CN116885053A - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。该显示面板的制作方法，包括：形成显示面板，显示面板包括多个发光元件，发光元件包括第一颜色发光元件和第二颜色发光元件；制作方法至少包括以下特征之一：第一颜色发光元件和第二颜色发光元件的转移方式不同，或第一颜色发光元件和第二颜色发光元件的生长基板图案不同，或第一颜色发光元件朝向显示面板出光面的表面微结构和第二颜色发光元件朝向显示面板出光面的表面微结构不同，使不同颜色的发光元件的出光效率更为均衡，从而优化了显示面板的色彩显示效果，在很大程度上解决了显示面板的色彩显示效果不佳的技术问题。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
显示面板作为显示装置的重要组成部分用于实现显示装置的显示功能，发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)显示面板以LED芯片作为发光元件，具有低功耗、饱和度高、反应速度快、等优点，在很多场景中得到广泛应用。
LED显示面板通常包括红色、绿色、蓝色三种颜色的发光元件，因为不同颜色光的波段不同，所以三种发光元件的出光效率也存在差异，导致显示面板的色彩显示效果不佳的技术问题。
发明内容
为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置。
本公开提供了一种显示面板的制作方法，包括：
形成显示面板，所述显示面板包括多个发光元件，所述发光元件包括第一颜色发光元件和第二颜色发光元件；
所述制作方法至少包括以下特征之一：所述第一颜色发光元件和所述第二颜色发光元件的转移方式不同，或所述第一颜色发光元件和所述第二颜色发光元件的生长基板图案不同，或所述第一颜色发光元件朝向所述显示面板出光面的表面微结构和所述第二颜色发光元件朝向所述显示面板出光面的表面微结构不同。
本公开还提供了一种显示面板，包括
多个发光元件，所述发光元件包括第一颜色发光元件和第二颜色发光元件，所述第一颜色发光元件靠近所述显示面板出光面一侧的表面微结构与所述第二颜色发光元件靠近所述显示面板出光面一侧的表面微结构不同。
本公开还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。
本公开提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：
本公开提供的显示面板的制作方法，包括形成显示面板，显示面板包括多个发光元件，发光元件包括第一颜色发光元件和第二颜色发光元件。制作方法至少包括以下特征之一：第一颜色发光元件和第二颜色发光元件的转移方式不同，或第一颜色发光元件和第二颜色发光元件的生长基板图案不同，或第一颜色发光元件朝向显示面板出光面的表面微结构和第二颜色发光元件朝向显示面板出光面的表面微结构不同。通过将第一颜色发光元件和第二颜色发光元件配置为不同的转移方式，或不同的生长基板图案，或出光面具备不同的表面微结构，使不同颜色的发光元件的出光效率更为均衡，从而优化了显示面板的色彩显示效果，在很大程度上解决了显示面板的色彩显示效果不佳的技术问题。
相应的，本公开提供的显示面板和显示装置也具有上述技术效果。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本公开实施例提供的显示面板的平面示意图；
图2示出了本公开实施例提供的显示面板的截面示意图；
图3示出了本公开实施例中发光元件生长过程的示意图；
图4示出了本公开实施例中发光元件生长过程的另一示意图；
图5示出了本公开实施例提供的显示面板的另一截面示意图；
图6示出了本公开实施例中发光元件表面刻蚀过程的示意图；
图7示出了本公开实施例提供的显示面板的又一截面示意图；
图8示出了本公开实施例提供的显示面板的又一截面示意图；
图9a至图9g示出了本公开实施例中发光元件转移至临时基板的示意图；
图10a至图10d示出了本公开实施例中发光元件转移至阵列基板的示意图；
图11示出了本公开实施例提供的显示面板的又一截面示意图；
图12a至图12g示出了本公开实施例中发光元件转移至临时基板的另一示意图；
图13示出了本公开实施例提供的显示面板的又一截面示意图；
图14示出了本公开实施例提供的显示面板的又一截面示意图；
图15a至图15g示出了本公开实施例中发光元件转移至临时基板的又一示意图；
图16示出了本公开实施例提供的显示面板的又一截面示意图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点，下面将对本公开的方案进行进一步描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开，但本公开还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施；显然，说明书中的实施例只是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。
现有技术中，显示面板的三种发光元件的出光效率存在差异，导致显示面板的色彩显示效果不佳的技术问题。
针对上述技术问题，本公开实施例提出一种显示面板及其制作方法、显示装置，包括使不同颜色的发光元件的出光效率更为均衡，从而优化了显示面板的色彩显示效果，在很大程度上解决了显示面板的色彩显示效果不佳的技术问题。
下面结合附图对本公开实施例提供的显示面板及其制作方法、显示装置进行示例性说明。
本公开实施例提供一种显示面板的制作方法，包括：
形成显示面板，显示面板包括多个发光元件，发光元件包括第一颜色发光元件和第二颜色发光元件。该显示面板的制作方法至少包括以下特征之一：第一颜色发光元件和第二颜色发光元件的转移方式不同，或第一颜色发光元件和第二颜色发光元件的生长基板图案不同，或第一颜色发光元件朝向显示面板出光面的表面微结构和第二颜色发光元件朝向显示面板出光面的表面微结构不同。
本公开实施例通过将第一颜色发光元件和第二颜色发光元件配置为不同的转移方式，或不同的生长基板图案，或出光面具备不同的表面微结构，使不同颜色的发光元件的出光效率更为均衡，从而优化了显示面板的色彩显示效果，在很大程度上解决了显示面板的色彩显示效果不佳的技术问题。
在一些实施例中，如图1和图2所示，图1示出了本公开实施例提供的显示面板的平面示意图，图2示出了本公开实施例提供的显示面板的截面示意图，图中的显示面板包括阵列基板10，阵列基板10上设置有红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)三种颜色的发光元件，可将绿色发光元件作为第一颜色发光元件11，蓝色发光元件作为第二颜色发光元件12，红色发光元件作为第三颜色发光元件13。
在一些实施例中，上述第一颜色发光元件和第二颜色发光元件的生长基板图案不同，相应的制作过程包括：
提供第一生长基板和第二生长基板，在第一生长基板上生长第一颜色发光元件，在第二生长基板上生长第二颜色发光元件，第一生长基板与第二生长基板的图案不同。
如图3所示，提供第一生长基板21，可选用蓝宝石衬底作为第一生长基板21，利用DPSS(Dry-etching Pattern Sapphire Substrate，干法图形化的蓝宝石衬底)技术或WPSS(Wet-etching Pattern Sapphire Substrate，湿法图形化的蓝宝石衬底)技术对第一生长基板21表面进行图形化处理，形成第一生长基板21的图案，再覆盖一层氮化镓(GaN)外延层(图中未示出)。
然后在图形化处理后的第一生长基板21上生长第一颜色发光元件11，形成多个具有一定表面微结构的第一颜色发光元件11。
另一方面，如图4所示，提供第二生长基板22，可选用蓝宝石衬底作为第二生长基板22，并覆盖一层GaN外延层(图中未示出)。第二生长基板22不进行图形化处理，在平面图案的第二生长基板22直接生长第二颜色发光元件12，形成多个表面微结构为平面的第二颜色发光元件12。
第一颜色发光元件的生长过程，与第二颜色发光元件的生长过程互无干涉，两者可各自独立进行，没有固定的先后顺序。
在一些实施例中，如图3所示，第一生长基板21的表面包括多个凸起210，凸起210均匀排布。将第一生长基板21的表面加工出多个凸起210的图案，之后生长出的第一颜色发光元件11就会具有与多个凸起210互补的表面微结构，形成包括多个凹坑的表面微结构。
在三种颜色的发光元件焊接(bonding)到阵列基板上之后，会在三种颜色的发光元件表面覆盖一层保护层，该保护层通常使用GaN材料。第一颜色发光元件11通常使用蓝宝石材料，第一颜色发光元件11的表面微结构，能够改善蓝宝石与GaN之间的晶格匹配问题，降低GaN的错位缺陷密度，改善内量子效率。另外，第一颜色发光元件11的表面微结构还能够提供更多不同角度的反射面，蓝宝石与GaN之间的界面容易发生全反射，导致发光元件的出光效率降低，更多不同角度的反射面能够将更多全反射回来的光再反射出去，改善外量子效率，提高整体发光效率。特别是对于绿色发光元件，绿光本身的全反射率较高，绿色发光元件采用上述表面微结构，能够更加显著的提高发光效率。
上述第一颜色发光元件11和第二颜色发光元件12不同的表面微结构通过不同手段形成，在不同图案的生长基板上进行生长，比如第一颜色发光元件11在规律性图案化的第一生长基板21上生长，能够直接获得特殊的表面微结构。
在一些实施例中，相邻两个凸起210距离为固定值，也就是任意两个相邻凸起210的间距都是相等的，之后生长出的第一颜色发光元件11能够具有较为均匀的表面微结构，使第一颜色发光元件11具有比较均匀的发光效果。
在一些实施例中，凸起210的最大宽度小于等于2.7微米，凸起210的最大深度小于等于1.8微米。将凸起210的宽度设置在2.7微米以内，或者将凸起210深度设置在1.8微米以内，可以在第一颜色发光元件11中排布足够多的凸起210，使第一颜色发光元件11发出的光具有比较均匀的亮度，也能更好的改善外量子效率，提高整体发光效率。
在一些实施例中，第一颜色发光元件朝向显示面板出光面的表面微结构和第二颜色发光元件朝向显示面板出光面的表面微结构不同，针对不同颜色的发光元件采用不同的表面微结构，实现有选择性的提升光效。如图5所示，第一颜色发光元件11的表面微结构包括多个凹坑110，凹坑110均匀排布，第二颜色发光元件12表面微结构为粗糙化表面微结构。该实施例中，第一颜色发光元件11为绿色发光元件，第二颜色发光元件12为红色发光元件，第三颜色发光元件13为蓝色发光元件，且第三颜色发光元件13也是粗糙化表面微结构。
相应的制作过程包括：
如图3所示，提供第一生长基板21，利用DPSS技术或WPSS技术对第一生长基板21表面进行图形化处理，在第一生长基板21表面形成多个均匀排布的凸起210。然后在第一生长基板21上生长出多个第一颜色发光元件11，第一颜色发光元件11就会形成包括多个均匀排布的凹坑110的表面微结构。
采用均匀排布的凹坑110的表面微结构，能够改善蓝宝石与GaN之间的晶格匹配问题，降低GaN的错位缺陷密度，改善内量子效率。另外，该表面微结构还能够提供更多不同角度的反射面，将更多全反射回来的光再反射出去，改善外量子效率，提高整体发光效率。特别是对于全反射率较高的绿色发光元件，能够更加显著的提高发光效率。
在一些实施例中，相邻两个凹坑110的距离为固定值，也就是任意两个相邻凹坑110的间距都是相等的，形成较为均匀的表面微结构，使第一颜色发光元件11具有比较均匀的发光效果。
另一方面，如图6所示，提供第二生长基板22，可选用砷化镓(GaAs)衬底作为第二生长基板22。在平面图案的第二生长基板22直接生长第二颜色发光元件12，形成多个表面微结构为平面的第二颜色发光元件12。然后将第二颜色发光元件12从第二生长基板22上脱离，至于衬底上60，并对第二颜色发光元12件表面进行刻蚀，形成粗糙化表面微结构，最后通过COC(Chip On Carrier，载板上芯片)技术，利用释放胶将第二颜色发光元件12装载在载板61上。
第二生长基板22的GaAs衬底不适于采用DPSS技术或WPSS技术形成图形化衬底，因此第二生长基板22上生长的第二颜色发光元件12的表面是平面，将第二颜色发光元件12脱离第二生长基板22后再刻蚀形成粗糙化表面微结构。粗糙化表面微结构是一种不规则的表面微结构，也能够提供更多不同角度的反射面，将更多全反射回来的光再反射出去，改善外量子效率，提高发光效率。
在一些实施例中，如图7所示，第一颜色发光元件11的表面微结构包括多个凹坑，凹坑均匀排布，第二颜色发光元件12和第三颜色发光元件13表面微结构为平面。
在一些实施例中，如图8所示，第二颜色发光元件12的表面微结构为粗糙化表面微结构，第一颜色发光元件11和第三颜色发光元件13表面微结构为平面。
图7和图8示出的实施例，也属于第一颜色发光元件11朝向显示面板出光面的表面微结构和第二颜色发光元件12朝向显示面板出光面的表面微结构不同，也能使不同颜色的发光元件的出光效率更为均衡，优化显示面板的色彩显示效果，解决了显示面板的色彩显示效果不佳的技术问题。
在一些实施例中，第一颜色发光元件和第二颜色发光元件的转移方式不同，针对不同颜色的发光元件的生长方式及其生长基板的图案，采用不同的转移方式。
相应的制作过程包括：
提供一临时基板，将第一颜色发光元件和第二颜色发光元件由生长基板转移至临时基板；其中，第一颜色发光元件采用第一转移方式，第二颜色发光元件采用第二转移方式。
将第一颜色发光元件通过第一转移方式转移至临时基板时，第一颜色发光元件的生长基板到临时基板的最小距离为d1；将第二颜色发光元件通过第二转移方式转移至临时基板时，第二颜色发光元件的生长基板到临时基板的最小距离为d2；其中，d1＜d2。第一转移方式与第二转移方式之间的差异主要在于生长基板到临时基板的最小距离不同。
在一些实施例中，第一颜色发光元件为绿色发光元件，第二颜色发光元件为红色发光元件，第三颜色发光元件为蓝色发光元件，发光元件采用LED芯片，LED芯片的出光面的尺寸可以是15×30μm或34×58μm。先将第一颜色发光元件转移至临时基板，然后将第二颜色发光元件转移至临时基板，具体转移过程如下：
如图9a所示，提供一临时基板，临时基板包括衬底31，以及衬底上31涂布的承接胶32。
如图9b所示，采用第一转移方式，将第一颜色发光元件11转移至临时基板。
第一生长基板21上生长有比较密集的第一颜色发光元件11，而本步骤只需要将其中一部分转移至临时基板。首先将所需要第一颜色发光元件11的COW(chip on wafer，晶圆上芯片)与临时基板绑定(bonding)，第一颜色发光元件11与接触面的压力0.01-0.99MPa，接触时间1-10min，完成绑定，第一生长基板21到承接胶32的最小距离为d1。
然后进行选择性激光剥离(selective laser lift-off,SLLO)技术，使用248nm准分子激光器，配合掩膜版(Mask)41，发射深紫外波长248nm激光，对已绑定的第一颜色发光元件11进行剥离，激光的光斑一般要比第一颜色发光元件11单边大1-2μm。或者，使用266nm固体紫外激光器，采用振镜扫描，不需要使用掩膜版。
激光的带隙能量宽度介于蓝宝石和GaN之间，蓝宝石不会吸收激光的能量，而GaN材料会强烈吸收激光能量产生高温(约1000℃)，进而促使GaN分解生成Ga和N2，从而实现激光剥离的效果，形成如图9c所示的临时基板。
如图9d所示，采用第二转移方式，将第二颜色发光元件12转移至临时基板。
载板61上载有比较密集的第二颜色发光元件12，本步骤也只需要将其中一部分转移至临时基板。将载板61置于临时基板上方，载板61到承接胶32的最小距离为d2，d2可以控制在30-50μm之间。临时基板和载板61上有相对应的位置标记(Mark)，可以使第二颜色发光元件12置于临时基板的正确位置上，实现精准释放。采用波长248nm或266nm或355nm的激光配合掩膜版42，对特定位置的第二颜色发光元件12进行SLLO，形成如图9e所示的临时基板。因为第二颜色发光元件12与载板61之间的键合层材料是激光响应的胶材苯并环丁烯(BCB)，所以对波长248-355nm的激光强烈吸收。
在一些实施例中，将第二颜色发光元件12通过第二转移方式转移至临时基板之前，包括：对第二颜色发光元件12表面进行刻蚀形成表面微结构(刻蚀及装载过程如图6所示)。第二颜色发光元件12是在刻蚀出粗糙化表面微结构之后，装载到载板61上的，而对于SLLO工艺中的间隙距离d2来说，载板61也可视为第二颜色发光元件12的生长基板。
在一些实施例中，如图9d所示，第一颜色发光元件11转移至临时基板后，第一颜色发光元件11背离临时基板的表面到临时基板的距离为d3；其中d2＞d3，即载板61与临时基板之间的距离大于第一颜色发光元件11的高度，防止载板61与第一颜色发光元件11发生碰撞。
进行SLLO时，d2在30-50μm，远大于第一颜色发光元件11的高度，所以第一颜色发光元件11不会和上方的第二颜色发光元件12发生碰撞。为提高第二颜色发光元件12转移的良率，d2应当越小越好，但是考虑到承接胶32表面的均匀性和设备运动平台的精度问题，d2至少要大于30μm才具备量产能力。
如图9f所示，采用第三转移方式，将第三颜色发光元件13转移至临时基板。
第三生长基板23上形成有比较密集的第三颜色发光元件13，本步骤也只需要将其中一部分转移至临时基板。将第三生长基板23置于临时基板上方，第三生长基板23到承接胶32的最小距离也为d2。采用波长248nm激光配合掩膜版43，对特定位置的第三颜色发光元件13进行SLLO。或者，使用266nm固体紫外激光器，采用振镜扫描(不需要使用掩膜版)进行SLLO，形成如图9g所示的临时基板。
第一转移方式属于接触式转移。接触式转移是指，在对第一颜色发光元件进行SLLO时，第一颜色发光元件已经与临时基板相接触了，而且是绑定在临时基板上了。
第二转移方式和第三转移方式属于间隙式转移。间隙式转移是指，在对第二颜色发光元件或第三颜色发光元件进行SLLO时，第二颜色发光元件或第三颜色发光元件是不接触临时基板的，而是与临时基板之间存在一定间隙。
采用两种不同转移方式的一个原因是，如果都采用接触式转移，那么在转移第二颜色发光元件时，已转移至临时基板上的第一颜色发光元件，会与载板上密集的第二颜色发光元件发生碰撞，造成大量发光元件的损坏，因此第二颜色发光元件和第三颜色发光元件不适合采用接触式转移，更适合采用间隙式转移。
在进行SLLO时，第一生长基板的图形化表面微结构，需要的能量密度会比载板、第三生长基板的平片结构更大，第一生长基板需要的能量密度2000-3000mJ/cm2以上，平片结构需要的能量密度约100-300mJ/cm2以上，能量密度越大产生的冲击力越大，相应的临时基板的承接效果就越差。因此第一颜色发光元件采用接触式转移能够避免能量密度较大造成的承接效果变差，保证了高转移良率，第二颜色发光元件和第三颜色发光元件本身需要的能量密度小，采用间隙式转移也有很高的转移良率。
需要说明的是，第二颜色发光元件的出光面与载板是通过释放胶连接的，虽然第二颜色发光元件的出光面是凹凸不平的，但是释放胶与载板的接触面是平面，在SLLO时等同于平片结构。
在一些实施例中，显示面板的制作方法还包括：
将发光元件转移至临时基板后，将临时基板上的不同颜色的发光元件采用同一种转移方式转移至阵列基板，具体转移过程如下：
如图10a所示，利用转移头(转移印章)40对临时基板上的第一颜色发光元件11、第二颜色发光元件12和第三颜色发光元件13进行拾取，例如利用静电力将各发光元件吸附在转移头40下表面。
如图10b所示，利用转移头40将第一颜色发光元件11、第二颜色发光元件12和第三颜色发光元件13从临时基板取下。
如图10c所示，将转移头40上吸附的第一颜色发光元件11、第二颜色发光元件12和第三颜色发光元件13与阵列基板10进行绑定。
如图10d所示，绑定完毕后，移除转移头，形成显示面板，该显示面板包括阵列基板10和三种颜色的发光元件。
本公开实施例提供的显示面板的制作方法，仅使用一次转移头，即可将三种颜色的发光元件一起转移至阵列基板，相比于相关技术中使用三次转移头分别转移三种颜色的发光元件，本公开实施例显著提高了显示面板的生产效率。
本公开实施例还提供一种显示面板，包括多个发光元件，发光元件包括第一颜色发光元件和第二颜色发光元件，第一颜色发光元件靠近显示面板出光面的表面微结构与第二颜色发光元件靠近显示面板出光面的表面微结构不同，针对不同颜色的发光元件采用不同的表面微结构，实现有选择性的提升光效。
在一些实施例中，如图2所示，第一颜色发光元件11为绿色发光元件，第二颜色发光元件12为红色发光元件。其中，第一颜色发光元件11的表面微结构包括多个凹坑110，凹坑110均匀排布，第二颜色发光元件12表面微结构为粗糙化表面微结构。
第一颜色发光元件11采用均匀排布的凹坑110的表面微结构，能够改善蓝宝石与GaN之间的晶格匹配问题，降低GaN的错位缺陷密度，改善内量子效率。另外，该表面微结构还能够提供更多不同角度的反射面，将更多全反射回来的光再反射出去，改善外量子效率，提高整体发光效率。特别是对于全反射率较高的绿色发光元件，能够更加显著的提高发光效率。
在一些实施例中，相邻两个凹坑110的距离为固定值，也就是任意两个相邻凹坑110的间距都是相等的，形成较为均匀的表面微结构，使第一颜色发光元件11具有比较均匀的发光效果。
在一些实施例中，凹坑110的最大宽度小于等于2.7微米，凹坑110的最大深度小于等于1.8微米。将凹坑110的宽度设置在2.7微米以内，或者将凹坑110的深度设置在1.8微米以内，可以在第一颜色发光元件11中排布足够多的凹坑110，使第一颜色发光元件11发出的光具有比较均匀的亮度，也能更好的改善外量子效率，提高整体发光效率。
第二颜色发光元件12是红色发光元件，用于红色发光元件的第二生长基板是GaAs衬底，不适于采用DPSS技术或WPSS技术形成图形化衬底，因此第二生长基板上生长的第二颜色发光元件12的表面是平面，将第二颜色发光元件12脱离第二生长基板后再刻蚀形成粗糙化表面微结构。粗糙化表面微结构是一种不规则的表面微结构，也能够提供更多不同角度的反射面，将更多全反射回来的光再反射出去，改善外量子效率，提高发光效率。
在一些实施例中，该显示面板还包括第三颜色发光元件13，第三颜色发光元件13为蓝色发光元件，第三颜色发光元件13朝向显示面板出光面一侧表面为平坦表面。蓝色发光元件本身具有较高的光效，因此蓝色发光元件的出光面可以采用平坦表面，以简化显示面板整体的制作过程。
在一些实施例中，如图5所示，显示面板包括三种颜色的发光元件，第一颜色发光元件11为绿色发光元件，第二颜色发光元件12为红色发光元件，第三颜色发光元件13为蓝色发光元件。其中，第一颜色发光元件11的表面微结构包括多个凹坑110，凹坑110均匀排布，第二颜色发光元件12和第三颜色发光元件13的表面微结构为粗糙化表面微结构。将蓝色发光元件也刻蚀成粗糙化表面微结构，能够提高蓝色发光元件的光效，从而进一步提高显示面板整体的光效。
在一些实施例中，如图7所示，显示面板包括三种颜色的发光元件，第一颜色发光元件11为绿色发光元件，第二颜色发光元件12为红色发光元件，第三颜色发光元件13为蓝色发光元件。其中，第一颜色发光元件11的表面微结构包括多个凹坑，凹坑均匀排布，第二颜色发光元件12和第三颜色发光元件13的表面微结构为平坦表面。红色发光元件和蓝色发光元件都采用平坦表面的表面微结构，在保持显示面板整体光效的前提下，简化显示面板的制作过程。
在一些实施例中，如图8所示，显示面板包括三种颜色的发光元件，第一颜色发光元件11为绿色发光元件，第二颜色发光元件12为红色发光元件，第三颜色发光元件13为蓝色发光元件。其中，第一颜色发光元件11和第三颜色发光元件13的表面微结构为平坦表面，第二颜色发光元件12的表面微结构为粗糙化表面微结构。绿色发光元件和蓝色发光元件都采用平坦表面的表面微结构，在保持显示面板整体光效的前提下，简化显示面板的制作过程。
在一些实施例中，第一颜色发光元件为蓝色发光元件，第二颜色发光元件为绿色发光元件和红色发光元件中的一种或多种。
如图11所示，显示面板包括三种颜色的发光元件，第一颜色发光元件11为蓝色发光元件，第二颜色发光元件12为红色发光元件，第三颜色发光元件13为绿色发光元件。其中，第一颜色发光元件11的表面微结构包括多个凹坑，凹坑均匀排布，第二颜色发光元件12和第三颜色发光元件13的表面微结构为粗糙化表面微结构。蓝色发光元件采用均匀排布的凹坑的表面微结构能够改善蓝宝石与GaN之间的晶格匹配问题，降低GaN的错位缺陷密度，改善内量子效率。还能够提供更多不同角度的反射面，将更多全反射回来的光再反射出去，改善外量子效率。同时，红色发光元件和绿色发光元件采用粗糙化表面微结构，也能够提供更多不同角度的反射面，将更多全反射回来的光再反射出去，改善外量子效率，提高显示面板整体的发光效率。
因为红色发光元件和绿色发光元件的表面微结构相同，所以也可以认为红色发光元件和绿色发光元件都属于第二颜色发光元件。
本公开实施例还提供了上述显示面板的制作方法，其中的转移过程如下：
如图12a所示，提供一临时基板，临时基板包括衬底31，以及衬底31上涂布的承接胶32。
如图12b所示，采用第一转移方式，将第一颜色发光元件11转移至临时基板。
第一生长基板21上生长有比较密集的第一颜色发光元件11，而本步骤只需要将其中一部分转移至临时基板。将所需要第一颜色发光元件11的COW与临时基板绑定，然后利用掩膜版44进行SLLO，对已绑定的第一颜色发光元件11进行剥离，形成如图12c所示的临时基板。
如图12d所示，采用第二转移方式，将第二颜色发光元件12转移至临时基板。
载板61上载有比较密集的第二颜色发光元件12，本步骤也只需要将其中一部分转移至临时基板。将载板61置于临时基板上方，利用掩膜版45对特定位置的第二颜色发光元件12进行SLLO，形成如图12e所示的临时基板。
如图12f所示，继续采用第二转移方式，将第三颜色发光元件13转移至临时基板。
载板62上载有比较密集的第三颜色发光元件13，本步骤也只需要将其中一部分转移至临时基板。将载板62置于临时基板上方，利用掩膜版46对特定位置的第三颜色发光元件13进行SLLO，形成如图12g所示的临时基板。
第一颜色发光元件采用接触式转移能够避免能量密度较大造成的承接效果变差，保证了高转移良率，第二颜色发光元件和第三颜色发光元件本身需要的能量密度小，采用间隙式转移也有很高的转移良率。
在一些实施例中，如图13所示，显示面板包括三种颜色的发光元件，第一颜色发光元件11为蓝色发光元件，第二颜色发光元件12为红色发光元件，第三颜色发光元件13为绿色发光元件。其中，第一颜色发光元件11的表面微结构包括多个凹坑，凹坑均匀排布，第二颜色发光元件12和第三颜色发光元件13的表面微结构为平坦表面。红色发光元件和绿色发光元件都采用平坦表面的表面微结构，在保持显示面板整体光效的前提下，简化显示面板的制作过程。
在一些实施例中，如图14所示，显示面板包括三种颜色的发光元件，第一颜色发光元件11为绿色发光元件，第二颜色发光元件12为蓝色发光元件，第三颜色发光元件13为红色发光元件。其中，第一颜色发光元件11和第二颜色发光元件12的表面微结构包括多个凹坑，凹坑均匀排布，第三颜色发光元件13的表面微结构为粗糙化表面微结构。蓝色发光元件和绿色发光元件采用均匀排布的凹坑的表面微结构能够改善蓝宝石与GaN之间的晶格匹配问题，降低GaN的错位缺陷密度，改善内量子效率，还能够提供更多不同角度的反射面，将更多全反射回来的光再反射出去，改善外量子效率。同时，红色发光元件采用粗糙化表面微结构，也能够提供更多不同角度的反射面，将更多全反射回来的光再反射出去，改善外量子效率，提高显示面板整体的发光效率。
本公开实施例还提供了上述显示面板的制作方法，其中的转移过程如下：
如图15a所示，提供一临时基板，临时基板包括衬底31，以及衬底上31涂布的承接胶32。
如图15b所示，采用第一转移方式，将第一颜色发光元件11转移至临时基板。
第一生长基板21上生长有比较密集的第一颜色发光元件11，而本步骤只需要将其中一部分转移至临时基板。将所需要第一颜色发光元件11的COW与临时基板绑定，然后利用掩膜版47进行SLLO，对已绑定的第一颜色发光元件11进行剥离，形成如图15c所示的临时基板。
如图15d所示，继续采用第一转移方式，将第二颜色发光元件12转移至临时基板。
第二生长基板21上生长有较少的第二颜色发光元件12，在第一颜色发光元件11对应的位置没有第二颜色发光元件12，而且第二生长基板21在第一颜色发光元件11对应的位置设有凹陷结构，这样当第二颜色发光元件12的COW与临时基板绑定时，第二生长基板21不会与第一颜色发光元件11发生碰撞，保证第二颜色发光元件12能够顺利绑定。然后利用掩膜版48进行SLLO，对已绑定的第二颜色发光元件12进行剥离，形成如图15e所示的临时基板。
如图15f所示，采用第二转移方式，将第三颜色发光元件13转移至临时基板。
载板61上载有比较密集的第三颜色发光元件13，本步骤只需要将其中一部分转移至临时基板。将载板62置于临时基板上方，利用掩膜版49对特定位置的第三颜色发光元件13进行SLLO，形成如图15g所示的临时基板。
第一颜色发光元件和第二颜色发光元件都采用接触式转移，能够避免能量密度较大造成的承接效果变差，保证了高转移良率，第三颜色发光元件本身需要的能量密度小，采用间隙式转移也有很高的转移良率。
在一些实施例中，如图16所示，显示面板包括三种颜色的发光元件，第一颜色发光元件11为绿色发光元件，第二颜色发光元件12为蓝色发光元件，第三颜色发光元件13为红色发光元件。其中，第一颜色发光元件11和第二颜色发光元件12的表面微结构包括多个凹坑，凹坑均匀排布，第三颜色发光元件13的表面微结构为平坦表面。蓝色发光元件和绿色发光元件采用均匀排布的凹坑的表面微结构能够改善蓝宝石与GaN之间的晶格匹配问题，降低GaN的错位缺陷密度，改善内量子效率，还能够提供更多不同角度的反射面，将更多全反射回来的光再反射出去，改善外量子效率。同时，红色发光元件采用平面结构的出光面，能够简化显示面板的制作过程。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括上述任一实施例提供的显示面板。
本公开实施例提供的显示装置，具有与上述实施例提供的显示面板相同的技术特征，所以也能解决相同的技术问题，达到相同的技术效果。
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本公开的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本公开。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本公开将不会被限制于本文所述的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (23)

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
形成显示面板，所述显示面板包括多个发光元件，所述发光元件包括第一颜色发光元件和第二颜色发光元件；
所述制作方法至少包括以下特征之一：所述第一颜色发光元件和所述第二颜色发光元件的转移方式不同，或所述第一颜色发光元件和所述第二颜色发光元件的生长基板图案不同，或所述第一颜色发光元件朝向所述显示面板出光面的表面微结构和所述第二颜色发光元件朝向所述显示面板出光面的表面微结构不同。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述第一颜色发光元件和所述第二颜色发光元件的生长基板图案不同，包括：
提供第一生长基板和第二生长基板，在所述第一生长基板上生长所述第一颜色发光元件，在所述第二生长基板上生长所述第二颜色发光元件；
所述第一生长基板与所述第二生长基板的图案不同。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，
所述第一生长基板的表面包括多个凸起，所述凸起均匀排布。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，
相邻两个所述凸起距离为固定值。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，
所述凸起的最大宽度小于等于2.7微米，和/或，所述凸起的最大深度小于等于1.8微米。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述第一颜色发光元件和所述第二颜色发光元件的转移方式不同，包括：
提供一临时基板，将所述第一颜色发光元件和所述第二颜色发光元件由生长基板转移至所述临时基板；其中，所述第一颜色发光元件采用第一转移方式，所述第二颜色发光元件采用第二转移方式；
将所述第一颜色发光元件通过所述第一转移方式转移至所述临时基板时，所述第一颜色发光元件的生长基板到所述临时基板的最小距离为d1；将所述第二颜色发光元件通过所述第二转移方式转移至所述临时基板时，所述第二颜色发光元件的生长基板到所述临时基板的最小距离为d2；其中，d1＜d2。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，
所述第一转移方式包括接触式转移。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，
所述第一颜色发光元件和所述第二颜色发光元件的转移方式不同，还包括：
先将所述第一颜色发光元件转移至所述临时基板，然后将所述第二颜色发光元件转移至所述临时基板。
9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，
将所述第二颜色发光元件通过所述第二转移方式转移至所述临时基板之前，包括对所述第二颜色发光元件表面进行刻蚀形成表面微结构。
10.根据权利要求6所述的制方法，其特征在于，
所述第一颜色发光元件转移至所述临时基板后，所述第一颜色发光元件背离所述临时基板的表面到所述临时基板的距离为d3；其中d2＞d3。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，
将所述发光元件转移至所述临时基板后，将临时基板上的不同颜色的所述发光元件采用同一种转移方式转移至阵列基板。
12.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，
所述第一颜色发光元件为绿色发光元件，所述第二颜色发光元件为红色发光元件。
13.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述第一颜色发光元件朝向所述显示面板出光面的表面微结构和所述第二颜色发光元件朝向所述显示面板出光面的表面微结构不同，包括：
所述第一颜色发光元件的表面微结构包括多个凹坑，所述凹坑均匀排布；和/或，所述第二颜色发光元件表面微结构为粗糙化表面微结构。
14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，
相邻两个所述凹坑的距离为固定值。
15.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，
所述第一颜色发光元件为绿色发光元件，所述第二颜色发光元件为红色发光元件。
16.一种显示面板，其特征在于，包括
多个发光元件，所述发光元件包括第一颜色发光元件和第二颜色发光元件，所述第一颜色发光元件朝向所述显示面板出光面的表面微结构与所述第二颜色发光元件朝向所述显示面板出光面的表面微结构不同。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，
所述第一颜色发光元件的表面微结构包括多个凹坑，所述凹坑均匀排布；
和/或，所述第二颜色发光元件表面微结构为粗糙化表面微结构。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，
相邻两个所述凹坑距离为固定值。
19.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，
所述凹坑的最大宽度小于等于2.7微米，和/或，所述凹坑的最大深度小于等于1.8微米。
20.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，
所述第一颜色发光元件为蓝色发光元件，所述第二颜色发光元件为绿色发光元件和红色发光元件中的一种或多种。
21.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，
所述第一颜色发光元件为绿色发光元件，所述第二颜色发光元件为红色发光元件。
22.根据权利要求21所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括第三颜色发光元件，所述第三颜色发光元件朝向所述显示面板出光面一侧表面为平坦表面。
23.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求16-22任一项所述的显示面板。
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