CN116904916A - 一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法 - Google Patents
一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116904916A CN116904916A CN202310750838.1A CN202310750838A CN116904916A CN 116904916 A CN116904916 A CN 116904916A CN 202310750838 A CN202310750838 A CN 202310750838A CN 116904916 A CN116904916 A CN 116904916A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- steel sheet
- substrate
- silicon steel
- siliconizing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 68
- 238000005475 siliconizing Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 78
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 71
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000002609 medium Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910000519 Ferrosilicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000006687 ag medium Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 7
- 238000000861 blow drying Methods 0.000 claims description 5
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 3
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 21
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N iron silicon Chemical compound [Si].[Fe] XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JRACIMOSEUMYIP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)iron Chemical compound [Si]=[Fe]=[Si] JRACIMOSEUMYIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 3
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000137852 Petrea volubilis Species 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 229910017082 Fe-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017133 Fe—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009749 continuous casting Methods 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 1
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/40—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions
- C23C8/42—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions only one element being applied
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/80—After-treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明提供了一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法,包括:S1.原料准备:以高硅铁硅合金为硅源,以低硅硅钢片为基片,以Ag为介质;S2.将Ag置于硅源和基片之间形成硅源/Ag/基片扩散偶,将扩散偶于1100~1200℃、惰性气氛下烧结使Ag完全熔化,在硅源与基片之间形成液态Ag介质,渗硅一定时间,得到高硅硅钢片。本发明以低硅硅钢片作为基片,在硅源和基片中间引入熔融Ag作为液相介质,通过高温扩散渗硅的过程,在液相介质中硅源处与基片处建立合适的Si浓度梯度,可以提高基片表面Si含量,还能控制液相介质中的渗硅速率。
