CN116867232A - 一种降低svc系统tcr阀组冷却水电导率的装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的装置，涉及冷却系统技术领域，包括高位水箱和去离子罐；所述高位水箱的出水端通过管路与所述SVC阀组的进水端连接，所述SVC阀组的出水端通过管路与所述高位水箱的回水端连接；所述去离子罐设置在所述高位水箱和所述SVC阀组之间的管路上。本发明通过在高位水箱和SVC阀组之间的循环管路中安装去离子罐，通过去离子罐显著降低冷却水系统中离子含量，从而了降低人员维护成本，确保SVC系统稳定运行。
Description
技术领域
本发明涉及冷却系统技术领域，特别是涉及一种降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的装置及方法。
背景技术
SVC系统中TCR系统的可控硅运行时产生的热量，需用循环的纯净水带走，工作在10kV系统的循环冷却水，其电导率是一项重要指标。在长期运行的水冷系统中，阀组电场对冷却水的电离影响、管路腐蚀、不及时排污等影响，会使循环冷却水中离子浓度增高，导致SVC系统将不能正常运行。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺点，提供一种降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的装置及方法。
为了解决以上技术问题，本发明的技术方案如下：
本发明提供了一种降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的装置，包括高位水箱以及去离子罐；
所述高位水箱的出水端通过管路与所述SVC阀组的进水端连接，所述SVC阀组的出水端通过管路与所述高位水箱的回水端连接；
所述去离子罐设置在所述高位水箱和所述SVC阀组之间的管路上。
作为本发明所述降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的装置的一种优选方案，其中：还包括冷却器，所述冷却器的进水端与所述SVC阀组的出水端连接，所述冷却器的出水端与所述SVC阀组的进水端连接。
作为本发明所述降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的装置的一种优选方案，其中：还包括输送水泵，所述输送水泵包括第一输送水泵和第二输送水泵；
所述第一输送水泵连接在所述SVC阀组的出水端与所述高位水箱的回水端之间；
所述第二输送水泵连接在所述SVC阀组的出水端与所述冷却器的进水端之间。
作为本发明所述降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的装置的一种优选方案，其中：所述去离子罐包括第一去离子罐和第二去离子罐；
所述第一去离子罐设置在所述SVC阀组的出水端与所述冷却器的进水端之间，所述第二去离子罐设置在所述SVC阀组的出水端与所述高位水箱的回水端之间。
作为本发明所述降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的装置的一种优选方案，其中：所述高位水箱内盛装的冷却水为纯净水。
本发明还提供了一种降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的方法，包括：
控制第一输送水泵和第二输送水泵交替运行，使高位水箱中的冷却水进入SVC阀组内对其进行降温；
由SVC阀组出水端流出的冷却水经过第一去离子罐进入冷却器内，与冷却器的外接水进行热交换，降温后再次进入SVC阀组，同时，由SVC阀组出水端流出的冷却水经过第二去离子罐进入高位水箱，再进入SVC阀组内。
本发明的有益效果是：
（1）本发明通过在高位水箱和SVC阀组之间的循环管路中安装去离子罐，通过去离子罐显著降低冷却水系统中离子含量，从而了降低人员维护成本，确保SVC系统稳定运行。
（2）本发明高位水箱中的冷却水采用的是纯净水，纯净水中的离子含量较少，降低了冷却水的初始电导率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明提供的降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的装置的结构示意图；
其中：1、高位水箱；2、SVC阀组；3、冷却器；4、第一去离子罐；5、第二去离子罐；6、第一输送水泵；7、第一输送水泵。
具体实施方式
为使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施方式并结合附图，对本发明作出进一步详细的说明。
图1为本申请实施例提供的降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的装置的结构示意图。该装置包括高位水箱1、去离子罐以及冷却器3。其中，高位水箱1中的冷却水可流至SVC阀组2内，与SVC阀组2中的可控硅进行热交换，使其降温，然后回到高位水箱1中，实现冷却水的循环流动。去离子罐设置在高位水箱1和SVC阀组2之间的管路上，可降低冷却水中的离子含量。冷却器3可对SVC阀组2和高位水箱1之间循环的冷却水进行降温，提高冷却水对SVC阀组2中可控硅的降温效果。
具体的，参见图1，高位水箱1的出水端通过管路与SVC阀组2的进水端连接，SVC阀组2的出水端通过管路与高位水箱1的回水端连接。高位水箱1中的冷却水可通过管路进入SVC阀组2中，与SVC阀组2中的可控硅进行热交换，使其运行适宜的工作温度下。热交换之后的冷却水回到高位水箱1中，实现冷却水的循环流动。
SVC阀组2的出水端还与冷却器3的进水端连接，冷却器3的出水端与SVC阀组2的进水端连接。SVC阀组2出水端流出的冷却水可通过管路进入冷却器3内，与冷却器3内的外接水进行热交换，使冷却水降温，之后再通过冷却器3的出水端流出，进入SVC阀组2内，使进入SVC阀组2内的冷却水的温度较低，进而保证冷却水对SVC阀组2中可控硅的冷却效果。
在本实施例中，上述冷却器3为水-水冷却器3。冷却水进入水-水冷却器3后，与外接的工业循环水进行热交换，实现对冷却水的降温。
去离子罐包括第一去离子罐4和第二去离子罐5。其中，第一去离子罐4设置在SVC阀组2的出水端与冷却器3的进水端之间。第二去离子罐5设置在SVC阀组2的出水端与高位水箱1的回水端之间。通过设置第一去离子罐4和第二去离子罐5，可有效降低管路中循环的冷却水的离子含量，保证SVC阀组2的正常运行。
为保证系统管路中冷却水的循环流动，在系统管路中还设置有输送水泵。上述输送水泵包括第一输送水泵76和第二输送水泵。其中，第一输送水泵76连接在SVC阀组2的出水端与高位水箱1的回水端之间。第二输送水泵连接在SVC阀组2的出水端与冷却器3的进水端之间。第一输送水泵76和第二输送水泵定时交替运行，使冷却水在系统管路中循环流动。
在本实施例中，高位水箱1中的冷却水采用的是纯净水。纯净水中的离子含量较少，降低了冷却水的初始电导率。较佳的，在高位水箱1中还设有液位计和水位报警装置，确保系统内不会因渗漏造成缺水。
本申请还提供了一种降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的方法，该方法包括步骤S101~步骤S102，具体步骤说明如下：
步骤S101：控制第一输送水泵76和第二输送水泵交替运行，使高位水箱1中的冷却水进入SVC阀组2内对其进行降温；
步骤S102：由SVC阀组2出水端流出的冷却水经过第一去离子罐4进入冷却器3内，与冷却器3的外接水进行热交换，降温后再次进入SVC阀组2，同时，由SVC阀组2出水端流出的冷却水经过第二去离子罐5进入高位水箱1，再进入SVC阀组2内。
通过采用上述方法，使SVC系统中的冷却水的电导率最大达到0.65，且电导率稳定周期长。
由此，本申请的技术方案通过在高位水箱1和SVC阀组2之间的循环管路中安装去离子罐，通过去离子罐显著降低冷却水系统中离子含量，从而了降低人员维护成本，确保SVC系统稳定运行。
除上述实施例外，本发明还可以有其他实施方式；凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本发明要求的保护范围。
Claims (6)
1.一种降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的装置，其特征在于：包括高位水箱(1)以及去离子罐；
所述高位水箱(1)的出水端通过管路与SVC阀组(2)的进水端连接，所述SVC阀组(2)的出水端通过管路与所述高位水箱(1)的回水端连接；
所述去离子罐设置在所述高位水箱(1)和所述 SVC阀组(2)之间的管路上。
2.根据权利要求1所述的降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的装置，其特征在于：还包括冷却器(3)，所述冷却器(3)的进水端与所述SVC阀组(2)的出水端连接，所述冷却器(3)的出水端与所述SVC阀组(2)的进水端连接。
3.根据权利要求2所述的降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的装置，其特征在于：还包括输送水泵，所述输送水泵包括第一输送水泵(7)(6)和第二输送水泵；
所述第一输送水泵(7)(6)连接在所述SVC阀组(2)的出水端与所述高位水箱(1)的回水端之间；
所述第二输送水泵连接在所述SVC阀组(2)的出水端与所述冷却器(3)的进水端之间。
4.根据权利要求2所述的降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的装置，其特征在于：所述去离子罐包括第一去离子罐(4)和第二去离子罐(5)；
所述第一去离子罐(4)设置在所述SVC阀组(2)的出水端与所述冷却器(3)的进水端之间，所述第二去离子罐(5)设置在所述SVC阀组(2)的出水端与所述高位水箱(1)的回水端之间。
5.根据权利要求1所述的降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的装置，其特征在于：所述高位水箱(1)内盛装的冷却水为纯净水。
6.一种降低SVC系统TCR阀组冷却水电导率的方法，其特征在于：包括：
控制第一输送水泵(7)(6)和第二输送水泵交替运行，使高位水箱(1)中的冷却水进入SVC阀组(2)内对其进行降温；
由SVC阀组(2)出水端流出的冷却水经过第一去离子罐(4)进入冷却器(3)内，与冷却器(3)的外接水进行热交换，降温后再次进入SVC阀组(2)，同时，由SVC阀组(2)出水端流出的冷却水经过第二去离子罐(5)进入高位水箱(1)，再进入SVC阀组(2)内。
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