CN116938212A - 一种复位电路和雾化装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种复位电路和雾化装置，复位电路包括三极管结构和电平复位结构，其通过三极管结构响应输入的电源信号进行导通开启，以此驱动PMOS管进行导通，进而驱动高电平切换结构或低电平切换结构，沿复位输出端口输出对应的高电平复位信号或低电平复位信号，从而实现通过电源插入即可完成设备复位，减少机械按键的设置，简化相关装置的外部结构，进而增加产品结构的设计灵活度，提高使用便利度。同时雾化装置通过装载该复位电路并完成相关设置后，能够相应电源信号对其进行复位，在保留充电功能的同时实现装置复位，简化装置外部结构，提高使用便利度。

Description

一种复位电路和雾化装置
技术领域
本发明涉及硬件复位技术领域，尤其涉及一种复位电路和雾化装置。
背景技术
随着电子技术的快速发展，便携式电子产品的种类日益繁多，例如手机、平板电脑、电子烟等，给人们的日常生活带来了极大的便利。目前的电子产品，在使用过程中经常会由于其系统软件运行崩溃或操作不当等原因而导致产品出现死机的问题，继而造成产品无法正常工作，必须执行重启或复位等操作。
现有复位的手段通常有两种：一种是断电复位，通过拆除电池或连接电源等方式进行系统复位；另一种是在产品所搭载的系统中设计专门的电路，通过机械按键触发产生复位信号进行内部处理器的重启，如图1所示。
对于用户操作而言，设计复位电路的方式往往更为便捷，但现有的结构通常是通过在产品上增加按键的方式实现。而现如今随着科技不断发展，产品通常是往小型化、高性能、多功能化的角度发展，因此上述方案在设计产品时仍需要预留专用位置进行手动复位，占用结构空间且影响产品整体设计，导致使用便利性降低。
发明内容
本发明提供了一种复位电路和雾化装置，解决了现有方案在设计产品时仍需要预留专用位置进行手动复位，占用结构空间且影响产品整体设计，导致使用便利性降低的技术问题。
本发明提供的一种复位电路，包括依次连接的电源输入端口、三极管结构、电平复位结构和复位输出端口；
所述三极管结构，用于响应从所述电源输入端口输入的电源信号切换为导通状态；
所述电平复位结构，用于当所述三极管结构处于导通状态时，在预设时段内导通，并沿所述复位输出端口输出复位信号。
可选地，所述三极管结构包括三极管、第一电阻、第三电阻和第五电阻；
所述三极管的集电极分别连接所述第一电阻的第一端和所述电平复位结构，所述第一电阻的第二端连接至预设电源；
所述三极管的基极分别连接所述第三电阻的第一端和所述第五电阻的第一端；
所述第三电阻的第二端连接至所述电源输入端口，所述第五电阻的第二端连接至所述三极管的发射极接地。
可选地，所述电平复位结构包括PMOS管结构和电平切换结构。
可选地，所述PMOS管结构包括PMOS管、第一电容和第二电阻；
所述PMOS管的源极分别连接至预设电源和所述第二电阻的第一端；
所述第二电阻的第二端连接至所述PMOS管的栅极；
所述第一电容的第一端连接所述三极管结构，第二端连接所述PMOS管的栅极；
所述PMOS管的漏极连接至所述电平切换结构。
可选地，所述电平切换结构包括高电平切换结构和低电平切换结构。
可选地，所述高电平切换结构包括第二电容和第四电阻；
所述第二电容的一端与所述第四电阻的一端连接在PMOS结构与所述电平输出端口之间，另一端接地。
可选地，所述低电平切换结构包括第二电容、第四电阻、第六电阻、第七电阻和NMOS管；
所述NMOS管的源极分别连接第二电容的第一端、第七电阻的第一端和地；
所述第七电阻的第二端分别连接所述NMOS管的栅极和所述第四电阻的第一端，所述第四电阻的第二端连接至所述第二电容的第二端；
所述NMOS管的漏极连接所述复位输出端口与所述第六电阻的第一端，所述第六电阻的第二端连接预设电源。
可选地，所述三极管结构、所述PMOS管结构和所述电平输复位结构内的电阻为固定电阻或可变电阻。
可选地，所述PMOS管结构或所述电平复位结构内的电容为瓷介电容、聚丙烯电容或安规电容。
本发明还提供了一种雾化装置，包括装置本体和如上述任一项所述的复位电路；
所述装置本体设置有处理器与充电接口；
所述处理器连接所述复位输出端口，用于响应所述复位输出端口输出的复位信号进行复位；
所述充电接口连接至所述电源输入端口，用于接收电源适配器的接头插入后所传输的电源信号。
从以上技术方案可以看出，本发明具有以下优点：
本发明提供了一种复位电路，其包括三极管结构和电平复位结构，其通过三极管结构响应输入的电源信号进行导通开启，以此驱动PMOS管进行导通，进而驱动高电平切换结构或低电平切换结构，沿复位输出端口输出对应的高电平复位信号或低电平复位信号，从而实现通过电源插入即可完成设备复位，减少机械按键的设置，简化相关装置的外部结构，进而增加产品结构的设计灵活度，提高使用便利度。同时还提供了一种雾化装置，通过装载该复位电路并完成相关设置后，能够相应电源信号对其进行复位，在保留充电功能的同时实现装置复位，简化装置外部结构，提高使用便利度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为传统的硬件单片机复位电路示意图；
图2为本发明实施例提供的一种复位电路的结构框图；
图3为本发明实施例中高电平切换结构的复位电路示意图；
图4为本发明实施例中低电平切换结构的复位电路示意图；
图5为本发明实施例的一种雾化装置的结构框图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种复位电路和雾化装置，用于解决方案在设计产品时仍需要预留专用位置进行手动复位，占用结构空间且影响产品整体设计，导致使用便利性降低的技术问题。
为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图2，图2为本发明实施例提供的一种复位电路的结构框图。
本发明提供的一种复位电路，包括依次连接的电源输入端口VCHG_IN、三极管结构21、电平复位结构22和复位输出端口RESET；
三极管结构21，用于响应从电源输入端口VCHG_IN输入的电源信号切换为导通状态；
电平复位结构22，用于当三极管结构21处于导通状态时，在预设时段内导通，并沿复位输出端口RESET输出复位信号。
在本发明实施例中，电源输入端口VCHG_IN、三极管结构21、电平复位结构22和复位输出端口RESET依次连接，从电源输入端口VCHG_IN接收来自外界的电源信号，例如经充电器稳压转换后的市电，通过电源信号的输入使得三极管结构21内的三极管Q2基极和发射极之间的PN结发生正向偏置，三极管Q2切换至导通状态，电流从集电极沿发射极输出接地。
与此同时，当三极管结构21处于导通状态时，电平复位状态内的MOS管同样也会在预设时段内被导通，此时复位输出端口RESET的复位信号输出，使得复位输出端口RESET所连接的设备或处理器被复位。
需要说明的是，本实施例中的三极管结构21包括三极管Q2以及其驱动所需要的电阻，三极管Q2指的是半导体三极管Q2，也称双极型晶体管、晶体三极管Q2，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管Q2是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管Q2是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，在本实施例中为NPN型三极管Q2。
MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。按沟道分类，场效应管分为PMOS管Q1(P沟道型)和NMOS(N沟道型)管。
可选地，三极管结构21包括三极管Q2、第一电阻R1、第三电阻R3和第五电阻R5；
三极管Q2的集电极分别连接第一电阻R1的第一端和电平复位结构22，第一电阻R1的第二端连接至预设电源；
三极管Q2的基极分别连接第三电阻R3的第一端和第五电阻R5的第一端；
第三电阻R3的第二端连接至电源输入端口VCHG_IN，第五电阻R5的第二端连接至三极管Q2的发射极接地。
在本发明实施例中，当电源输入端口VCHG_IN接收到电源信号后，传输至三极管Q2的基极，使得三极管Q2的基极与发射极之间的PN结正向偏置，三极管Q2导通。此时，预设电源的输出电流沿集电极流向发射极接地。
需要说明的是，预设电源不仅可以为该复位电路供电，还可以为复位输出端口RESET所连接的处理器或单片机等设备提供供电信号。
可选地，电平复位结构22包括PMOS管结构和电平切换结构。
进一步地，PMOS管结构包括PMOS管Q1、第一电容C1和第二电阻R2；
PMOS管Q1的源极分别连接至预设电源和第二电阻R2的第一端；
第二电阻R2的第二端连接至PMOS管Q1的栅极；
第一电容C1的第一端连接三极管结构21，第二端连接PMOS管Q1的栅极；
PMOS管Q1的漏极连接至电平切换结构。
在本实施例中，电平复位结构22包括PMOS管结构和电平切换结构，其中PMOS管结构包括有PMOS管Q1以及其启动所需要的第一电容C1和第二电阻R2。当三极管结构21内的三极管Q2切换至导通状态后，此时第一电容C1对输入的电源信号进行直流隔离。与此同时，PMOS管Q1的VGS<VGSth，使其切换至导通状态，第二电阻R2对PMOS管Q1的栅极电压进行分压，释放PMOS管Q1的栅极电荷，防止电荷积累。
进一步地，电平切换结构包括高电平切换结构和低电平切换结构。
需要说明的是，电平切换结构根据复位输出端口RESET连接设备所需要的复位信号不同，可以选择采用高电平切换结构或低电平切换结构进行电路设计。
请参阅图3，图3示出了本发明实施例中电平切换结构为高电平切换结构的复位电路示意图。
在本发明的一个示例中，高电平切换结构包括第二电容C2和第四电阻R4；
第二电容C2的一端与第四电阻R4的一端连接在PMOS结构与电平输出端口之间，另一端接地。
在本实施例中，第二电容C2与第四电阻R4并联接在PMOS管Q1的漏极与地之间，且PMOS管Q1的漏极还与电平输出端口连接。其中，第二电容C2用于存储电能，当PMOS被导通后，复位输出端口RESET输出的复位信号由低电平短暂变为高电平，使得所连接的单片机从低电平切换至高电平进行复位。
在具体实现中，可以将该复位电路应用在多种雾化装置中，例如加热不燃烧烟具，以下简称为烟具，其中包括其功能实现所需要的单片机。
其中VCHG_IN信号为充电器输入到烟具的电源信号，VCC为单片机的供电信号，只要对烟具进行充电，VCHG_IN信号为高电平，此高电平会导致NPN三极管Q2导通，Q2导通后通过第一电容C1和第二电阻R2的作用会导致PMOS管Q1短暂的导通，Q1导通后复位信号由低电平短暂的变为高电平，此时若单片机为高电平复位，那么充电器插入后单片机就会复位1次。
请参阅图4，图4示出了本发明实施例中电平切换结构为低电平切换结构的复位电路示意图。
在本发明的另一个示例中，低电平切换结构包括第二电容C2、第四电阻R4、第六电阻R6、第七电阻R7和NMOS管Q3；
NMOS管Q3的源极分别连接第二电容C2的第一端、第七电阻R7的第一端和地；
第七电阻R7的第二端分别连接NMOS管Q3的栅极和第四电阻R4的第一端，第四电阻R4的第二端连接至第二电容C2的第二端；
NMOS管Q3的漏极连接复位输出端口RESET与第六电阻R6的第一端，第六电阻R6的第二端连接预设电源。
在本实施例中，低电平切换结构内包括有NMOS管Q3以及其启动所需要的第四电阻R4和第七电阻R7，其中第二电容C2所起到的作用为储能，在PMOS管Q1被导通后输出高电平，Vgs>NMOS的Vgs导通阀值，NMOS管Q3导通后接地，使得复位输出端口RESET输出的复位信号从高电平切换至低电平。此时，若是所连接的设备为低电平复位，则响应该低电平切换结构的电平切换，使其复位。
在具体实现中，可以将该复位电路应用在多种雾化装置中，例如加热不燃烧烟具，以下简称为烟具，其中包括其功能实现所需要的单片机。
该电路可用于带充电功能的电池供电设备(包括加热不燃烧烟具)，其中VCHG_IN信号为充电器输入到烟具的电源信号，VCC为单片机的供电信号，只要对烟具进行充电，VCHG_IN信号为高电平，此高电平会导致NPN三极管Q2导通，Q2导通后通过第一电容C1直流隔离和第二电阻R2的作用会导致PMOS管Q1短暂的导通，Q1导通后通过第四电阻R4、第七电阻R7和第二电容C2的作用会导致NMOS管Q3短暂导通，Q3导通后单片机复位信号由高电平短暂的变为低电平，如果单片机为低电平复位，那么充电器插入后单片机就会复位1次。可以看出该复位电路没有用到机械按键，只要插入适配器进行充电，单片机就会复位一次，并且不会对充电功能产生任何影响，没有使用机械按键，不会占用结构空间，方便结构设计，而且能在单片机程序出现异常导致死机后采用充电操作对单片机进行复位。
可选地，三极管结构21、PMOS管结构和电平输复位结构内的电阻为固定电阻或可变电阻。
可选地，PMOS管结构或电平复位结构22内的电容为瓷介电容、聚丙烯电容或安规电容。
在本发明实施例中，提供了一种复位电路，其包括三极管结构和电平复位结构，其通过三极管结构响应输入的电源信号进行导通开启，以此驱动PMOS管进行导通，进而驱动高电平切换结构或低电平切换结构，沿复位输出端口输出对应的高电平复位信号或低电平复位信号，从而实现通过电源插入即可完成设备复位，减少机械按键的设置，简化相关装置的外部结构，进而增加产品结构的设计灵活度，提高使用便利度。
请参阅图5，图5示出了本发明实施例的一种雾化装置的结构框图。
本发明实施例还提供了一种雾化装置，包括装置本体5和本发明任一实施例的复位电路2；
装置本体5设置有处理器51与充电接口52；
处理器51连接复位输出端口，用于响应复位输出端口输出的复位信号进行复位；
充电接口52连接至电源输入端口，用于接收电源适配器的接头插入后所传输的电源信号。
在本发明实施例中，雾化装置可以为加热不燃烧烟具，雾化装置可以包括其功能实现所需要的装置本体5以及上述复位电路2，其中装置本体5内设置有处理器51和充电接口52。用户可以通过将电源适配器的接头插入到充电接口52，以接收电源所传输的电源信号，经复位电路2进行复位信号的输出后，其处理器51响应该复位信号进行复位。而在复位信号恢复至原始的高电平或低电平后，雾化装置的处理器51继续进行充电功能，并不会对充电功能产生影响。
因此，本发明实施例中的雾化装置可以在简化外部结构，且保留原本的充电功能的同时增加了复位功能，提高了雾化装置的使用便利度。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的装置的具体工作过程，可以参考前述复位电路的实施例中的对应过程以及常规雾化装置的工作过程，在此不再赘述。
在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统，装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种复位电路，其特征在于，包括依次连接的电源输入端口、三极管结构、电平复位结构和复位输出端口；
所述三极管结构，用于响应从所述电源输入端口输入的电源信号切换为导通状态；
所述电平复位结构，用于当所述三极管结构处于导通状态时，在预设时段内导通，并沿所述复位输出端口输出复位信号。
2.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述三极管结构包括三极管、第一电阻、第三电阻和第五电阻；
所述三极管的集电极分别连接所述第一电阻的第一端和所述电平复位结构，所述第一电阻的第二端连接至预设电源；
所述三极管的基极分别连接所述第三电阻的第一端和所述第五电阻的第一端；
所述第三电阻的第二端连接至所述电源输入端口，所述第五电阻的第二端连接至所述三极管的发射极接地。
3.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述电平复位结构包括PMOS管结构和电平切换结构。
4.根据权利要求3所述的复位电路，其特征在于，所述PMOS管结构包括PMOS管、第一电容和第二电阻；
所述PMOS管的源极分别连接至预设电源和所述第二电阻的第一端；
所述第二电阻的第二端连接至所述PMOS管的栅极；
所述第一电容的第一端连接所述三极管结构，第二端连接所述PMOS管的栅极；
所述PMOS管的漏极连接至所述电平切换结构。
5.根据权利要求3所述的复位电路，其特征在于，所述电平切换结构包括高电平切换结构和低电平切换结构。
6.根据权利要求5所述的复位电路，其特征在于，所述高电平切换结构包括第二电容和第四电阻；
所述第二电容的一端与所述第四电阻的一端连接在PMOS结构与所述电平输出端口之间，另一端接地。
7.根据权利要求5所述的复位电路，其特征在于，所述低电平切换结构包括第二电容、第四电阻、第六电阻、第七电阻和NMOS管；
所述NMOS管的源极分别连接第二电容的第一端、第七电阻的第一端和地；
所述第七电阻的第二端分别连接所述NMOS管的栅极和所述第四电阻的第一端，所述第四电阻的第二端连接至所述第二电容的第二端；
所述NMOS管的漏极连接所述复位输出端口与所述第六电阻的第一端，所述第六电阻的第二端连接预设电源。
8.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述三极管结构、所述PMOS管结构和所述电平输复位结构内的电阻为固定电阻或可变电阻。
9.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述PMOS管结构或所述电平复位结构内的电容为瓷介电容、聚丙烯电容或安规电容。
10.一种雾化装置，其特征在于，包括装置本体和如权利要求1-8任一项所述的复位电路；
所述装置本体设置有处理器与充电接口；
所述处理器连接所述复位输出端口，用于响应所述复位输出端口输出的复位信号进行复位；
所述充电接口连接至所述电源输入端口，用于接收电源适配器的接头插入后所传输的电源信号。
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