CN116859299A - 基于磁通量集中增强的金刚石nv色心光纤磁场传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器，通过在锥形多模光纤的端面集成微米级尺寸的金刚石，并将金刚石嵌入在一对磁通量集中器的间隙中而构成。磁通量集中器沿对准轴向方向磁通量密度在间隙中达到了均匀增强效果，能够有效地进行增加传感器测试所得磁电转换系数以及测试灵敏度结果。光纤耦合微米级金刚石用于改善该类磁场传感器体积大、不易便携的不足。该发明制得的传感器灵敏度高、易于便携，且易于制备，可广泛应用于磁场检测的多领域。
Description
技术领域
本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器。
背景技术
金刚石是一种由碳原子按一定晶格结构排列而成的晶体。NV色心作为金刚石的一种发光点缺陷，它是由金刚石上的一个碳原子被一个氮原子所取代，并且在临近位置上有一个空位，两者相结合即形成金刚石NV色心结构。当NV色心被绿色激光照射时，会发射出红色荧光。施加特定频率的微波可有效对金刚石NV色心量子态调控，此时外界磁场的改变，也会影响量子态和荧光信号强度，通过光探测磁共振的方法可实现对磁场的探测。金刚石NV色心拥有稳定度高、工作温度范围大、尺寸小、具有较长的电子自旋相干时间等优点，不仅具有良好的科学研究价值还表现出广阔的应用前景。
连续波光探测磁共振方法(CW-ODMR)是一种磁场探测的实现方法，该方法是一种读取NV色心电子自旋态的基本方法。主要实现方式为通过施加连续的激光和微波对NV色心进行电子自旋的相关操控，在磁场探测的过程中，激光、微波的输入以及后续的信号读取都是同步进行的。NV色心的电子自旋能级的基态3A和激发态3E均为自旋三重态，包括自旋投影ms＝0的|0>和ms＝±1的|±1>自旋态；在无外界磁场作用时，基态3A的|±1>态简并，且与|0>态之间存在大约2.87GHz(处于微波范围)的能级分裂；当有磁场作用时，|±1>态由于塞曼效应的而发生劈裂，且劈裂程度与磁场的大小相关，因此通过测量|±1>态的劈裂程度可获得外界磁场信息。通过ODMR方法可量化|±1>态的劈裂程度，从而实现磁场传感。
磁通量集中器简称集磁器，通常由高磁导率材料加工成所需对称形状或对称结构进行使用。磁通量集中器沿对准轴向方向磁通量密度在间隙中达到了均匀增强效果，能够有效地进行增加传感器测试所得磁电转换系数以及测试灵敏度结果。目前磁通量集中器在磁场传感方面具有广阔的应用前景。
发明内容
本发明提供一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器，旨在改善传感器在磁场探测的灵敏度不足，增大外部磁场强度，提高磁场的传感性能。
为此，本发明的第一个目的在于提出一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器，包括：金刚石NV色心磁场传感头、贴片式集磁器、微波天线；
其中，金刚石NV色心磁场传感头是将微米金刚石耦合至多模锥形光纤形成；贴片式磁通量集中器是通过高磁导率材料加工而成的对称形状或对称结构；微波天线为铜线，一端连接电阻，一端连接SMA射频接口；
其中，金刚石NV色心磁场传感头固定设置于传感器集成模型上方的圆形部分；在圆形部分的中心进行打孔，并在打孔处添加一圈硅胶片；光纤由上至下穿过圆形部分的中心，通过螺丝拧紧施加的压力将硅胶片与光纤贴合并固定；贴片式集磁器固定区域为传感器集成模型下半部分正方体中间凹槽；凹槽宽度与贴片式磁通量集中器外宽值相同，为3mm；将贴片式磁通量集中器嵌入凹槽中，以使其在凹槽内移动，调整贴片式磁通量集中器到磁场传感头的距离；微波天线固定区域为将微波天线穿过贴片式磁通量集中器的间隙区域，并使用蓝丁胶(压敏型胶粘材料)将微波天线进一步固定；微波天线为0.2mm直径大小的铜线，一端连接阻值为50Ω的电阻，一端连接SMA射频接口。
其中，金刚石NV色心光纤磁场传感器的制备步骤包括：
步骤一：制备多模锥形光纤；
使用光纤钳剥去光纤需要拉锥区域的涂覆层，用棉花蘸取酒精后将残留的涂覆层碎屑擦去，否则火焰会将残留的碎屑点燃并留下一层碳化薄膜，增加损耗；
将擦拭干净的光纤拉直并固定于拉锥机上，将酒精灯置于光纤已去除涂覆层的区域下方，使其外焰能恰好对该区域进行加热直至光纤成软化状态；
光纤成软化状态后，使用软件控制拉锥机，对光纤两端施加拉力，直至光纤被拉断，获得锥形光纤；
步骤二：锥形光纤制备完成后，借助于光学显微镜并通过光学胶粘接的方式将微米级金刚石集成在锥形光纤端面；
将金刚石颗粒置于擦拭干净的载玻片上，再将该载玻片固定于显微镜的观察平台上；
用高倍光学显微镜寻找并定位到金刚石颗粒，将锥形光纤尖端粘取紫外胶并固定于显微镜的另一观察平台上进行移动，直到在高倍显微镜下可以观察到锥形光纤尖端对准金刚石颗粒，将二者进行耦合；
步骤三：使用紫外灯对传感头区域进行照射，直至紫外胶固化完全，传感头制备完成。
区别于现有技术，本发明提供的基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器，通过在锥形多模光纤的端面集成微米级尺寸的金刚石，并将金刚石嵌入在一对磁通量集中器的间隙中而构成。磁通量集中器沿对准轴向方向磁通量密度在间隙中达到了均匀增强效果，能够有效地进行增加传感器测试所得磁电转换系数以及测试灵敏度结果。光纤耦合微米级金刚石用于改善该类磁场传感器体积大、不易便携的不足。该发明制得的传感器灵敏度高、易于便携，且易于制备，可广泛应用于磁场检测的多领域当中。
附图说明
本发明的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本发明提供的一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器的结构示意图。
图2是本发明提供的一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器中金刚石的传感头示意图。
图3是本发明提供的一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器中的实验设备示意图。
图4是本发明提供的一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器中三角形贴片式磁通量集中器外内宽之比影响增强因子的仿真结果图。
图5是本发明提供的一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器中T字形贴片式磁通量集中器外内宽之比影响增强因子的仿真结果图。
图6是本发明提供的一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器中三角形贴片式磁通量集中器厚度变化影响增强系数的仿真结果图。
图7是本发明提供的一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器中T字形贴片式磁通量集中器厚度变化影响增强系数的仿真结果图。
图8是本发明提供的一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器中在使用不同的贴片式磁通量集中器情况下，测试所得传感头在不同磁场变化下的LI-ODMR谱线。
图9是本发明提供的一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器中(ν+-ν-)随磁场强度的变化情况以及线性拟合所得磁响应度Rν值。
图10是本发明提供的一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器中在特定频率处，锁相信号随磁场的变化情况以及线性拟合所得磁电转换系数Rs值。
图11是本发明提供的一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器中使用不同磁通量集中器时的传感器磁噪声谱密度的测试结果图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
图1为本发明实施例所提供的一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器，包括：
金刚石NV色心磁场传感头、贴片式集磁器、微波天线；
其中，金刚石NV色心磁场传感头是将微米金刚石耦合至多模锥形光纤形成；贴片式磁通量集中器是通过高磁导率材料加工而成的对称形状或对称结构；微波天线为铜线，一端连接电阻，一端连接SMA射频接口；
其中，金刚石NV色心磁场传感头固定设置于传感器集成模型上方的圆形部分；在圆形部分的中心进行打孔，并在打孔处添加一圈硅胶片；光纤由上至下穿过圆形部分的中心，通过螺丝拧紧施加的压力将硅胶片与光纤贴合并固定；贴片式集磁器固定区域为传感器集成模型下半部分正方体中间凹槽；凹槽宽度与贴片式磁通量集中器外宽值相同，为3mm；将贴片式磁通量集中器嵌入凹槽中，以使其在凹槽内移动，调整贴片式磁通量集中器到磁场传感头的距离；微波天线固定区域为将微波天线穿过贴片式磁通量集中器的间隙区域，并使用蓝丁胶(压敏型胶粘材料)将微波天线进一步固定；微波天线为0.2mm直径大小的铜线，一端连接阻值为50Ω的电阻，一端连接SMA射频接口。
其中，金刚石为微米级金刚石。
其中，多模锥形光纤锥区直径为50-100μm。
其中，微米级金刚石直径为50-100μm。
其中，磁通量集中器厚度为0.5mm。
其中，磁通量集中器形状为T形或三角形。
其中，T形状的磁通量集中器外宽为3mm、内宽为0.1mm。
其中，微波天线的直径为0.2mm。
其中，连微波天线接电阻阻值为50Ω。
如图2所示，位基于锥形光纤端面集成的金刚石NV色心光纤磁场传感器，包括锥形光纤和微米级金刚石。锥形光纤锥区直径为50μm，金刚石直径大小为75×120μm。
基于金刚石NV色心磁场传感器的制作方法步骤如下：
步骤一：制备多模锥形光纤；
具体包括：
使用光纤钳剥去光纤需要拉锥区域的涂覆层，并用棉花蘸取酒精后将残留的涂覆层碎屑擦去，否则火焰会将残留的碎屑点燃并留下一层碳化薄膜，增加损耗；
将擦拭干净的光纤拉直并固定于拉锥机上，将酒精灯置于光纤已去除涂覆层的区域下方，使其外焰能恰好对该区域进行加热直至光纤成软化状态；
光纤成软化状态后，使用软件控制拉锥机，对光纤两端施加拉力，直至光纤被拉断，获得锥形光纤。
步骤二：锥形光纤制备完成后，借助于光学显微镜并通过光学胶粘接的方式将微米级金刚石集成在锥形光纤端面；
具体包括：
将金刚石颗粒置于擦拭干净的载玻片上，再将该载玻片固定于显微镜的观察平台上；
用高倍光学显微镜寻找并定位到金刚石颗粒，随后将锥形光纤尖端粘取紫外胶并固定于显微镜的另一观察平台上进行移动，直到在高倍显微镜下可以观察到锥形光纤尖端对准金刚石颗粒，将二者进行耦合。
步骤三：使用紫外灯对传感头区域进行照射，直至紫外胶固化完全，传感头制备完成。
如图3所示为本发明的实验设备，532nm激光器(MGL-FN-532nm,CNIOptoelectronics Tech.Co.)发出的激光通过光纤环形器将照射到集成在锥形光纤端面的金刚石上，将金刚石中的NV色心激发；金刚石NV色心发出的红色荧光和反射回的绿色激光一并通过光纤环形器的输出端，随后经过600nm的长通滤波器(Thorlabs FELH0600)后，剩余的红色荧光信号被光电探测器(Thorlabs APD410A/M)探测后转换为电压信号。
由微波信号发生器(Rohde Schwarz SMB 100A)产生的微波信号通过放大器(ZHL-16W-43,mini-circuits)进行功率放大后，经由一个自制的天线将微波信号施加到金刚石颗粒上，该天线通过将一根直径0.2mm的铜线缠绕在金刚石颗粒外围一周来实现；为了防止反射回的微波信号损坏设备，故在微波源和放大器后均接入微波隔离器，同时在天线末端焊接一个50欧姆的匹配电阻。
本发明采用锁相放大技术来提高测试速度和信噪比，首先对输出的微波信号进行频率调制(该功能微波源本身可实现)，同时由微波源提供一个同步的频率调制信号给锁相放大器(LIA,Sine Scientific Instruments OE1022D)的参考通道；此外，光电探测器产生的电压信号则接入锁相放大器的信号输入端；通过扫描微波频率并记录相对应的锁相信号值，可以得到LI-ODMR谱线。
本发明分别对两款不同形状的贴片式磁通量集中器的尺寸进行仿真分析，结果如图4和图5所示。固定磁通量集中器的厚度为0.5mm、内宽为0.1mm、高为1mm、两集中器的间隙为0.1mm，分别改变外宽值为0.5、1、1.5、2、2.5、3mm，即外内宽之比为5、10、15、20、25、30。仍然定义为增强因子为间隙中磁通量密度和环境磁通量密度的比值，仿真所得增强因子随外内宽比值的变化情况如。当贴片式磁通量集中器的外内宽比逐渐增大时，增强因子随之增大，近似呈线性关系。另从图4和图5中可以看出，在相同外内宽之比的情况下，T形贴片式磁通量集中器的增强效果比三角形的增强效果更优，前者的增强因子约为后者的两倍。当外内宽之比为30时，T形贴片式磁通量集中器的增强因子达到110。
如图6和图7所示，进行了贴片式磁通量集中器的厚度对增强效果的仿真分析。设置集中器的内宽为0.1mm、外宽为1mm、高为1mm不变，分别改变其厚度为0.5、1、1.5、2、2.5mm。对于设计的两款不同形状贴片式磁通量集中器，厚度为0.5mm时其磁场增强效果为最佳，其中三角形贴片式磁通量集中器的增强因子为52.8，T形贴片式集磁器的为97.5。在不同厚度下，T形贴片式集磁器的磁场增强效果皆优于三角形贴片式磁通量集中器近乎两倍。从图6和图7中看出，随着贴片式磁通量集中器的厚度不断增加，其增强效果在不断减弱，近似呈线性关系。该趋势表明，在可行情况应选用厚度更薄的高磁导率材料来制备贴片式磁通量集中器。
依据上述的仿真结果，选用厚度为0.5mm的1J79坡莫合金薄板(尺寸为20cm×20cm)，进行贴片式磁通量集中器的加工制备，制备所得两款贴片式磁通量集中器。
将两款不同形状的贴片式磁通量集中器分别与传感探头模块进行集成。集成台模型选用白色树脂材料制作，该材料表面光滑、打印精度高、具有防水防湿特性且能够承受在磁场测试环境下的温度变化。
集成后的金刚石NV色心光纤磁场传感器具体结构分为三部分：
金刚石NV色心磁场传感头的固定区域为模型上方的圆形部分。将圆形部分的中心进行打孔，并在打孔处添加一圈硅胶片。当光纤由上至下穿过该部分后，通过螺丝拧紧施加的压力将硅胶片与光纤贴合并固定。贴片式集磁器固定区域为模型下半部分正方体中间凹槽部分。凹槽宽度同贴片式磁通量集中器外宽值相同，为3mm。将贴片式集磁器嵌入凹槽当中并可在凹槽内移动以调整其到磁场传感头的距离。微波天线固定区域即将微波天线穿过贴片式磁通量集中器的间隙区域，并使用蓝丁胶(压敏型胶粘材料)将微波天线进一步固定。微波天线为0.2mm直径大小的铜线，一端连接阻值为50Ω的电阻，一端连接SMA射频接口。另该集成后的探头模块总体尺寸约为40×40×35mm(长×宽×高)，磁场测量空间分辨率得到提升。同时，贴片式结构易于操作且能够支撑平台紧密贴合，因此在装调难易程度以及与传感头集成后的稳定性方面，比锥体式磁通量集中器更具优势。
为了探究贴片式刺痛两个集中器对传感器灵敏度的影响，做了以下实验：
将集成后的传感头模块置于由亥姆霍兹线圈所提供的磁场环境当中，通过改变线圈驱动电流参数进行磁场大小的调节。测试所得传感器在不同磁场下的LI-ODMR谱线如图8所示，对比可知：在未使用磁通量集中器时，需要施加较大磁场梯度(此处设置为约100μT)，才能观察到谱线的明显变化；当传感头集成磁通量集中器之后，在小磁场变化梯度下(此处设置为约10μT)谱线便出现明显的规律性变化。这说明磁通量集中器可显著增强传感头对环境磁场的响应度。此处，我们设定谱线中心的过零点处频率为ν0、左侧极小值处频率为ν-、右侧极大值处频率为ν+。可以看到随着磁场的增加，ν0保持不变，而ν±则会向着相反的方向所移动，即谱线以ν0为中心在逐渐随着磁场的变大而变宽，这也对应于ms＝+1和ms＝-1之间的随磁场而增大的能量分裂。
仍然定义传感器的磁响应度为单位磁场变化引起的谐振频率的变化量，即Rν＝Δ(ν+-ν-)/ΔB，数据处理后所得结果如图9所示，图中所示Rν是通过对整个测试范围内的数据进行线性拟合得到的。结果表明无磁通量集中器作用时Rν仅为2.07GHz/T，而分别施加三角形和T形贴片式集磁器后Rν值显著增大至301.69和309.49GHz/T。处理数据后所得磁电转换系数Rs的结果如图10所示，同样地，施加磁通量集中器可显著提升Rs。无集中器作用时仅Rs为29.82V/T，而施加三角形和T形贴片式磁通量集中器后Rs分别增大为2925.73V/T和3527.22V/T，表明磁电转换系数Rs提高了两个数量级，同时证明T形贴片式磁通量集中器的效果更佳，与仿真所得结果相互吻合。
如图8所示，为评估传感器磁场探测灵敏度，首先在非磁共振区以1kHz采样率连续记录锁相信号60秒，获得时域上的电压测量噪声SN(t)，然后根据BN(t)＝SN(t)/Rs将其转换为时域上的磁噪声BN(t)。根据Welch方法，对BN(t)处理后得到磁噪声谱密度，并将1Hz处的值作为传感器的磁场探测灵敏度。结果如图10所示，使用贴片式磁通量集中器后灵敏度得到大幅提升，其中采用T字形贴片可获得实验中的最高灵敏度0.97nT/Hz1/2@1Hz，相比于未使用磁通量集中器的148.86nT/Hz1/2@1Hz，有两个数量级的提升。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对所述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
本技术领域的普通技术人员可以理解实现所述实施例方法携带的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，该程序在执行时，包括方法实施例的步骤之一或其组合。
此外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理模块中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个模块中。所述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，所述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对所述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器，其特征在于，包括：金刚石NV色心磁场传感头、贴片式集磁器、微波天线；
其中，所述金刚石NV色心磁场传感头是将微米金刚石耦合至多模锥形光纤形成；所述贴片式磁通量集中器是通过高磁导率材料加工而成的对称形状或对称结构；所述微波天线为铜线，一端连接电阻，一端连接SMA射频接口；
其中，金刚石NV色心磁场传感头固定设置于传感器集成模型上方的圆形部分；在圆形部分的中心进行打孔，并在打孔处添加一圈硅胶片；光纤由上至下穿过圆形部分的中心，通过螺丝拧紧施加的压力将硅胶片与光纤贴合并固定；贴片式集磁器固定区域为所述传感器集成模型下半部分正方体中间凹槽；凹槽宽度与所述贴片式磁通量集中器外宽值相同，为3mm；将所述贴片式磁通量集中器嵌入凹槽中，以使其在凹槽内移动，调整所述贴片式磁通量集中器到磁场传感头的距离；所述微波天线固定区域为将微波天线穿过贴片式磁通量集中器的间隙区域，并使用蓝丁胶(压敏型胶粘材料)将微波天线进一步固定；微波天线为0.2mm直径大小的铜线，一端连接阻值为50Ω的电阻，一端连接SMA射频接口。
2.根据权利要求1所述的基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器，其特征在于，所述金刚石为微米级金刚石。
3.根据权利要求1所述的基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器，其特征在于，所述多模锥形光纤锥区直径为50-100μm。
4.根据权利要求2所述的基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器，其特征在于，所述微米级金刚石直径为50-100μm。
5.根据权利要求1所述的基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器，其特征在于，所述磁通量集中器厚度为0.5mm。
6.根据权利要求5所述的基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器，其特征在于，所述磁通量集中器形状为T形或三角形。
7.根据权利要求6所述的基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器，其特征在于，所述T形状的磁通量集中器外宽为3mm、内宽为0.1mm。
8.根据权利要求1所述的基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器，其特征在于，所述微波天线的直径为0.2mm。
9.根据权利要求8所述的基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器，其特征在于，所述连微波天线接电阻阻值为50Ω。
10.根据权利要求1所述的基于磁通量集中增强的金刚石NV色心光纤磁场传感器，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：制备多模锥形光纤；
使用光纤钳剥去光纤需要拉锥区域的涂覆层，用棉花蘸取酒精后将残留的涂覆层碎屑擦去，否则火焰会将残留的碎屑点燃并留下一层碳化薄膜，增加损耗；
将擦拭干净的光纤拉直并固定于拉锥机上，将酒精灯置于光纤已去除涂覆层的区域下方，使其外焰能恰好对该区域进行加热直至光纤成软化状态；
光纤成软化状态后，使用软件控制拉锥机，对光纤两端施加拉力，直至光纤被拉断，获得锥形光纤；
步骤二：锥形光纤制备完成后，借助于光学显微镜并通过光学胶粘接的方式将微米级金刚石集成在锥形光纤端面；
将金刚石颗粒置于擦拭干净的载玻片上，再将该载玻片固定于显微镜的观察平台上；
用高倍光学显微镜寻找并定位到金刚石颗粒，将锥形光纤尖端粘取紫外胶并固定于显微镜的另一观察平台上进行移动，直到在高倍显微镜下可以观察到锥形光纤尖端对准金刚石颗粒，将二者进行耦合；
步骤三：使用紫外灯对传感头区域进行照射，直至紫外胶固化完全，传感头制备完成。
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