CN110943720B - 一种设备的自动关机电路及设备 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种设备的自动关机电路及设备,所述设备的自动关机电路包括第二上电检测单元和第二控制单元,其中:所述第二上电检测单元连接所述第二控制单元的控制端,用于当所述设备的充电接口连接外部的充电底座时,经过第二延时间隔后,输出第二延时信号至第二控制单元;所述第二控制单元一端连接所述设备的电源,另一端连接所述设备的MCU,用于当接收到第二延时信号时,关断所述设备的电源与所述设备的MCU之间的通路。本申请通过在设备的充电接口连接外部的充电底座时,输出第二延时信号触发关机,实现了设备连接充电底座时自动关机的功能,电路结构简单,方便用户使用。
Description
技术领域
本发明涉及但不限于电学技术领域,特别涉及一种设备的自动关机电路及设备。
背景技术
定位追踪系统包括设置有激光发射器的基站和通过激光进行定位的手柄。现有的手柄在使用时需要按开机键开机,不使用时需要按关机键关机,操作繁琐,用户体验欠佳。
发明内容
本发明实施例提供了一种设备的自动关机电路及设备,能够实现设备连接充电底座时自动关机。
为了达到本发明目的,本发明实施例的技术方案是这样实现的:
本发明实施例提供了一种设备的自动关机电路,包括第二上电检测单元和第二控制单元,其中:
所述第二上电检测单元连接所述第二控制单元的控制端,用于当所述设备的充电接口连接到外部的充电底座时,经过第二延时间隔后,输出第二延时信号至第二控制单元;
所述第二控制单元一端连接所述设备的电源,另一端连接所述设备的MCU,用于当接收到第二延时信号时,关断所述设备的电源与所述设备的MCU之间的通路。
在一实施例中,所述第二上电检测单元包括第二延时模块,所述第二延时模块包括串联连接的第四电阻和第二电容,通过设置第四电阻的阻值和第二电容的容值控制所述第二延时间隔的时长,其中:
所述第四电阻的另一端与所述设备的充电接口相连接,所述第二电容的另一端接地;
所述第二控制单元的输入端连接在所述第四电阻与所述第二电容之间。
在一实施例中,所述第二控制单元包括第四晶体管、第五晶体管和第五电阻,其中:
所述第四晶体管的栅极通过所述第五电阻接地,所述第四晶体管的源极连接所述设备的电源,所述第四晶体管的漏极连接所述设备的MCU;
所述第五晶体管的栅极连接所述第二上电检测单元的输出端,所述第五晶体管的源极连接所述设备的电源,所述第五晶体管的漏极通过第五电阻接地。
在一实施例中,所述第四晶体管为P型金属氧化物半导体MOS管,所述第五晶体管为N型MOS管。
在一实施例中,所述自动关机电路还包括按键开关机单元,所述按键开关机单元包括按键检测端口、开关机按键、单向导通模块、第二晶体管和第三电阻,其中:
所述按键检测端口的一端连接所述开关机按键的一端,所述开关机按键的另一端接地,所述按键检测端口的另一端连接所述单向导通模块的负极,所述单向导通模块的正极与所述第二晶体管的栅极相连接;
通过所述设备的MCU的输入输出端口读取所述按键检测端口的按键状态;
所述第二晶体管设置在所述第四晶体管的源极与所述设备的电源之间,所述第二晶体管的源极连接所述设备的电源,所述第二晶体管的漏极连接所述第四晶体管的源极;所述第三电阻连接在所述第二晶体管的栅极和源极之间。
在一实施例中,所述第二晶体管为P型MOS管;所述单向导通模块为肖特基二级管。
在一实施例中,所述自动关机电路还包括关机阻止单元,其中:所述关机阻止单元一端连接所述第二控制单元的控制端,另一端连接所述设备的MCU,用于当所述设备的MCU检测到所述设备的数据传输未完成时,控制所述第二控制单元导通所述设备的电源与所述设备的微控制单元MCU之间的通路;当所述设备的MCU检测到所述设备的数据传输已完成时,控制所述第二控制单元关断所述设备的电源与所述设备的微控制单元MCU之间的通路。
在一实施例中,所述关机阻止单元包括第二控制端口、第六晶体管和第六电阻,其中:
所述第二控制端口连接所述第六晶体管的栅极,所述第六晶体管的漏极接地,所述第六晶体管的源极连接所述第二控制单元的输入端;
所述第六电阻的一端连接在所述第二控制端口与所述第六晶体管的栅极之间,另一端接地;
所述设备的MCU控制所述第二控制端口输出用于导通所述关机阻止单元的第三控制信号或关断所述关机阻止单元的第四控制信号。
在一实施例中,所述第六晶体管为N型MOS管。
本发明实施例还提供了一种设备,包括如以上任一所述的设备的自动关机电路。
本发明实施例的技术方案,具有如下有益效果:
本发明实施例提供的设备的自动关机电路及设备,通过在设备的充电接口连接外部的充电底座时,输出第二延时信号触发关机,实现了设备连接充电底座时自动关机的功能,电路结构简单,方便用户使用。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明实施例一的一种设备的自动开机电路的结构示意图;
图2为本发明实施例二的一种设备的自动关机电路的结构示意图;
图3为本发明实施例三的一种设备的自动开关机电路的电路原理示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
实施例一设备的自动开机电路及设备
如图1所示,本发明实施例提供了一种设备的自动开机电路,包括第一上电检测单元101、第一控制单元102和开机维持单元103,其中:
第一上电检测单元101与第一控制单元相连接,用于当所述设备的充电接口断开和外部的充电底座的连接时,输出第一延时信号至第一控制单元102,所述第一延时信号经过第一延时间隔后消失;
第一控制单元102一端连接所述设备的电源,另一端连接所述设备的MCU,控制端连接第一上电检测单元101,用于当接收到第一延时信号时,导通所述设备的电源与所述设备的微控制单元(Micro Controller Unit,MCU)之间的通路;
所述设备的MCU连接第一上电检测单元101,用于在所述第一延时信号消失前启动开机维持单元103,通过开机维持单元103导通所述设备的电源与所述设备的MCU之间的通路。
在本发明一实施例中,所述设备为手柄,所述充电底座位于基站上或者其它带有充电接口的外设上。
在本发明一实施例中,所述充电接口为通用串行总线(Universal Serial Bus,USB)接口。
需要说明的是,本发明的设备的自动开机电路可以用于任意的带有充电接口的设备上。所述USB接口可以为USB Type-C双面可插接口、迷你(Mini)USB接口、苹果iPod Dock接口、苹果闪电(Lightning)接口等任意类型的接口。
使用本发明实施例的设备的自动开机电路时,首先通过第一控制单元102导通所述设备的电源与所述设备的MCU之间的通路,所述设备的MCU得到所述设备的电源供电启动后,启动开机维持单元103,此时,第一延时信号经过第一延时间隔后消失,第一控制单元102关断。
在本发明的一实施例中,所述第一上电检测单元101包括上电检测端口、整流模块与第一延时模块,其中:
所述上电检测端口的一端连接所述设备的MCU的输入输出(Input/Output,I/O)端口,另一端通过第一电阻与所述充电接口相连接;
所述整流模块连接在所述充电接口与所述第一延时模块之间,所述整流模块的输出端连接所述第一控制单元102的输入端。
当所述设备的充电接口连接所述外部的充电底座时,所述设备的MCU通过I/O端口检测到所述上电检测端口输出高电平信号;当所述设备的充电接口断开与所述外部的充电底座的连接时,所述设备的MCU通过I/O端口检测到所述上电检测端口输出低电平信号。
在本实施例的一示例中,所述整流模块可以为肖特基二极管或者其它任意的整流模块。
在本实施例的一示例中,所述第一延时模块包括并联连接的第二电阻和第一电容,利用第二电阻的阻值和第一电容的容值控制第一延时模块的第一延时间隔的时长。
示例性的,所述第二电阻的阻值为200K,所述第一电容的容值为10uF。
在本发明的一实施例中,所述第一控制单元102包括第一晶体管、第二晶体管和第三电阻,其中:
第一晶体管的栅极连接所述第一上电检测单元101的输出端,第一晶体管的漏极接地,第一晶体管的源极连接第二晶体管的栅极,第二晶体管的源极与所述设备的电源相连接,第二晶体管的漏极与所述设备的MCU相连接;
所述第三电阻连接在所述第二晶体管的栅极和源极之间。
在本实施例的一示例中,所述第二晶体管的漏极与所述设备的MCU之间设置有线性稳压器。示例性的,所述线性稳压器为低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)。
在本实施例的一示例中,所述第一晶体管为N型MOS管,所述第二晶体管为P型MOS管。MOS管是金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的缩写。
在本发明的一实施例中,所述开机维持单元103包括第一控制端口与第三晶体管,其中:
所述第一控制端口连接所述第三晶体管的栅极,所述第三晶体管的漏极接地,所述第三晶体管的源极连接所述第二晶体管的栅极;
当所述设备的充电接口断开和所述外部的充电底座的连接时,所述设备的MCU控制第一控制端口输出用于导通所述第三晶体管的第一控制信号;当所述设备的充电接口连接所述外部的充电底座时,所述设备的MCU控制第一控制端口输出用于关断所述第三晶体管的第二控制信号。
在本实施例的一示例中,所述第三晶体管为N型MOS管。当所述设备的充电接口断开和所述外部的充电底座的连接时,所述设备的MCU控制第一控制端口输出的第一控制信号为高电平信号,所述第三晶体管导通,所述第二晶体管导通,MCU维持开机状态;当所述设备的充电接口连接所述外部的充电底座时,所述设备的MCU控制第一控制端口输出的第二控制信号为低电平信号,所述第三晶体管关断,所述第二晶体管关断,MCU断电关机。
在本发明的一实施例中,所述设备的自动开机电路还包括按键开关机单元,所述按键开关机单元包括按键检测端口、开关机按键与单向导通模块,其中:
所述按键检测端口的一端连接开关机按键,另一端连接所述单向导通模块的负极,所述单向导通模块的正极与所述第二晶体管的栅极相连接;
通过所述设备的MCU的输入输出端口读取所述按键检测端口的按键状态。
使用时,用户按下开关机按键,由于开关机按键的另一端接地,按键检测端口输入低电平信号,第二晶体管导通,所述设备的MCU得到所述设备的电源供电启动后,启动所述开机维持单元103,此时,即使用户松开开关机按键,设备仍然处于开机状态;
当设备在开机状态时,如果用户按下开关机按键,所述设备的MCU的输入输出端口读取到所述按键检测端口变成低电平信号,关闭所述开机维持单元103,MCU断电关机。
在本发明的一实施例中,所述第一控制单元102与所述设备的MCU之间包括第四晶体管,所述第四晶体管处于默认导通状态;
所述设备包括所述设备的自动关机电路,当所述设备的充电接口连接所述外部的充电底座时,所述设备的自动关机电路控制所述第四晶体管经过第二延时间隔后关断。
通过在所述设备的充电接口连接所述外部的充电底座时,设备的自动关机电路控制第四晶体管经过第二延时间隔后关断,控制MCU自动断电关机。
在本实施例的一示例中,所述第四晶体管为P型MOS管。
本发明实施例还提供了一种设备,所述设备包括如上任一所述的设备的自动开机电路。
实施例二设备的自动关机电路及设备
本发明实施例还提供了一种设备的自动关机电路,包括第二上电检测单元201和第二控制单元202,其中:
所述第二上电检测单元201连接所述第二控制单元202的控制端,用于当所述设备的充电接口连接外部的充电底座时,经过第二延时间隔后,输出第二延时信号至第二控制单元202;
所述第二控制单元202一端连接所述设备的电源,另一端连接所述设备的MCU,用于当接收到第二延时信号时,关断所述设备的电源与所述设备的微控制单元MCU之间的通路。
在本发明一实施例中,所述第二控制单元202还用于:当没有接收到第二延时信号时,导通所述设备的电源与所述设备的MCU之间的通路。
在本发明一实施例中,所述设备为手柄,所述充电底座位于基站上或者其它带有充电接口的外设上。
在本发明一实施例中,所述充电接口为通用串行总线(Universal Serial Bus,USB)接口。
需要说明的是,本发明的设备的自动关机电路可以用于任意的带有充电接口的设备上。所述USB接口可以为USB Type-C双面可插接口、迷你(Mini)USB接口、苹果iPod Dock接口、苹果闪电(Lightning)接口等任意类型的接口。
当所述设备的充电接口连接外部的充电底座时,本发明的设备的自动开机电路和自动关机电路都会瞬间启动,但是,本申请通过调节第二延时间隔的时长,使得当设备的充电接口连接外部的充电底座时,所述设备先开机,此时,所述设备和外部的充电底座所属设备之间进行数据交互或者所述设备进行系统升级等,待数据交互或系统升级完成后,关机电路生效,设备自动关机。
在本发明的一实施例中,所述第二上电检测单元201包括第二延时模块,所述第二延时模块包括串联连接的第四电阻和第二电容,其中:
所述第四电阻的另一端与所述设备的充电接口相连接,所述第二电容的另一端接地;
所述第二控制单元202的输入端连接在所述第四电阻与所述第二电容之间。
通过设置第四电阻的阻值和第二电容的容值控制第二延时间隔的时长。在本实施例的一示例中,所述第四电阻的阻值为100K,所述第二电容的容值为10uF。
在本发明的一实施例中,所述第二控制单元202包括第四晶体管、第五晶体管和第五电阻,其中:
所述第四晶体管的栅极通过所述第五电阻接地,所述第四晶体管的源极连接所述设备的电源,所述第四晶体管的漏极连接所述设备的MCU;
所述第五晶体管的栅极连接所述第二上电检测单元201的输出端,所述第五晶体管的源极连接所述设备的电源,所述第五晶体管的漏极通过第五电阻接地。
在本实施例的一示例中,所述第四晶体管为P型MOS管,所述第五晶体管为N型MOS管。
当所述设备的充电接口连接所述外部的充电底座时,外部的供电信号通过第四电阻为第二电容充电,当第二电容的电压上升至与外部的供电信号相同时,第五晶体管导通,第四晶体管关断,所述设备的MCU断电关机;当所述设备的充电接口断开和所述外部的充电底座的连接时,外部的供电信号消失,第四晶体管通过连接在栅极的第五电阻恢复默认的导通状态,设备的自动关机电路失效。
在本发明的一实施例中,所述设备的自动关机电路还包括关机阻止单元,所述关机阻止单元一端连接所述第二控制单元202的控制端,另一端连接所述设备的MCU,用于当所述设备的MCU检测到所述设备的数据传输未完成时,控制所述第二控制单元202导通所述设备的电源与所述设备的微控制单元MCU之间的通路;当所述设备的MCU检测到所述设备的数据传输已完成时,控制所述第二控制单元202关断所述设备的电源与所述设备的微控制单元MCU之间的通路。
在本实施例的一示例中,所述关机阻止单元包括第二控制端口、第六晶体管和第六电阻,其中:
所述第二控制端口连接所述第六晶体管的栅极,所述第六晶体管的漏极接地,所述第六晶体管的源极连接所述第二控制单元202的输入端;
所述第六电阻的一端连接在所述第二控制端口与所述第六晶体管的栅极之间,另一端接地;
所述设备的MCU控制所述第二控制端口输出用于导通所述关机阻止单元的第三控制信号或关断所述关机阻止单元的第四控制信号。
在本实施例的一示例中,所述第六晶体管为N型MOS管。
使用时,当监测到所述设备的数据升级或数据交互没有完成时,所述设备的MCU通过控制所述第二控制端口输出第三控制信号,第六晶体管导通,第二电容不再充电,第五晶体管关断,关机电路终止,使得所述设备可以继续完成数据升级或数据交互;待所述设备完成数据升级或数据交互后,所述设备的MCU通过控制所述第二控制端口输出第四控制信号,第六晶体管关断,外部的供电信号通过第四电阻为第二电容充电,当第二电容的电压上升至与外部的供电信号相同时,第五晶体管导通,第四晶体管关断,所述设备的MCU断电关机。
在本发明的一实施例中,所述设备的自动关机电路还包括按键开关机单元,所述按键开关机单元包括按键检测端口、开关机按键、单向导通模块、第二晶体管和第三电阻,其中:
所述按键检测端口的一端连接所述开关机按键的一端,所述开关机按键的另一端接地,所述按键检测端口的另一端连接所述单向导通模块的负极,所述单向导通模块的正极与所述第二晶体管的栅极相连接;
通过所述设备的MCU的输入输出端口读取所述按键检测端口的按键状态;
所述第二晶体管设置在所述第四晶体管的源极与所述设备的电源之间,所述第二晶体管的源极连接所述设备的电源,所述第二晶体管的漏极连接所述第四晶体管的源极;所述第三电阻连接在所述第二晶体管的栅极和源极之间。
在本实施例的一示例中,所述第二晶体管为P型MOS管。
在本实施例的一示例中,所述单向导通模块为肖特基二级管。
使用时,当用户摁下开关机按键时,按键开关机单元导通,所述设备的MCU通过输入输出端口读取到开关机按键的状态,根据当前设备的充电接口和外部的充电底座的连接状态,启动或关闭开机维持单元(所述开机维持单元的结构如前文所述,此处不再赘述),如果启动开机维持单元,所述设备开机;如果关闭开机维持单元,所述设备关机。
本发明实施例还提供了一种设备,包括以上任一项所述的设备的自动关机电路。
实施例三设备的自动开关机电路
如图3所示,自动开机电路包括第一晶体管Q1(NMOS管)、第一二极管D1(肖特基二极管)、第一电阻R1、第二电阻R2和第一电容C1;自动关机电路包括第四晶体管Q4(PMOS管)、第五晶体管Q5(NMOS管)、第六晶体管Q6(NMOS管)、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6和第二电容C2;开机维持单元包括第一控制端口POWER_CTRL、第三晶体管Q3(NMOS管)和第二晶体管Q2、第三电阻R3、第七电阻R7和第三电容C3,其中,第七电阻R7和第三电容C3构成电源消抖电路;按键开关机单元包括按键检测端口POWER ON、第二二极管D2(肖特基二极管)。
设备的充电接口连接外部的充电底座
当设备的充电接口Sleep_VCC信号端口通过USB接口与外部的充电底座电池连接时,充电底座向Sleep_VCC信号端口输出高电平信号,开机电路启动,Sleep_VCC经过第一二极管D1向第一电容C1快速充电,NMOS管Q1导通,控制PMOS管Q2导通。第五电阻R5为PMOS管Q4栅极电阻,可控制Q4常态为导通状态,锂电池(Battery)输出电压经过导通状态的Q2、Q4管后输出VBAT电压,经过LDO稳压输出给设备的MCU,使MCU启动开机,MCU开机启动后可通过IO端口读取上电检测端口Sleep signal的电平状态,判断手柄是否连接充电底座,由于此时Sleep_VCC信号端口连接充电底座,MCU不启动开机维持单元。
每当Sleep_VCC信号端口连接充电底座的同时,自动关机电路也开始启动,Sleep_VCC信号端口经过第四电阻R4开始向第二电容C2充电,当第二电容C2两端电压上升至Sleep_VCC时,NMOS管Q5导通,控制PMOS管Q4关断输出0V,MCU断电关机。调节第四电阻R4的阻值可改变对第二电容C2的充电时间,进而改变自动关机电路的延时关断时间。
关机阻止单元包括第二控制端口POWER_SLEEP、第六晶体管Q6(NMOS管)与第六电阻R6。MCU可控制POWER_SLEEP端口输入高电平或低电平信号,从而控制Q6导通或关断。
如图3所示,当MCU向POWER_SLEEP端口输出高电平信号时,Q6导通,Sleep_VCC经过R4、Q6到地,C2不再充电,此时C2两端电压为0V,Q5关断,关机电路终止。
当MCU向POWER_SLEEP端口输出低电平信号时,关机电路开始启动,Q6关断,Sleep_VCC经过R4向C2充电,直至Q5导通,MCU断电关机。
设备的充电接口断开和外部的充电底座的连接
如图3所示,当设备的充电接口Sleep_VCC信号端口断开和外部的充电底座的连接时,Sleep_VCC信号消失,Q4自动导通,关机电路失效。
开机电路启动:C1通过R2开始放电,Q1导通,控制Q2导通,VBAT电压经过LDO稳压输出,使MCU启动开机,MCU向第一控制端口POWER_CTRL网络端口输出高电平信号,Q3、Q2导通维持开机信号。当C1两端电压不足以维持Q1导通时,Q1关断。改变第二电阻R2的阻值可调节电容C1两端的电压保持时间。
本实施例设计了一种连体式自动开关机电路,当设备的充电接口连接外部的充电底座(充电底座可以为基站,可以为其他带有充电接口的外设,基站和外设上需要设置充电接口,例如USB接口)时,自动关机电路启动,3S后自动关机。也可通过MCU控制关机电路启动或关闭或者延长延时关机时长。当MCU还有任务没有处理完成时,可通过MCU输出控制信号终止硬件关机,直到MCU处理完成任务可再次输出控制信号进入硬件关机自锁,从而实现硬件关机状态。当设备的充电接口断开和外部的充电底座的连接时,开机电路启动,产生第一延时信号,触发设备自动开机,通过开机维持单元维持设备开机状态,第一延时信号1s后消失。
本领域普通技术人员可以理解上述方法中的全部或部分步骤可通过程序来指令相关硬件完成,所述程序可以存储于计算机可读存储介质中,如只读存储器、磁盘或光盘等。可选地,上述实施例的全部或部分步骤也可以使用一个或多个集成电路来实现,相应地,上述实施例中的各模块/单元可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能模块的形式实现。本发明不限制于任何特定形式的硬件和软件的结合。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种设备的自动开关机电路,其特征在于,包括第二上电检测单元、第二控制单元和关机阻止单元,其中:
所述第二上电检测单元连接所述第二控制单元的控制端,用于当所述设备的充电接口连接到外部的充电底座时,经过第二延时间隔后,输出第二延时信号至第二控制单元;
所述第二控制单元一端连接所述设备的电源,另一端连接所述设备的MCU,用于当接收到第二延时信号时,关断所述设备的电源与所述设备的MCU之间的通路;
所述关机阻止单元一端连接所述第二控制单元的控制端,另一端连接所述设备的MCU,用于当所述设备的MCU检测到所述设备的数据传输未完成时,控制所述第二控制单元导通所述设备的电源与所述设备的微控制单元MCU之间的通路;当所述设备的MCU检测到所述设备的数据传输已完成时,控制所述第二控制单元关断所述设备的电源与所述设备的微控制单元MCU之间的通路;
以及第一上电检测单元、第一控制单元和开机维持单元,其中:第一上电检测单元与第一控制单元相连接,用于当所述设备的充电接口断开与外部的充电底座的连接时,输出第一延时信号至第一控制单元,所述第一延时信号经过第一延时间隔后消失;第一控制单元一端连接所述设备的电源,另一端连接所述设备的MCU,控制端连接第一上电检测单元,用于当接收到第一延时信号时,导通所述设备的电源与所述设备的MCU之间的通路;所述设备的MCU连接第一上电检测单元,用于在所述第一延时信号消失前启动开机维持单元,通过开机维持单元导通所述设备的电源与所述设备的MCU之间的通路;其中,所述第一控制单元包括第一晶体管、第二晶体管和第三电阻,其中:第一晶体管的栅极连接所述第一上电检测单元的输出端,第一晶体管的漏极接地,第一晶体管的源极连接第二晶体管的栅极,第二晶体管的源极与所述设备的电源相连接,第二晶体管的漏极与所述设备的MCU相连接;所述第三电阻连接在所述第二晶体管的栅极和源极之间;所述开机维持单元包括第一控制端口与第三晶体管,其中:所述第一控制端口连接所述第三晶体管的栅极,所述第三晶体管的漏极接地,所述第三晶体管的源极连接所述第二晶体管的栅极;当所述设备的充电接口断开与所述外部的充电底座的连接时,所述设备的MCU控制第一控制端口输出用于导通所述第三晶体管的第一控制信号;当所述设备的充电接口连接所述外部的充电底座时,所述设备的MCU控制第一控制端口输出用于关断所述第三晶体管的第二控制信号。
2.根据权利要求1所述的自动开关机电路,其特征在于,所述第二上电检测单元包括第二延时模块,所述第二延时模块包括串联连接的第四电阻和第二电容,通过设置第四电阻的阻值和第二电容的容值控制所述第二延时间隔的时长,其中:
所述第四电阻的另一端与所述设备的充电接口相连接,所述第二电容的另一端接地;
所述第二控制单元的输入端连接在所述第四电阻与所述第二电容之间。
3.根据权利要求1所述的自动开关机电路,其特征在于,所述第二控制单元包括第四晶体管、第五晶体管和第五电阻,其中:
所述第四晶体管的栅极通过所述第五电阻接地,所述第四晶体管的源极连接所述设备的电源,所述第四晶体管的漏极连接所述设备的MCU;
所述第五晶体管的栅极连接所述第二上电检测单元的输出端,所述第五晶体管的源极连接所述设备的电源,所述第五晶体管的漏极通过第五电阻接地。
4.根据权利要求3所述的自动开关机电路,其特征在于,所述第四晶体管为P型金属氧化物半导体MOS管,所述第五晶体管为N型MOS管。
5.根据权利要求3所述的自动开关机电路,其特征在于,还包括按键开关机单元,所述按键开关机单元包括按键检测端口、开关机按键、单向导通模块、第二晶体管和第三电阻,其中:
所述按键检测端口的一端连接所述开关机按键的一端,所述开关机按键的另一端接地,所述按键检测端口的另一端连接所述单向导通模块的负极,所述单向导通模块的正极与所述第二晶体管的栅极相连接;
通过所述设备的MCU的输入输出端口读取所述按键检测端口的按键状态;
所述第二晶体管设置在所述第四晶体管的源极与所述设备的电源之间,所述第二晶体管的源极连接所述设备的电源,所述第二晶体管的漏极连接所述第四晶体管的源极;所述第三电阻连接在所述第二晶体管的栅极和源极之间。
6.根据权利要求5所述的自动开关机电路,其特征在于,所述第二晶体管为P型MOS管;所述单向导通模块为肖特基二极管。
7.根据权利要求1所述的自动开关机电路,其特征在于,所述关机阻止单元包括第二控制端口、第六晶体管和第六电阻,其中:
所述第二控制端口连接所述第六晶体管的栅极,所述第六晶体管的漏极接地,所述第六晶体管的源极连接所述第二控制单元的输入端;
所述第六电阻的一端连接在所述第二控制端口与所述第六晶体管的栅极之间,另一端接地;
所述设备的MCU控制所述第二控制端口输出用于导通所述关机阻止单元的第三控制信号或关断所述关机阻止单元的第四控制信号。
8.根据权利要求7所述的自动开关机电路,其特征在于,所述第六晶体管为N型MOS管。
9.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1至权利要求8任一所述的设备的自动开关机电路。
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