Description
技术领域
本发明涉及金属材料制备技术领域,具体涉及一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法。
背景技术
随着石油储量的枯竭和对汽车能源消耗的环保要求日益严格,汽车行业正逐渐将传统的压力传统系统替换为电动驱动系统,例如,混合动力电动汽车(HEV)中的电动机、电动阻力转向系统(EPS)中的电动机以及电动刹车系统等。在新能源电动汽车中,需要大量使用适用于高频工作环境的高硅钢材料,如牵引发电机、发动机、空调压缩机和反应器等高频电力设备。
高硅钢一般是指含4.5wt%~6.7wt%Si的Fe-Si合金。当硅钢硅含量质量分数提高到6.5%时,不仅铁损降低到极低水平,尤其是在高频情况下,Fe-6.5%Si合金表现出显著的低铁损特性,并且磁致伸缩系数减小接近零,可用于制造理想的低铁损、无振动的软磁铁芯材料。因此,在高频软磁材料领域,高硅钢具有良好的应用前景。目前,高硅硅钢板材生产制造可采用温轧法制备。在不同温度下经过多道轧制得到硅钢片材,其工艺流程:双辊连铸→热轧→温轧→退火等。但其中需要多次轧制和严格的工艺控制。日本钢管公司(NKK)已成功采用化学气相沉积(CVD)连续渗硅工艺制备Fe-6.5%Si薄片,实现了小规模工业化生产。该工艺以质量分数3%Si硅钢板材作为基片,在CVD炉中,利用含硅气体(SiCl4)在一定温度下,在基片表面形成Fe3Si,渗硅反应式:SiCl4+5Fe→Fe3Si+2FeCl2,并在高温作用下,使表面积累的Si向基片内部扩散,同时对表面进行平整处理消除不平整。在高硅钢制备技术中,渗硅法一般是先通过在基体表面沉积一定厚度高硅层,然后在高温下热处理使表面的高硅量扩散到基体内部实现均匀化,从而获得高硅钢。然而,这种方法得到的高硅钢材料表面通常会形成较厚的疏松区域或孔洞,从而导致高硅钢材料的磁性能较差。
发明内容
为解决背景技术中存在的问题,本发明提供了一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法,该方法操作简单,成本低,无污染。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:
一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法,包括如下步骤:
S1.原料准备:以高硅铁硅合金为硅源,以低硅硅钢片为基片,以Ag为介质;
S2.将硅源和基片叠放放置,将Ag置于硅源和基片之间形成硅源/Ag/基片扩散偶,将扩散偶于1100~1200℃、惰性气氛下烧结使Ag完全熔化,在硅源与基片之间形成液态Ag介质,渗硅一定时间,得到高硅硅钢片。
进一步,步骤S2中,渗硅结束后,在温度降至Ag的熔点前将所述高硅硅钢片取出。
进一步,渗硅时间为0.5~3.5h。
进一步,高硅铁硅合金的硅含量为10wt%~20wt%。
进一步,高硅铁硅合金的硅含量为14.5wt%。
进一步,低硅硅钢片的厚度为0.1~0.5mm。
进一步,所述Ag为银粉或银片,Ag的纯度大于等于99.99%。
进一步,以所述基片的表面积计,所述Ag的用量为0.05~0.32g/cm2。
进一步,所述惰性气氛为10% H2和90% Ar的混合气体。
进一步,硅源和基片与Ag的接触面均经过打磨、抛光、超声清洗和吹干处理。
本发明的有益效果为:
1)利用高硅铁硅合金作为硅源,以低硅硅钢片作为基片,在硅源和基片中间引入熔融Ag作为液相介质,通过高温扩散渗硅的过程,在液相介质中硅源处与基片处建立合适的Si浓度梯度,这样不仅可以提高基片表面Si含量,使其向内部扩散,还能控制液相介质中Si向基片表面扩散的速率,进而控制渗硅速率;
2)本发明中利用高温液相介质实现渗硅,能有效减少或避免基片表面疏松或孔洞的形成,提高了制备的高硅硅钢片的质量和完整性;
3)本发明只需要一次扩散渗硅和热处理就可以制备出高硅硅钢材料,该制备方法简单,并且硅源和Ag可以重复利用,成本低,无污染,易于实施和推广。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的样品横截表面的电子探针能谱分析图;
图2为本发明实施例1制备的样品横截表面的电子探针扫描形貌图;
图3为本发明实施例1制备的样品的电子探针能谱分析图,其中图3a为样品横截表面的电子探针扫描形貌图,图3b和3c分别为样品横截表面的Si、Fe元素分布图。
具体实施方式
以下结合附图及具体实施例对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
本发明中发明人以高硅铁硅合金为硅源,以低硅硅钢片为基片,在硅源和基片中间引入熔融Ag作为液相介质,通过高温扩散渗硅的过程,在液相介质中硅源处和基片处建立合适的Si浓度梯度,以提高基片表面的Si含量,并使其向内部扩散,以获得高硅硅钢片。
本发明提供了一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的制备方法,包括如下步骤:
S1、原料准备:以高硅铁硅合金为硅源,以低硅硅钢片为基片,以Ag为介质;
S2、将所述硅源和基片叠放放置,将Ag置于硅源和基片之间形成硅源/Ag/基片扩散偶,将扩散偶于1100~1200℃、惰性气氛下烧结使Ag完全熔化,在硅源与基片之间形成液态Ag介质,渗硅一定时间,得到高硅硅钢片。
优选的,步骤S2中,渗硅结束后,在温度降至Ag的熔点前将所述高硅硅钢片取出。
优选的,渗硅时间为0.5~3.5h。
优选的,高硅铁硅合金的硅含量为10wt%~20wt%。
优选的,高硅铁硅合金的硅含量为14.5wt%。
优选的,低硅硅钢片的厚度为0.1~0.5mm。
优选的,Ag为银粉或银片。
优选的,Ag的用量为0.05~0.32g/cm2。
优选的,惰性气氛为10% H2和90% Ar的混合气体。
优选的,硅源和基片均经过打磨、抛光、超声清洗和吹干处理。
优选的,高硅铁硅合金可以选择为块状、片状或板状。
实施例1
选用质量分数约14.5%Si的铁硅合金作为硅源,可以为块状、片状或板状,厚度0.3mm市售冷轧低硅硅钢片作为基片。高纯银粉或银片作为介质,Ag的纯度大于99.99%,Ag的添加量为0.25g/cm2。将硅源合金和基片经过切割得到相同大小和形状,再依次使用1000目、1500目、2000目砂纸手工平整打磨,然后进行抛光。使用无水乙醇进行超声清洗,最后进行吹干处理得到基片的厚度为0.28mm。
将银粉或银片置于叠放的硅源与基片之间形成硅源/Ag/基片扩散偶,将扩散偶放入高温管式炉中在惰性气氛下烧结,炉内通入10%H2+90%Ar混合气体,升温阶段:升温速率5℃/mi5~10℃/mi5,扩散渗硅温度1100℃,保温时间3.5h;降温阶段:采用保护(惰性)气氛下随炉自然冷却至室温。本实施例中冷却至室温后制备成的样品为扩散偶的形式,然后加热至Ag的熔点将得到的高硅硅钢片直接与Ag层和硅源层分离,也可以在降温过程中,温度降至Ag的熔点之前直接将高硅硅钢片取出。
用电子探针对制备的样品横截表面进行扫描,并进行能谱分析,样品横截表面的电子探针能谱分析如图1所示,显示Ag并没有渗透入基片中,得到的高硅硅钢片中未渗入Ag,样品的横截表面的电子探针扫描形貌图如图2所示,显示制备得到的高硅硅钢片表面没有出现疏松区,样品的电子探针能谱分析图如图3所示,显示Si在整个基片厚度上全部渗透。经测定,本实施例所得的高硅硅钢片整体Si含量为6.2%。
实施例2
本实施例与实施例1的不同之处在于:扩散渗硅温度为1150℃,保温时间为2.5h,其它均与实施例1相同。
本实施例制备的高硅硅钢片表面没有出现疏松区,所得的高硅硅钢片的整体Si含量为6.4%。
实施例3
本实施例与实施例1不同之处在于,扩散渗硅温度为1200℃,保温时间为1.5h,其它均与实施例1相同。
本实施例制备的高硅硅钢片表面没有出现疏松区,所得的高硅硅钢片的整体Si含量为6.7%。
实施例4
选用质量分数约14.5%Si的铁硅合金作为硅源,可以为块状、片状或板状,厚度0.3mm市售冷轧低硅硅钢片作为基片。高纯银粉或银片作为介质,Ag的纯度大于99.99%,Ag的添加量为0.20g/cm2。将硅源合金和基片经过切割得到相同大小和形状,再依次使用1000目、1500目、2000目砂纸手工平整打磨,然后进行抛光。使用无水乙醇进行超声清洗,最后进行吹干处理得到基片的厚度为0.27mm。
将硅源、基片、硅源叠放,并将银粉或银片分别置于叠放的硅源与基片之间形成硅源/Ag/基片/Ag/硅源扩散偶,将扩散偶放入高温管式炉中在惰性气氛下烧结,炉内通入10%H2+90%Ar混合气体,升温阶段:升温速率5℃/mi5~10℃/mi5,扩散渗硅温度1200℃,保温时间30mi5;降温阶段:采用保护气氛下随炉自然冷却至室温。本实施例中冷却至室温后制备成的样品为扩散偶的形式,然后加热至Ag的熔点将得到的高硅硅钢片直接与Ag层和硅源层分离,也可以在降温过程中,温度降至Ag的熔点之前直接将高硅硅钢片取出。
本实施例制备高硅硅钢片表面没有出现疏松区,所得的高硅硅钢片整体Si含量为6.1%。
实施例5
本实施例与实施例1的不同之处在于,选用质量分数20%Si的铁硅合金作为硅源,保温时间为50mi5,其它均与实施例1相同。
实施例6
本实施例与实施例1的不同之处在于,选用质量分数10%Si的铁硅合金作为硅源,扩散渗硅温度为1150℃,保温时间为3.2h,其它均与实施例1相同。
实施例7
本实施例与实施例1的不同之处在于,选用厚度为0.1mm的市售冷轧低硅硅钢片作为基片,扩散渗硅温度为1150℃,时间为30mi5,其它均与实施例1相同。
实施例8
本实施例与实施例1的不同之处在于,选用厚度为0.5mm的市售冷轧低硅硅钢片作为基片,扩散渗硅温度为1200℃,时间为2.8h,其它均与实施例1相同。
经测定,实施例5、6、7、8制备的高硅硅钢片表面均没有出现疏松区,且所得的高硅硅钢片整体Si含量均在6.0~6.7%之间。
使用本发明制备的高硅硅钢片的Si含量均在6.0%~6.7%之间,并且Si在整个基片厚度上全部渗透,性能稳定,可重复性高。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1.原料准备:以高硅铁硅合金为硅源,以低硅硅钢片为基片,以Ag为介质;
S2.将所述硅源和基片叠放放置,将Ag置于硅源和基片之间形成硅源/Ag/基片扩散偶,将扩散偶于1100~1200℃、惰性气氛下烧结使Ag完全熔化,在硅源与基片之间形成液态Ag介质,渗硅一定时间,得到高硅硅钢片。
2.根据权利要求1所述的高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法,其特征在于,步骤S2中,渗硅结束后,在温度降至Ag的熔点前将所述高硅硅钢片取出。
3.根据权利要求2所述的高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法,其特征在于,渗硅时间为0.5~3.5h。
4.根据权利要求2所述的高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法,其特征在于,所述高硅铁硅合金的硅含量为10wt%~20wt%。
5.根据权利要求4所述的高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法,其特征在于,所述高硅铁硅合金的硅含量为14.5wt%。
6.根据权利要求1~5任一项所述的高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法,其特征在于,所述低硅硅钢片的厚度为0.1~0.5mm。
7.根据权利要求1~5任一项所述的高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法,其特征在于,所述Ag为银粉或银片,所述Ag的用量为0.05~0.32g/cm2。
8.根据权利要求1~5任一项所述的高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法,其特征在于,所述惰性气氛为10%H2和90%Ar的混合气体。
9.根据权利要求1~5任一项所述的高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法,其特征在于,所述硅源和基片与Ag的接触面均经过打磨、抛光、超声清洗和吹干处理。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310750838.1A CN116904916B (zh) | 2023-06-21 | 2023-06-21 | 一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310750838.1A CN116904916B (zh) | 2023-06-21 | 2023-06-21 | 一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116904916A true CN116904916A (zh) | 2023-10-20 |
CN116904916B CN116904916B (zh) | 2024-01-02 |
Family
ID=88359257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310750838.1A Active CN116904916B (zh) | 2023-06-21 | 2023-06-21 | 一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116904916B (zh) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62227077A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-06 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 高周波磁気特性に優れた高珪素鋼材の製造方法 |
CN1807687A (zh) * | 2006-01-26 | 2006-07-26 | 北京航空航天大学 | 一种采用包埋渗硅工艺制备高硅电工钢的方法 |
CN101122022A (zh) * | 2007-09-12 | 2008-02-13 | 河北理工大学 | 一种Fe-6.5Wt%Si软磁钢片的制备方法 |
CN102978569A (zh) * | 2012-12-18 | 2013-03-20 | 兰州大成科技股份有限公司 | 采用连续多弧离子镀物理气相沉积制备Fe - 5.5~6.5 wt.% Si - 0.3~1.0wt.% Al 合金薄板的方法 |
CN103014613A (zh) * | 2012-12-31 | 2013-04-03 | 上海大学 | 热扩散连续制备高硅钢片的方法及其高硅钢片连轧装置 |
CN103320737A (zh) * | 2013-06-26 | 2013-09-25 | 上海大学 | 热浸镀硅法制备高硅硅钢薄带的方法及硅钢带连续制备装置 |
CN106065461A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-11-02 | 北京理工大学 | 一种利用电火花渗硅技术制备高硅硅钢片的方法 |
CN107282928A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-10-24 | 贵州理工学院 | 磁场下粉末扩散法制备高硅硅钢薄带的方法及装置 |
CN111937167A (zh) * | 2018-03-07 | 2020-11-13 | Rgs发展有限公司 | 热电转换装置 |
CN114349541A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-04-15 | 西安交通大学 | 一种注入金属离子的多层陶瓷扩散偶的制备方法 |
-
2023
- 2023-06-21 CN CN202310750838.1A patent/CN116904916B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62227077A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-06 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 高周波磁気特性に優れた高珪素鋼材の製造方法 |
CN1807687A (zh) * | 2006-01-26 | 2006-07-26 | 北京航空航天大学 | 一种采用包埋渗硅工艺制备高硅电工钢的方法 |
CN101122022A (zh) * | 2007-09-12 | 2008-02-13 | 河北理工大学 | 一种Fe-6.5Wt%Si软磁钢片的制备方法 |
CN102978569A (zh) * | 2012-12-18 | 2013-03-20 | 兰州大成科技股份有限公司 | 采用连续多弧离子镀物理气相沉积制备Fe - 5.5~6.5 wt.% Si - 0.3~1.0wt.% Al 合金薄板的方法 |
CN103014613A (zh) * | 2012-12-31 | 2013-04-03 | 上海大学 | 热扩散连续制备高硅钢片的方法及其高硅钢片连轧装置 |
CN103320737A (zh) * | 2013-06-26 | 2013-09-25 | 上海大学 | 热浸镀硅法制备高硅硅钢薄带的方法及硅钢带连续制备装置 |
CN106065461A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-11-02 | 北京理工大学 | 一种利用电火花渗硅技术制备高硅硅钢片的方法 |
CN107282928A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-10-24 | 贵州理工学院 | 磁场下粉末扩散法制备高硅硅钢薄带的方法及装置 |
CN111937167A (zh) * | 2018-03-07 | 2020-11-13 | Rgs发展有限公司 | 热电转换装置 |
CN114349541A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-04-15 | 西安交通大学 | 一种注入金属离子的多层陶瓷扩散偶的制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
徐勇强;秦宗慧;周海婷;陈建钧;: "基于Voronoi微观晶粒结构确定Fe-Si合金中硅的晶界扩散系数", 华东理工大学学报(自然科学版), no. 03 * |
金风;: "黑铁皮渗硅制成硅钢片", 机械工人.热加工, no. 11 * |
马海林;刘曦;夏荣斌;田广科;: "双靶直流溅射多层膜的叠加结构对沉积扩散法制备高硅钢硅含量的影响", 真空科学与技术学报, no. 02 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN116904916B (zh) | 2024-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100425392C (zh) | 高硅钢薄板的冷轧制备方法 | |
CN1528921A (zh) | 一种高硅硅钢板材的热处理和多次冷轧加工方法 | |
CN102658367A (zh) | 稳恒磁场下粉末烧结法制备高硅硅钢片的方法及其装置 | |
CN101775547A (zh) | 高磁感取向硅钢带的生产方法 | |
CN101343683A (zh) | 一种低铁损高磁感无取向电工钢的制造方法 | |
CN102127702A (zh) | 一种低s高牌号无取向电工钢的制备方法 | |
CN110842194B (zh) | 一种通过粉末压烧制备高硅钢薄片的方法 | |
CN106702260A (zh) | 一种高磁感低铁损无取向硅钢及其生产方法 | |
CN102676914B (zh) | 一种冷轧无取向电工钢的制备方法 | |
CN112375953A (zh) | 一种Fe-Mn-Al-C-M多主元轻质高强合金及其制备方法 | |
CN116904916B (zh) | 一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法 | |
CN108097961A (zh) | 一种高温扩散烧结与粉末热等静压制备高硅钢带材的方法 | |
CN107900345A (zh) | 一种高硅钢薄带材的粉末热等静压制造方法 | |
CN110129646B (zh) | 一种铬基合金耐热滑块及制备方法 | |
CN110616370A (zh) | 一种低场下铁损性能优良的冷轧无取向硅钢的生产方法 | |
CN107900347A (zh) | 一种粉末热锻与高温扩散烧结制备高硅钢带材的方法 | |
CN108103390A (zh) | 一种粉末热等静压制备单相Fe-6.5%Si硅钢的方法 | |
CN108044100B (zh) | 一种粉末轧制制备Fe-6.5%Si软磁材料薄带材的方法 | |
CN102816918A (zh) | 防止钢卷在退火过程发生粘接的工艺方法 | |
CN107971495B (zh) | 一种粉末热等静压制备Fe-6.5%Si软磁材料薄带材的方法 | |
CN112846180A (zh) | 一种通过粉末烧结制备高磁性能含磷硅钢薄片的方法 | |
CN108097967B (zh) | 一种扩散烧结与粉末挤压制备Fe-6.5%Si带材的方法 | |
CN107855532A (zh) | 一种粉末热压烧结制备高硅钢薄带材的方法 | |
CN107900346A (zh) | 一种粉末热等静压制备高硅钢薄带材的方法 | |
CN112176240B (zh) | 一种高性能高铝硅钢的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |