CN116909089A - 图案尺寸测量方法、光学邻近校正模型的修正方法及装置 - Google Patents
图案尺寸测量方法、光学邻近校正模型的修正方法及装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116909089A CN116909089A CN202310756331.7A CN202310756331A CN116909089A CN 116909089 A CN116909089 A CN 116909089A CN 202310756331 A CN202310756331 A CN 202310756331A CN 116909089 A CN116909089 A CN 116909089A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pattern
- measured
- measurement
- coordinates
- center point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 title description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 128
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
本申请实施例提供一种图案尺寸测量方法、光学邻近校正模型的修正方法及装置,该图案尺寸测量方法包括:读取量测中心点的坐标,并基于量测中心点的坐标,生成视野窗口;截取位于所述视野窗口内的待测量图案;基于所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案的量测位置;基于所述量测位置测量所述待测量图案的尺寸。实现了大批量图案量测位置的自动提取,提高了量测位置提取以及尺寸测量的效率,进而提高了OPC模型修正的效率。
Description
技术领域
本申请实施例涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种图案尺寸测量方法、光学邻近校正模型的修正方法及装置。
背景技术
在半导体集成电路技术领域,半导体的关键尺寸(Critical Dimension,CD)越来越小,甚至小于光刻工艺中所使用的光源的波长。由于光的衍射效应,掩模上的图案在转移时会发生变形,即发生光学邻近效应,从而影响光刻质量。为了降低光学邻近效应的影响,便产生了光学邻近校正(Optical Proximity Correction,OPC)模型。
OPC模型为基于OPC程序建立的,通过OPC模型对设计的光掩模图案进行修正,修正结果作为最终的光掩模图案进行光刻。为了优化OPC模型,通常基于CD-SEM(CriticalDimension-Electronic Microscope关键尺寸扫描电子显微镜)测量GDS(Graphic DataSystem,图案数据系统)中图案的关键尺寸。
为了测量图案的关键尺寸需要确定量测位置,在相关技术中,需要手动添加图案的量测位置,量测位置提取的效率低下,导致关键尺寸测量以及OPC模型优化的效率低下。
发明内容
本申请实施例提供一种图案尺寸测量方法、光学邻近校正模型的修正方法及装置,实现了量测位置的自动提取,以基于量测位置测量待测量图案的尺寸,提高了图案尺寸测量的效率。
第一方面,本申请实施例提供一种图案尺寸测量方法,包括:
读取量测中心点的坐标,并基于所述量测中心点的坐标,生成视野窗口;
截取位于所述视野窗口内的待测量图案;
基于所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案的量测位置;
基于所述量测位置,测量所述待测量图案的尺寸。
在一些实施方式中,读取量测中心点的坐标,并基于所述量测中心点的坐标,生成视野窗口,包括:
获取量测中心文件;
遍历所述量测中心文件中各所述量测中心点的坐标,针对各所述量测中心点的坐标,以所述量测中心点的坐标为中心,生成所述量测中心点对应的视野窗口。
在一些实施方式中,以所述量测中心点的坐标为中心,生成所述量测中心点对应的视野窗口,包括:
基于放大倍率,确定所述视野窗口的视场角;
以所述量测中心点的坐标为中心,以所述视场角为窗口尺寸,绘制所述量测中心点对应的视野窗口。
在一些实施方式中,所述方法还包括:
基于图像数据流文件中记录的多个预设图案的顶点坐标,确定多个量测中心点;
将所述多个量测中心点的坐标保存至所述量测中心文件。
在一些实施方式中,所述方法还包括:
将所述待测量图案的量测位置,保存至量测位置文件;
在将所述量测中心文件中各所述量测中心点对应的视野窗口内各待测量图案的量测位置保存至所述量测位置文件之后,输出所述量测位置文件。
在一些实施方式中,截取位于所述视野窗口内的待测量图案,包括:
基于图像数据流文件中记录的所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案所在的区域;
基于所述待测试图像所在的区域,截取位于所述视野窗口内的待测量图案。
在一些实施方式中,基于所述待测试图像所在的区域,从所述视野窗口内截取所述待测量图案,包括:
将所述待测量图案所在的区域与所述视野窗口进行与运算;
若与运算的结果等于所述待测量图案所在的区域,则从所述视野窗口内截取所述待测量图案。
在一些实施方式中,基于所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案的量测位置,包括:
基于图像数据流文件中记录的所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案左下角和右上角的顶点坐标为所述待测量图案的量测位置。
第二方面,本申请实施例提供一种光学邻近校正模型的修正方法,包括:
获取多个图案的测量尺寸,其中,所述测量尺寸为基于本申请第一方面对应的任意实施例提供的方法测量的;
基于所述多个图案的设计尺寸与测量尺寸的差异,修正光学邻近校正模型。
第三方面,本申请实施例提供一种图案尺寸测量装置,包括:
视野窗口生成模块,用于读取量测中心点的坐标,并基于所述量测中心点的坐标,生成视野窗口;
图案截取模块,用于截取位于所述视野窗口内的待测量图案;
量测位置确定模块,用于基于所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案的量测位置;
尺寸测量模块,用于基于所述量测位置,测量所述待测量图案的尺寸。
第四方面,本申请实施例还提供一种光学邻近校正模型的修正装置,包括:
测量尺寸获取模块,用于基获取多个图案的测量尺寸,其中,所述测量尺寸为基于本申请第一方面对应的任意实施例提供的方法测量的;
模型修正模块,用于基于所述多个图案的测量尺寸与设计尺寸的差异,修正光学邻近校正模型。
第五方面,本申请实施例还提供一种电子设备,包括:存储器和至少一个处理器;
所述存储器存储计算机执行指令;
所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令,使得所述电子设备实现第一方面或第二方面提供的方法。
第六方面,本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令,当处理器执行所述计算机执行指令时,实现如第一方面或第二方面提供的方法。
第七方面,本申请实施例还提供一种计算机程序产品,包括计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如第一方面或第二方面提供的方法。
本申请实施例提供的图案尺寸测量方法、光学邻近校正模型的修正方法及装置,针对OPC模型修正的应用场景,为了获取更多的量测位置,以提高OPC模型的准确度,本申请实施例提供了一种基于已有的量测中心点的坐标自动提取周围其他图案的量测位置的方法,具体为在基于量测中心点的坐标生成的FOV(Field of View,视野)大小的视野窗口中,截取得到位于该窗口内的待测量图案,通常为洞形图案,基于待测量图案的顶点坐标,确定该待测量图案的量测位置,如左下角的顶点坐标和右上角的顶点坐标,实现了量测位置的自动提取,并基于量测位置进行待测量图案尺寸的测量,提高了量测位置提取以及图案尺寸测量的效率,且通过部署较多的测量中心点,可实现大批量的量测位置的自动提取,从而得到更多图案的关键尺寸,丰富了OPC模型修正所采集的数据;通过丰富的图案关键尺寸的差异进行OPC模型修正,提高了OPC模型的准确度。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本申请实施例的实施例,并与说明书一起用于解释本申请实施例的原理。
图1是本申请实施例提供的一种OPC模型修正过程的示意图;
图2是本申请实施例提供的一种图案尺寸测量方法的流程示意图;
图3为本申请实施例提供的另一种图案尺寸测量方法的流程示意图;
图4为本申请图3所示实施例中量测中心文件的示意图;
图5为本申请又一个实施例提供的图案尺寸测量方法的流程示意图;
图6为本申请实施例提供的一种光学邻近校正模型的修正方法的流程示意图;
图7是本申请实施例提供的一种图案尺寸测量装置的结构示意图;
图8是本申请实施例提供的一种电子设备的结构框图。
通过上述附图,已示出本申请实施例明确的实施例,后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请实施例构思的范围,而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请实施例的概念。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请实施例相一致的所有实施方式。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请实施例的一些方面相一致的装置和方法的例子。
在半导体器件,如存储器,生产过程中,为了确保设计的图案的边缘得到完整的刻蚀,可以通过改变掩模版来补偿成像。光学邻近校正是一种光刻增强技术,通过移动掩模版上图案的边缘或者添加额外的多边形来弥补由于光的衍射倒是的图案变形。
图1是本申请实施例提供的一种OPC模型修正过程的示意图,在得到初始的OPC模型之后,为了提高OPC模型的质量需基于采集的数据进行OPC模型的修正。参照图1所示,OPC修正的过程主要分为数据采集阶段和模型修正阶段。数据采集阶段的主要任务为基于测量工具,如CD-SEM,测量版图上图案的关键尺寸,将采集的关键尺寸反馈至OPC模型。OPC模型基于采集的关键尺寸与实际尺寸的差异进行模型修正,再基于修正后的模型生成新的版图,对新的版图上的图案进行关键尺寸采集,反复执行上述过程,不断提高OPC模型的精度,直至OPC模型通过验证。
在建立初始的OPC模型之后,需对OPC模型进行不断的修正,直至通过OPC模型制作的掩模版上的图案制造的晶圆上的图形与设计的图形匹配或者达到精度要求。
由于晶圆结构复杂,所需测量的图案数量多、种类繁杂,为了提高关键尺寸的测量效率,可以通过使用较大的FOV来覆盖更大的测量范围,从而导致在一个FOV大小的窗口中包括较多图案,这些图案中包括提供了量测位置的图案,如图1中的图案1和图案2,同时也会包括未提供量测位置的图案,如图1中的图案3至图案6。
提供了量测位置的图案,可以为关键图案,如关键器件的图案、复杂图案、光刻难度高的图案等。
为了测量更多图案的关键尺寸,针对FOV中未提供量测位置的图案,如图案5,当需要测量其关键尺寸时,通常需要手动给出图案5的量测位置,从而基于量测位置进行关键尺寸测量。手动给出量测位置的方式,效率低下、工作量大,因此,需要提供一种自动确定其量测位置的方法,以测量图案5的关键尺寸,从而丰富关键尺寸的数量,为OPC模型修正提供更多维度、更丰富的数据基础。
针对上述问题,本申请实施例提供了一种图案尺寸测量方法,针对未提供量测位置的图形,首先,基于提供的量测中心点的坐标,生成一个FOV大小的窗口即视野窗口,针对该视野窗口内未提供量测位置的图形,先从视野窗口中截取该部分图形,基于这些图形的顶点坐标,确定其量测位置,实现了量测位置的自动提取,以基于提取的量测位置进行图案尺寸测量,提高了量测位置提取以及图案尺寸测量的效率,进而提高了测量图案的多样化,为OPC模型的修正提供了更多维度、更丰富的数据基础。
图2是本申请实施例提供的一种图案尺寸测量方法的流程示意图。本实施例提供的图案尺寸测量方法,可以由具备相应数据处理能力的电子设备执行,如图2所示,该图案尺寸测量方法包括以下步骤S201至S204。
S201,读取量测中心点的坐标,并基于所述量测中心点的坐标,生成视野窗口。
量测中心点为坐标已知的版图上的点。
可以由人为指定少量的量测中心点。如基于版图上待测量图案的分布情况,部署多个量测中心点,以使多个量测中心点对应的视野窗口覆盖待测量图案所在的区域,以提取待测量图案的量测位置。
在一些实施方式中,量测中心点可以在版图上均匀排布,相邻量测中心点在水平和垂直方向的距离小于或等于FOV在对应的方向上的尺寸。
在一些实施方式中,可以基于晶圆的尺寸与FOV的比值,确定量测中心点的数量。
在一些实施方式中,量测中心点可以为已知的量测位置,如关键图形的量测位置,关键图形可以为晶圆或掩膜版上关键元件对应的图形,也可以是复杂图形、光刻难度较大的图形或者指定的图形。视野窗口为一个FOV大小的窗口,如0.9μm、1.35μm等。FOV的大小与放大倍率有关。
在视野窗口内,包括量测中心点对应的图案以及其他需要测量的图案。
可以以量测中心点为中心,生成视野窗口。
视野窗口为方形,包括四个顶点。可以基于量测中心点的坐标,以及FOV的大小,确定视野窗口四个的顶点坐标,生成一个FOV大小的视野窗口。
量测中心点的坐标可以预先存储于一个文件中,如txt文件,坐标为二维坐标用于描述对应的点在图像中的位置。可以按照一定顺序或者并行从该文件中读取量测中心点的坐标。针对各量测中心点,生成以该量测中心点为中心的视野窗口,即量测中心点的坐标为视野窗口的中心的坐标。
示例性的,以量测中心点的坐标为(x,y)为例,视野窗口为正方形,边长为2l,则可以确定视野窗口的四个顶点的坐标分别为(x-l,y-l)、(x-l,y+l)、(x+l,y-l)和(x+l,y+l)。
S202,截取位于所述视野窗口内的待测量图案。
待测量图案为未提供量测位置的图案,可以为测试图案,也可以为半导体制造过程中晶圆上器件的图案或掩模版上的图案。
在生成视野窗口之后,需从视野窗口中获取位于该视野窗口内的图案,即待测量图案。
可以基于视野窗口所在的范围,通过计算与各个待测量图案进行所在范围与视野窗口所在的范围的交集的方式,确定位于视野窗口内的待测量图案。
在一些实施例中,截取位于所述视野窗口内的待测量图案,包括:
基于图像数据流文件中记录的所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案所在的区域;基于所述待测试图像所在的区域,从所述视野窗口内截取所述待测量图案。
图像数据流文件GDS是一种版图文件,用于描述半导体晶圆上单元(如cell)对应的多边形图案的顶点坐标。
图像数据流文件可以为基于OPC模型制作的掩模进行半导体制造过程中生成的描述电路版图的文件。
在生成视野窗口之后,针对位于视野窗口中的各个图案,从图像数据流文件中查找该图案的顶点坐标,确定该图案所在的区域,基于该图案所在的区域以及视野窗口所在的区域,判断该图案是否完全位于视野窗口内,若是,则确定该图案为待测量图案,基于待测量图案所在的区域截取该待测量图案。
判断图案是否完全位于视野窗口的方式,可以通过与运算进行。
在一些实施方式中,基于所述待测试图像所在的区域,从所述视野窗口内截取所述待测量图案,包括:
将所述待测量图案所在的区域与所述视野窗口进行与运算;若与运算的结果等于所述待测量图案所在的区域,则从所述视野窗口内截取所述待测量图案。
通过与运算的方式判断待测量图案是否完全位于视野窗口内,运算复杂度低、效率高。
S203,基于所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案的量测位置。
S204,基于所述量测位置,测量所述待测量图案的尺寸。
在截取待测量图案之后,基于OPC程序,从GDS中读取截取的待测量图案的顶点坐标。可以确定待测量图案的量测位置为待测量图案的左下角顶点和右上角顶点。
在一些实施例中,基于所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案的量测位置,包括:
基于图像数据流文件中记录的所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案左下角顶点和右上角顶点的顶点坐标为所述待测量图案的量测位置。
在确定量测位置之后,基于关键尺寸测量工具,测量待测量图案的关键尺寸。
在一些实施方式中,为了便于区分,测量得到的尺寸称为测量尺寸。
本实施例提供的图案尺寸测量方法,针对OPC模型修正的应用场景,为了获取更多的量测位置,以提高OPC模型的准确度,本申请实施例提供了一种基于已有的量测中心点的坐标自动提取周围其他图案的量测位置的方法,具体为在基于量测中心点的坐标生成的FOV大小的视野窗口中,截取得到位于该窗口内的待测量图案,通常为洞形图案,基于待测量图案的顶点坐标,确定该待测量图案的量测位置,如左下角的顶点坐标和右上角的顶点坐标,实现了量测位置的自动提取,并基于量测位置进行待测量图案尺寸的测量,提高了量测位置提取以及图案尺寸测量的效率,且通过部署较多的测量中心点,可实现大批量的量测位置的自动提取,从而得到更多图案的关键尺寸,丰富了OPC模型修正所采集的数据;通过丰富的图案关键尺寸的差异进行OPC模型修正,提高了OPC模型的准确度。
在一些实施方式中,所述方法还包括:
将所述待测量图案的量测位置,保存至量测位置文件;在将所述量测中心文件中各所述量测中心点对应的视野窗口内各待测量图案的量测位置保存至所述量测位置文件之后,输出所述量测位置文件。
图3为本申请实施例提供的另一种图案尺寸测量方法的流程示意图,本实施例是在图2所示实施例的基础上,对步骤S201进行进一步细化,以及在步骤S203之后增加量测位置文件更新和输出的相关步骤,如图3所示,本实施例提供的图案尺寸测量方法可以包括以下步骤:
S301,获取量测中心文件。
量测中心文件用于存储量测中心点的坐标。量测中心文件可以为扩展名为.txt的纯文本文件((Plain Text File,txt)。量测中心点的坐标为二维坐标,表示点在版图中的水平方向和垂直方向的位置。
可以从指定位置读取存储的量测中心文件,以遍历量测中心文件中各量测中心点的坐标。
在量测中心文件中,可以按照一定顺序依次存放各量测中心点的坐标,可以呈两列存放,其中一列为量测中心点的横坐标,另一列则为量测中心点的纵坐标。
示例性的,图4为本申请图3所示实施例中量测中心文件的示意图,如图4所示,在量测中心文件中存储有多个量测中心点的坐标,如(x0,y0)、(x1,y1)、(x0,y2)、(x1,y2)、(x1,y2)、(x3、y2)等,其中,“x”加数字为横坐标,“y”加数字为纵坐标。
S302,遍历所述量测中心文件中各所述量测中心点的坐标,针对各所述量测中心点的坐标,以所述量测中心点的坐标为中心,生成所述量测中心点对应的视野窗口。
按照一定顺序,如从上到下、从下到上,遍历量测中心文件中存储的各量测中心点的坐标,可以通过for循环语句实现量测中心点坐标的遍历。
针对当前提取的量测中心点的坐标,以该坐标为中心,生成一个FOV大小的视野窗口,得到该量测中心点的坐标。
视野窗口为矩形窗口,可以基于当前提取的量测中心点的坐标计算视野窗口四个顶点的坐标,进而基于计算的视野窗口四个顶点的坐标,绘制当前提取的量测中心点对应的视野窗口。
在一些实施方式中,以所述量测中心点的坐标为中心,生成所述量测中心点对应的视野窗口,包括:
基于放大倍率,确定所述视野窗口的视场角FOV;以所述量测中心点的坐标为中心,以FOV为窗口尺寸,绘制所述量测中心点对应的视野窗口。
可以通过OPC程序中的DT.new语句,绘制视野窗口。
具体的,可以基于FOV以及测量中心的坐标,得到视野窗口四个顶点的坐标,绘制一个FOV大小的框,得到视野窗口。
S303,截取位于所述视野窗口内的待测量图案。
示例性的,图4为本申请图3所示实施例中视野窗口中待测量图案的示意图,在图4中待测量图案采用方框表示,如图4所示,FOV中的图案包括图案41至图案45,其中,完全位于视野窗口中的3个图案,即图案41至图案44为待测量图案,图案45仅部分位于视野窗口中。通过本实施例提供的方法,可以从该视野窗口中,自动提取得到图案41至图案44的量测位置,量测位置采用实心圆点表示。
S304,基于所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案的量测位置,并基于所述量测位置测量所述待测量图案的尺寸。
当量测中心点对应的视野窗口内的待测量图案为多个时,针对该视野窗口内各待测量图案,从图像数据流文件中提取该待测量图案的顶点坐标,并确定左下角顶点和右上角顶点的坐标为该待测量图案对应的量测位置。
在一些实施方式中,待测量图案还可以采用不规则多边形表示。
S305,将所述待测量图案的量测位置,保存至量测位置文件。
将新增的量测位置保存至量测位置文件。
量测位置文件可以为扩展名为.txt的纯文本文件((Plain Text File,txt)。
在将当前量测中心点对应的视野窗口内各待测量图案的量测位置存储于量测位置文件之后,提取下一个量测中心点的坐标,返回执行以量测中心点的坐标为中心,生成量测中心点对应的视野窗口的窗口,以进行下一轮循环。在各量测中心点遍历完成后,得到完整的量测位置文件。
S306,在将所述量测中心文件中各所述量测中心点对应的视野窗口内各待测量图案的量测位置保存至所述量测位置文件之后,输出所述量测位置文件。
具体的,可以将量测位置文件输出至关键尺寸测量设备,如CD-SEM,以使关键尺寸测量设备基于提供的量测位置进行相应的待测量图案关键尺寸的测量。
在得到各待测量图案关键尺寸之后,还可以基于待测量图案的关键尺寸与实际尺寸的差异,对OPC模型进行修正,基于修正后的OPC模型得到新的图案,基于该新的图案制作掩模进行光刻,得到掩模对应的实体结构。
在本实施例中,首先,准备量测中心文件:通过提供少量的量测中心点,得到量测中心文件;接着进入图案尺寸测量阶段,逐条加载量测中心文件中的量测中心点,形成以量测中心点为中心的FOV大小的视野窗口,在该视野窗口内对待测量图案进行量测位置的自动提取,通过遍历量测中心点的方式,实现了版图上各待测量图案的量测位置的自动提取,提取逻辑简单、易于实现;并将提取的新的量测位置整理为量测位置文件,以便于在后续关键尺寸测量时,从该量测位置文件中提取得到量测位置。在面临大量图案尺寸测量的应用场景时,采用本实施提供的图案尺寸测量的方式,相较于手动给出量测位置的方式,提高了图案尺寸测量的效率;通过量测位置文件的整理和输出,为后续的关键尺寸测量提供了便利。
在一些实施方式中,所述方法还包括:
基于图像数据流文件中记录的晶圆上多个预设元件的顶点坐标,确定多个量测中心点;将所述多个量测中心点的坐标保存至量测中心文件。
可以基于预设元件的顶点坐标,确定晶圆上预设元件的分布,进而结合FOV的大小,在分布预设元件的区域内,确定多个量测中心点,以使该多个量测中心点对应的视野区域覆盖分布预设元件的区域。
预设元件可以为晶圆上的关键元件或者对应的图案较为复杂的元件。量测中心点为预设元件对应的图案的中心。
以预设元件对应的图案为方形为例,可以基于左下角顶点和右上角顶点的坐标,确定该预设元件对应的图案的量测中心点。
在量测中心文件准备完毕之后,将量测中心文件存储在指定位置,以便于后续读取。
图5为本申请又一个实施例提供的图案尺寸测量方法的流程示意图,如图5所示,该图案尺寸测量方法主要包括以下步骤:
S1,准备包括多个量测中心点的txt文档;
S2,通过OPC程序导入该txt文档,遍历该txt文档中各量测中心点的坐标,以量测中心点为中心,生成FOV大小的窗口(即视野窗口),并截取和窗口重叠的图案(即待测量图案)。
与窗口重叠的图案,具体为完全被窗口覆盖的图案,即位于窗口内的图案。
S3,提取上一步中与窗口重叠的各图案的左下角和右上角的坐标,作为量测位置,并以txt形式并输出。
具体的,可以将自动提出的量测位置以txt形式输出至量测位置文件中,以便于基于量测位置文件中的量测位置进行关键尺寸的批量测量。
图6为本申请实施例提供的一种光学邻近校正模型的修正方法的流程示意图,如图6所示,本实施例提供的光学邻近校正模型的修正方法,可以由具备相应数据处理能力的电子设备执行,如图6所示,该光学邻近校正模型的修正方法包括以下步骤:
S601,获取多个图案的测量尺寸。
其中,测量尺寸为基于本申请任意实施例提供的图案尺寸测量方法测量的。
S602,基于所述多个图案的测量尺寸与设计尺寸的差异,修正光学邻近校正模型。
图案的设计尺寸为图案的尺寸的理论值或理想值。
具体的,统计图案的实际尺寸与测量的尺寸之间的偏差大于预设阈值的图案,基于该部分图案的关键尺寸,进行OPC模型参数的调整,得到新的OPC模型。
基于新的OPC模型仿真得到新的版图,对新的版图进行图案尺寸测量以及尺寸测量,实现新的一轮数据采集,基于测量的尺寸与设计尺寸的差异再次进行OPC模型的修正,重复上述过程直至OPC模型的精度满足要求。
对应于上述方法实施例,图7是本申请实施例提供的一种图案尺寸测量装置的结构示意图。如图7所示,该图案尺寸测量装置包括:视野窗口生成模块710、图案截取模块720、量测位置确定模块730和尺寸测量模块740。
视野窗口生成模块710用于读取量测中心点的坐标,并基于所述量测中心点的坐标,生成视野窗口;图案截取模块720用于截取位于所述视野窗口内的待测量图案;量测位置确定模块730用于基于所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案的量测位置;尺寸测量模块740,用于基于所述量测位置,测量所述待测量图案的尺寸。
在一些实施方式中,视野窗口生成模块710,包括:
中心文件获取单元,用于获取量测中心文件;中心点遍历单元,用于遍历所述量测中心文件中各所述量测中心点的坐标;视野窗口生成单元,用于针对各所述量测中心点的坐标,以所述量测中心点的坐标为中心,生成所述量测中心点对应的视野窗口。
在一些实施方式中,视野窗口生成单元,具体用于:
基于放大倍率,确定所述视野窗口的视场角;针对各所述量测中心点的坐标,以所述量测中心点的坐标为中心,以所述视场角为窗口尺寸,绘制所述量测中心点对应的视野窗口。
在一些实施方式中,所述装置还包括:
量测中心文件生成模块,用于基于图像数据流文件中记录的多个预设图案的顶点坐标,确定多个量测中心点,将所述多个量测中心点的坐标保存至所述量测中心文件。
在一些实施方式中,所述装置还包括:
量测位置文件输出模块,用于将所述待测量图案的量测位置,保存至量测位置文件;在将所述量测中心文件中各所述量测中心点对应的视野窗口内各待测量图案的量测位置保存至所述量测位置文件之后,输出所述量测位置文件。
在一些实施方式中,图案截取模块720,包括:
图案所在区域确定单元,用于针对所述视野窗口内各待测量图案,基于图像数据流文件中记录的所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案所在的区域;图案截取单元,用于基于所述待测试图像所在的区域,截取位于所述视野窗口内的待测量图案,截取位于所述视野窗口内的待测量图案。
在一些实施方式中,图案截取单元,具体用于:
将所述待测量图案所在的区域与所述视野窗口进行与运算;若与运算的结果等于所述待测量图案所在的区域,则从所述视野窗口内截取所述待测量图案。
在一些实施方式中,量测位置确定模块730,具体用于:
基于图像数据流文件中记录的所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案左下角和右上角的顶点坐标为所述待测量图案的量测位置。
在一些实施方式中,尺寸测量模块740,具体用于:
基于所述待测量图案的量测位置,确定所述待测量图案的关键尺寸。
本申请实施例还提供一种光学邻近校正模型的修正装置,包括:
测量尺寸获取模块,用于获取多个图案的测量尺寸,其中,所述测量尺寸为基于本申请任意实施例提供的图案尺寸测量方法测量的;OPC模型修正模块,用于基于所述多个图案的测量尺寸与设计尺寸的差异,修正光学邻近校正模型。
上述装置实施例是与前述方法实施例对应的实施例,具有与方法实施例相同的技术效果。该装置实施例的详细说明可以参照前述方法实施例的详细说明,在此不再赘述。
图8是本申请实施例提供的一种电子设备的结构框图。该电子设备包括存储器810和至少一个处理器820。
其中,存储器810存储计算机执行指令。
至少一个处理器820执行存储器810存储的计算机执行指令,使得电子设备实现前述实施例提供的图案尺寸测量方法,和/或光学邻近校正模型的修正方法。
其中,存储器810和处理器820通过总线830连接。
本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令,当处理器执行所述计算机执行指令时,使处理器实现如本申请任意实施例提供的方法。
本申请实施例还提供一种计算机程序产品,包括计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如本申请任意实施例提供的方法。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上述本申请实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
以上仅为本申请实施例的优选实施例,并非因此限制本申请实施例的专利范围,凡是利用本申请实施例说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本申请实施例的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种图案尺寸测量方法,其特征在于,包括:
读取量测中心点的坐标,并基于所述量测中心点的坐标,生成视野窗口;
截取位于所述视野窗口内的待测量图案;
基于所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案的量测位置;
基于所述量测位置,测量所述待测量图案的尺寸。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,读取量测中心点的坐标,并基于所述量测中心点的坐标,生成视野窗口,包括:
获取量测中心文件;
遍历所述量测中心文件中各所述量测中心点的坐标,针对各所述量测中心点的坐标,以所述量测中心点的坐标为中心,生成所述量测中心点对应的视野窗口;其中,以所述量测中心点的坐标为中心,生成所述量测中心点对应的视野窗口,包括:
基于放大倍率,确定所述视野窗口的视场角;
以所述量测中心点的坐标为中心,以所述视场角为窗口尺寸,绘制所述量测中心点对应的视野窗口。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
基于图像数据流文件中记录的多个预设图案的顶点坐标,确定多个量测中心点;
将所述多个量测中心点的坐标保存至所述量测中心文件。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
将所述待测量图案的量测位置,保存至量测位置文件;
在将所述量测中心文件中各所述量测中心点对应的视野窗口内各待测量图案的量测位置保存至所述量测位置文件之后,输出所述量测位置文件。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其特征在于,截取位于所述视野窗口内的待测量图案,包括:
基于图像数据流文件中记录的所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案所在的区域;
基于所述待测试图像所在的区域,截取位于所述视野窗口内的待测量图案。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,基于所述待测试图像所在的区域,截取位于所述视野窗口内的待测量图案,包括:
将所述待测量图案所在的区域与所述视野窗口进行与运算;
若与运算的结果等于所述待测量图案所在的区域,则从所述视野窗口内截取所述待测量图案。
7.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其特征在于,基于所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案的量测位置,包括:
基于图像数据流文件中记录的所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案的左下角和右上角的顶点坐标为所述待测量图案的量测位置。
8.一种光学邻近校正模型的修正方法,其特征在于,包括:
获取多个图案的测量尺寸,其中,所述测量尺寸为基于权利要求1-7任一项所述的方法测量的;
基于所述多个图案的测量尺寸与设计尺寸的差异,修正光学邻近校正模型。
9.一种图案尺寸测量装置,其特征在于,包括:
视野窗口生成模块,用于读取量测中心点的坐标,并基于所述量测中心点的坐标,生成视野窗口;
图案截取模块,用于截取位于所述视野窗口内的待测量图案;
量测位置确定模块,用于基于所述待测量图案的顶点坐标,确定所述待测量图案的量测位置;
尺寸测量模块,用于基于所述量测位置,测量所述待测量图案的尺寸。
10.一种光学邻近校正模型的修正装置,其特征在于,包括:
测量尺寸获取模块,用于获取多个图案的测量尺寸,其中,所述测量尺寸为基于权利要求1-7任一项所述的方法测量的;
模型修正模块,用于基于所述多个图案的测量尺寸与设计尺寸的差异,修正光学邻近校正模型。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310756331.7A CN116909089A (zh) | 2023-06-21 | 2023-06-21 | 图案尺寸测量方法、光学邻近校正模型的修正方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310756331.7A CN116909089A (zh) | 2023-06-21 | 2023-06-21 | 图案尺寸测量方法、光学邻近校正模型的修正方法及装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116909089A true CN116909089A (zh) | 2023-10-20 |
Family
ID=88359212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310756331.7A Pending CN116909089A (zh) | 2023-06-21 | 2023-06-21 | 图案尺寸测量方法、光学邻近校正模型的修正方法及装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116909089A (zh) |
-
2023
- 2023-06-21 CN CN202310756331.7A patent/CN116909089A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11719648B2 (en) | Method for smart conversion and calibration of coordinate | |
US20130010100A1 (en) | Image generating method and device using scanning charged particle microscope, sample observation method, and observing device | |
JP5408852B2 (ja) | パターン測定装置 | |
JP5417358B2 (ja) | 画像処理装置、及び画像処理を行うためのコンピュータープログラム | |
JP3485052B2 (ja) | 参照画像作成方法、パターン検査装置及び参照画像作成プログラムを記録した記録媒体 | |
US8507856B2 (en) | Pattern measuring method and pattern measuring device | |
US8173962B2 (en) | Pattern displacement measuring method and pattern measuring device | |
KR102065197B1 (ko) | 전자빔 묘화 장치, 전자빔 묘화 방법 및 기록 매체 | |
US9047532B2 (en) | System, method and computer program product for evaluating an actual structural element of an electrical circuit | |
US8023723B2 (en) | Mask pattern dimensional inspection apparatus and method | |
TWI493373B (zh) | 製造積體電路設計佈局的方法、積體電路設計佈局以及於積體電路佈局中定位圖樣的方法 | |
JP2016528497A (ja) | フォトマスク欠陥性における変化の監視 | |
CN109949261B (zh) | 处理图形的方法、图形处理装置和电子设备 | |
US11644426B2 (en) | Methods and systems for generating calibration data for wafer analysis | |
US20140019927A1 (en) | Waferless measurement recipe | |
JP2002243428A (ja) | パターン検査方法およびその装置 | |
CN116909089A (zh) | 图案尺寸测量方法、光学邻近校正模型的修正方法及装置 | |
JP2006202152A (ja) | 画像処理装置および画像処理方法並びにこれらに用いるプログラム | |
CN102890421A (zh) | 光刻散焦的检测方法、检测系统及光刻工艺的优化方法 | |
CN117372567B (zh) | 一种版图生成方法、装置、设备及介质 | |
CN104752251A (zh) | 采用cdsem测试图形的方法 | |
CN116823773A (zh) | Sram标记图形检测方法 | |
Kariya et al. | Hotspot management in which mask fabrication errors are considered |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |