CN116895253A - 显示装置 - Google Patents

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electrode
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gate
scan
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崔埈源
金才源
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一种显示装置包括被施加扫描写入信号的扫描写入线、被施加数据电压的数据线以及电连接到扫描写入线和数据线的像素。像素包括：发光元件；驱动晶体管，根据驱动晶体管的栅极电极的电压将驱动电流提供到发光元件；第一晶体管，根据扫描写入线的扫描写入信号，将数据线的数据电压供应到驱动晶体管的第一电极；第一连接电极，电连接到驱动晶体管的栅极电极；第一栅极连接电极，电连接到第一晶体管的栅极电极；以及第二连接电极，将扫描写入线电连接到第一栅极连接电极。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年4月08日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0043733号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的全部内容通过引用包含在本文中。
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着信息化社会的发展，人们对用于以各种方式显示图像的显示装置的需求越来越多。显示装置可以是诸如液晶显示器、场发射显示器和发光显示器的平板显示装置。发光显示装置可以包括包含有机发光二极管元件作为发光元件的有机发光显示装置、包含无机半导体元件作为发光元件的无机发光显示装置或包含超小型发光二极管元件(或微型发光二极管元件)作为发光元件的微型发光显示装置。
显示装置可以包括多个像素，并且多个像素中的每一个可以包括发光元件、用于基于栅极电极的电压控制被供应到发光元件的驱动电流的量的驱动晶体管以及用于响应于扫描线的扫描信号而将数据线的数据电压供应到驱动晶体管的栅极电极的扫描晶体管。
在多个像素的每一个中，在驱动晶体管的栅极电极和扫描线之间可能存在寄生电容。由于寄生电容，像素在发光元件的亮度方面可能彼此不同，并且因此，用户观看到的图像质量可能劣化。
将理解的是，本背景技术部分旨在部分地提供用于理解技术的有用背景。然而，本背景技术部分还可以包括不属于在本文中公开的主题的相应有效申请日之前由相关领域的技术人员已知或理解的一部分的思想、构思或认知。
发明内容
本公开的方面提供了一种能够防止图像质量的劣化的显示装置。
然而，本公开的方面不局限于在本文中阐述的方面。本公开的以上和其他方面通过参照下面给出的本公开的详细描述将对于本公开所属领域的普通技术人员而言变得更明显。
根据本公开的实施例，一种显示装置可以包括：扫描写入线，扫描写入信号可以被施加到所述扫描写入线；数据线，数据电压可以被施加到所述数据线；以及像素，电连接到所述扫描写入线和所述数据线。所述像素可以包括：发光元件；驱动晶体管，根据所述驱动晶体管的栅极电极的电压将驱动电流提供到所述发光元件；第一晶体管，根据所述扫描写入线的所述扫描写入信号，将所述数据线的所述数据电压供应到所述驱动晶体管的第一电极；第一连接电极，电连接到所述驱动晶体管的所述栅极电极；第一栅极连接电极，电连接到所述第一晶体管的栅极电极；以及第二连接电极，将所述扫描写入线电连接到所述第一栅极连接电极。
所述扫描写入线和所述第一连接电极可以彼此不重叠，并且所述第一栅极连接电极和所述第一连接电极可以彼此不重叠。
所述第二连接电极和所述第一连接电极可以包括相同的材料。
所述扫描写入线可以在第一方向上延伸，并且所述数据线、所述第一连接电极和所述第二连接电极可以各自在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。
所述第一栅极连接电极可以在所述第一方向上延伸。
所述第一连接电极可以不与所述数据线重叠。
所述显示装置还可以包括初始化电压线，初始化电压可以被施加到所述初始化电压线。所述像素还可以包括：第二晶体管，根据所述扫描写入线的所述扫描写入信号，将所述初始化电压线的所述初始化电压供应到所述驱动晶体管的第二电极；第二栅极连接电极，电连接到所述第二晶体管的栅极电极；以及第三连接电极，将所述扫描写入线电连接到所述第二栅极连接电极。
所述第三连接电极和所述第一连接电极可以包括相同的材料。
所述扫描写入线可以在第一方向上延伸，并且所述数据线、所述第一连接电极、所述第二连接电极和所述第三连接电极可以各自在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。
所述第二栅极连接电极可以不与所述数据线重叠。
所述显示装置还可以包括：扫描初始化线，扫描初始化信号可以被施加到所述扫描初始化线；以及初始化电压线，初始化电压可以被施加到所述初始化电压线。所述扫描写入线可以设置在所述扫描初始化线和所述初始化电压线之间。
所述显示装置还可以包括：扫描控制线，扫描控制信号可以被施加到所述扫描控制线；以及初始化电压线，初始化电压可以被施加到所述初始化电压线。所述像素还可以包括：第二晶体管，根据所述扫描控制线的所述扫描控制信号，将所述初始化电压线的所述初始化电压供应到所述驱动晶体管的第二电极；第二栅极连接电极，电连接到所述第二晶体管的栅极电极；以及第三连接电极，将所述扫描控制线电连接到所述第二栅极连接电极。
所述扫描控制线可以设置在所述扫描写入线和所述初始化电压线之间。
根据本公开的另一实施例，一种显示装置可以包括：基底；有源层，包括设置在所述基底上的第一晶体管的第一沟道；栅极绝缘层，设置在所述有源层上；第一栅极连接电极，设置在所述栅极绝缘层上，以与所述第一晶体管的所述第一沟道重叠；第一层间绝缘层，设置在所述第一栅极连接电极上；扫描写入线，设置在所述第一层间绝缘层上；第二层间绝缘层，设置在所述扫描写入线上；以及第一连接电极和第二连接电极，设置在所述第二层间绝缘层上。所述第二连接电极可以通过贯穿所述第二层间绝缘层的第一接触孔电连接到所述扫描写入线，并且所述第二连接电极可以通过贯穿所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的第二接触孔电连接到所述第一栅极连接电极。
所述显示装置还可以包括：设置在所述基底上的驱动晶体管的第二沟道；所述驱动晶体管的栅极电极，与所述驱动晶体管的设置在所述栅极绝缘层上的所述第二沟道重叠；以及电容器电极，设置在所述第一层间绝缘层上，以与所述驱动晶体管的所述栅极电极重叠。所述扫描写入线和所述电容器电极可以包括相同的材料。
所述显示装置还可以包括：设置在所述基底上的第二晶体管的第三沟道；第二栅极连接电极，设置在所述栅极绝缘层上，以与所述第二晶体管的所述第三沟道重叠；以及第三连接电极，设置在所述第二层间绝缘层上。
所述第三连接电极可以通过贯穿所述第二层间绝缘层的第三接触孔电连接到所述扫描写入线，并且所述第三连接电极可以通过贯穿所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的第四接触孔电连接到所述第二栅极连接电极。
根据本公开的另一实施例，一种显示装置可以包括：基底；有源层，包括设置在所述基底上的第一晶体管的第一沟道；栅极绝缘层，设置在所述有源层上；第一栅极连接电极，设置在所述栅极绝缘层上，以与所述第一晶体管的所述第一沟道重叠；第一层间绝缘层，设置在所述第一栅极连接电极上；扫描初始化线，设置在所述第一层间绝缘层上；第二层间绝缘层，设置在所述扫描初始化线上；以及扫描写入线、第一连接电极和第二连接电极，设置在所述第二层间绝缘层上。所述第二连接电极可以电连接到所述扫描写入线。所述第二连接电极可以通过贯穿所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的接触孔电连接到所述第一栅极连接电极。所述显示装置还可以包括：第三层间绝缘层，设置在所述扫描写入线、所述第一连接电极和所述第二连接电极上；以及数据线，设置在所述第三层间绝缘层上。
所述显示装置还可以包括：设置在所述基底上的第二晶体管的第三沟道；第二栅极连接电极，设置在所述栅极绝缘层上，以与所述第二晶体管的所述第三沟道重叠；以及第三连接电极，设置在所述第二层间绝缘层上。
所述第三连接电极可以电连接到所述扫描写入线；并且所述第三连接电极可以通过贯穿所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的另一接触孔电连接到所述第二栅极连接电极。
依据根据实施例的显示装置，通过防止可能在驱动晶体管的栅极电极和扫描线之间出现的寄生电容，可以防止由于寄生电容而导致的反冲电压(kickback voltage)影响驱动晶体管的栅极电极。因而，可以在多个像素之中均匀地保持发光元件的亮度，使得可以防止图像质量的劣化。
然而，本公开的效果不限于上述效果，并且各种其他效果被包括在本公开中。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上及其他方面和特征将变得更明显，在附图中：
图1是示出根据实施例的显示装置的示意性透视图；
图2是示出根据实施例的显示装置的示意性框图；
图3是示出根据实施例的子像素的示意性电路图；
图4是示出被施加到图3的扫描初始化线、扫描写入线、扫描偏置线和发射线的信号的示意性波形图；
图5和图6是详细示出根据实施例的子像素的示意性平面图；
图7是详细示出根据另一实施例的子像素的示意性电路图；
图8是示出被施加到图7的扫描初始化线、扫描写入线、扫描偏置线和发射线的信号的示意性波形图；
图9是示出根据另一实施例的子像素的示意性平面图；
图10是示出图9的子像素的有源层的示意性平面图；
图11是示出图9的子像素的第一栅极层的示意性平面图；
图12是示出图9的子像素的第二栅极层的示意性平面图；
图13是示出图12的子像素的数据金属层的示意性平面图；
图14是示出沿着图9的线I-I'截取的示例的示意性截面图；
图15是示出沿着图9的线II-II'截取的示例的示意性截面图；
图16是示出沿着图9的线III-III'截取的示例的示意性截面图；
图17是示出沿着图9的线IV-IV'截取的示例的示意性截面图；
图18是示出根据又一实施例的子像素的示意性平面图；
图19是示出沿着图18的线V-V'截取的示例的示意性截面图；
图20是示出根据又一实施例的子像素的示意性电路图；
图21是示出根据又一实施例的子像素的示意性平面图；以及
图22是示出沿着图21的线VI-VI'截取的示例的示意性截面图。
具体实施方式
现在将参照附图在下文中更充分地描述本公开，在附图中示出了实施例。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应解释为局限于本文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开将是详尽的和完整的，并且将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。
除非上下文另外明确指示，否则如本文中所使用的，单数形式“一个”、“一种(者)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。
还将理解的是，当层或基底被称为“在”另一层或基底“上”时，所述层或基底可以直接在所述另一层或基底上，或者还可以存在居间层或基底。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的组件。
将理解的是，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称作第二元件。类似地，第二元件也可以被称作第一元件。
将理解的是，术语“连接到”或“耦接到”可以包括物理连接或物理耦接或者电连接或电耦接。
术语“与……重叠”或“与……重叠的”表示第一物体可以在第二物体上方或下方或在第二物体的一侧，并且反之亦然。额外地，术语“与……重叠”可以包括如本领域普通技术人员所了解和理解的层叠、堆叠、面对或面向、在……之上延伸、覆盖或部分覆盖或任何其他合适的术语。
当元件被描述为“与”另一元件“不重叠”或“不与”另一元件“重叠”时，如本领域普通技术人员所了解和理解的，这可以包括这些元件彼此间隔开、彼此偏离或彼此隔开或任何其他合适的术语。
在说明书和权利要求中，为了其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个(种/者)”旨在包括“从……的组中选择的至少一个(种/者)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种/者)”可以理解为表示包括“A、B、或A和B”的任何组合。
除非另有定义，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义具有相同的含义。将进一步理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义相一致的含义，并且将不以理想化的意义或过于形式化的意义来解释。
图1是示出根据实施例的显示装置的示意性透视图。
参照图1，显示装置1是用于显示移动图像或静止图像的装置。显示装置1可以用作各种装置(诸如电视机、膝上型计算机、监视器、广告牌和物联网(IOT)装置以及诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和超移动PC(UMPC)的便携式电子装置)的显示屏。
显示装置1可以是发光显示装置，诸如使用有机发光二极管的有机发光显示器、包括量子点发光层的量子点发光显示器、包括无机半导体的无机发光显示器或者使用微型发光二极管或纳米发光二极管(LED)的微型发光显示器。在以下描述中，假定显示装置1是有机发光显示装置，但本公开不限于此。
显示装置1可以包括显示面板10、显示驱动电路200和电路板300。
显示面板10可以在平面图中形成为具有在第一方向X上的短边和在与第一方向X交叉的第二方向Y上的长边的矩形形状。在第一方向X上的短边和在第二方向Y上的长边相交所在的角可以是直角或可以被倒圆，以具有预定的曲率或可选择的曲率。显示面板10的平面形状不限于矩形形状，并且可以形成为另一多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。显示面板10可以形成为平坦的，但不限于此。例如，显示面板10可以包括形成在左端和右端处并且具有预定的曲率或可选择的曲率或变化的曲率的弯曲部。显示面板10可以灵活地形成，使得显示面板10可以被弯曲、弯折、折叠和/或卷曲。
显示面板10的基底可以包括主区域MA和子区域SBA。
主区域MA可以包括显示图像的显示区DA和可以是显示区DA的外围区的非显示区NDA。
显示区DA可以包括用于显示图像的显示像素。此外，显示区DA可以包括不仅显示图像而且还感测光以检测用户的指纹的光感测像素。显示区DA可以占据大部分的主区域MA。显示区DA可以设置在主区域MA的中央。
非显示区NDA可以设置为与显示区DA相邻。非显示区NDA可以是在显示区DA外面的区。非显示区NDA可以设置为围绕显示区DA。非显示区NDA可以是显示面板10的边缘区。
子区域SBA可以在第二方向Y上从主区域MA的一侧突出。子区域SBA的在第二方向Y上的长度可以小于主区域MA的在第二方向Y上的长度。子区域SBA的在第一方向X上的长度可以基本等于或小于主区域MA的在第一方向X上的长度。
图1示出子区域SBA是展开的，但是子区域SBA可以是弯折的。子区域SBA可以布置在主区域MA的下方，并且因此子区域SBA可以在第三方向Z上与主区域MA重叠。
显示驱动电路200可以产生用于驱动显示面板10的信号和电压。显示驱动电路200可以形成为集成电路(IC)，并且通过玻璃覆晶(COG)方法、塑料覆晶(COP)方法或超声波接合方法附接到显示面板10的子区域SBA上，但本公开不限于此。例如，显示驱动电路200可以通过膜覆晶(COF)方法附接到电路板300上。
电路板300可以附接到显示面板10的子区域SBA的一端。因此，电路板300可以电连接到显示面板10和显示驱动电路200。显示面板10和显示驱动电路200可以通过电路板300接收数字视频数据、时序信号和驱动电压。电路板300可以是柔性印刷电路板、印刷电路板或诸如覆晶膜的柔性膜。
图2是示出根据实施例的显示装置的示意性框图。
参照图2，根据实施例的显示装置可以包括显示面板10、扫描驱动器410、发射驱动器420、显示驱动电路200(参见图1)和电源单元230。显示驱动电路200可以包括数据驱动器220和时序控制器210。
显示面板10可以包括可以设置在显示区DA中的子像素SP、扫描写入线GWL、扫描初始化线GIL、扫描偏置线GBL、发射线EL和数据线DL。显示面板10还可以包括设置在非显示区NDA中的扫描驱动器410和发射驱动器420。
扫描写入线GWL、扫描初始化线GIL、扫描偏置线GBL和发射线EL可以在第一方向X上延伸。数据线DL可以在第二方向Y上延伸。
子像素SP可以设置在显示区DA中。多个子像素SP中的每一个可以连接到多条扫描写入线GWL中的相应一条、多条扫描初始化线GIL中的相应一条、多条扫描偏置线GBL中的相应一条、多条发射线EL中的相应一条以及多条数据线DL中的相应一条。由于多个子像素SP中的每一个可以通过扫描写入线GWL的扫描写入信号、扫描初始化线GIL的扫描初始化信号、扫描偏置线GBL的扫描偏置信号和发射线EL的发射信号来控制，因而子像素SP可以接收数据线DL的数据电压并且根据数据电压将驱动电流施加到发光元件，从而发射光。
扫描驱动器410可以连接到扫描写入线GWL、扫描初始化线GIL和扫描偏置线GBL。扫描驱动器410可以从时序控制器210接收扫描控制信号SCS。扫描控制信号SCS可以包括第一扫描控制信号至第四扫描控制信号。扫描驱动器410可以根据第一扫描控制信号产生扫描写入信号并且将扫描写入信号输出到扫描写入线GWL。此外，扫描驱动器410可以根据第二扫描控制信号产生扫描初始化信号并且将扫描初始化信号输出到扫描初始化线GIL。此外，扫描驱动器410可以根据第三扫描控制信号产生扫描偏置信号并且将扫描偏置信号输出到扫描偏置线GBL。
发射驱动器420可以连接到发射线EL。发射驱动器420可以从时序控制器210接收发射控制信号ECS。发射驱动器420可以根据发射控制信号ECS产生发射信号并且将发射信号输出到发射线EL。
数据驱动器220将数字视频数据DATA转换为数据电压并且将数据电压输出到数据线DL。数据驱动器220可以输出与扫描写入信号同步的数据电压。因此，可以通过扫描驱动器410的扫描写入信号选择子像素SP，并且数据电压可以供应到所选择的多个子像素SP中的每一个。
时序控制器210可以从外部图形装置接收时序信号和数字视频数据DATA。例如，外部图形装置可以是计算机的图形卡、机顶盒以及智能电话或移动电话的应用处理器等，但本公开的实施例不限于此。
时序控制器210可以根据时序信号产生扫描控制信号SCS以控制扫描驱动器410的操作时序。时序控制器210可以根据时序信号产生用于控制数据驱动器220的操作时序的数据控制信号DCS。
时序控制器210可以将扫描控制信号SCS输出到扫描驱动器410，并且将发射控制信号ECS输出到发射驱动器420。时序控制器210可以将数字视频数据DATA和数据控制信号DCS输出到数据驱动器220。
电源单元230可以产生驱动电压，并且将驱动电压输出到显示面板10。电源单元230可以将第一电源电压、第二电源电压、第一初始化电压和第二初始化电压输出到显示面板10。第一电源电压可以是高电位驱动电压，并且第二电源电压可以是低电位驱动电压。
图3是示出根据实施例的子像素的示意性电路图。
参照图3，子像素SP可以包括像素驱动器。像素驱动器可以包括驱动晶体管DT、第一晶体管ST1至第六晶体管ST6以及第一电容器C1。
驱动晶体管DT可以根据施加到驱动晶体管DT的栅极电极的数据电压来控制驱动电流。
第一晶体管ST1可以通过扫描写入线GWL的扫描信号而导通，以将数据线DL的数据电压供应到驱动晶体管DT的第一电极。第二晶体管ST2可以通过扫描写入线GWL的扫描信号而导通，以将驱动晶体管DT的栅极电极和第二电极彼此连接。第三晶体管ST3可以通过扫描初始化线GIL的扫描信号而导通，以将驱动晶体管DT的栅极电极连接到初始化电压线VIL。第四晶体管ST4可以通过扫描偏置线GBL的扫描偏置信号而导通，以将发光元件LE的阳极电极连接到初始化电压线VIL。第五晶体管ST5可以通过发射线EL的发射信号而导通，以将驱动晶体管DT的第一电极连接到第一驱动电压线VDDL。第六晶体管ST6可以连接在驱动晶体管DT的第二电极和发光元件LE的阳极电极之间。第一电容器C1可以设置在驱动晶体管DT的第二电极和第一驱动电压线VDDL之间。
发光元件LE可以设置在第四晶体管ST4的第一电极和第二驱动电压线VSSL之间。
在图3中，驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6中的每一者具有第一电极和第二电极，第一电极和第二电极中的一者可以是源极电极，并且第一电极和第二电极中的另一者可以是漏极电极。此外，尽管图3示出驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6中的每一者可以形成为P型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，但本公开的实施例不限于此。例如，第一晶体管T1至第六晶体管T6中的每一者可以形成为N型MOSFET。
图4是示出被施加到图3的扫描初始化线、扫描写入线、扫描偏置线和发射线的信号的示意性波形图。图5和图6是详细示出根据实施例的子像素的示意性平面图。
参照图3至图6，被施加到扫描初始化线GIL的扫描初始化信号GI可以是用于控制第三晶体管ST3的导通和截止的信号。被施加到扫描写入线GWL的扫描写入信号GW可以是用于控制第一晶体管ST1和第二晶体管ST2中的每一者的导通和截止的信号。被施加到扫描偏置线GBL的扫描偏置信号GB可以是用于控制第四晶体管ST4的导通和截止的信号。发射信号EM可以是用于控制第五晶体管ST5和第六晶体管ST6的信号。
扫描初始化信号GI、扫描写入信号GW、扫描偏置信号GB和发射信号EM可以以一个帧周期为间隔产生。一个帧周期可以划分为第一周期t1至第四周期t4。第一周期t1指的是驱动晶体管DT的栅极电极可以在其期间被初始化的周期。第二周期t2指的是数据电压和驱动晶体管DT的阈值电压可以在其期间在驱动晶体管DT的栅极电极处被采样的周期。第三周期t3指的是发光元件LE的阳极电极在其期间可以被初始化的周期。第四周期t4指的是可以在其期间从发光元件LE发射光的周期。
寄生电容Cb可以存在于驱动晶体管DT的栅极电极DT_G和扫描写入线GWL之间。由于寄生电容Cb而导致的反冲电压Vb(Vb1、Vb2)可能影响驱动晶体管DT的栅极电极DT_G。
具体地，在第二周期t2期间，数据电压(Vdata)与驱动晶体管DT的阈值电压(Vth)之间的电压差(Vdata-Vth)可以在驱动晶体管DT的栅极电极DT_G处被采样。此时，在扫描写入信号GW从栅极截止电压Voff上升到栅极导通电压Von的情况下，驱动晶体管DT的栅极电极DT_G的电压D-Gate可能由于寄生电容Cb而上升了反冲电压Vb2。
由于寄生电容Cb导致的反冲电压Vb可以与驱动晶体管DT的栅极电极DT_G和扫描写入线GWL之间的重叠区成比例。图5示出了其中扫描写入线GWL与连接到驱动晶体管DT的栅极电极DT_G的第一连接电极BE1之间的重叠区是第一区的第一寄生电容Cb1。图6示出了其中第一连接电极BE1和扫描写入线GWL之间的重叠区是第二区的第二寄生电容Cb2。第二区可以大于第一区，并且，第二寄生电容Cb2可以大于第一寄生电容Cb1。
由于驱动晶体管DT的栅极电极DT_G的电压D-Gate对于每个子像素SP而言由于寄生电容Cb而可能改变，因此即使相同的数据电压被施加到每个子像素SP，发光元件LE也可能发射出亮度不同的光。用户可能在视觉上识别到图像不均匀，并且因此图像质量可能劣化。
图7是详细示出根据另一实施例的子像素的示意性电路图。
参照图7，子像素SP可以连接到扫描初始化线GIL、扫描写入线GWL、扫描偏置线GBL和数据线DL。子像素SP可以连接到可以被供应第一驱动电压的第一驱动电压线VDDL、可以被供应初始化电压的初始化电压线VIL以及可以被供应第二驱动电压的第二驱动电压线VSSL。
子像素SP可以包括驱动晶体管DT、发光元件LE、开关元件和第一电容器C1等。开关元件可以包括第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6。
驱动晶体管DT可以基于被施加到栅极电极的数据电压来控制漏极-源极电流(Ids)(在下文中，被称为“驱动电流(Ids)”)。流经驱动晶体管DT的沟道的驱动电流(Ids)可以与驱动晶体管DT的栅极-源极电压(Vsg)和阈值电压之间的差的平方成比例，如等式1中所示。
[等式1]
Ids＝k′×(Vsg-Vth)2
在等式1中，k'可以是由驱动晶体管DT的结构和物理特性确定的比例系数，Vsg是驱动晶体管DT的栅极-源极电压，并且Vth是驱动晶体管DT的阈值电压。
发光元件LE可以根据驱动电流(Ids)发射光。发光元件LE的发射量可以与驱动电流(Ids)成比例。
发光元件LE可以是包括阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极和阴极电极之间的有机发光层的有机发光二极管。在其他实施例中，发光元件LE可以是包括阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极和阴极电极之间的无机半导体的无机发光元件。在其他实施例中，发光元件LE可以是包括阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极和阴极电极之间的量子点发光层的量子点发光元件。在其他实施例中，发光元件LE可以是微型发光二极管。
发光元件LE的阳极电极可以连接到第四晶体管ST4的第一电极和第六晶体管ST6的第二电极，并且发光元件LE的阴极电极可以连接到第二驱动电压线VSSL。在发光元件LE的阳极电极和阴极电极之间可以形成寄生电容。
第一晶体管ST1可以通过扫描写入线GWL的扫描信号而导通，以将驱动晶体管DT的第一电极连接到数据线DL。第一晶体管ST1的栅极电极可以连接到扫描写入线GWL，第一晶体管ST1的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的第一电极，并且第一晶体管ST1的第二电极可以连接到数据线DL。
第二晶体管ST2可以形成为包括第二第一晶体管ST2-1和第二第二晶体管ST2-2的双晶体管。第二第一晶体管ST2-1和第二第二晶体管ST2-2通过扫描写入线GWL的扫描信号导通，以连接驱动晶体管DT的栅极电极和第二电极。例如，在第二第一晶体管ST2-1和第二第二晶体管ST2-2导通的情况下，由于驱动晶体管DT的栅极电极和第二电极连接，因而驱动晶体管DT充当二极管。第二第一晶体管ST2-1的栅极电极可以连接到扫描写入线GWL，并且第二第一晶体管ST2-1的第一电极可以连接到第二第二晶体管ST2-2的第二电极，并且第二第一晶体管ST2-1的第二电极可以连接到驱动晶体管DT的栅极电极。第二第二晶体管ST2-2的栅极电极可以连接到扫描写入线GWL，第二第二晶体管ST2-2的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的第二电极，并且第二第二晶体管ST2-2的第二电极可以连接到第二第一晶体管ST2-1的第一电极。
第三晶体管ST3可以通过扫描初始化线GIL的扫描信号而导通，以将驱动晶体管DT的栅极电极连接到初始化电压线VIL。驱动晶体管DT的栅极电极可以被放电为具有初始化电压线VIL的初始化电压。第三晶体管ST3的栅极电极可以连接到扫描初始化线GIL，第三晶体管ST3的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的栅极电极，并且第三晶体管ST3的第二电极可以连接到初始化电压线VIL。
第四晶体管ST4可以通过扫描偏置线GBL的扫描信号而导通，以将发光元件LE的阳极电极连接到初始化电压线VIL。发光元件LE的阳极电极可以被放电为具有初始化电压。第四晶体管ST4的栅极电极可以连接到扫描偏置线GBL，第四晶体管ST4的第一电极可以连接到发光元件LE的阳极电极，并且第四晶体管ST4的第二电极可以连接到初始化电压线VIL。
第五晶体管ST5可以通过发射线EL的发射信号而导通，以将驱动晶体管DT的第一电极连接到第一驱动电压线VDDL。第五晶体管ST5的栅极电极可以连接到发射线EL，第五晶体管ST5的第一电极可以连接到第一驱动电压线VDDL，并且第五晶体管ST5的第二电极可以连接到驱动晶体管DT的源极电极(即，第一电极)。
第六晶体管ST6可以连接在驱动晶体管DT的第二电极和发光元件LE的阳极电极之间。第六晶体管ST6可以通过发射线EL的发射信号而导通，以将驱动晶体管DT的第二电极连接到发光元件LE的阳极电极。第六晶体管ST6的栅极电极可以连接到发射线EL，第六晶体管ST6的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的第二电极，并且第六晶体管ST6的第二电极可以连接到发光元件LE的阳极电极。在第五晶体管ST5和第六晶体管ST6两者导通的情况下，驱动电流(Ids)可以供应到发光元件LE。
第一电容器C1可以形成在驱动晶体管DT的第二电极和第一驱动电压线VDDL之间。第一电容器C1的一个电极可以连接到驱动晶体管DT的第二电极，并且第一电容器C1的另一个电极可以连接到第一驱动电压线VDDL。
在驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6中的每一者的第一电极是源极电极的情况下，驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6中的每一者的第二电极可以是漏极电极。在其他实施例中，在驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6中的每一者的第一电极是漏极电极的情况下，驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6中的每一者的第二电极可以是源极电极。
驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6中的每一者的有源层可以由多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的至少一种形成。在驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6中的每一者的半导体层可以由多晶硅形成的情况下，用于形成半导体层的工艺可以是低温多晶硅(LTPS)工艺。
此外，在图7中，驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6已被描述为形成为P型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，但不限于此，驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6可以形成为N型MOSFET。在第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6以及驱动晶体管DT可以形成为N型MOSFET的情况下，考虑到N型MOSFET的特性，可能需要修改图9的时序图。
可以考虑驱动晶体管DT的特性和发光元件LE的特性来设定第一驱动电压线VDDL的第一驱动电压、第二驱动电压线VSSL的第二驱动电压和初始化电压线VIL的初始化电压。例如，初始化电压和被供应到驱动晶体管DT的源极电极的数据电压之间的电压差可以被设定为小于驱动晶体管DT的阈值电压。
图8是示出被施加到图7的扫描初始化线、扫描写入线、扫描偏置线和发射线的信号的示意性波形图。
参照图7和图8，扫描初始化信号GI、扫描写入信号GW和扫描偏置信号GB可以在第一周期t1、第二周期t2和第三周期t3期间在栅极导通电压Von下被按顺序地输出。例如，扫描初始化信号GI可以在第一周期t1期间具有栅极导通电压Von，并且可以在其余周期期间具有栅极截止电压Voff。扫描写入信号GW可以在第二周期t2期间具有栅极导通电压Von，并且在其余周期期间可以具有栅极截止电压Voff。扫描偏置信号GB可以在第三周期t3期间具有栅极导通电压Von，并且可以在其余周期期间具有栅极截止电压Voff。图8示出了扫描初始化信号GI在其期间具有栅极导通电压Von的周期比第一周期t1短，但扫描初始化信号GI在其期间具有栅极导通电压Von的周期可以基本等于第一周期t1。图8示出了扫描写入信号GW在其期间具有栅极导通电压Von的周期比第二周期t2短，但扫描写入信号GW在其期间具有栅极导通电压Von的周期可以基本等于第二周期t2。图8示出了扫描偏置信号GB在其期间具有栅极导通电压Von的周期可以比第三周期t3短，但是扫描偏置信号GB在其期间具有栅极导通电压Von的周期可以基本等于第三周期t3。
发射信号EM可以在第四周期t4期间具有栅极导通电压Von，并且可以在其余周期期间具有栅极截止电压Voff。
在图8中，示出了第一周期t1、第二周期t2和第三周期t3中的每一者是一个水平周期。由于一个水平周期表示其中数据电压被供应到连接到显示面板10(例如，参见图1)的特定扫描线的多个子像素SP中的每一个的周期，因而该一个水平周期可以被定义为一个水平线扫描周期。数据电压可以与多个扫描信号中的每一个的栅极导通电压Von同步地被供应到数据线DL。
栅极导通电压Von可以与能够将第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每一者导通的导通电压对应。栅极截止电压Voff可以与能够将第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每一者截止的截止电压对应。
在下文中，将参照图7和图8描述子像素SP在第一周期t1至第四周期t4期间的操作。
首先，在第一周期t1期间，第三晶体管ST3可以被导通，使得驱动晶体管DT的栅极电极可以被初始化为具有初始化电压线VIL的初始化电压。
第二，在第二周期t2期间，第二晶体管ST2可以被导通，使得驱动晶体管DT的栅极电极和第二电极可以彼此连接，并且驱动晶体管DT可以作为二极管被驱动。驱动晶体管DT形成电流路径，直到驱动晶体管DT的栅极电极和源极电极之间的电压差(Vsg)达到阈值电压(Vth)为止。因而，驱动晶体管DT的栅极电极和第二电极在第二周期t2期间具有增加到数据电压(Vdata)与驱动晶体管DT的阈值电压(Vth)之间的电压差(Vdata-Vth)的电压。电压差(Vdata-Vth)可以被存储在第一电容器C1中。
第三，在第三周期t3期间，第四晶体管ST4可以被导通，使得发光元件LE的阳极电极可以被初始化为具有初始化电压线VIL的初始化电压。
第四，第五晶体管ST5和第六晶体管ST6可以在第四周期t4期间被导通，使得根据驱动晶体管DT的栅极电极DT_G(参见图6)的电压D-Gate流动的驱动电流(Ids)可以供应到发光元件LE。
如稍后将描述的，驱动晶体管DT的栅极电极DT_G和扫描写入线GWL之间的重叠区可以不存在。因而，可以防止可能在驱动晶体管DT的栅极电极DT_G和扫描写入线GWL之间出现的寄生电容Cb(参见图3)。还可以防止可能由于寄生电容Cb导致的并且影响驱动晶体管DT的栅极电极DT_G的反冲电压Vb(参见图4)。结果是，可以防止由于寄生电容Cb导致的反冲电压Vb影响驱动晶体管DT的栅极电极DT_G。
例如，可以防止驱动晶体管DT的栅极电极DT_G的电压D-Gate对于每个子像素SP而言由于寄生电容Cb而改变。因此，可以防止用户由于寄生电容Cb而识别到图像不均匀，并且可以防止图像质量的劣化。
图9是示出根据另一实施例的子像素的示意性平面图。图10是示出图9的子像素的有源层的示意性平面图。图11是示出图9的子像素的第一栅极层的示意性平面图。图12是示出图9的子像素的第二栅极层的示意性平面图。图13是示出图12的子像素的数据金属层的示意性平面图。
参照图9至图14，多个子像素SP中的每一个可以包括驱动晶体管DT、第一晶体管ST1至第六晶体管ST6以及第一电容器C1。将结合有源层ACT、第一栅极层GTL1、第二栅极层GTL2和其中可以形成有源层ACT、第一栅极层GTL1、第二栅极层GTL2的数据金属层进行以下描述。
在图9和图10中，有源层ACT可以包括驱动晶体管DT以及第一晶体管ST1至第六晶体管ST6的沟道区域、第一电极和第二电极。
在图9和图11中，设置在有源层ACT上的第一栅极层GTL1可以包括驱动晶体管DT的栅极电极DT_G、扫描初始化线GIL、第一栅极连接电极GBE1、第二栅极连接电极GBE2以及发射线EL。
扫描初始化线GIL和发射线EL可以在第一方向X(参见图1)上延伸。而且，第一栅极连接电极GBE1可以在第一方向X上延伸。扫描初始化线GIL和发射线EL可以在与第二方向Y(参见图1)相反的方向上按顺序地布置。驱动晶体管DT的栅极电极DT_G可以设置在扫描初始化线GIL和发射线EL之间，并且可以在第三方向Z(参见图1)上与有源层ACT重叠。
第一栅极连接电极GBE1可以在第三方向Z上与第二连接电极BE2和第一晶体管ST1的栅极电极G1中的每一者部分重叠。第二栅极连接电极GBE2可以在第三方向Z上与第三连接电极BE3和第二晶体管ST2(例如，参见图7)的栅极电极G2中的每一者部分重叠。
在图9和图12中，设置在第一栅极层GTL1上方的第二栅极层GTL2可以包括第二电容器电极CE22、扫描写入线GWL和初始化电压线VIL。
第二电容器电极CE22可以在第三方向Z上与第一电容器电极CE21和驱动晶体管DT的栅极电极DT_G重叠。第一电容器电极CE21和第二电容器电极CE22可以设置在扫描写入线GWL和发射线EL之间。
扫描写入线GWL和初始化电压线VIL可以在第一方向X上延伸。扫描写入线GWL和初始化电压线VIL可以在第二方向Y上按顺序地布置。第二电容器电极CE22可以设置在扫描写入线GWL和初始化电压线VIL之间。
扫描写入线GWL可以设置在扫描初始化线GIL和初始化电压线VIL之间。例如，初始化电压线VIL、扫描写入线GWL和扫描初始化线GIL可以在与第二方向Y相反的方向上按顺序地布置。
在图9和图13中，设置在第二栅极层GTL2上方的数据金属层DTL可以包括数据线DL、第一第二驱动电压线VDDL2、第一连接电极BE1、第二连接电极BE2、第三连接电极BE3、第四连接电极BE4以及发光元件LE(例如，参见图7)的阳极连接电极ANDE。数据线DL和第一第二驱动电压线VDDL2可以在第二方向Y上延伸。第一连接电极BE1、第二连接电极BE2和第三连接电极BE3可以在第二方向Y上延伸。
第一第二驱动电压线VDDL2可以与扫描初始化线GIL、扫描写入线GWL、第一栅极连接电极GBE1、第二栅极连接电极GBE2和发射线EL交叉，并且可以在第三方向Z上与有源层ACT1重叠。第一第二驱动电压线VDDL2可以不与第一栅极连接电极GBE1重叠。
第一连接电极BE1可以在第三方向Z上与第二电容器电极CE22、驱动晶体管DT的栅极电极DT_G和有源层ACT1中的每一者部分重叠。第一连接电极BE1可以不与扫描写入线GWL重叠。此外，第一连接电极BE1可以不与第一栅极连接电极GBE1重叠。
第二连接电极BE2可以在第三方向Z上与第一栅极连接电极GBE1、扫描初始化线GIL和扫描写入线GWL中的每一者部分重叠。第二连接电极BE2可以与第一驱动电压线VDDL(例如，参见图7)和第一连接电极BE1一起在第二方向Y上延伸。
第三连接电极BE3可以在第三方向Z上与第二栅极连接电极GBE2、扫描初始化线GIL和扫描写入线GWL中的每一者部分重叠。第三连接电极BE3可以在第二方向Y上延伸。
阳极连接电极ANDE可以在第三方向Z上与发射线EL和有源层ACT1中的每一者重叠。
参照图9至图14，驱动晶体管DT可以包括有源层DT_ACT、栅极电极DT_G、第一电极DT_S和第二电极DT_D。驱动晶体管DT的有源层DT_ACT可以与驱动晶体管DT的栅极电极DT_G重叠。驱动晶体管DT的栅极电极DT_G可以包括第一栅极电极DT_G1和第二栅极电极DT_G2。第二栅极电极DT_G2可以设置在第一栅极电极DT_G1上方，并且第一栅极电极DT_G1可以通过第一接触孔CNT1连接到第二栅极电极DT_G2。第一栅极电极DT_G1可以与驱动晶体管DT的有源层DT_ACT重叠，并且第二栅极电极DT_G2可以通过第二接触孔CNT2连接到第二第一晶体管ST2-1(例如，参见图7)的第二电极D2-1。驱动晶体管DT的第一电极DT_S可以连接到第一晶体管ST1的第一电极S1。驱动晶体管DT的第二电极DT_D可以连接到第二第二晶体管ST2-2(例如，参见图7)的第一电极S2-2和第六晶体管ST6的第一电极S6。
第一晶体管ST1可以包括有源层ACT1、栅极电极G1、第一电极S1和第二电极D1。第一晶体管ST1的栅极电极G1可以是第一栅极连接电极GBE1的一部分，并且可以是第一晶体管ST1的有源层ACT1和第一栅极连接电极GBE1之间的重叠区。第一晶体管ST1的第一电极S1可以连接到驱动晶体管DT的第一电极DT_S。第一晶体管ST1的第二电极D1可以通过第三接触孔CNT3连接到数据线DL。
第一栅极连接电极GBE1可以经由第二连接电极BE2连接到扫描写入线GWL。具体地，第一栅极连接电极GBE1可以通过第九接触孔CNT9连接到第二连接电极BE2。此外，第二连接电极BE2可以通过第十接触孔CNT10连接到扫描写入线GWL。第一栅极连接电极GBE1可以与第二连接电极BE2重叠。第二连接电极BE2可以与扫描写入线GWL重叠。因而，第一晶体管ST1的栅极电极G1(其可以是第一栅极连接电极GBE1的一部分)可以连接到扫描写入线GWL。
第二晶体管ST2可以形成为双晶体管。第二晶体管ST2可以包括第二第一晶体管ST2-1和第二第二晶体管ST2-2。
第二第一晶体管ST2-1可以包括有源层ACT2-1、栅极电极G2-1、第一电极S2-1和第二电极D2-1。第二第一晶体管ST2-1的栅极电极G2-1可以是第二栅极连接电极GBE2的一部分，并且可以是第二第一晶体管ST2-1的有源层ACT2-1和第二栅极连接电极GBE2之间的重叠区。第二第一晶体管ST2-1的第一电极S2-1可以连接到第二第二晶体管ST2-2的第二电极D2-2。第二第一晶体管ST2-1的第二电极D2-1可以通过第二接触孔CNT2连接到驱动晶体管DT的第二栅极电极DT_G2。
第二第二晶体管ST2-2可以包括有源层ACT2-2、栅极电极G2-2、第一电极S2-2和第二电极D2-2。第二第二晶体管ST2-2的栅极电极G2-2可以是第二栅极连接电极GBE2的一部分，并且可以是第二第二晶体管ST2-2的第二有源层ACT2-2和第二栅极连接电极GBE2之间的重叠区。第二第二晶体管ST2-2的第一电极S2-2可以连接到驱动晶体管DT的第二电极DT_D。第二第二晶体管ST2-2的第二电极D2-2可以连接到第二第一晶体管ST2-1的第一电极S2-1。
第二栅极连接电极GBE2可以经由第三连接电极BE3连接到扫描写入线GWL。具体地，第二栅极连接电极GBE2可以通过第十二接触孔CNT12连接到第三连接电极BE3。此外，第三连接电极BE3可以通过第十一接触孔CNT11连接到扫描写入线GWL。第二栅极连接电极GBE2可以与第三连接电极BE3重叠。第三连接电极BE3可以与扫描写入线GWL重叠。因而，第二第一晶体管ST2-1的栅极电极G2-1可以连接到扫描写入线GWL。此外，第二第二晶体管ST2-2的栅极电极G2-2可以连接到扫描写入线GWL。
第三晶体管ST3可以包括有源层ACT3、栅极电极G3、第一电极S3和第二电极D3。第三晶体管ST3的栅极电极G3可以是扫描初始化线GIL的一部分，并且可以是第三晶体管ST3的有源层ACT3和扫描初始化线GIL之间的重叠区。第三晶体管ST3的第一电极S3可以通过第二接触孔CNT2连接到驱动晶体管DT的第二栅极电极DT_G2。第三晶体管ST3的第二电极D3可以通过第四接触孔CNT4连接到初始化电压线VIL。
第五晶体管ST5可以包括有源层ACT5、栅极电极G5、第一电极S5和第二电极D5。第五晶体管ST5的栅极电极G5可以是第k发射线ELK的一部分，并且可以是其中第五晶体管ST5的有源层ACT5与第k发射线ELK重叠的区域。第五晶体管ST5的第一电极S5可以通过第七接触孔CNT7连接到第一第二驱动电压线VDDL2。第五晶体管ST5的第二电极D5可以连接到驱动晶体管DT的第一电极DT_S。
第六晶体管ST6可以包括有源层ACT6、栅极电极G6、第一电极S6和第二电极D6。第六晶体管ST6的栅极电极G6可以是第k发射线ELK的一部分，并且可以是其中第六晶体管ST6的有源层ACT6与第k发射线ELK重叠的区域。第六晶体管ST6的第一电极S6可以连接到驱动晶体管DT的第二电极DT_D。第六晶体管ST6的第二电极D6可以通过第六接触孔CNT6连接到发光元件LE的阳极电极。
第一电容器C1的第一电容器电极CE21可以是驱动晶体管DT的第二电极DT_D的一部分。第一电容器C1的第二电容器电极CE22可以是与驱动晶体管DT的第二电极DT_D重叠的第一第一驱动电压线VDDL1。第一第一驱动电压线VDDL1可以通过第八接触孔CNT8连接到第一第二驱动电压线VDDL2。第一第二驱动电压线VDDL2可以布置为在第二方向Y上与数据线DL平行，并且第一第一驱动电压线VDDL1可以布置为在第一方向X上与扫描写入线GWL平行。
根据图9至图13中所示的实施例，扫描写入线GWL可以连接到第二连接电极BE2和第三连接电极BE3中的每一者。第二连接电极BE2可以连接到第一晶体管ST1的栅极电极G1(其可以是第一栅极连接电极GBE1的一部分)。此外，第三连接电极BE3可以连接到第三晶体管ST3的栅极电极G3(其可以是第二栅极连接电极GBE2的一部分)。因而，在驱动晶体管DT的栅极电极DT_G和扫描写入线GWL之间可以不存在重叠区。
因此，根据实施例，可以防止可能在驱动晶体管DT的栅极电极DT_G和扫描写入线GWL之间出现的寄生电容Cb(参见图3)。也可以在驱动晶体管DT的栅极电极DT_G中防止由于寄生电容Cb导致的反冲电压Vb(参见图4)。
也就是说，通过防止寄生电容Cb，可以防止反冲电压Vb影响驱动晶体管DT的栅极电极DT_G。因而，由于可以在多个子像素SP之中均匀地保持发光元件LE的亮度，因而可以防止图像质量的劣化。
图14是示出沿着图9的线I-I'截取的示例的示意性截面图。图15是示出沿着图9的线II-II'截取的示例的示意性截面图。图16是示出沿着图9的线III-III'截取的示例的示意性截面图。图17是示出沿着图9的线IV-IV'截取的示例的示意性截面图。
参照图9、图14至图17，薄膜晶体管层TFTL、发光元件层和封装层TFE可以按顺序地形成在第一基底SUB1上。
薄膜晶体管层TFTL可以包括缓冲层BF、有源层ACT、第一栅极层GTL1、第二栅极层GTL2、数据金属层DTL、栅极绝缘层130、第一层间绝缘层141、第二层间绝缘层142、钝化层150和平坦化层160。
缓冲层BF可以形成在第一基底SUB1的表面上。缓冲层BF可以形成在第一基底SUB1上，以保护薄膜晶体管和发光元件层的有机发光层172免受穿过易受湿气渗透影响的第一基底SUB1渗透的湿气的影响。缓冲层BF可以由可以交替地堆叠在彼此之上的多个无机层形成。例如，缓冲层BF可以由其中氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或多个无机层可以交替地堆叠在彼此之上的多层形成。可以省略缓冲层BF。
有源层ACT可以形成在第一基底SUB1或缓冲层BF上。有源层ACT可以包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅、氧化物半导体或它们的组合。
在有源层ACT由多晶硅制成并且离子被掺杂到有源层ACT中的情况下，离子掺杂的有源层ACT可以具有导电性。由于这一点，有源层ACT不仅可以包括驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6的有源层DT_ACT、ACT1至ACT6，而且还包括驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6的源极电极DT_S、S1、S2-1、S2-2、S3、S5和S6以及漏极电极DT_D、D1、D2-1、D2-2、D3、D5和D6。
栅极绝缘层130可以形成在有源层ACT上。栅极绝缘层130可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层)形成。
第一栅极层GTL1可以形成在栅极绝缘层130上。第一栅极层GTL1不仅可以包括驱动晶体管DT的栅极电极DT_G1和第一开关晶体管ST1的栅极电极G1至第六开关晶体管ST6的栅极电极G6，而且还包括扫描初始化线GIL和发射线EL(参见图11)。此外，第一栅极层GTL1可以包括第一栅极连接电极GBE1和第二栅极连接电极GBE2。
第一栅极层GTL1可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种或它们的合金制成的单层或多层。
第一层间绝缘层141可以形成在第一栅极层GTL1上。第一层间绝缘层141可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层)形成。第一层间绝缘层141可以包括多个无机层。
第二栅极层GTL2可以形成在第一层间绝缘层141上。第二栅极层GTL2可以包括初始化电压线VIL和第一第一驱动电压线VDDL1。此外，第二栅极层GTL2可以包括扫描写入线GWL。
第二栅极层GTL2可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种或它们的合金制成的单层或多层。
第二层间绝缘层142可以形成在第二栅极层GTL2上。第二层间绝缘层142可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层)形成。第二层间绝缘层142可以包括多个无机层。
数据金属层DTL可以形成在第二层间绝缘层142上。数据金属层DTL可以包括数据线DL、第一第一驱动电压线VDDL1、驱动晶体管DT的第二栅极电极DT_G2、阳极连接电极ANDE和初始化电压线VIL。
数据金属层DTL可以包括第一连接电极BE1、第二连接电极BE2和第三连接电极BE3。第二连接电极BE2可以与第一连接电极BE1包括相同的材料。而且，第三连接电极BE3可以与第一连接电极BE1包括相同的材料。例如，第一连接电极BE1、第二连接电极BE2和第三连接电极BE3可以包括相同的材料。
数据金属层DTL可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种或它们的合金制成的单层或多层。
平坦化层160可以形成在数据金属层DTL上方，以将由有源层ACT、第一栅极层GTL1、第二栅极层GTL2和数据金属层DTL引起的台阶平坦化。平坦化层160可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
钝化层150可以进一步形成在数据金属层DTL和平坦化层160之间。钝化层150可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层)形成。
如图9中所示，驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6被公开为以其中栅极电极位于有源层ACT上方的顶栅结构形成，但本公开不限于此。例如，驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6可以以其中栅极电极位于有源层ACT下面的底栅结构形成，或者以其中多个栅极电极分别位于有源层上面和下面的双栅结构形成。
如图14中所示，第一接触孔CNT1可以贯穿第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142，以暴露驱动晶体管DT的第一栅极电极DT_G1。驱动晶体管DT的第二栅极电极DT_G2可以通过第一接触孔CNT1连接到驱动晶体管DT的第一栅极电极DT_G1。
第二接触孔CNT2可以贯穿栅极绝缘层130、第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142以暴露第二第一晶体管ST2-1的第二电极D2-1。驱动晶体管DT的第二栅极电极DT_G2可以通过第二接触孔CNT2连接到第二第一晶体管ST2-1的第二电极D2-1。
第三接触孔CNT3可以贯穿栅极绝缘层130、第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142以暴露第一晶体管ST1的第二电极D1。数据线DL可以通过第三接触孔CNT3连接到第一晶体管ST1的第二电极D1。
第四接触孔CNT4可以贯穿栅极绝缘层130、第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142以暴露第三晶体管ST3的第二电极D3和第四晶体管ST4的第二电极。初始化电压线VIL可以通过第四接触孔CNT4连接到第三晶体管ST3的第二电极D3和第四晶体管ST4的第二电极。
第五接触孔CNT5可以贯穿第二层间绝缘层142以暴露初始化电压线VIL。初始化电压线VIL可以通过第五接触孔CNT5连接到第四晶体管ST4的第二电极。
第六接触孔CNT6可以贯穿栅极绝缘层130、第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142以暴露第六晶体管ST6的第二电极D6。阳极连接电极ANDE可以通过第六接触孔CNT6连接到第六晶体管ST6的第二电极D6。
第七接触孔CNT7可以贯穿栅极绝缘层130、第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142以暴露第五晶体管ST5的第一电极S5。第一第二驱动电压线VDDL2可以通过第七接触孔CNT7连接到第五晶体管ST5的第一电极S5。
第八接触孔CNT8可以是贯穿第二层间绝缘层142以暴露第一第一驱动电压线VDDL1的孔。第一第二驱动电压线VDDL2可以通过第八接触孔CNT8连接到第一第一驱动电压线VDDL1。
第九接触孔CNT9可以是贯穿第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142以暴露第一栅极连接电极GBE1的孔。第二连接电极BE2可以通过第九接触孔CNT9连接到第一晶体管ST1的栅极电极G1(其可以是第一栅极连接电极GBE1的一部分)。
第十接触孔CNT10可以是贯穿第二层间绝缘层142以暴露扫描写入线GWL的孔。扫描写入线GWL可以通过第十接触孔CNT10连接到第二连接电极BE2。
第十一接触孔CNT11可以是贯穿第二层间绝缘层142以暴露扫描写入线GWL的孔。扫描写入线GWL可以通过第十一接触孔CNT11连接到第三连接电极BE3。
第十二接触孔CNT12可以是贯穿第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142以暴露第二栅极连接电极GBE2的孔。第三连接电极BE3可以通过第十二接触孔CNT12连接到第二晶体管ST2的栅极电极G2(其可以是第二栅极连接电极GBE2的一部分)。
阳极接触孔AND_CNT可以是在贯穿钝化层150和平坦化层160的同时暴露阳极连接电极ANDE的孔。
发光元件层可以形成在薄膜晶体管层TFTL上。发光元件层可以包括发光元件170和像素限定层180。
发光元件170和像素限定层180可以形成在平坦化层160上。多个发光元件170中的每一个可以包括第一电极171、有机发光层172和第二电极173。
第一电极171可以形成在平坦化层160上。第一电极171可以通过贯穿钝化层150和平坦化层160的阳极接触孔AND_CNT连接到阳极连接电极ANDE。
在其中当相对于有机发光层172观看时朝向第二电极173发射光的顶发射结构中，第一电极171可以由具有高反射率的金属材料(诸如铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡(ITO)的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO))形成。APC合金可以是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
像素限定层180可以形成为在平坦化层160上分隔第一电极171以限定多个子像素SP中的每一个的发射区EA。像素限定层180可以形成为覆盖第一电极171的边缘。像素限定层180可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
多个子像素SP中的每一个的发射区EA表示其中第一电极171、有机发光层172和第二电极173可以按顺序地堆叠在彼此之上并且来自第一电极171的空穴和来自第二电极173的电子可以在有机发光层172中彼此耦合以发射光的区域。
有机发光层172可以设置在第一电极171和像素限定层180上。有机发光层172可以包括有机材料以发射预定颜色或可选择颜色的光。例如，有机发光层172可以包括空穴传输层、有机材料层和电子传输层。
子像素SP的有机发光层172可以发射第一颜色至第三颜色的光。在其他实施例中，子像素SP的有机发光层172可以发射白光。子像素SP可以与第一颜色至第三颜色的滤色器层重叠。第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是蓝色，但本公开不限于此。
第二电极173可以形成在有机发光层172上。第二电极173可以形成为覆盖有机发光层172。第二电极173可以是公共地形成在多个子像素中的公共层。覆盖层可以形成在第二电极173上。
在顶发射结构中，第二电极173可以由能够透射光的诸如ITO或IZO(氧化铟锌)的透明导电材料(TCO)或者诸如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金的半透射导电材料形成。在第二电极173由半透射导电材料形成的情况下，由于微腔效应，可以提高发光效率。
封装层TFE可以形成在发光元件层上。封装层TFE可以包括至少一个无机层，以防止氧气或湿气渗透到发光元件层中。封装层TFE可以包括至少一个有机层，以保护发光元件层免受诸如灰尘的异物的影响。
在其他实施例中，第二基底可以取代封装层TFE设置在发光元件层上，并且发光元件层和第二基底之间的空间在真空状态下可以是空的，或者填充膜可以设置在该空间中。填充膜可以是环氧填充膜或硅填充膜。
图18是示出根据又一实施例的子像素的示意性平面图。图19是示出沿着图18的线V-V'截取的示例的示意性截面图。
除了数据线DL和扫描写入线GWL之外，图18和图19的实施例可以与图9至图17的实施例基本相同，并且因此以下描述将侧重于数据线DL和扫描写入线GWL的与图9至图17的实施例的不同之处。
参照图18和图19，设置在第二栅极层GTL2上的第一数据金属层DTL1还可以包括扫描写入线GWL。
扫描写入线GWL和初始化电压线VIL可以在第一方向X(参见图1)上延伸。扫描写入线GWL和初始化电压线VIL可以在第二方向Y(参见图1)上按顺序地布置。第二电容器电极CE22可以设置在扫描写入线GWL和初始化电压线VIL之间。
扫描写入线GWL可以设置在扫描初始化线GIL和初始化电压线VIL之间。例如，初始化电压线VIL、扫描写入线GWL和扫描初始化线GIL可以在与第二方向Y相反的方向上按顺序地布置。
扫描写入线GWL可以在相同的平面上连接到第二连接电极BE2和第三连接电极BE3。此外，扫描写入线GWL可以与第二连接电极BE2和第三连接电极BE3由相同的材料制成。
设置在第一数据金属层DTL1上的第二数据金属层DTL2可以包括数据线DL。除了数据线DL可以被包括在第二数据金属层DTL2中之外，数据线DL可以与图9至图17的实施例的数据线基本相同，并且因此将省略对其描述。
参照图18和图19，第一数据金属层DTL1可以形成在第二层间绝缘层142上。第一数据金属层DTL1还可以包括扫描写入线GWL。
第一数据金属层DTL1可以包括第一连接电极BE1、第二连接电极BE2和第三连接电极BE3。扫描写入线GWL可以与第一连接电极BE1包括相同的材料。第二连接电极BE2可以与第一连接电极BE1包括相同的材料。而且，第三连接电极BE3可以与第一连接电极BE1包括相同的材料。例如，扫描写入线GWL、第一连接电极BE1、第二连接电极BE2和第三连接电极BE3可以包括相同的材料。
第二数据金属层DTL2可以形成在第一数据金属层DTL1上。第二数据金属层DTL2可以包括数据线DL。
第二数据金属层DTL2可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种或它们的合金制成的单层或多层。
平坦化层160可以形成在第二数据金属层DTL2上方，以将由有源层ACT(参见图14)、第一栅极层GTL1、第二栅极层GTL2和第二数据金属层DTL2引起的台阶平坦化。平坦化层160可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
第一钝化层(也被称为第三层间绝缘层)151可以额外地形成在第一数据金属层DTL1和第二数据金属层DTL2之间。而且，第二钝化层152可以额外地形成在第二数据金属层DTL2和平坦化层160之间。第一钝化层151和第二钝化层152可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层)形成。
而且在本实施例中，扫描写入线GWL可以连接到第二连接电极BE2和第三连接电极BE3中的每一者。第二连接电极BE2可以连接到第一晶体管ST1的栅极电极G1(其可以是第一栅极连接电极GBE1的一部分)。而且，第三连接电极BE3可以连接到第三晶体管ST3的栅极电极G3(其可以是第二栅极连接电极GBE2的一部分)。因而，在驱动晶体管DT的栅极电极DT_G和扫描写入线GWL之间可以不存在重叠区。
因而，可以防止可能在驱动晶体管DT的栅极电极DT_G和扫描写入线GWL之间出现的寄生电容Cb(参见图3)。也可以防止在驱动晶体管DT的栅极电极DT_G中由于寄生电容Cb导致的反冲电压Vb(参见图4)。例如，在将驱动电流(Ids)供应到发光元件LE(例如，参见图7)的情况下，通过防止寄生电容Cb，可以防止反冲电压Vb影响驱动晶体管DT的栅极电极DT_G。因而，由于可以在多个子像素SP(例如，参见图7)之中均匀地保持发光元件LE的亮度，因而可以防止图像质量的劣化。
图20是示出根据又一实施例的子像素的示意性电路图。
除了扫描控制线GCL之外，图20的实施例可以与图9至图17的实施例基本相同，并且因此以下描述将侧重于与图9至图17的实施例的不同之处。
参照图20，子像素SP可以连接到扫描初始化线GIL、扫描控制线GCL、扫描写入线GWL、扫描偏置线GBL和数据线DL。此外，子像素SP可以连接到可以被供应第一驱动电压的第一驱动电压线VDDL、可以被供应初始化电压的初始化电压线VIL以及可以被供应第二驱动电压的第二驱动电压线VSSL。
第一晶体管ST1可以通过扫描写入线GWL的扫描信号而导通，以将驱动晶体管DT的第一电极连接到数据线DL。第一晶体管ST1的栅极电极可以连接到扫描写入线GWL，第一晶体管ST1的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的第一电极，并且第一晶体管ST1的第二电极可以连接到数据线DL。
第二晶体管ST2可以形成为包括第二第一晶体管ST2-1和第二第二晶体管ST2-2的双晶体管。第二第一晶体管ST2-1和第二第二晶体管ST2-2通过扫描控制线GCL的扫描控制信号而导通，以连接驱动晶体管DT的栅极电极和第二电极。例如，在第二第一晶体管ST2-1和第二第二晶体管ST2-2导通的情况下，由于驱动晶体管DT的栅极电极和第二电极被连接，因而驱动晶体管DT充当二极管。第二第一晶体管ST2-1的栅极电极可以连接到扫描控制线GCL，并且第二第一晶体管ST2-1的第一电极可以连接到第二第二晶体管ST2-2的第二电极，并且第二第一晶体管ST2-1的第二电极可以连接到驱动晶体管DT的栅极电极。第二第二晶体管ST2-2的栅极电极可以连接到扫描控制线GCL，第二第二晶体管ST2-2的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的第二电极，并且第二第二晶体管ST2-2的第二电极可以连接到第二第一晶体管ST2-1的第一电极。
图21是示出根据又一实施例的子像素的示意性平面图。图22是示出沿着图21的线VI-VI'截取的示例的示意性截面图。
在图21和图22中，设置在第一栅极层GTL1(参见图19)上方的第二栅极层GTL2(参见图19)还可以包括扫描控制线GCL。
扫描控制线GCL可以与扫描写入线GWL和初始化电压线VIL一起在第一方向X(参见图1)上延伸。扫描控制线GCL可以设置在扫描写入线GWL和初始化电压线VIL之间。扫描写入线GWL、扫描控制线GCL和初始化电压线VIL可以在第二方向Y(参见图1)上按顺序地布置。
设置在第二栅极层GTL2上方的数据金属层DTL可以包括数据线DL、第一驱动电压线VDDL、第一连接电极BE1、第二连接电极BE2、第三连接电极BE3、第四连接电极BE4以及发光元件LE(参见图20)的阳极连接电极ANDE。
第三连接电极BE3可以在第三方向Z(参见图1)上与第二栅极连接电极GBE2、扫描初始化线GIL、扫描写入线GWL和扫描控制线GCL中的每一者部分重叠。第三连接电极BE3可以在第二方向Y上延伸。
参照图20、图21和图22，第二栅极层GTL2可以形成在第一层间绝缘层141上。第二栅极层GTL2可以包括初始化电压线VIL和第一第一驱动电压线VDDL1。此外，第二栅极层GTL2可以包括扫描写入线GWL和扫描控制线GCL。
第二栅极层GTL2可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种或它们的合金制成的单层或多层。
此外，第十一接触孔CNT11可以是贯穿第二层间绝缘层142以暴露扫描控制线GCL的孔。扫描控制线GCL可以通过第十一接触孔CNT11连接到第三连接电极BE3。
在本实施例中，扫描写入线GWL可以连接到第二连接电极BE2，并且扫描控制线GCL可以连接到第三连接电极BE3。第二连接电极BE2可以连接到第一晶体管ST1的栅极电极G1(例如，参见图19)(其可以是第一栅极连接电极GBE1的一部分)。而且，第三连接电极BE3可以连接到第三晶体管ST3的栅极电极G3(其可以是第二栅极连接电极GBE2的一部分)。因而，在驱动晶体管DT的栅极电极DT_G和扫描写入线GWL之间可以不存在重叠区。
因而，可以防止可能在驱动晶体管DT的栅极电极DT_G和扫描写入线GWL之间出现的寄生电容Cb(参见图3)。因此，在将驱动电流(Ids)供应到发光元件LE的情况下，通过防止寄生电容Cb，可以防止反冲电压Vb(参见图4)影响驱动晶体管DT的栅极电极DT_G。由于可以在多个子像素SP之中均匀地保持发光元件LE的亮度，因而可以防止图像质量的劣化。
在结束详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在实质上不脱离本公开的原理的情况下，可以对实施例做出许多变化和修改。因此，本公开的所公开的实施例仅在一般性和描述性的意义上使用，而不是为了限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
扫描写入线，扫描写入信号被施加到所述扫描写入线；
数据线，数据电压被施加到所述数据线；以及
像素，电连接到所述扫描写入线和所述数据线，
其中，所述像素包括：
发光元件；
驱动晶体管，根据所述驱动晶体管的栅极电极的电压将驱动电流提供到所述发光元件；
第一晶体管，根据所述扫描写入线的所述扫描写入信号，将所述数据线的所述数据电压供应到所述驱动晶体管的第一电极；
第一连接电极，电连接到所述驱动晶体管的所述栅极电极；
第一栅极连接电极，电连接到所述第一晶体管的栅极电极；以及
第二连接电极，将所述扫描写入线电连接到所述第一栅极连接电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述扫描写入线和所述第一连接电极彼此不重叠，并且
所述第一栅极连接电极和所述第一连接电极彼此不重叠。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二连接电极和所述第一连接电极包括相同的材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述扫描写入线在第一方向上延伸，并且
所述数据线、所述第一连接电极和所述第二连接电极各自在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一栅极连接电极在所述第一方向上延伸。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一连接电极不与所述数据线重叠。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
初始化电压线，初始化电压被施加到所述初始化电压线，
其中，所述像素还包括：
第二晶体管，根据所述扫描写入线的所述扫描写入信号，将所述初始化电压线的所述初始化电压供应到所述驱动晶体管的第二电极；
第二栅极连接电极，电连接到所述第二晶体管的栅极电极；以及
第三连接电极，将所述扫描写入线电连接到所述第二栅极连接电极。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第三连接电极和所述第一连接电极包括相同的材料。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述扫描写入线在第一方向上延伸，并且
所述数据线、所述第一连接电极、所述第二连接电极和所述第三连接电极各自在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二栅极连接电极不与所述数据线重叠。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
扫描初始化线，扫描初始化信号被施加到所述扫描初始化线；以及
初始化电压线，初始化电压被施加到所述初始化电压线，
其中，所述扫描写入线设置在所述扫描初始化线和所述初始化电压线之间。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
扫描控制线，扫描控制信号被施加到所述扫描控制线；以及
初始化电压线，初始化电压被施加到所述初始化电压线，
其中，所述像素还包括：
第二晶体管，根据所述扫描控制线的所述扫描控制信号，将所述初始化电压线的所述初始化电压供应到所述驱动晶体管的第二电极；
第二栅极连接电极，电连接到所述第二晶体管的栅极电极；以及
第三连接电极，将所述扫描控制线电连接到所述第二栅极连接电极。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述扫描控制线设置在所述扫描写入线和所述初始化电压线之间。
14.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基底；
有源层，包括设置在所述基底上的第一晶体管的第一沟道；
栅极绝缘层，设置在所述有源层上；
第一栅极连接电极，设置在所述栅极绝缘层上，以与所述第一晶体管的所述第一沟道重叠；
第一层间绝缘层，设置在所述第一栅极连接电极上；
扫描写入线，设置在所述第一层间绝缘层上；
第二层间绝缘层，设置在所述扫描写入线上；以及
第一连接电极和第二连接电极，设置在所述第二层间绝缘层上，其中，
所述第二连接电极通过贯穿所述第二层间绝缘层的第一接触孔电连接到所述扫描写入线，并且
所述第二连接电极通过贯穿所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的第二接触孔电连接到所述第一栅极连接电极。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
设置在所述基底上的驱动晶体管的第二沟道；
所述驱动晶体管的栅极电极，与所述驱动晶体管的设置在所述栅极绝缘层上的所述第二沟道重叠；以及
电容器电极，设置在所述第一层间绝缘层上，以与所述驱动晶体管的所述栅极电极重叠，
其中，所述扫描写入线和所述电容器电极包括相同的材料。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
设置在所述基底上的第二晶体管的第三沟道；
第二栅极连接电极，设置在所述栅极绝缘层上，以与所述第二晶体管的所述第三沟道重叠；以及
第三连接电极，设置在所述第二层间绝缘层上。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，
所述第三连接电极通过贯穿所述第二层间绝缘层的第三接触孔电连接到所述扫描写入线，并且
所述第三连接电极通过贯穿所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的第四接触孔电连接到所述第二栅极连接电极。
18.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基底；
有源层，包括设置在所述基底上的第一晶体管的第一沟道；
栅极绝缘层，设置在所述有源层上；
第一栅极连接电极，设置在所述栅极绝缘层上，以与所述第一晶体管的所述第一沟道重叠；
第一层间绝缘层，设置在所述第一栅极连接电极上；
扫描初始化线，设置在所述第一层间绝缘层上；
第二层间绝缘层，设置在所述扫描初始化线上；以及
扫描写入线、第一连接电极和第二连接电极，设置在所述第二层间绝缘层上，其中，
所述第二连接电极电连接到所述扫描写入线，
所述第二连接电极通过贯穿所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的接触孔电连接到所述第一栅极连接电极，并且
所述显示装置还包括：
第三层间绝缘层，设置在所述扫描写入线、所述第一连接电极和所述第二连接电极上；以及
数据线，设置在所述第三层间绝缘层上。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
设置在所述基底上的第二晶体管的第二沟道；
第二栅极连接电极，设置在所述栅极绝缘层上，以与所述第二晶体管的所述第二沟道重叠；以及
第三连接电极，设置在所述第二层间绝缘层上。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，
所述第三连接电极电连接到所述扫描写入线；并且
所述第三连接电极通过贯穿所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的另一接触孔电连接到所述第二栅极连接电极。
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