CN116878427B - 一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量方法及装置 - Google Patents
一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量方法及装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116878427B CN116878427B CN202310931995.2A CN202310931995A CN116878427B CN 116878427 B CN116878427 B CN 116878427B CN 202310931995 A CN202310931995 A CN 202310931995A CN 116878427 B CN116878427 B CN 116878427B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solvent
- mlcc
- test platform
- printing
- surface roughness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 20
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011267 electrode slurry Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
本申请提出了一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量方法及装置。该干涉测量方法包括：在测试平台上滴设预定量的溶剂；将印刷膜片放置于所述溶剂上，以吸附固定于测试平台上；利用干涉条纹相位技术测量所述印刷膜片的表面粗糙度。本申请利用干涉条纹相位技术测量印刷膜片的表面粗糙度，即采用非接触测量式来测量印刷膜片的表面粗糙度，操作方便，快捷高效，且测量量程较大，测量结果精度高且可表现为立体示意图，直观立体的展示印刷膜片的厚度变化情况。
Description
技术领域
本申请涉及干涉测量技术领域，具体涉及一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量方法及装置。
背景技术
为了满足电子整机不断向小型化、大容量化、高可靠性和低成本的方向发展。片式多层陶瓷电容器(Multi-layer Ceramic Chip Capacitors，英文简称MLCC)也随之迅速发展：技术不断进步，材料不断更新，种类不断增加，体积不断缩小，性能不断提高。小型化大容量系列产品已趋向于标准化和通用化。
内电极浆料作为制造MLCC最关键的三大材料之一，其金属粉粒的粒径已由之前的200～400nm降低至150～170nm，甚至更小。随着粒径的逐渐缩小，金属粉粒表面的活性大大增强，容易造成自然团聚，从而在内电极浆料制备过程中容易造成金属粉粒的分散不均匀，影响印刷形成的内电极的厚度均匀性，由于内电极的厚度不均匀，表现为印刷膜片表面粗糙度大，进而导致在烧结过程中内电极和陶瓷膜片(又称介质层)之间的收缩差异变大，MLCC的内应力增大。随着MLCC容量的提高，内电极和陶瓷膜片的层数增加，印刷膜片粗糙度大而累计导致片式多层陶瓷电容器内电极与介质层内应力增大的问题越来越明显，严重时会由于内应力过大导致陶瓷主体开裂，严重影响产品的电性能及可靠性。因此研究高容印刷膜片表面粗糙度对改善高容MLCC性能及可靠性具有重要的意义。
现有技术中，普遍采用精密表面粗糙度仪来测量印刷膜片的表面粗糙度，以此反应印刷膜片的厚度均匀性。即，该方法采用物理接触测量方式来测量印刷膜片的表面粗糙度，具体地，将需要测量的印刷膜片放置于探针正下方的平台上，通过手工调整探针和印刷膜片之间的间隙，使探针和印刷膜片刚接触即可，然后启动程序开关，使探针按程序设定的移动速率及行程进行移动，在此过程中通过探针的高度变化来展示印刷膜片的表面粗糙度。该方法操作简单，但是由于是手工操作调整探针与印刷膜片的接触位置，存在探针磨损等问题，导致测量结果一定程度会受到外在因素的影响较大，同时该检测方法的操作不够简便，测量量程受限于探针衡量的范围，通常半径只有5mm左右，测试效率低，且测量结果仅能表现为平面示意图。
发明内容
鉴于此，本申请提供一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量方法及装置，可以改善物理接触测量方式的测量量程小且测量结果精度不高且仅能表现为平面示意图的问题。
本申请提供的一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量方法，包括：
在测试平台上滴设预定量的溶剂；
将印刷膜片放置于所述溶剂上，以吸附固定于测试平台上；
利用干涉条纹相位技术测量所述印刷膜片的表面粗糙度。
可选地，所述溶剂包括水和/或酒精。
可选地，在测试平台上滴设预定量的溶剂之后，所述方法还包括：
采用无尘布对所述测试平台表面的溶剂进行擦拭；以及，
在预设时长内执行所述将印刷膜片放置于所述溶剂上的步骤，在所述预设时长内经擦拭残留后的溶剂的覆盖面积大于所述印刷膜片所需测量的面积。
可选地，所述溶剂的表面张力大于50mN/m。
可选地，所述溶剂为玻璃水。
本申请提供的一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量装置，包括：
测试平台；
滴落组件，设置于所述测试平台的上方和/或侧方，用于向所述测试平台上滴设预定量的溶剂，利用所述溶剂将所述印刷膜片吸附固定于测试平台上；
干涉仪，设置于所述测试平台的上方，用于利用干涉条纹相位技术测量所述印刷膜片的表面粗糙度。
可选地，所述装置还包括：
擦拭组件，可移动至所述测试平台表面以对所述溶剂进行擦拭；
计时器和/或传输组件，所述计时器用于计时以提示在预设时长内将所述印刷膜片放置于擦拭后的溶剂上，在所述预设时长内经擦拭残留后的溶剂的覆盖面积大于所述印刷膜片所需测量区域的面积；所述传输组件用于在所述预设时长内将所述印刷膜片传输至擦拭后的溶剂处并放置所述印刷膜片。
可选地，所述传输组件包括设置有入口和出口的导轨，所述导轨设置于所述干涉仪的下游，用于承载所需测量的印刷膜片，并将所述印刷膜片依次从所述入口朝向所述出口传送。
可选地，所述出口包括第一分岔口和第二分岔口；所述装置还包括设置于所述出口处的开关，所述开关根据所述干涉仪的测量结果使得所述第一分岔口和所述第二分岔口中的一者导通、另一者截止。
可选地，所述装置还包括设置于所述出口处的传感器，所述传感器用于检测所述印刷膜片的标识信息，以使所述开关根据所述标识信息控制所述第一分岔口和所述第二分岔口。
如上所述，本申请利用干涉条纹相位技术测量印刷膜片的表面粗糙度，即采用非接触测量式来测量印刷膜片的表面粗糙度，操作方便，快捷高效，且测量量程较大，测量结果精度高且可表现为立体示意图，直观立体的展示印刷膜片的厚度变化情况。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种多层陶瓷电容器的结构立体图；
图2为本申请实施例提供的一种各层内电极的层叠排布示意图；
图3为本申请实施例提供的一种多层陶瓷电容器的局部结构爆炸示意图；
图4为本申请实施例提供的一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量方法的流程示意图；
图5a为本申请实施例得到的一种印刷膜片表面粗糙度的立体效果图；
图5b为基于图5a得到的印刷膜片表面粗糙度的一种平面效果图；
图6a为本申请实施例得到的另一种印刷膜片表面粗糙度的立体效果图；
图6b为基于图6a得到的印刷膜片表面粗糙度的一种平面效果图；
图7为本申请实施例提供的一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量装置的结构示意图。
具体实施方式
为了解决现有技术中存在的上述问题，本申请提供一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量方法及装置。这几个保护主题基于同一构思，解决问题的原理基本相同或相似，各保护主题的实施方式可相互参阅，重复之处不予赘述。
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合具体实施例及相应的附图，对本申请的技术方案进行清楚地描述。显然，下文所描述实施例仅是本申请的一部分实施例，而非全部的实施例。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可相互组合，且亦属于本申请的技术方案。
在本申请实施例的描述中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅为便于描述相应实施例的技术方案，而非指示或暗示装置或元件必须具有特定方位、以特定方位构造和操作，不能理解为对本申请的限制。
请一并参阅图1至图4所示，本申请实施例提供的一种印刷膜片表面粗糙度的分析方法，用于对多层陶瓷电容器1的印刷膜片进行表面粗糙度的分析，以此可以得到印刷膜片的厚度均匀性。该多层陶瓷电容器1可以为MLCC，包括陶瓷主体10、端电极12以及内电极13。
多层陶瓷电容器1的形状及尺寸，本申请实施例不予限定，例如形状可以为图1至图3所示的长方体、或者矩形等类四方体。所谓类四方体可以理解为多层陶瓷电容器1的外形整体上呈矩形体，但顶角为具有预定曲率半径的圆角，形成单个顶角的线条并非为传统尖角的两条。需要说明的是，图2和图3所示的为多层陶瓷电容器1的一部分，具体为多个内电极13和多个介质层11相结合的结构，示出了内电极13和介质层11之间的层叠关系，而未示出端电极12，图中所示的内电极13和介质层11的数量仅供示例性展示。
多层陶瓷电容器1的长度方向为第一方向x，多层陶瓷电容器1的高度方向为第二方向y，多层陶瓷电容器1的宽度方向为第三方向z，第一方向x、第二方向y和第三方向z两两垂直，可视为三维直角坐标系的三条坐标轴。
应理解，本申请全文所谓的垂直并非要求两者之间的夹角必须为90°，而是允许存在±10°的偏差，即所谓垂直可以理解为任意两个方向之间的夹角为80°至100°。同理，本申请全文所谓的平行也并非要求两者之间的夹角必须为0°或180°，而是允许存在±10°的偏差，即所谓的平行可以理解为任意两个方向之间的夹角为0°至10°或170°至190°。
如图2和图3所示，多个介质层11依次堆叠形成多层陶瓷电容器1的陶瓷主体10。多个介质层11可以为具有非线性特性的半导体材料构成，例如可以为采用多个印刷的膜片层叠而成的结构体，每一印刷膜片通过烧结等工序即可形成前述一介质层11，构成印刷膜片的主体成分可以为钛酸钡(BaTiO3)，并含有形成具有非线性特性的副成分铋(Bi)、钴(Co)、钇(Y)、镝(Dy)、锰(Mn)、铬(Cr)、锑(Sb)等至少一种的氧化物，例如Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3、Dy2O3、Cr2O3、Y2O3等多种添加剂。在一实施例中，钛酸钡的质量占比为α，85％≤α≤98％，以确保介质层11的特性。
内电极13和介质层11沿第二方向y依次交替层叠设置，例如，通过流延和烘干、裁切等方式形成如图3所示的位于最下方的第一个介质层11，可称为下保护盖14，然后在该第一个介质层11上形成第二个介质层11，接着在第二个介质层11上设置第一个内电极13，第三个介质层11通过相同或相似方式形成设置于第二个介质层11和第一个内电极13上，第二个内电极13设置于第三个介质层11上，依次类推，从而形成包含多个内电极13的陶瓷主体10。可选地，如图4所示，最后形成的一个介质层11位于陶瓷主体10的最上方，可以称为上保护盖15；该下保护盖14和上保护盖15的厚度可以相等，且均大于任一其他介质层11的厚度。
相邻两层内电极13之间通过陶瓷体(即两层内电极13之间夹设的介质层11)绝缘，沿第二方向y，这些内电极13可以整体上均呈矩形。
如图1所示，多层陶瓷电容器1设置有端电极12，端电极12与对应的内电极13连接。端电极12的宽度以及形状包括但不限于图1所示，可以根据实际所需适应性设定。在一些实施方式中，端电极12的导电材料，例如可由铜、银、金、钯、铂，或者铜、银、金、钯、铂等的合金组成。
两个端电极12分别设置于陶瓷主体10沿第一方向x的相对两侧；任意相邻两个内电极13中的一者与其中一端电极12(例如左侧的端电极12)连接，另一者与另一外电极(例如右侧的端电极12)连接。
本申请的干涉测量方法的适用对象是对该多层陶瓷电容器1的内电极13或者介质层11(例如任意相邻内电极13之间的介质层11)，测量其表面粗糙度，以用于改善多层陶瓷电容器1的性能。
如图4所示，该干涉测量方法包括如下步骤S1至S3。
S1：在测试平台上滴设预定量的溶剂。
S2：将印刷膜片放置于溶剂上，以吸附固定于测试平台上。
S3：利用干涉条纹相位技术测量印刷膜片的表面粗糙度。
测试平台承载印刷膜片的表面为符合要求的光滑平面，例如测试平台可以为平滑度较高的玻璃板。所述溶剂的主要作用是将印刷膜片固定于测试平台上，以防止在测量过程中印刷膜片相对测试平台发生位移。
在一实施场景中，所述溶剂可以为水和/或酒精。具体地，为了吸附固定印刷膜片，首先在一块玻璃板上滴上一滴水或酒精，然后把印刷膜片样品放在上面进行测量。
滴设于测试平台上的水或酒精本身也有一定的厚度，其表面也有起伏，而印刷膜片样品非常薄，会跟随溶剂的起伏而出现起伏，从而影响测量结果的准确性。于此，本申请另一实施场景可以采用表面张力较大的溶剂，可选地，所述溶剂的表面张力大于50mN/m，从而使得溶剂在测试平台上的流平效果较好，避免因溶剂表面起伏对测量结果的不利影响。
具体地，所述溶剂可以为玻璃水，成本低且较为常见。
进一步可选地，在测试平台上滴设预定量的溶剂之后，所述方法还包括：采用无尘布对测试平台表面的溶剂进行擦拭；以及，
在预设时长内执行将印刷膜片放置于溶剂上的步骤，在所述预设时长内经擦拭残留后的溶剂的覆盖面积大于印刷膜片所需测量的面积。
由于溶剂的表面张力较大，因此即使擦拭后也可以将印刷膜片样品较好的固定于测试平台上，并且擦拭后残留的溶剂厚度较小、覆盖面积较大，不仅可以进一步避免表面起伏对测量结果的不利影响，还可以增大印刷膜片样品与测试平台的接触面积，进一步增强两者之间的相对稳定性。
所述预设时长可以确保擦拭后残留的溶剂在未干涸之前(即测试平台仍湿润之前)放置并吸附固定印刷膜片样品，另外，擦拭后残留的溶剂的覆盖面积大于印刷膜片所需测量区域的面积，可以使得印刷膜片样品和测试平台之间通过溶剂相接触的面积较大，以足够保证印刷膜片样品和测试平台之间的相对稳定。
在步骤S3中，干涉仪的光源发出光，并利用光在两个不同表面(即被检测表面和参考表面)反射后形成的干涉条纹来测量印刷膜片样品的表面粗糙度。当两束光波(即波阵面)合成在一起时，其合成后的光强分布将由波阵面的振幅和相位来决定。由于相位差的变化产生了明暗相间的干涉条纹，而相位差是由于两束光经过的反射路径后形成的光程差造成的。通过分析这样的干涉条纹形成的干涉图像，就可以经过计算得出干涉图像中的任何一处的光程差。光程差的出现是由于被检测表面与参考表面的形状及倾斜度等参数不一致导致的。那么，将参考表面做成一个接近完美的表面时，参考表面的参数为零，干涉图像所反映的就是被测表面的情况，即印刷膜片样品的表面粗糙度。
如上所述，本申请利用干涉条纹相位技术测量印刷膜片的表面粗糙度，即采用非接触测量式来测量印刷膜片的表面粗糙度，相比较于物理接触测量方式需要手动调整探针与印刷膜片的接触位置，本申请的操作方便，快捷高效，且光束的照射范围大，使得测量量程较大，测量结果精度高且可表现为立体示意图，可以直观立体的展示印刷膜片的厚度变化情况。
在对内电极13的测量场景中，如图5a所示，内电极13的边缘整体偏厚，而内电极13的中间位置，印刷内电极厚度偏薄，在实际生产过程中，这可以为提高印刷厚度均匀性，以将降低烧结过程内电极13和介质层11之间的烧结应力而改善产品性能，具有重要的指导意义。又如图6a所示，内电极13的表面相对平整。
本申请还可以根据需求选择输出反应表面粗糙度的平面效果图，如图5b和图6b所示的平面效果图，或者平面走线图。
本申请实施例还提供一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量装置(简称装置)7，如图7所示，包括测试平台71、滴落组件72及干涉仪73。
滴落组件72设置于测试平台71的上方，用于向测试平台71上滴设预定量的溶剂，利用溶剂将所需测量的印刷膜片承载于测试平台上。在其他实施场景中，滴落组件72可以设置于测试平台71的侧方。
干涉仪73设置于测试平台71的上方，用于利用干涉条纹相位技术测量印刷膜片的表面粗糙度。
装置7的各个结构元件利用前述干涉测量方法测量印刷膜片的表面粗糙度，具体过程及原理，可参阅前述，此处不再予以赘述。
在一可实施场景中，所述装置7还包括擦拭组件和计时器。擦拭组件可移动至测试平台71表面，以对所述溶剂进行擦拭；计时器用于计时，以提示在预设时长内将所需测量的印刷膜片放置于擦拭后的溶剂上，在所述预设时长内经擦拭残留后的溶剂的覆盖面积大于所述印刷膜片需要测量区域的面积。
在另一可实施场景中，例如采用表面张力大于50mN/m的溶剂的场景中，所述装置7可以包括擦拭组件和传输组件。擦拭组件可移动至测试平台71表面，以对所述溶剂进行擦拭；所述传输组件用于在所述预设时长内将印刷膜片传输至擦拭后的溶剂处并放置印刷膜片。
可选地，所述传输组件包括设置有入口和出口的导轨74，所述导轨74设置于干涉仪73的下游，用于承载所需测量的印刷膜片，并将所述印刷膜片依次从所述入口朝向所述出口传送。
进一步可选地，所述出口包括第一分岔口和第二分岔口；所述装置还包括设置于出口处的开关，所述开关根据所述干涉仪的测量结果使得所述第一分岔口和所述第二分岔口中的一者导通、另一者截止。例如，对于干涉仪73检测到表面粗糙度不符合预设要求的印刷膜片，开关导通第一分岔口且截止第二分岔口，以使得该印刷膜片从第一分岔口从导轨74上离开；对于干涉仪73检测到表面粗糙度符合预设要求的印刷膜片，开关导通第二分岔口且截止第一分岔口，以使得该印刷膜片从第二分岔口从导轨74上离开。
所述装置还可以包括设置于所述出口处的传感器，包括但不局限于摄像头、条码扫描枪等。所述传感器用于检测各所述印刷膜片的标识信息(例如唯一标识标签)，以使所述开关根据所述标识信息控制所述第一分岔口和所述第二分岔口。例如，在印刷膜片到达开关所在位置时，邻近设置于开关处的传感器扫描得到印刷膜片上面的标识信息，并以此获知哪一印刷膜片当前到达该开关所在位置(相当于得到印刷膜片的位置信息)，继而根据干涉仪73得到的测量结果控制所述第一分岔口和所述第二分岔口中的一者导通、另一者截止。
本申请实施例的装置7可以对印刷膜片的表面粗糙度进行自动化测量。
以上所述仅为本申请的部分实施例，并非因此限制本申请的专利范围，对于本领域普通技术人员而言，凡是利用本说明书及附图内容所作的等效结构变换，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
尽管本文采用术语“第一、第二”等描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。另外，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式。术语“或”和“和/或”被解释为包括性的，或意味着任一个或任何组合。仅当元件、功能、步骤或操作的组合在某些方式下内在地互相排斥时，才会出现该定义的例外。
Claims (5)
1.一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量方法，其特征在于，包括：
在测试平台上滴设预定量的溶剂；
采用无尘布对所述测试平台表面的溶剂进行擦拭，使其均匀的涂抹在测试平台上；
在预设时长内将MLCC印刷膜片放置于经过无尘布擦拭过的所述溶剂上，其中在所述预设时长内经擦拭残留后的溶剂的覆盖面积大于所述MLCC印刷膜片所需测量区域的面积，以将所述MLCC印刷膜片吸附固定于测试平台上；
利用干涉条纹相位技术测量所述吸附固定于测试平台上的MLCC印刷膜片的表面粗糙度；
根据测量结果以及所述MLCC印刷膜片的标识信息，以控制单个所述MLCC印刷膜片从第一分岔口和第二分岔口中的一者离开，在同一时刻所述第一分岔口和第二分岔口中的一者导通、另一者截止，从而得到所需粗糙度测试结果。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶剂包括水和/或酒精。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶剂的表面张力大于50mN/m。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述溶剂为玻璃水。
5.一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量装置，其特征在于，包括：
测试平台；
滴落组件，设置于所述测试平台的上方和/或侧方，用于向所述测试平台上滴设预定量的溶剂；
擦拭组件，可移动至所述测试平台表面以对所述溶剂进行擦拭；
计时器和传输组件，所述计时器用于计时以提示在预设时长内将MLCC印刷膜片放置于擦拭后的溶剂上，在所述预设时长内经擦拭残留后的溶剂的覆盖面积大于所述MLCC印刷膜片所需测量区域的面积；所述传输组件用于在所述预设时长内将所述MLCC印刷膜片传输至擦拭残留后的溶剂处并放置所述MLCC印刷膜片，以利用擦拭残留后的溶剂将所述MLCC印刷膜片吸附固定于测试平台上；
干涉仪，设置于所述测试平台的上方，用于利用干涉条纹相位技术测量所述MLCC印刷膜片的表面粗糙度；
所述传输组件包括设置有入口和出口的导轨，所述导轨设置于所述干涉仪的下游，用于承载所需测量的MLCC印刷膜片，并将所述MLCC印刷膜片依次从所述入口朝向所述出口传送；所述出口包括第一分岔口和第二分岔口；
所述装置还包括设置于所述出口处的开关和传感器，所述开关根据所述干涉仪的测量结果使得所述第一分岔口和所述第二分岔口中的一者导通、另一者截止，所述传感器用于检测所述MLCC印刷膜片的标识信息，以使所述开关根据所述标识信息控制所述第一分岔口和所述第二分岔口，从而得到所需粗糙度测试结果。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310931995.2A CN116878427B (zh) | 2023-07-26 | 2023-07-26 | 一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310931995.2A CN116878427B (zh) | 2023-07-26 | 2023-07-26 | 一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量方法及装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116878427A CN116878427A (zh) | 2023-10-13 |
| CN116878427B true CN116878427B (zh) | 2024-03-19 |
Family
ID=88266223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310931995.2A Active CN116878427B (zh) | 2023-07-26 | 2023-07-26 | 一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量方法及装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116878427B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101806585A (zh) * | 2010-04-09 | 2010-08-18 | 中北大学 | 基于红外光干涉技术的mems器件形貌测量方法 |
| TW201335571A (zh) * | 2012-02-29 | 2013-09-01 | Univ Feng Chia | 同時檢測三維表面輪廓及光學級表面粗糙度的裝置及方法 |
| CN205342779U (zh) * | 2016-01-21 | 2016-06-29 | 苏州新美光纳米科技有限公司 | 晶片真空吸附模板 |
| CN108061529A (zh) * | 2018-02-23 | 2018-05-22 | 西南科技大学 | 基于干涉图像自相关值曲率特征的表面粗糙度测量方法 |
| CN111043973A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-04-21 | 浙江大学 | 一种氢同位素结晶高度及表面粗糙度干涉测量装置及方法 |
-
2023
- 2023-07-26 CN CN202310931995.2A patent/CN116878427B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101806585A (zh) * | 2010-04-09 | 2010-08-18 | 中北大学 | 基于红外光干涉技术的mems器件形貌测量方法 |
| TW201335571A (zh) * | 2012-02-29 | 2013-09-01 | Univ Feng Chia | 同時檢測三維表面輪廓及光學級表面粗糙度的裝置及方法 |
| CN205342779U (zh) * | 2016-01-21 | 2016-06-29 | 苏州新美光纳米科技有限公司 | 晶片真空吸附模板 |
| CN108061529A (zh) * | 2018-02-23 | 2018-05-22 | 西南科技大学 | 基于干涉图像自相关值曲率特征的表面粗糙度测量方法 |
| CN111043973A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-04-21 | 浙江大学 | 一种氢同位素结晶高度及表面粗糙度干涉测量装置及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116878427A (zh) | 2023-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101876621B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 | |
| US10366838B2 (en) | Laminated ceramic electronic component and method for manufacturing same | |
| US10074482B2 (en) | Multi-layer ceramic electronic component having side face external electrode and method of producing the same | |
| KR101634598B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품, 연속 테이핑 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품의 제조방법 | |
| CN110010349A (zh) | 贯通型层叠陶瓷电容器 | |
| KR101925286B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 | |
| KR20130093034A (ko) | 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법 및 적층 세라믹 콘덴서 | |
| KR102283078B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 | |
| CN116878427B (zh) | 一种印刷膜片表面粗糙度的干涉测量方法及装置 | |
| CN111044583B (zh) | 湿度传感器芯片 | |
| KR20130031879A (ko) | 칩 서미스터 및 그 제조 방법 | |
| KR102114962B1 (ko) | 파우치 전지 셀 검사유닛 | |
| KR102550163B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 | |
| CN210467597U (zh) | 一种多层陶瓷电容器 | |
| CN210467599U (zh) | 一种多层陶瓷电容器 | |
| US11257625B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| JP5347350B2 (ja) | 積層型電子部品の製造方法 | |
| CN210467598U (zh) | 一种多层陶瓷电容器 | |
| JP2000040634A (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| US11462359B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| US11404213B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| US20160155546A1 (en) | Thermistor element | |
| KR102571777B1 (ko) | 배터리 셀 케이스 측정장치 | |
| CN113251961B (zh) | 基于耦合微带线的微波位移传感器 | |
| CN112951604A (zh) | 一种贴片电容及其性能检测方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |