离结构支撑22的一侧，第三盖板27采用激光封焊与结构支撑22固定，第三盖板27外还设置有第四盖板28，第三盖板27以及第四盖板28均是激光封盖盖板，以实现复合板16的气密。
参照图5和图6，复合板16上设置有用于连接多个射频通道13的连接组件，连接组件包括多个射频连接器3和转接板31，射频通道13之间通过射频连接器3连接，且射频连接器3通过转接板31固定在所述复合板16的两侧。
具体地，射频连接器3设置为SMP连接器，转接板31上设置有过渡传输线，转接板31粘结至复合板16两侧的结构支撑22上，且射频连接器3与转接板31粘接；转接板31通过金带32与复合板16连接。
上述实施方式中，通过射频连接器3使各个射频通道13之间连接，便于信号传输，并且，通过将转接板31粘结至结构支撑22上，可以使转接板31更加稳固地固定在结构支撑22上；且射频连接器3与射频通道13一一对应，即是说，射频连接器3设置有八个，其中四个射频连接器3设置于复合板16的一端，剩余四个连接器设置与复合板16的另一端，且复合板16两侧的射频连接器3之间亦交叉分布。
参照图4，复合板16由多层板体组成，多层板体上均开设有多个信号过孔，信号过孔用于供信号传输，多层板体设置为对称层叠结构；裸芯片15之间经复合板16上的信号过孔垂直互连。
具体地，复合板16由12层板体组成，每一层板体即一个电路层结构，并且12层板体采用对称层叠结构，即是说，第1层板体对应第12层板体，第2层板体对应第11层板体，第3层板体对应第10层板体，第4层板体对应第9层板体，第5层板体对应第8层板体，第6层板体对应第7层板体；并且，第1-3层板体、第10-12层板体之间的介质材料采用高频材料，第2-3层板体、第10-11层板体之间材料的CTE与GaAs材料的CTE接近，其中，第1、3、10、12层板体上的电路完成射频信号水平方向的互连，第5-8层板体上的电路完成控制、电源信号的互连。VIA1-3完成第1-3层板体上的电路射频信号的垂直互连，VIA10-12完成第10-13层板体上的电路射频信号的垂直互连。
进一步地，第1-3层板体上开设有第一信号过孔142，第10-12层板体上开设有第二信号过孔143，第一信号过孔142与第二信号过孔143的开设位置相对；第1-6层板体上开设有第三信号过孔144，第7-12层板体上开设有第四信号过孔145，第三信号过孔144与第四信号过孔145的开设位置相对；第1-12层板体上开设有第五信号过孔146，从而使裸芯片15之间经复合板16上的信号过孔垂直互连。
参照图5和图6，复合板16的两侧分别开设有第一腔体14和第二腔体141，第一腔体14和第二腔体141内分别设置有用于组成射频通道13的裸芯片15，第一腔体14的两侧分别设置有与裸芯片15连接的若干第一连接线，第二腔体141的两侧分别设置有与裸芯片15连接的若干第二连接线；其中，裸芯片15包括限幅器芯片、放大器芯片、开关滤波芯片或数控衰减器芯片。
具体地，在第1-2层板体上开设有第一腔体14，在第11-12层板体上开设有第二腔体141，且在第2、11层板体上的电路上装配裸芯片15，裸芯片15用于组成射频通道13的基础，包括用于限幅的限幅器芯片、用于放大信号的放大器芯片、用于滤波的开关滤波芯片或数控衰减器芯片中的其中一种；第一连接线包括第一腔体14内的金丝，复合板16通过第一腔体14内的金丝与第一腔体14内的裸芯片15的引脚连接；第二连接线包括第二腔体141内的金丝，复合板16通过第二腔体141内的金丝与第二腔体141内的裸芯片15的引脚连接。
上述实施方式中，其中发射通道131内包括放大器芯片和数控衰减器芯片，接收通道132内包括限幅器芯片、放大器芯片、开关滤波芯片和数控衰减器芯片，通过金丝将裸芯片15设置于第一腔体14或第二腔体141内，以实现射频通道13的集成。
参照图5和图6，复合板16上的两侧均设置有多个射频贴装器件33，射频贴装器件33设置于第一腔体14远离射频连接器3的一侧。
具体地，射频贴装器件33包括用于向射频通道13供电的滤波贴片电容器和电感器，并将射频贴装器件33贴装至第一腔体14远离射频连接器3的一侧，在一定程度上提高了复合板16的电路集成密度。
参照图5和图6，复合板16上设置有多个联排绝缘子26，复合板16上设置有用于连接联排绝缘子26的第三连接线，第二盖板25上设置有供联排绝缘子26穿设的安装槽251，联排绝缘子26穿设出安装槽251的一侧用于供复合板16进行二次集成。
具体地，复合板16靠近第二盖板25的一侧设置有4个联排绝缘子26，4个联排绝缘子26在同一水平线上，且其中一联排绝缘子26设置于第一接收通道133远离第二接收通道134的一侧，其中两联排绝缘子26设置于第一接收通道133和第二接收通道134之间，剩余一联排绝缘子26设置于第三接收通道135和第四接收通道136之间，第三连接线包括金带32，联排绝缘子26设置与安装槽251内，联排绝缘子26的两端均与金带32连接，金带32远离绝缘联排子的一侧与复合板16连接。
上述实施方式中，本申请实施例采用了高密度对外低频接口，即是说4个小型化联排绝缘子26，实现封装集成的安装方式，可供复合板16进行二次集成，提高产品的可拓展性。
本申请实施例一种多通道射频前端的实施原理为：在对射频电路进行集成时，通过将复合板16先固定在结构支撑22上，之后通过将自检单元11、发射通道131和三个接收通道132设置于复合板16的一侧，将功分单元12和剩余四个接收通道132设置于复合板16的另一侧，通过将复合板16两侧相邻的射频通道13交叉设置，以实现复合板16的高密度集成；射频通道13之间通过射频连接器3连接，转接板31粘结至复合板16两侧的结构支撑22上，且射频连接器3与转接板31粘结；转接板31通过金带32与复合板16连接，将多个射频通道13连接，以在复合板16两侧实现多通道分布。
并且，在复合板16两侧分别开设有第一腔体14和第二腔体141，在第一腔体14和第二腔体141内放置有用于组成射频通道13的裸芯片15，包括限幅器芯片、放大器芯片、开关滤波芯片或数控衰减器芯片；且第一腔体14通过第一连接线连接裸芯片15，第二腔体141通过第二连接线连接裸芯片15，裸芯片15之间经复合板16上的信号过孔垂直互联，以在复合板16两侧实现多芯片连接；从而增加在复合板16上的多通道多芯片的射频电路集成密度，并且采用立体组装的混合集成技术，延续了混合集成的优点，且使用该技术对多通道多芯片的射频电路进行集成，工艺成熟度高，研制成本低，从而降低生产成本。
实施例二：
本申请实施例公开一种复合基板。
参照图5和图7，一种复合基板包括母板板体4和如实施例一的一种多通道射频前端，母板板体4上设置有用于将多通道射频前端1固定在母板板体4上的第三固定件，且母板板体4上开设有供联排绝缘子26穿设的通槽42，联排绝缘子26焊接于母板板体4上。
具体地，第三固定件包括第三螺栓41，母板板体4上开设有供第三螺栓41穿过的第四通孔，第二盖板25上开设有供第三螺栓41穿过的第五螺纹孔，第三螺栓41与第五螺纹孔相适配，第三螺栓41穿设于第四通孔与第二盖板25螺纹连接；并且联排绝缘子26通过漆包线43焊接于母板板体4上。母板板体4可以是PCB板。
本申请实施例一种复合基板的实施原理为：通过第三螺栓41将多通道射频前端1固定在母板板体4上，并且通过母板板体4上开设有供联排绝缘子26穿设的通槽42，形成了高密度低频对外接口，可供复合板16进行二次集成，提高产品的可拓展性。
综上，在对射频电路进行集成时，将复合板16固定在复合板16上，之后在第1-2层板体上开设有第一腔体14，在第11-12层板体上开设有第二腔体141，且在第2、11层板体上的电路上装配裸芯片15，裸芯片15用于组成射频通道13的基础，包括用于限幅的限幅器芯片、用于放大信号的放大器芯片、用于滤波的开关滤波芯片或数控衰减器芯片中的其中一种；复合板16通过第一腔体14内的金丝与第一腔体14内的裸芯片15的引脚连接；第二连接线包括第二腔体141内的金丝，复合板16通过第二腔体141内的金丝与第二腔体141内的裸芯片15的引脚连接，以按照发射通道131、第七接收通道139、第六接收通道138和第五接收通道137的顺序排列在复合板16的一侧，按照第一接收通道133、第二接收通道134、第三接收通道135和第四接收通道136的顺序排列在复合板16的另一侧，并且位于复合板16两侧的射频通道13交叉设置，且裸芯片15之间经复合板16上的信号过孔垂直互连。
之后，通过射频连接器3使各个射频通道13之间连接，便于信号传输，并且，通过将转接板31粘结至结构支撑22上，可以使转接板31更加稳固地固定在结构支撑22上；并将射频贴装器件33贴装至第一腔体14远离射频连接器3的一侧，以及在复合板16上设置有4个联排绝缘子26，且其中一联排绝缘子26设置于第一接收通道133远离第二接收通道134的一侧，其中两联排绝缘子26设置于第一接收通道133和第二接收通道134之间，剩余一联排绝缘子26设置于第三接收通道135和第四接收通道136之间，通过金带32将联排绝缘子26与复合板16连接，采用了高密度对外低频接口，即是说4个小型化联排绝缘子26，以实现封装集成的安装方式，可供复合板16进行二次集成，提高产品的可拓展性。
并且，通过第一螺栓21将第二盖板25固定在结构支撑22上，且还通过第一螺栓21将第一盖板2固定在隔离墙24上，通过第二螺栓23将隔离墙24、复合板16和结构支撑22固定连接，并且通过第一盖板2将设置有自检单元11、发射通道131和三个接收通道132的复合板16的一侧封闭，第二盖板25将设置有功分单元12和四个接收通道132的复合板16的一侧封闭，从而将复合板16封装在第一盖板2、结构支撑22和第二盖板25之间；并且通过隔离墙24的设置，实现了复合板16两侧上的射频通道13之间的电磁屏蔽；从而增加在复合板16上的多通道多芯片的射频电路集成密度，并且采用立体组装的混合集成技术，延续了混合集成的优点，且使用该技术对多通道多芯片的射频电路进行集成，工艺成熟度高，研制成本低，从而降低生产成本。
需要说明的是，在上述实施例中，对各个实施例的描述各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上均为本申请的较佳实施例，并非依此限制本申请的保护范围，本说明书（包括摘要和附图）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或者具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
Claims (8)
1.一种多通道射频前端，其特征在于：包括复合板(16)，所述复合板(16)上设置有自检单元(11)、功分单元(12)和射频通道(13)，所述射频通道(13)包括发射通道(131)和多个接收通道(132)，所述自检单元(11)、发射通道(131)和部分接收通道(132)设置于复合板(16)的一侧，所述功分单元(12)和剩余接收通道(132)设置于复合板(16)的另一侧，所述复合板(16)上设置有用于连接多个射频通道(13)的连接组件；所述连接组件包括多个射频连接器(3)和转接板(31)，所述射频连接器(3)通过转接板(31)固定在所述复合板(16)的两侧，且复合板(16)两侧的射频连接器(3)之间交叉分布；其中，射频连接器(3)设置为SMP连接器；
所述复合板(16)上设置有七个接收通道(132)，其中三个所述接收通道(132)与发射通道(131)设置于复合板(16)的一侧，剩余四个所述接收通道(132)与功分单元(12)设置于复合板(16)的另一侧；且位于所述复合板(16)两侧的射频通道(13)交叉设置；
所述复合板(16)的两侧分别开设有第一腔体(14)和第二腔体(141)，所述第一腔体(14)和第二腔体(141)内分别设置有用于组成射频通道(13)的裸芯片(15)，所述第一腔体(14)的两侧分别设置有与裸芯片(15)连接的若干第一连接线，所述第二腔体(141)的两侧分别设置有与裸芯片(15)连接的若干第二连接线；
所述复合板(16)由多层板体组成，多层所述板体上均开设有多个信号过孔，所述信号过孔用于供信号传输；其中，第5-8层板体上的电路完成控制、电源信号的互连；第1-3层板体上开设有第一信号过孔(142)，完成第1-3层板体上的电路射频信号的垂直互连，第10-12层板体上开设有第二信号过孔(143)，完成第10-13层板体上的电路射频信号的垂直互连；
所述裸芯片(15)之间经所述复合板(16)上的信号过孔垂直互连，第112层板体上开设有第五信号过孔(146)，使裸芯片(15)之间经复合板(16)上的信号过孔垂直互连；其中，所述裸芯片(15)包括限幅器芯片、放大器芯片、开关滤波芯片或数控衰减器芯片。
2.根据权利要求1所述的一种多通道射频前端，其特征在于：所述射频通道(13)之间通过射频连接器(3)连接。
3.根据权利要求2所述的一种多通道射频前端，其特征在于：所述复合板(16)上的两侧均设置有多个射频贴装器件(33)，所述射频贴装器件(33)设置于第一腔体(14)远离射频连接器(3)的一侧。
4.根据权利要求3所述的一种多通道射频前端，其特征在于：所述复合板(16)的一侧设置有第一盖板(2)，所述第一盖板(2)上设置有与复合板(16)固定连接的第一固定件，所述第一盖板(2)用于将设置有自检单元(11)、发射通道(131)和三个接收通道(132)的复合板(16)的一侧封闭；所述第一盖板(2)上设置有结构支撑(22)，所述结构支撑(22)远离第一盖板(2)的一侧设置有第二盖板(25)，所述第二盖板(25)通过第一固定件与复合板(16)固定连接，所述第二盖板(25)用于将设置有功分单元(12)和四个接收通道(132)的复合板(16)的一侧封闭。
5.根据权利要求4所述的一种多通道射频前端，其特征在于：所述复合板(16)上设置有多个联排绝缘子(26)，所述复合板(16)上设置有用于连接联排绝缘子(26)的第三连接线，所述第二盖板(25)上设置有供联排绝缘子(26)穿设的安装槽(251)，所述联排绝缘子(26)穿设出安装槽(251)的一侧用于供复合板(16)进行二次集成。
6.根据权利要求3所述的一种多通道射频前端，其特征在于：所述复合板(16)上设置有隔离墙(24)，所述隔离墙(24)上设置有与复合板(16)固定连接的第二固定件，所述隔离墙(24)用于对射频通道(13)之间进行电磁屏蔽。
7.根据权利要求6所述的一种多通道射频前端，其特征在于：多层所述板体设置为对称层叠结构。
8.一种复合基板，其特征在于：包括母板板体(4)和如权利要求1-7任一项所述的一种多通道射频前端，所述母板板体(4)上设置有用于将多通道射频前端(1)固定在母板板体(4)上的第三固定件，且所述母板板体(4)上开设有供联排绝缘子(26)穿设的通槽(42)，所述联排绝缘子(26)焊接于母板板体(4)上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311188194.8A CN116938277B (zh) | 2023-09-15 | 2023-09-15 | 一种多通道射频前端及复合基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311188194.8A CN116938277B (zh) | 2023-09-15 | 2023-09-15 | 一种多通道射频前端及复合基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116938277A CN116938277A (zh) | 2023-10-24 |
| CN116938277B true CN116938277B (zh) | 2023-12-15 |
Family
ID=88386400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311188194.8A Active CN116938277B (zh) | 2023-09-15 | 2023-09-15 | 一种多通道射频前端及复合基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116938277B (zh) |
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| CN116938277A (zh) | 2023-10-24 |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant |