CN116937147A

CN116937147A - 电子装置

Info

Publication number: CN116937147A
Application number: CN202311098899.0A
Authority: CN
Inventors: 蔡宗翰
Original assignee: Innolux Display Corp
Current assignee: Innolux Corp
Priority date: 2019-11-05
Filing date: 2019-11-05
Publication date: 2023-10-24
Also published as: US20230307848A1; EP3819987A1; EP3819987B1; US11705642B2; US20210135374A1; CN112768903A; CN112768903B

Abstract

本申请提供一种电子装置，包括基板、第一天线单元、第二天线单元、以及馈送单元。第一天线单元包括第一图案结构。第二天线单元包括第二图案结构，第一图案结构与第二图案结构不同。馈送单元设置于基板上且包括第一馈送结构及第二馈送结构，第一馈送结构耦接第一图案结构,第二馈送结构耦接第二图案结构。第一馈送结构及第二馈送结构的至少其中一者包括具有切角结构或弧角结构的转折点。

Description

电子装置

本申请是2019年11月5日申请的，申请号为“201911069645.X”，发明名称为“电子装置”的中国发明专利申请的分案申请

技术领域

本申请是有关于一种电子装置，特别是有关于一种天线装置。

背景技术

电子产品已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这类电子产品的蓬勃发展，消费者对这些产品的品质、功能或价格抱有很高的期望。

一些电子产品进一步配备有通信能力，例如天线装置，但仍未在各个方面都符合需求。因此，发展出可进一步改善电子产品或电子装置的效能或操作可靠度的结构设计仍为目前业界致力研究的课题之一。

发明内容

本申请一些实施例提供一种电子装置，包括基板、第一天线单元、第二天线单元、以及馈送单元。第一天线单元包括第一图案结构。第二天线单元包括第二图案结构，第一图案结构与第二图案结构不同。馈送单元设置于基板上且包括第一馈送结构及第二馈送结构，第一馈送结构耦接第一图案结构,第二馈送结构耦接第二图案结构。第一馈送结构及第二馈送结构的至少其中一者包括具有切角结构或弧角结构的转折点。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1显示根据本申请一些实施例中的电子装置的俯视图。

图2绘示图1方框中的第一调制单元的放大图。

图3绘示图1方框中的第二调制单元的放大图。

图4是本申请一些实施例的第一移相结构的示意图。

图5是本申请一些实施例的第二移相结构的示意图。

图6是图4的第一移相结构加上第一贴片元件后的示意图。

图7是图5的第二移相结构加上第二贴片元件后的示意图。

图8是本申请另一些实施例的第一移相结构的示意图。

图9是本申请另一些实施例的第二移相结构的示意图。

图10绘示图1中沿着线段A-A’的剖面结构示意图。

图11是本申请另一些实施例的电子装置的剖面图。

图12显示根据本申请一些实施例中的电子装置的俯视图。

图13显示根据本申请一些实施例中的电子装置的俯视图。

图14显示根据本申请一些实施例中的电子装置的俯视图。

图15显示根据本申请一些实施例中的电子装置的俯视图。

图16显示根据本申请一些实施例中的电子装置的剖面图。

图17至图20显示根据本申请一些实施例中的移相结构的俯视图。

图中元件标号说明：

10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G电子装置

11、11’第一天线单元

12、12’第二天线单元

100A第一调制单元

100B第二调制单元

102第一基板

104绝缘层

202第二基板

204A第一贴片元件

204B第二贴片元件

206介电层

208导电层

209A第一开口

209B第二开口

210缓冲层

300液晶层

301第一液晶层

302第二液晶层

400馈送单元

401A、401B、401C、401D、401E、401F1第一馈送结构

401F第一馈源

401S第一馈送线

402A、402B、402C、402D、402E、402F1第二馈送结构

402F第二馈源

402S第二馈送线

401t₁、501t₁、501t₂、502t₁、502t₂、503t₁、503t₂、504t₁、504t₂、505t₁、505t₂、506t₁、506t₂端点

403共同馈源

501、501A、501B第一移相结构

502、502A、502B第二移相结构

503、504、505、506移相结构

503A、504A内圈

503B、504B外圈

601第一处理器

602第二处理器

701、702、703隔离结构

801第一间隔元件

802第二间隔元件

900间隔物

BP、C₁、C₂、C₃、C₄、C₅、C₆、C₇、D₁、D₂、D₃、D₄、D₅、D₆、D₇、E₁、E₂、E₃、E₄、E₅、F₁、F₂、F₃、F₄、F₅、F₆、F₇转折点

D、I₁、I₂、L₁、L₂、L₃、L₄、L₅、L₆、L₇、L₈、M₁、M₂、M₃、M₄、M₅、M₆、M₇、M₈距离

H₁第一长度方向

H₂第二长度方向

H₃第三长度方向

L长度

T₁第一厚度

T₂第二厚度

TR1第一转折点

TR2第二转折点TR2

W宽度

W₁第一宽度

W₂第二宽度

具体实施方式

以下针对本申请实施例的电子装置作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本申请一些实施例的不同态样。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本申请一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本申请的限定。此外，在不同实施例中可能使用类似及/或对应的标号标示类似及/或对应的元件，以清楚描述本申请。然而，这些类似及/或对应的标号的使用仅为了简单清楚地叙述本申请一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。

应理解的是，附图的元件或装置可以本领域技术人员所熟知的各种形式存在。此外实施例中可能使用相对性用语，例如“下”、“较低”、“底部”、“上”、“较高”、或“顶部”，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。可理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的元件将会成为在“较高”侧的元件。本申请实施例可配合附图一并理解，本申请的附图亦被视为申请说明的一部分。应理解的是，本申请的附图并未按照比例绘制，事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸以便清楚表现出本申请的特征。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形，或者，其间亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。

此外，应理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组件、或部分，这些元件、组件或部分不应被这些用语限定。这些用语仅是用来区别不同的元件、组件、区域、层或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组件、区域、层或部分可在不偏离本申请的教导的情况下被称为一第二元件、组件、区域、层或部分。

于文中，“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的用语通常表示在一给定值或范围的10％内，或5％内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的含义。此外，用语“范围为第一数值至第二数值”、“范围介于第一数值至第二数值之间”表示所述范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。

在本申请一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本领域技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本申请的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本申请实施例有特别定义。

本申请一些实施例所提供的电子装置可对不同频率的天线单元提供不同的图案，以允许不同的天线单元可同时运作，进而提升电子装置的效率、可降低不同频率信号间的干扰、或可提升电子装置上空间的利用率。

根据本申请一些实施例，提供的电子装置可包括天线装置、显示装置(例如液晶显示装置)、感测装置或拼接装置，但不以此为限。在一实施例中，电子装置可用于调制电磁波，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。拼接装置可例如是天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。

请参照图1，图1显示根据本申请一些实施例中的电子装置10A的俯视图。应理解的是，为了清楚说明，图中省略了部分元件(例如，第二基板202及导电层208等)，且仅示意地绘示电子装置10A的一部分第一调制单元100A和第二调制单元100B。在不同的实施例中，可根据实际需求，调整电子装置10A的第一调制单元100A和第二调制单元100B的数量。此外，应理解的是，根据一些实施例，可添加额外特征于以下所述的电子装置10A。在另一些实施例中，以下所述电子装置10A的部分特征可以被取代或省略。

如图1所示，电子装置10A可包含第一基板102、第一天线单元11以及第二天线单元12。第一天线单元11可包括多个第一调制单元100A，而第二天线单元12可包括多个第二调制单元100B。第一调制单元100A及/或第二调制单元100B可设置于第一基板102上，但不限于此。在一些实施例中，第一天线单元11以及第二天线单元12可为用于调制电磁波(例如，射频或微波)的天线单元。

在一些实施例中，第一基板102的材料可包含玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、陶瓷、聚酰亚胺(polyimide，PI)、硅(Si)、碳化硅(SiC)、淡化硅(SiN)、液晶高分子(liquid-crystal polymer，LCP)材料、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、感光型聚酰亚胺(photosensitive polyimide，PSPI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其它合适的基板材料、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第一基板102可包含印刷电路板(printed circuit board，PCB)。在一些实施例中，第一基板102可为可挠式基板、刚性基板或前述的组合。

再者，如图1所示，电子装置10A可包含馈送单元400(feeding unit)，耦接到第一天线单元11以及第二天线单元12。馈送单元400可包括第一馈送结构401A以及第二馈送结构402A。第一馈送结构401A以及第二馈送结构402A可设置于第一基板102上，用以传输射频信号。第一馈送结构401A可具有至少一第一馈送线401S(feeding line)，而第二馈送结构402A可具有至少一第二馈送线402S。在一些实施例中，第一馈送结构401A可耦接到第一天线单元11，而第二馈送结构402A可耦接到第二天线单元12。在一些实施例中，可将一第一馈送线401S对应至一个第一调制单元100A，或者可将一第二馈送线402S对应至一个第二调制单元100B，但不限于此。在一些实施例中，第一馈送结构401A可与至少一第一馈源401F耦接，第二馈送结构402A可与至少一第二馈源402F耦接。举例来说，第一馈源401F可接收来自外界的信号以提供给第一馈送结构401A，但不限于此。第二馈源402F可提供初始的馈入波(feed-in wave)，但不限于此。在一些实施例中，初始的馈入波可为高频的电磁波。在另一实施例中，第一馈源401F可提供初始的馈入波且第二馈源402F可接收来自外界的信号，但不限于此。此外，在一些实施例中，第一馈送结构401A及/或第二馈送结构402A可进一步耦接至信号处理器、信号调制器或前述的组合(图未示)。然而，本申请并不限于此。举例来说，第一馈送结构401A与第二馈送结构402A可皆耦接到用以发送信号的馈源或者皆耦接到用以接收信号的馈源，且第一馈送结构401A与第二馈送结构402A所耦接到的馈源可具有不同的信号频率。

在一些实施例中，所述第一馈送结构401A或第二馈送结构402A的材料可包含导电材料。在一些实施例中，所述导电材料可包含金属，例如铜(Cu)、银(Ag)、锡(Sn)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、铂(Pt)、钛(Ti)、铜合金、银合金、锡合金、铝合金、钼合金、钨合金、金合金、铬合金、镍合金、铂合金、钛合金、其它合适的导电材料或前述的组合，但不限于此。

在一些实施例中，第一馈送结构401A与第二馈送结构402A可具有相同或不同的材料，但并不限于此。在一些实施例中，由于连接到第二馈源402F的第二馈送结构402A通常需要较大的能量，因此连接到第一馈源401F的第一馈送结构401A的电阻率(resistivity)可大于连接到第二馈源402F的第二馈送结构402A的电阻率。在一实施例中，第二馈送结构402A的厚度可大于第一馈送结构401A的厚度，但不限于此。第二馈送结构402A的厚度为在Z方向(第一基板102的法线方向)上的最小厚度，第一馈送结构401A的厚度为在Z方向上的最小厚度。在一些实施例中，第一馈送结构401A及/或第二馈送结构402A可包含单层结构或多层结构，但不限于此。

此外，第一天线单元11可包含多个第一移相结构501(或称为微带线)。第二天线单元12可包含多个第二移相结构502。第一移相结构501以及第二移相结构502可设置于第一基板102上。第一移相结构501可用以将经处理或调制的电磁波信号馈出，例如馈出至第一馈送线401S。第二移相结构502可用以接收来自第二馈送结构402A的射频信号，例如第二馈送结构402A可借由第二馈送线402S，以电磁耦合的方式，将射频信号传输至第二移相结构502，但本申请并不限于此。举例来说，可借由改变第一移相结构501或第二移相结构502的电位，以改变第一移相结构501或第二移相结构502与导电层208(图10)之间的电场或磁场，来调制位于第一移相结构501或第二移相结构502上方或周围的调制材料的折射率，进而改变通过的电磁波的相位差。另一实施例中，可借由改变第一移相结构501或第二移相结构502的电位，以改变第一移相结构501或第二移相结构502与导电层208之间的电场或磁场，来调制位于第一移相结构501或第二移相结构502上方或周围的调制材料的介电系数，进而改变电容。

在一些实施例中，第一移相结构501或第二移相结构502的材料可包含导电材料、透明导电材料或前述的组合。所述导电材料可与上述第一馈送结构401A的材料类似，在此不再赘述。所述透明导电材料可包含透明导电氧化物(transparent conductive oxide，TCO)。举例而言，透明导电氧化物可包含铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)、氧化锡(tinoxide，SnO)、氧化锌(zinc oxide，ZnO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，IGZO)、氧化铟锡锌(indium tin oxide，ITZO)、氧化锑锡(antimony tin oxide，ATO)、氧化锑锌(antimony zinc oxide，AZO)或前述的组合，但不限于此。

此外，在一些实施例中，所述第一移相结构501或第二移相结构502可耦接至低频电压。根据一些实施例，所述低频电压的范围可介于±0.1伏特(V)至±100V之间、介于±0.5V至±50V之间，或介于±1V至±15V之间，但本申请不以此为限。

此外，根据一些实施例，第一移相结构501或第二移相结构502可进一步与驱动元件(图未示)电性连接。在一些实施例中，驱动元件可包含有源式驱动元件(例如薄膜晶体管)、无源式驱动元件、或前述的组合。具体而言，在一些实施例中，第一移相结构501或第二移相结构502可与薄膜晶体管(thin-film transistor，TFT)电性连接，且薄膜晶体管可进一步与数据线及/或扫描线(栅极线)电性连接。在一些实施例中，第一移相结构501或第二移相结构502可与集成电路(IC)及/或数字模拟转换器电性连接。

再者，第一天线单元11可包含第一贴片(patch)元件204A，第二天线单元12可包含第二贴片元件204B。第一贴片元件204A可设置于多个第一移相结构501的至少一者上，而第二贴片元件204B可设置于多个第二移相结构502的至少一者上。换言之，在一些实施例中，于第一基板102的法线方向(例如，图中所示的Z方向)上，第一贴片元件204A可与第一移相结构501至少部分重叠，而第二贴片元件204B可与第二移相结构502至少部分重叠。在本申请中，若未特别说明，则“重叠”可包含完全重叠及部分重叠。在一些实施例中，第一贴片元件204A或第二贴片元件204B可电性浮置(floated)、耦接至固定电位(例如，接地)，或耦接至其它功能性电路，但不限于此。在一些实施例中，第一贴片元件204A与第二贴片元件204B可具有不同的面积。

在一些实施例中，第一贴片元件204A或第二贴片元件204B的材料可包含导电材料、透明导电材料或前述的组合。所述导电材料及所述透明导电材料与第一移相结构501、第二移相结构502的材料类似，在此不再赘述。

再者，可借由一或多个光光刻制程及蚀刻制程图案化第一移相结构501、第二移相结构502、第一贴片元件204A及/或第二贴片元件204B，但不限于此。在一些实施例中，光光刻制程可包含光阻涂布(例如旋转涂布)、软烘烤、硬烘烤、掩模对齐、曝光、曝光后烘烤、光阻显影、清洗及干燥等，但不限于此。在一些实施例中，蚀刻制程可包含干蚀刻制程或湿蚀刻制程，但不限于此。

详细而言，在一些实施例中，可借由物理气相沉积制程(physical vapordeposition，PVD)、化学气相沉积制程(chemical vapor deposition，CVD)、涂布制程、电镀制程、无电镀制程、其它合适的方法或前述的组合形成第一贴片元件204A或第二贴片元件204B。所述物理气相沉积制程例如可包含溅镀制程、蒸镀制程或脉冲激光沉积等，但不限于此。所述化学气相沉积制程例如可包含低压化学气相沉积制程(LPCVD)、低温化学气相沉积制程(LTCVD)、快速升温化学气相沉积制程(RTCVD)、等离子辅助化学气相沉积制程(PECVD)或原子层沉积制程(ALD)等，但不限于此。

在一些实施例中，可将第一移相结构501、第二移相结构502设计为具有不同的图案。换句话说，第一天线单元11可具有第一图案，第二天线单元12可具有第二图案，且第一图案与第二图案不同。在一些实施例中，第一图案与第二图案不同包含第一图案与第二图案的总长度(例如第一移相结构501的总长度、第二移相结构502的总长度)、面积(例如可覆盖第一移相结构501的最小矩形的面积、可覆盖第二移相结构502的最小矩形的面积)、及/或转折点数目(例如第一移相结构501的转折点数目、第二移相结构502的转折点数目)不同，但并不限于此。第一图案与第二图案不同的范例将于后文详细叙述。此外，本申请的“「第一图案与第二图案不同”可排除第一图案与第二图案镜向对称的实施例，借此可让第一天线单元11与第二天线单元12接收或发送不同频率的信号。

接着，请参照图2以及图3，其显示根据本申请一些实施例中的电子装置10A的局部放大图，详细而言，图2绘示图1方框中的第一调制单元100A的放大图，而图3绘示图1方框中的第二调制单元100B的放大图。应注意的是，电子装置10A的第一调制单元100A可与第二调制单元100B不同。第一调制单元100A与第二调制单元100B不同的范例将于随后详细叙述。

第一移相结构501可邻近设置于第一馈送结构401A，而第二移相结构502可邻近设置于第二馈送结构402A。第一移相结构501、及/或第二移相结构502可具有螺旋形状或回圈形状，但不限于此，关于第一移相结构501与第二移相结构502的形状态样将于下文进一步说明。如图2所示，第一馈送结构401A的第一馈送线401S的最末端具有端点401t₁，第一移相结构501的最末端具有端点501t₁，且端点401t₁邻近于端点501t₁。此外，如图3所示，第二馈送结构402A的第二馈送线402S的最末端具有端点402t₁，第二移相结构502的最末端具有端点502t₁，且端点402t₁邻近于端点502t₁。

在一些实施例中，第一馈送结构401A的第一馈送线401S的端点401t₁与第一移相结构501的端点501t₁相对设置。此外，在一些实施例中，邻近端点501t₁的第一馈送线401S的延伸方向可与第一移相结构501的一部分的延伸方向可实质上平行，但不限于此。进一步而言，第一馈送线401S的端点401t₁与第一移相结构501的端点501t₁之间可相距距离D。在一些实施例中，所述距离D的范围介于0.05毫米(mm)至5毫米之间(即0.05毫米≦距离D≦5毫米)，例如，0.5毫米、1.5毫米、2毫米、2.5毫米、或4毫米。此外，应理解的是，根据本申请一些实施例，如图2所述，距离D指的是沿第一馈送线401S的延伸方向(例如，第一长度方向H₁)上的最小距离。应注意的是，若距离D过小(例如，小于0.05mm)，则第一馈送结构401A与第一移相结构501可能因制程上的公差而彼此接触、造成短路；反之，若距离D过大(例如，大于5mm)，则发送信号的馈源(例如图3的第二馈送结构402A)可能因距离对应的移相结构(例如第一移相结构501)过远而难以产生耦合作用，因此较难有效将射频信号馈入对应的移相结构(例如第二移相结构502)，但不限于此。第二馈送结构402A的第二馈送线402S与第二移相结构502间的位置关系大致上与第一馈送结构401A的第一馈送线401S与第一移相结构501间的位置关系相同或相似，于此不再赘述。

根据本申请一些实施例，用语“长度方向”指的是沿着或实质上平行于物体的长轴的方向。而长轴定义为纵向地(lengthwise)延伸穿过物体的中心的直线。对于狭长或椭圆形的物体，长轴最接近于其纵向的最大尺寸。对于不具有明确长轴的物体，长轴可代表可围绕所述物体的最小矩形的长边。

在一些实施例中，第一馈送结构401A或第二馈送结构402A的尺寸可大于第一移相结构501或第二移相结构502的尺寸。举例来说，第一馈送结构401A或第二馈送结构402A的宽度(例如线宽)分别可为第一移相结构501或第二移相结构502宽度的1至10倍，且第一馈送结构401或第二馈送结构402的厚度亦分别可为第一移相结构501或第二移相结构502厚度的1至10倍(例如在Z方向上的厚度)，以允许第一馈送结构401或第二馈送结构402传输比第一移相结构501或第二移相结构502高的能量，但并不限于此。

在一实施例中，第一馈送结构401A的第一馈送线401S可具有第一宽度W₁。在一些实施例中，所述第一宽度W₁的范围介于10微米(μm)至500微米之间(即10微米≦第一宽度W₁≦500微米)，例如50微米、100微米、200微米、250微米、或300微米。

第一移相结构501可具有第二宽度W₂。在一些实施例中，所述第二宽度W₂的范围介于5微米至500微米之间(即5微米≦第二宽度W₂≦500微米)，例如50微米、150微米、200微米、250微米、400微米。

在一些实施例中，第一馈送线401S的第一宽度W₁可大于或等于第一移相结构501的第二宽度W₂。此外，应理解的是，根据本申请一些实施例，所述第一馈送线401S的第一宽度W₁指的是，与第一馈送线401S的延伸方向(例如，第一长度方向H₁)实质上垂直的任一截面的最大宽度。相似地，根据本申请一些实施例，所述第一移相结构501的第二宽度W₂指的是，与第一移相结构501的延伸方向(图未示)实质上垂直的任一截面的最大宽度。第二移相结构502的第二馈送线402S与第二移相结构502的宽度范围和距离关系与第一移相结构501的第一馈送线401S以及与第一移相结构501的宽度范围和距离关系类似，于此不再赘述。

承前述，第一贴片元件204A可设置于第一移相结构501上，并与第一移相结构501至少部分重叠。举例来说，如图2所示，在一些实施例中，于第一基板102的法线方向上，第一贴片元件204A可与第一移相结构501的另一个端点501t₂重叠。此外，在一些实施例中，于第一基板102的法线方向上，第一贴片元件204A可与导电层208的第一开口209A重叠(例如，请参照图10)。换言之，在一些实施例中，第一贴片元件204A可与第一移相结构501的端点501t₂及第一开口209A重叠。同理，在一些实施例中，第二贴片元件204B亦可与第二移相结构502的端点502t₂及第二开口209B重叠。

应注意的是，在图2以及图3中，第一调制单元100A与第二调制单元100B不同。举例来说，第一移相结构501与第二移相结构502的总线段长、覆盖面积、转折点数目、或转折型态等可不同，但并不以此为限。此外，第一贴片元件204A与第二贴片元件204B的长度、宽度、长宽比、面积、形状等亦可不同，但并不以此为限。换句话说，第一移相结构501与第二移相结构502可具有不同的图案。举例来说，第一移相结构501的总线段长、覆盖面积、转折点数目、及转折型态中的至少一者可大于第二移相结构502对应的参数(例如第一移相结构501的总线段长大于第二移相结构502的总线段长)。第一调制单元100A与第二调制单元100B不同的实例将于图4至图9中详细叙述。

图4以及图5分别是本申请一些实施例的第一移相结构501A与第二移相结构502A的示意图。在图4中，第一移相结构501A具有端点501t₁、端点501t₂、以及位在端点501t₁与端点501t₂之间的转折点C₁、C₂、C₃、C₄、C₅、C₆、C₇。端点501t₁与转折点C₁间具有距离L₁。转折点C₁与转折点C₂间具有距离L₂。转折点C₂与转折点C₃间具有距离L₃。转折点C₃与转折点C₄间具有距离L₄。转折点C₄与转折点C₅间具有距离L₅。转折点C₅与转折点C₆间具有距离L₆。转折点C₆与转折点C₇间具有距离L₇。转折点C₇与端点501t₂间具有距离L₈。

第一移相结构501A的总长度可定义为距离L₁至L₈的总和，亦即L₁+L₂+L₃+L₄+L₅+L₆+L₇+L₈。

在图5中，第二移相结构502A具有端点502t₁、端点502t₂、以及位在端点502t₁与端点502t₂之间的转折点D₁、D₂、D₃、D₄、D₅、D₆、D₇。端点502t₁与转折点D₁间具有距离M₁。转折点D₁与转折点D₂间具有距离M₂。转折点D₂与转折点D₃间具有距离M₃。转折点D₃与转折点D₄间具有距离M₄。转折点D₄与转折点D₅间具有距离M₅。转折点D₅与转折点D₆间具有距离M₆。转折点D₆与转折点D₇间具有距离M₇。转折点D₇与端点502t₂间具有距离M₈。第二移相结构502A的总长度可定义为距离M₁至M₈的总和，亦即M₁+M₂+M₃+M₄+M₅+M₆+M₇+M₈。

因此，第一移相结构501A的总长度(距离L₁+L₂+L₃+L₄+L₅+L₆+L₇+L₈)与第二移相结构502A的总长度(距离M₁+M₂+M₃+M₄+M₅+M₆+M₇+M₈)不同。由于在本实施例中，第一移相结构501A与第二移相结构502A具有螺旋状的结构，因此其总长度亦可定义为螺旋状结构内圈长度(例如第一移相结构501A的内圈503A或第二移相结构502A的内圈503B)与外圈长度(例如第一移相结构501A的外圈504A或第二移相结构502A的外圈504B)的平均值。在一些实施例中，第一移相结构501A的总线段长可大于第二移相结构502A的总线段长，以允许第一调制单元100A相较于第二调制单元100B能提供更大的相位差或更大的电容。

此外，如图4以及图5所示，第一移相结构501A以及第二移相结构502A的覆盖面积不同。在本申请一些实施例中，移相结构的“覆盖面积”可定义为能覆盖移相结构的最小矩形的面积。举例来说，能覆盖第一移相结构501A的最小矩形在Y方向最大的尺寸是L₁，在X方向最大的尺寸是L₂。在一实施例中，覆盖第二移相结构502A的最小矩形的面积会大于可覆盖第一移相结构501A的最小矩形的面积，但本申请并不以此为限。可根据不同的需求，改变第一移相结构501A以及第二移相结构502A的尺寸。

借由使第一移相结构501A与第二移相结构502A具有不同的总长度或覆盖面积，可使第一天线单元11与第二天线单元12各自接收/发送不同频率的信号，进而减少信号之间发生干扰。

图6以及图7分别是图4以及图5的第一移相结构501A与第二移相结构502A各自加上第一贴片元件204A以及第二贴片元件204B后的示意图。由于第一移相结构501A具有相对于第二移相结构502A较大的面积，故第一贴片元件204A的面积可大于第二贴片元件204B。借由使第一贴片元件204A与第二贴片元件204B的面积不同，可使第一调制单元100A与第二调制单元100B接收/发送不同频率的信号。

图8以及图9分别是本申请另一些实施例的第一移相结构501B与第二移相结构502B的示意图。在图8中，第一移相结构501B可具有7个转折点(E₁、E₂、E₃、E₄、E₅、E₆、E₇)，而在图9中第二移相结构502B可具有5个转折点(F₁、F₂、F₃、F₄、F₅)。换句话说，第一移相结构501B与第二移相结构502B的转折点数目可不同，例如第一移相结构501B的转折点数目可大于第二移相结构502B的转折点数目。然而本申请并不以此为限，第一移相结构501B与第二移相结构502B亦可具有其他数目的转折点，取决于设计需求。借由改变第一移相结构501B或第二移相结构502B转折点的数目，可使第一天线单元11与第二天线单元12接收/发送不同频率的信号，以减少第一天线单元11与第二天线单元12间的信号发生干扰。

接着，请参照图10。图10显示根据本申请一些实施例中的电子装置10A的剖面结构示意图，具体而言，图10绘示图1中沿着线段A-A’的剖面结构示意图。承前述，电子装置10A包含第一基板102、第二基板202、及液晶层300，液晶层300可设置于第一基板102与第二基板202之间。

在一些实施例中，液晶层300的材料可包含向列型(nematic)液晶、层列型(smectic)液晶、胆固醇(cholesteric)液晶、蓝相(blue-phase)液晶、其它合适的液晶材料、或前述材料的组合，但不限于此。然而，根据另一些实施例，可使用具有可调制折射率、或可调制电磁波的材料取代液晶层300，例如，过渡金属氮化物、光电材料(electro-opticsmaterial)、或前述的组合，但不限于此。举例而言，所述光电材料可包含铌酸锂(LiNbO₃)、钽酸锂(LiTaO₃)、碲化镉(CdTe)、磷酸二氢铵(NH₄H₂PO₄)、磷酸二氢钾(KH₂PO₄)、钽铌酸钾(KTN)、锆钛酸铅(PZT)、过渡金属氮化物(例如TiN、HfN、TaN、或ZrN)、或前述的组合，但不限于此。在一实施例中，液晶层300可包含异硫氰酸脂、或其它高极性官能基，但不限于此。

在一些实施例中，在第一基板102与第二基板202对组之前，可借由滴下式液晶注入法(one drop filling，ODF)形成液晶层300，亦可在对组之后通过真空注入法填充液晶，但本申请不限于此。

根据一些实施例，可借由施加不同的电场于液晶层300以调整相位差或电容，进而控制穿过第一开口209A及第一贴片元件204A、或穿过第二开口209B及第二贴片元件204B的电磁信号的传递方向。

承前述，在一些实施例中，电子装置10A包含导电层208，如图10所示，导电层208可设置于第二基板202上，且可位于液晶层300与第二基板202之间。详细而言，在一些实施例中，导电层208可经图案化而具有对应于第一贴片元件204A的第一开口209A以及对应第二贴片元件204B的第二开口209B。在一些实施例中，导电层208可为接地的。在一些实施例中，在第一基板102的法线方向上(Z方向)，第一贴片元件204A的面积可小于或等于第一开口209A的面积，第二贴片元件204B的面积可小于或等于第二开口209B的面积。在一实施例中，部分的第一开口209A可未与第一贴片元件204A重叠，部分的第二开口209B可未与第二贴片元件204B重叠，以增强信号传递的效果。

在一些实施例中，导电层208的材料可包含前述导电材料、前述透明导电材料或前述的组合，在此不再赘述。

在一些实施例中，可借由前述物理气相沉积制程、前述化学气相沉积制程、电镀制程、无电镀制程、其它合适的方法、或前述的组合形成导电层208。再者，可借由前述光光刻制程及蚀刻制程图案化导电层208。

此外，根据一些实施例，第一基板102或第二基板202可为可挠式基板，借此可提升电子装置10A的整体挠曲性或塑性，有利安装于各种物品的表面，例如，汽车、机车、飞机、船、建筑物、或其它适用的物品，但本申请不以此为限。

再者，第一基板102可具有第一厚度T₁，第二基板202可具有第二厚度T₂。在一些实施例中，第一基板102的第一厚度T₁可大于或等于第二基板202的第二厚度T₂，但不限于此。值得注意的是，由于第二基板202为电磁波信号通过的主要基板，借此可降低从第一贴片元件204A、第二贴片元件204B辐射向外的电磁波或是从外界欲进入第一贴片元件204A、第二贴片元件204B的电磁波的介电损耗，但不限于此。

再者，根据本申请实施例，第一基板102的“第一厚度T₁”与第二基板202的“第二厚度T₂”分别指的是，第一基板102以及第二基板202于第一基板102的法线方向(Z方向)上的最大厚度。

此外，根据本申请实施例，可使用光学显微镜(optical microscopy，OM)、扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪或其它合适的方式测量各元件的厚度、宽度或元件之间的距离。详细而言，在一些实施例中，可于移除液晶层300之后，使用扫描式电子显微镜取得结构的任一剖面影像，并测量各元件于影像中的厚度、宽度或元件之间的距离。

虽然图10中的第一贴片元件204A以及第二贴片元件204B是设置在第二基板202上，并且与导电层208设置在第二基板202的不同侧，但本申请并不以此为限。举例来说，图11是本申请另一些实施例的电子装置10B的剖面图，在此实施例中，第一基板102与第二基板202之间还可包括介电层206及/或缓冲层210，且第一贴片元件204A以及第二贴片元件204B可设置在介电层206及第二基板202之间。第一贴片元件204A、第二贴片元件204B、及导电层208可设置在第一基板102与第二基板202之间。

在一些实施例中，介电层206的材料可包含有机材料、无机材料、或前述材料的组合，但不限于此。在一些实施例中，前述有机材料可包含聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、液晶高分子(liquid-crystal polymer，LCP)材料、聚乙烯(polyethylene，PE)、聚醚砜((polyethersulfone，PES)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、异戊二烯(isoprene)、酚醛树脂(phenol-formaldehyde resin)、苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)、全氟环丁烷(perfluorocyclobutane，PECB)、其它合适的材料、或前述材料的组合，但不限于此。在一些实施例中，前述无机材料可包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氧化钛、其它合适的材料、或前述材料的组合，但不限于此。

在一些实施例中，可借由前述物理气相沉积制程、前述化学气相沉积制程、涂布制程、印刷制程、其它合适的制程、或前述的组合形成介电层206。

如图11所示，在一些实施例中，介电层206可具有单层结构、或多层结构。具体而言，根据一些实施例，介电层206的多层结构的数量可介于2层至50层之间(2≦数量≦50)，例如6层、10层、20层、或30层等，但不限于此。在一些实施例中，具有多层结构的介电层206的各层别之间可由相同或不同的材料形成，或者，可由部分相同而部分不同的层别形成。此外，在一些实施例中，介电层206可包含至少一聚酰亚胺膜，但不限于此。

根据一些实施例，当介电层206具有多层结构时，则最靠近导电层208的层别(或与导电层208接触的层别)的材料可包含氧化硅、氮化硅、其它合适的材料、或前述材料的组合，但不限于此。在这些实施例中，可减缓介电层206与导电层208之间的热膨胀系数(coefficient ofthermal expansion，CTE)的差异，借此可改善第二基板202的翘曲问题。

再者，介电层206可具有第三厚度T₃。在一些实施例中，介电层206的第三厚度T₃可大于或等于5微米(μm)，且小于或等于第二基板202的第二厚度T₂(即，5μm≦第三厚度T₃≦第二厚度T₂)。在一些实施例中，介电层206的第三厚度T₃可大于或等于电子装置10A所调制的电磁波波长λ的0.01倍，且小于或等于电子装置10B所调制的电磁波波长λ的1倍(即，0.01λ≦第三厚度T3≦λ)，例如0.05λ、0.1λ、0.3λ、0.5λ、0.7λ、或0.9λ，

再者，根据本申请实施例，介电层206的“第三厚度T₃”指的是，介电层206于第一基板102的法线方向Z上的最大厚度。

在一些实施例中，缓冲层210可包含绝缘材料。在一些实施例中，缓冲层210的材料可包含前述有机材料、前述无机材料、或前述的组合，但不限于此，在此不再赘述。再者，缓冲层210可具有单层结构、或多层结构。在某些实施例中可省略缓冲层210。

接着，请参照图12，图12显示根据本申请一些实施例中的电子装置10C的俯视图。应理解的是，后文中与前文相同或相似的组件或元件将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能皆与前文所述相同或相似，故此部分于后文中将不再赘述。

图12所示的电子装置10C与图1所示的电子装置10A大致上相似。电子装置10C的第一调制单元100A间的距离(例如最小距离)可与第二调制单元100B间的距离(例如在X方向及/或Y方向上的距离)相同或不同。举例来说，图12中的第一调制单元100A间的距离可为距离I₁，而第二调制单元100B间的距离可为距离I₂，且距离I₁可大于距离I₂，但不限于此。在其他实施例中，距离I₁可小于或等于距离I₂。借由调整调制单元间的距离，可调整第一调制单元100A或第二调制单元100B的频率，以允许第一调制单元100A与第二调制单元100B接收/发送不同频率的信号。

此外，在图12中，第一馈送结构401C以及第二馈送结构402C在转折处可具有与图1的第一馈送结构401A以及第二馈送结构402A不同的结构。举例来说，如图12所示，第一馈送结构401C在其转折点(例如第一转折点TR1)可具有切角的结构，而第二馈送结构402C在其转折点(第二转折点TR2)可具有圆弧角的结构。此外，圆弧角或切角可增加在第一馈送结构401C或第二馈送结构402C的分支处的宽度，以降低第一馈送结构401C或第二馈送结构402C的阻抗，并且还可增强第一馈送结构401C或第二馈送结构402C的强度。然而。本申请并不限于此。举例来说，亦可使第一馈送结构401C在部分转折点包含圆弧角的结构，或者可使第二馈送结构402C在部分转折点包含切角的结构。此外，亦可仅使第一馈送结构401C或第二馈送结构402C在转折处具有不同的结构，取决于设计需求。再者，这种圆弧角及/或切角结构亦可应用在本申请其他实施例的馈送结构，并不加以限制。

接着，请参考图13，图13显示根据本申请一些实施例中，电子装置10D的俯视图。图13所示的电子装置10D与图12所示的电子装置10C大致相似，其差异在于，电子装置10D可包括与电子装置10C不同数量的第一调制单元100A及/或第二调制单元100B。在一些实施例中，电子装置10D的第一调制单元100A或第二调制单元100B可排列成多个阵列。电子装置10D可设计成具有m*m个第一调制单元100A以及n*n个第二调制单元100B，其中n和m为正整数(例如图13中所示的4*4个第一调制单元100A以及4*4个第二调制单元100B)。虽然在图13中第一调制单元100A以及第二调制单元100B皆绘示为具有相同的数量，但本申请并不以此为限。举例来说，第一调制单元100A与第二调制单元100B的数量亦可以不同(也就是说m和n为不同的正整数)。

然而，本申请并不限于此。在一些实施例中，亦可让第一调制单元100A与第二调制单元100B在各行与各列的数量不同。举例来说，电子装置10D亦可具有m₁*n₁个第一调制单元100A，以及m₂*n₂个第二调制单元100B，其中m₁、m₂、n₁、n₂为正整数，且m₁与n₁可不同，而m₂与n₂可不同。借此，可根据不同的设计需求而提供不同数量的第一调制单元100A与第二调制单元100B，以增加设计弹性。

前述实施例的第一馈送结构401D可耦接到用以接收信号的馈源，第二馈送结构402D可耦接到用以发射信号的一馈源，但本申请并不以此为限。举例来说，在一些实施例中，第一馈送结构401D和第二馈送结构402D亦可同时耦接到用以接收信号的不同馈源、或同时耦接到用以发射信号的不同馈源，并分别对应于不同频率的信号，以增加设计弹性。

此外，亦可在第一馈送结构401D和第二馈送结构402D间提供额外的隔离结构，以降低两者之间的信号干扰。举例来说，图13还绘示了围绕第一天线单元11’的隔离结构701(例如围绕第一馈送结构401D)、围绕第二天线单元12’的隔离结构702(例如围绕第二馈送结构402D)、及位在第一天线单元11’以及第二天线单元12’之间的隔离结构703(例如位在第一馈送结构401D与第二馈送结构402D之间)。隔离结构701、隔离结构702、隔离结构703可设置在液晶层300中，且可与导电层208、第一馈送结构401D、第二馈送结构402D电性绝缘。在一实施例中，隔离结构701、隔离结构702、及/或隔离结构703在电子装置10D的法线方向上与第一调制单元100A、第二调制单元100B、第一馈送结构401D、第二馈送结构402D、第一移相结构501、及第二移相结构502不重叠。在一些实施例中，隔离结构701、隔离结构702、隔离结构703的材料可包含前述导电材料、透明导电材料或前述的组合，在此不再赘述。在一些实施例中，隔离结构701、隔离结构702、隔离结构703可借由合适的薄膜制程或者是转印方法形成在电子装置10D上，但并不限于此。

借由在第一馈送结构401D与第二馈送结构402D之间设置导电的隔离结构701、隔离结构702、及/或隔离结构703，可减少第一馈送结构401D与第二馈送结构402D之间的信号发生干扰，因此可增加电子装置10D的稳定性。虽然在图13中同时绘示了隔离结构701、隔离结构702、与隔离结构703，但本申请并不以此为限。在一些实施例中，亦可在电子装置10D中提供隔离结构701、隔离结构702、及隔离结构703中的至少一者。

在一些实施例中，第一馈送结构401D和第二馈送结构402D可分别耦接到不同的第一处理器601和第二处理器602，以各自对各种不同的信号进行独立的控制。第一处理器601和第二处理器602可安装(mount)或封装(package)在第一基板102上，亦可通过外接的方式(例如通过软性印刷电路板(Flexible Printed Circuit，FPC))与第一馈送结构401D和第二馈送结构402D耦接，且本申请并不限于此。第一处理器601和第二处理器602可各自进行不同的工作，例如分别处理高频段或低频段的信号、或分别用以接收或发送信号。举例来说，亦可将不同的馈送结构耦接到相同的一个处理器，以降低电子装置中的元件数目。

接着，请参考图14，图14显示根据本申请一些实施例中，电子装置10E的俯视图。

图14的电子装置10E大致上与图1的电子装置10A相似，差别处在于第一馈送结构401E与第二馈送结构402E所连接到的第一馈源401F与第二馈源402F可设置在第一基板102的不同侧边(例如XY平面上的不同侧边)。举例来说，第一馈源401F与第二馈源402F可设置在第一基板102的相对侧边。借此，可增加第一馈源401F与第二馈源402F间的距离，以降低具有不同频率的第一馈源401F与第二馈源402F间的信号干扰、或可有效地利用第一基板102上的空间，但本申请并不以此为限。

接着，请参考图15，图15显示根据本申请一些实施例中，电子装置10F的俯视图。

图15的电子装置10F大致上与图1的电子装置10A相似，差别处在于第一馈送结构401F1与第二馈送结构402F1可连接到一共用馈源403。共用馈源403可在不同的时间段各自提供不同的信号给第一馈送结构401F1与第二馈送结构402F1(例如分别进行信号传输以及信号接收)。然而，本申请并不限于此。举例来说，共用馈源403亦可同时提供信号给第一馈送结构401F1与第二馈送结构402F1，并且可借由波形处理的方式来区分第一馈送结构401F1与第二馈送结构402F1接收的信号。借此，可降低所需馈源、或处理器的数量，以降低生产成本。

虽然在前述实施例中可借由相同的液晶材料300来封装不同的馈送结构，但本申请并不限于此。接着，请参考图16，图16显示根据本申请一些实施例中，电子装置10G的剖面图。

图16的电子装置10G大致上与图3的电子装置10A相似，差别处在于电子装置10G的第一移相结构501以及第二移相结构502可分别是设置在不同的第一液晶层301以及第二液晶层302中。第一液晶层301的材料可不同于第二液晶层302。可选用合适的材料，以分别使第一液晶层301以及第二液晶层302对应于来自第一馈源401F以及第二馈源402F(请参考图1)的射频信号而发生共振。借此，可增强信号传输的效果。在一些实施例中，若来自第一馈源401F信号的共振频率小于来自第二馈源402F信号的共振频率，则可将对应于第一馈源401F的第一液晶层301设计为具有较大的介电常数，而将对应于第二馈源402F的第二液晶层302设计为具有较小的介电常数，以分别对应具有不同频率的信号，但本申请并不以此为限。此外，在一些实施例中，还可在第一液晶层301以及第二液晶层302间提供间隔物900，以分隔第一液晶层301以及第二液晶层302。

此外，除了改变第一液晶层301以及第二液晶层302的介电常数以使其对应于来自第一馈源401F与第二馈源402F信号的共振频率外，亦可改变第一液晶层301以及第二液晶层302的厚度(cell gap)以达到类似的效果。举例来说，若来自第一馈源401F信号的共振频率小于来自第二馈源402F信号的共振频率，则可将对应于第一馈源401F的第一液晶层301的厚度设计为小于第二馈源402F的第二液晶层302的厚度，以使第一液晶层301以及第二液晶层302分别对应到第一馈源401F与第二馈源402F的共振频率，进而增强信号传输的效果。举例来说，亦可在第一液晶层301与第一基板102之间设置一层额外的绝缘层104，以降低第一液晶层301的厚度(改变第一移相结构501与导电层208间的距离)。绝缘层104的材料可与介电层206的材料相同或相似，于此不再赘述。

在一些实施例中，亦可在电子装置10G中提供高度不同的间隔元件(例如在Z方向上的高度不同)，以改变第一液晶层301与第二液晶层302的厚度，进而强化电子装置10G的结构强度。举例来说，在图16中的第一间隔元件801是设置在第一液晶层301中，而第二间隔元件802是设置在第二液晶层302中，且第一间隔元件801与第二间隔元件802在Z方向上的高度可不同。举例来说，第一间隔元件801在Z方向上的高度可小于第二间隔元件802的高度，但不限于此。

在一些实施例中，第一间隔元件801及/或第二间隔元件802在俯视方向上可具有环状结构。在一些实施例中，间隔元件可具有柱状结构，但不限于此。再者，第一间隔元件801以及第二间隔元件802可包含前述绝缘材料、前述导电材料、或前述的组合，在此不再赘述。

在一些实施例中，亦可配合所需共振频率的不同而选择第一液晶层301与第二液晶层302的粘度。当共振频率越大，液晶层对应到的液晶粘度较小。举例来说，可将第一液晶层301与第二液晶层302设计为具有不同的粘度(例如第二液晶层302的粘度可小于第一液晶层301的粘度)，以让第一天线单元11与第二天线单元12可分别对应于不同频率的信号。

接着，请参照图17至图20，图17至图20显示根据本申请一些实施例中的移相结构503、移相结构504、移相结构505、以及移相结构506的俯视图。如图17至图20所示，在一些实施例中，移相结构可具有不规则形状，且可具有至少一个转折点BP。举例而言，在一些实施例中，移相结构可具有至少一个凹凸部、螺旋形状、圆弧形状、或回圈形状的环绕部、或前述的组合，但本申请不限于此。

如图17至图20所示，移相结构503、504、505、506分别可具有端点503t₁以及端点503t₂、端点504t₁以及端点504t₂、端点505t₁以及端点505t₂、端点506t₁以及端点506t₂。在一些实施例中，移相结构靠近其中一个端点处可沿第二长度方向H₂延伸，而移相结构靠近另一个端点处可沿第三长度方向H₃延伸。在一些实施例中，所述第二长度方向H₂可与所述第三长度方向H₃实质上垂直(例如，图17所示的实施例)或实质上平行(例如，图18至图20所示的实施例)，但不限于此。在另一些实施例中，所述第二长度方向H₂与所述第三长度方向H₃之间的夹角(图未示)的范围可介于5度至270度之间(5度≦夹角≦270度)，例如45度、90度、120度、或200度。

此外，在一些实施例中，移相结构503、504、505、506可具有长度L及宽度W。在一些实施例中，移相结构503、504、505、506的长度L、及/或宽度W的范围可介于0.3倍的操作波长(λ)至0.8倍的操作波长之间(即0.3λ≦长度L≦0.8λ及/或0.3λ≦宽度W≦0.8λ)，例如，0.4倍的操作波长、0.5倍的操作波长、0.6倍的操作波长、或0.7倍的操作波长。

具体而言，在一些实施例中，可操作的射频信号的频率可介于0.7GHz至300GHz之间(0.7GHz≦频率≦300GHz)，因此所述长度L及/或宽度W的范围可介于0.1毫米至300毫米之间(0.1毫米≦长度L≦300毫米及/或0.1毫米≦宽度W≦300毫米)，例如，10毫米、50毫米、100毫米、150mm、或200毫米。

根据本申请一些实施例，对于整体具有矩形、椭圆形、或狭长形状的移相结构503、504、505、506，长度L可定义为其纵向(如图17至图20中的Y方向)的最大尺寸；对于不具有明确长轴的移相结构，长度L可定义为可围绕移相结构503、504、505、506的最小矩形的长边。相似地，宽度W可定义为其横向(如图17至图20中的X方向)的最大尺寸；对于不具有明确短轴的移相结构，宽度W可定义为可围绕移相结构的最小矩形的短边。

此外，在一些实施例中，移相结构503、504、505、506的总长度(亦即，从一个端点至另一个端点的总长度)的范围可介于5毫米至2100毫米之间(5毫米≦总长度≦2100毫米)，例如10毫米、100毫米、500毫米、1000毫米、或1500毫米。此外，如图17与图19所示，在一些实施例中，移相结构503、505可具有多个回圈，于此种实施例中，所述回圈的数量的范围可介于1圈至20圈之间(1圈≦回圈的数量≦20圈)，例如3圈、6圈、10圈、或15圈。

如图17至图20所示，借由改变移相结构503、504、505、506的结构或转折型态，亦可改变其所对应的信号频率。可将前述实施例的移相结构(例如图1中的移相结构501以及移相结构502)替换为具有本实施例的移相结构503、504、505、506，以满足不同的需求。举例来说，亦可将前述电子装置中的第一天线单元11、11’和第二天线单元12、12’的移相结构替换为具有不同转折型态的移相结构(例如分别替换为移相结构503以及移相结构504，但并不以此为限)，以各自传输不同频率的信号。

综上所述，本申请一些实施例提供了一种电子装置，其可对不同频率的天线单元提供不同的图案，以允许不同的天线单元可同时运作，进而提升电子装置的效率、可降低不同频率信号间的干扰或、可提升电子装置上空间的利用率，但不限于此。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims

1.一种电子装置，包括：

一基板；

一第一天线单元，设置于该基板上且包括一第一图案结构；

一第二天线单元，设置于该基板上且包括一第二图案结构，其中该第一图案结构与该第二图案结构不同；

一馈送单元，设置于该基板上且包括一第一馈送结构及一第二馈送结构，其中该第一馈送结构耦接该第一图案结构，该第二馈送结构耦接该第二图案结构，

其中该第一馈送结构及该第二馈送结构的至少其中一者包括具有切角结构或弧角结构的转折点。

2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一馈送结构及一第二馈送结构的至少其中一者更包括一馈送线，且该转折点的宽度大于该馈送线的宽度。

3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该馈送线的宽度大于或等于该第一图案结构的宽度。

4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该转折点的宽度大于该第一图案结构的宽度。

5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包括一第一馈源以及一第二馈源，该第一馈源以及该第二馈源分别耦接该第一馈送结构以及该第二馈送结构。

6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，该第一馈源与该第二馈源在该基板的一表面的同一侧。

7.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，该第一馈源与该第二馈源在该基板的一表面的相对侧。

8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一图案结构与该第二图案结构的转折点数量不同。

9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一图案结构与该第二图案结构的长度不同。

10.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一天线单元还包括一第一贴片元件，与该第一图案结构部分重叠。