CN116845168A - Led芯片封装结构和led芯片封装结构的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种LED芯片封装结构和LED芯片封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，该LED芯片封装结构利用围挡遮光层包覆在多个像素LED芯片外，其中像素LED芯片的发光侧外露于围挡遮光层的一侧，并且在围挡遮光层的另一侧设置重新线路分布层，其中，围挡遮光层用于阻挡相邻的像素LED芯片之间的串扰出光。相较于现有技术，本发明通过采用不透光的围挡遮光层，能够将像素LED芯片周围进行包覆，在实际发光时，围挡遮光层能够起到侧面遮光作用，阻挡相邻的像素LED芯片之间的串扰出光，提升发光亮度和发光均匀性。并且，本实施例中通过设置重新线路分布层和阻焊层来替代常规技术中的基板结构，能够降低封装尺寸和厚度。
Description
技术领域
本发明涉及芯片封装技术领域，具体而言，涉及一种LED芯片封装结构和LED芯片封装结构的制备方法。
背景技术
在LED芯片封装技术领域，常规的LED芯片封装，通常需要搭配基板进行封装，增加了整个封装结构的厚度，封装尺寸大。
此外，将RGB三基色发光体封装在一个模组内，因此，在实际发光过程中，由于LED芯片为自发光机制，因此其通常会多向出光，这就导致了RGB像素点之间会出现出光串扰的问题，导致LED芯片亮度会有所损失，且发光均匀性较差。
发明内容
本发明的目的包括，例如，提供了一种LED芯片封装结构和LED芯片封装结构的制备方法，其能够避免像素点之间的出光串扰，提升发光亮度和发光均匀性，同时降低封装尺寸和厚度。
本发明的实施例可以这样实现：
第一方面，本发明提供一种LED芯片封装结构，包括：
多个间隔分布的像素LED芯片，每个所述像素LED芯片均具有相对的发光侧和电极侧；
围挡遮光层，所述围挡遮光层包覆在多个所述像素LED芯片外，且所述像素LED芯片的发光侧外露于所述围挡遮光层的一侧表面；
重新线路分布层，所述重新线路分布层设置在所述围挡遮光层的另一侧表面，并与所述像素LED芯片的电极侧连接；
阻焊层，所述阻焊层设置在围挡遮光层的表面，并包覆在所述重新线路分布层外，且所述阻焊层上设置有焊接开口，所述焊接开口露出部分所述重新线路分布层；
其中，所述围挡遮光层采用遮光绝缘材料，并至少覆盖在所述像素LED芯片的周围，用于阻挡相邻的所述像素LED芯片之间的串扰出光。
在可选的实施方式中，所述LED芯片封装结构还包括焊球，所述焊球设置在所述焊接开口内，并朝向背离所述围挡遮光层的方向凸起，且所述焊球与所述重新线路分布层连接。
在可选的实施方式中，所述像素LED芯片包括透明层、发光单元体和电极层，所述发光单元体设置在所述透明层上，所述电极层设置在所述发光单元体上，且所述透明层远离所述电极层的一侧外露于所述围挡遮光层的一侧表面，所述电极层与所述重新线路分布层连接。
在可选的实施方式中，所述电极层远离所述透明层的一侧表面与所述围挡遮光层的表面相平齐，并外露于所述围挡遮光层。
在可选的实施方式中，所述围挡遮光层远离所述透明层的一侧表面设置有电极凹槽，所述电极凹槽与所述电极层对应，以使所述电极层外露于所述围挡遮光层，所述重新线路分布层覆盖所述电极凹槽。
在可选的实施方式中，所述LED芯片封装结构还包括光学膜，所述光学膜设置在所述围挡遮光层远离所述阻焊层的一侧表面，并覆盖所述LED芯片的光学侧。
第二方面，本发明提供一种LED芯片封装结构的制备方法，用于制备如前述实施方式所述的LED芯片封装结构，该制备方法包括：
在所述衬底上形成分离层；
将多个像素LED芯片的发光侧贴装在所述分离层上；
在所述分离层上形成围挡遮光层，所述围挡遮光层包覆在多个所述像素LED芯片外；
减薄所述围挡遮光层，并露出所述像素LED芯片的电极侧；
在所述围挡遮光层上形成重新线路分布层，所述重新线路分布层与所述像素LED芯片的电极侧连接；
在所述围挡遮光层上形成阻焊层，所述阻焊层包覆在所述重新线路分布层外；
在所述阻焊层上开槽形成焊接开口，所述焊接开口露出部分所述重新线路分布层；
剥离所述衬底和所述分离层；
对多个所述像素LED芯片进行晶圆级测试，并完成所述像素LED芯片的分选；
沿切割道切割所述围挡遮光层；
其中，所述围挡遮光层采用遮光绝缘材料，并至少覆盖在所述像素LED芯片的周围，用于阻挡相邻的所述像素LED芯片之间的串扰出光。
在可选的实施方式中，在剥离所述衬底和所述分离层的步骤之前，所述制备方法还包括：
在所述焊接开口处形成焊球，所述焊球朝向背离所述围挡遮光层的方向凸起，并与所述重新线路分布层连接。
在可选的实施方式中，减薄所述围挡遮光层，并露出所述像素LED芯片的电极侧的步骤，包括：
研磨所述围挡遮光层，直至露出所述像素LED芯片的电极侧。
在可选的实施方式中，减薄所述围挡遮光层，并露出所述像素LED芯片的电极侧的步骤，包括：
研磨预设厚度的所述围挡遮光层；
在所述围挡遮光层上开槽形成电极凹槽，并露出所述像素LED芯片的电极侧。
本发明实施例的有益效果包括，例如：
本发明实施例提供的LED芯片封装结构及其制备方法，将多个像素LED芯片间隔设置，然后利用围挡遮光层包覆在多个像素LED芯片外，其中像素LED芯片的发光侧外露于围挡遮光层的一侧，并且在围挡遮光层的另一侧设置重新线路分布层，该重新线路分布层与像素LED芯片的电极侧连接，最后在重新线路分布层上设置阻焊层，并通过焊接开口露出部分重新线路分布层作为焊盘，其中，围挡遮光层采用遮光绝缘材料，并至少覆盖在像素LED芯片的周围，用于阻挡相邻的像素LED芯片之间的串扰出光。相较于现有技术，本发明通过采用不透光的围挡遮光层，能够将像素LED芯片周围进行包覆，在实际发光时，围挡遮光层能够起到侧面遮光作用，阻挡相邻的像素LED芯片之间的串扰出光，提升发光亮度和发光均匀性。并且，本实施例中通过设置重新线路分布层和阻焊层来替代常规技术中的基板结构，能够降低封装尺寸和厚度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例提供的LED芯片封装结构的示意图；
图2为本发明其他实施例中未设置焊球的LED芯片封装结构的示意图；
图3为图1中像素LED芯片的结构示意图；
图4为本发明其他实施例中设置电极凹槽的LED芯片封装结构的示意图；
图5为本发明其他实施例中设置光学膜的LED芯片封装结构的示意图；
图6至图14为本发明实施例提供的LED芯片封装结构的封装方法的工艺流程图。
图标：100-LED芯片封装结构；110-像素LED芯片；111-透明层；113-发光单元体；115-电极层；130-围挡遮光层；131-电极凹槽；133-光学膜；150-重新线路分布层；170-阻焊层；171-焊接开口；190-焊球；200-衬底；210-分离层。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
正如背景技术中所公开的，现有技术的LED芯片封装技术，其通常具有以下不足：
1.LED芯片RGB三基色封装在一个模组内，像素点之间会出现串扰等问题，亮度会有损失，均匀性差。
2.现有的LED封装体尺寸过大，排列间距大、密度低，当应用于显示屏时，会导致整体分辨率相对较低。
3.现有的LED封装体需要搭配基板，增加了整个封装体的厚度。
4.现有的LED封装体采用单个独立测试，增加成本。
为了解决上述问题，本发明提供了一种新型的LED芯片封装结构及其制备方法，需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例中的特征可以相互结合。
参见图1，本发明实施例提供了一种LED芯片封装结构100，其能够避免像素点之间的出光串扰，提升发光亮度和发光均匀性，同时降低封装尺寸和厚度。
本发明实施例提供的LED芯片封装结构100，包括像素LED芯片110、围挡遮光层130、重新线路分布层150和阻焊层170，多个像素LED芯片110间隔分布，每个像素LED芯片110均具有相对的发光侧和电极侧；围挡遮光层130包覆在多个像素LED芯片110外，且像素LED芯片110的发光侧外露于围挡遮光层130的一侧表面；重新线路分布层150设置在围挡遮光层130的另一侧表面，并与像素LED芯片110的电极侧连接；阻焊层170设置在围挡遮光层130的表面，并包覆在重新线路分布层150外，且阻焊层170上设置有焊接开口171，焊接开口171露出部分重新线路分布层150；其中，围挡遮光层130采用遮光绝缘材料，并至少覆盖在像素LED芯片110的周围，用于阻挡相邻的像素LED芯片110之间的串扰出光。
在本实施例中，通过采用不透光的围挡遮光层130，能够将像素LED芯片110周围进行包覆，在实际发光时，围挡遮光层130能够起到侧面遮光作用，阻挡相邻的像素LED芯片110之间的串扰出光，提升发光亮度和发光均匀性。并且，本实施例中通过设置重新线路分布层150和阻焊层170来替代常规技术中的基板结构，能够降低封装尺寸和厚度。
需要说明的是，本实施例中像素LED芯片110为提前制备的发光芯片，其能够实现三基色(RGB)的单元发光，例如可以发出红光、绿光或蓝光中的一种，并且通过排布多个像素LED芯片110，能够实现显像或白光等功能，其发光原理与显像原理与常规的LED芯片一致，在此不作具体描述。
进一步地，在本实施例中，LED芯片封装结构100还包括焊球190，焊球190设置在焊接开口171内，并朝向背离围挡遮光层130的方向凸起，且焊球190与重新线路分布层150连接。具体地，焊接开口171内的重新线路分布层150可以构成焊盘结构，焊球190可以是锡焊料、锡银焊料、锡银铜合金焊料或金锡合金焊料等具有可焊性能的焊料，并通过回流焊或激光焊等方式使得焊料与焊盘形成牢固连接，作为LED芯片电性连接的端口，为后续上模组提供焊接凸点。
结合参见图2，在本发明其他较佳的实施例中，为了匹配不同产品的应用要求，也可以不做焊球190，即将焊接开口171裸露，方便后续工艺。
请参见图1和图3，在本实施例中，像素LED芯片110包括透明层111、发光单元体113和电极层115，发光单元体113设置在透明层111上，电极层115设置在发光单元体113上，且透明层111远离电极层115的一侧外露于围挡遮光层130的一侧表面，电极层115与重新线路分布层150连接。具体地，电极层115包括正负电极，发光单元体113可以是三基色发光单元体113，LED芯片可以是多个，从而使得该发光单元体113可以包括红色R、绿色G和蓝色B三种，电极层115通过与外部电路的连接，在一定电压作用下，可以实现三基色发光单元体113的发光。
需要说明的是，本实施例中的像素LED芯片110，与常规LED芯片不同的是，在制备过程中，本实施例中电极层115的厚度更大。在实际制备时，首先需要增厚其电极层115，增厚的电极可以增强可靠性及与后续重新分布线的可连接性，增厚的方法主要为电镀、化学镀、溅镀、蒸镀等方法，使得电极层115的厚度≥1um。其次在LED晶圆表面上涂覆形成一层透明层111，它可以有效保护LED芯片不被污染。此透明层111是透光率较好的材料，不会减弱LED芯片的发光效果，可以是有机材料或无机材料。有机材料可以通过旋涂或喷涂在LED晶圆表面形成平坦光滑的薄膜；无机材料可以通过化学沉积或物理沉积等方式获得平坦光滑的薄膜，透明层111的厚度根据光学设计来决定。最后，需要将LED晶圆进行切割，制备出单颗的像素LED芯片110，此单颗芯片包括增厚的电极层115、RGB三基色的发光单元体113以及透明层111。
在本实施例中，电极层115远离透明层111的一侧表面与围挡遮光层130的表面相平齐，并外露于围挡遮光层130。具体地，可以通过研磨手段保证电极层115与围栏遮光层相平齐，即在形成包覆式的围栏遮光层后，将围栏遮光层研磨至露出电极层115，此处电极层115较厚，可以避免研磨过度，给足更大的工艺窗口。
需要说明的是，本实施例中重新线路分布层150可以直接电镀或蒸镀方式在研磨后的围栏遮光层上制备形成，无需额外设置绝缘介质材料，可以减少一次应用于绝缘层材料的同时，进而减少重新线路分布层150的整体厚度，可以使得封装结构的厚度做到超薄。其中，重新线路分布层150可以是一层导电金属层，该金属层可以通过溅镀种子层后电镀或蒸镀等方法形成，然后可以通过光刻工艺，可以将电极的功能引出至设计的位置。该重新线路分布层150可以是一层，也可以是多层堆叠的复合结构，其材质可以是高导电率的材料，例如钛、铜、镍、锡、银、钯、金、铝、钨等其中的一种或多种，或者是合金材料。
在本发明其他一些实施例中，参见图4，围栏遮光层与电极层115的高度也可以不同，例如，围栏遮光层远离透明层111的一侧表面设置有电极凹槽131，电极凹槽131与电极层115对应，以使电极层115外露于围挡遮光层130，重新线路分布层150覆盖电极凹槽131。具体地，在实际制备时，可以无需研磨至电极层115，使得电极层115上方仍然具有一定厚度的围挡遮光层130，然后再通过激光烧蚀的方式开槽将电极层115上方的围挡遮光层130去除，露出全部或部分电极层115，烧蚀过程控制不可将整个电极层115击穿。这种方式无需研磨电极层115，对电极层115的损伤小，且能够让电极层115形成完整平坦的表面。
在本发明其他一些实施例中，参见图5，LED芯片封装结构100还包括光学膜133，光学膜133设置在围挡遮光层130远离阻焊层170的一侧表面，并覆盖LED芯片的光学侧。具体地，可以根据特殊要求，在像素LED芯片110的发光侧，即围挡遮光层130上制作一层特殊的光学膜133，该光学膜133透光性好，不会影响出光，并且能够起到保护作用，避免外部水汽或杂物侵入。
本发明实施例还提供了一种LED芯片封装结构100的制备方法，用于制备如前述LED芯片封装结构100，该制备方法包括以下步骤：
S1：在衬底200上形成分离层210。
具体地，结合参见图6，首先提供一衬底200，该衬底200可以是玻璃、硅或金属层材料，优选可以是玻璃衬底200，然后在玻璃衬底200的表面制作分离层210，玻璃衬底200的厚度一般为100-1100um，该玻璃衬底200是为之后像素LED芯片110的贴装做准备。本实施中选用玻璃衬底200，成本低且容易形成分离层210，并降低了后续的剥离难度。
其中分离层210可以是带有粘性并具有一定耐热性能的材料，后续可以通过加热、激光或UV光照射等方法使得其粘性变低，从而易于剥离。分离层210具体材质主要包括薄膜或有机感光材料，通过涂覆或贴附后，可以在玻璃衬底200上形成平整光滑的分离层210。
需要说明的是，在执行步骤S1之前，还需要提前完成像素LED芯片110的制备。具体地，像素LED芯片110的制备，首先需要提供一LED晶圆，然后在LED晶圆的背面设置增厚的电极层115，增厚的电极层115可以增强可靠性及与后续重新分布线的可连接性，增厚的方法主要为电镀，化学镀，溅镀，蒸镀等方法，厚度≥1um。然后在LED晶圆表面上涂覆一层透明层111，可以有效保护LED芯片不被污染。此透明层111是透光率较好的材料，不会减弱LED芯片的发光效果，可以是有机材料或无机材料。有机材料可以通过旋涂或喷涂在LED晶圆表面形成平坦光滑的薄膜；无机材料可以通过化学沉积或物理沉积等方式获得平坦光滑的薄膜，透明层111的厚度根据光学设计来决定。最后，需要将LED晶圆进行切割，制备出单颗的像素LED芯片110，此单颗芯片包括增厚的电极层115、RGB三基色的发光单元体113和透明层111。
S2：将多个像素LED芯片110的发光侧贴装在分离层210上。
具体地，参见图7，在完成分离层210的制备后，可以将多个像素LED芯片110通过巨量转移技术、SMT技术或COB技术贴装在分离层210上，通过分离层210将多个像素LED芯片110的透明层111固定在衬底200上，为后续晶圆级封装制程做准备。像素LED芯片110排布按照需要进行不同的阵列，也可以根据不同的要求，只贴三基色中的一种或多种。
S3：在分离层210上形成围挡遮光层130，围挡遮光层130包覆在多个像素LED芯片110外。
具体地，参见图8，在贴装完阵列设置的像素LED芯片110后，可以通过塑封工艺在分离层210上塑封形成一层遮光绝缘材料，从而形成围挡遮光层130，此时围挡遮光层130覆盖分离层210的上侧表面以及像素LED芯片110的侧面和顶面，即围挡遮光层130的厚度大于像素LED芯片110，使得围挡遮光层130能够完全包覆像素LED芯片110，实现像素LED芯片110之间的光隔离。
需要说明的是，围挡遮光层130采用遮光绝缘材料，并至少覆盖在像素LED芯片110的周围，用于阻挡相邻的像素LED芯片110之间的串扰出光。此处围挡遮光层130可以是无机或有机感光材料，而且不透光，并具有良好的绝缘性、防潮性以及高反射率。此处围栏遮光层能够通过固化工艺固化成型，形成较为平坦的表面，将三基色的像素LED芯片110隔离开，减少其之间的串扰以及亮度损失，使得发光时具有更好的均匀性以及分辨率。
S4：减薄围挡遮光层130，并露出像素LED芯片110的电极侧。
具体地，参见图9在形成围挡遮光层130后，可以对其进行减薄工艺，减薄工艺可以是通过机械研磨或者化学研磨工艺减薄一部分围挡遮光层130，此处可以研磨围挡遮光层130，直至露出像素LED芯片110的电极侧。即通过研磨手段去除较厚的围挡遮光层130，同时露出像素LED芯片110的电极层115，此时需要电极层115较厚，以便给足更大的工艺窗口。在实际研磨时，可以将金属材质的电极层115作为研磨停止层，实现研磨参数的确定。
当然，在其他一些实施例中，参见图10，也可以先研磨预设厚度的围挡遮光层130，再在围挡遮光层130上开槽形成电极凹槽131，并露出像素LED芯片110的电极侧。具体地，可以通过研磨手段去除较薄的围挡遮光层130，此时像素LED芯片110的电极层115上方仍然有一定厚度的围挡遮光层130，然后利用激光烧蚀的方式将电极层115上方的围挡遮光层130去除，从而露出全部或部分电极层115。需要注意的是，烧蚀过程需要进行控制，不能将整个电极层115击穿。
通过减薄工艺露出像素LED芯片110的电极层115后，为后续的扇出(Fan-out)重新线路分布的电芯连接做准备。值得注意的是，减薄的方式对电极的损伤较小，且能够让电极层115形成完整平坦的表面。
S5：在围挡遮光层130上形成重新线路分布层150，重新线路分布层150与像素LED芯片110的电极侧连接。
具体地，参见图11，在露出电极层115后，可以制备重新线路分布层150，由于围挡遮光层130的材料绝缘性，因此该重新线路分布层150可以直接做在围挡遮光层130上，无需额外设置一层绝缘介质层，因此可以减少一次应用绝缘层材料的次数，从而减少重新线路分布层150的厚度以及绝缘层的层数，进而使得该封装结构做到超薄。
在本实施例中，该重新线路分布层150可以是一层金属层，在实际制备重新线路分布层150时，可以通过溅镀种子层后电镀或蒸镀的方式形成导电金属层，然后通过光刻工艺，可以将电极的功能引出至设计的位置。此金属层可以是一层，或是多层堆叠的复合结构，其材质可以是高导电率的材料，如钛、铜、镍、锡、银、钯、金、铝、钨等其中的一种或多种，或者是合金材料。
S6：在围挡遮光层130上形成阻焊层170，阻焊层170包覆在重新线路分布层150外。
具体地，参见图12，在制备完成重新线路分布层150后，可以在重新线路分布层150上制作阻焊层170，该阻焊层170优选为有机感光材料，如防焊油墨、聚酰亚胺、环氧胶等，此阻焊层170材料具有粘性和良好的绝缘性、热稳定性、防潮性和防焊性，可以保护上述的重新线路分布层150，从而使整个封装结构可靠性提高。
S7：在阻焊层170上开槽形成焊接开口171，焊接开口171露出部分重新线路分布层150。
具体地，参见图13，可以利用光刻工艺在重新布线金属层上的特定位置开口开窗，制作焊锡焊盘。该方法定义了焊盘露出的尺寸及位置，为后续的焊球190形成做准备。
S8：在焊接开口171处形成焊球190，焊球190朝向背离围挡遮光层130的方向凸起，并与重新线路分布层150连接。
具体地，参见图14，此处焊球190可以采用锡焊料、锡银焊料、锡银铜合金焊料、金锡合金焊料等具有可焊接性能的焊料，并将焊料安放在焊锡焊盘上，可以通过回流焊或激光焊接等方法使焊料与焊盘形成牢固的连接，作为像素LED芯片110电性连接的端口，为后续上模组提供焊接凸点。
需要说明的是，在其他一些实施例中，也可以根据需求而省去步骤S8，即为了匹配不同产品的应用要求，也可以不做焊球190。
S9：剥离衬底200和分离层210。
具体地，请继续参见图1，在完成焊球190的制备后，可以去除衬底200。具体地，衬底200可以通过激光、UV光照射或者是加热的方法使得分离层210粘性降低，从而实现衬底200和分离层210从像素LED芯片110和围挡遮光层130的表面剥离。需要说明的是，此处剥离衬底200和分离层210后，像素LED芯片110的发光侧外露于围挡遮光层130，实现发光。
S10：对多个像素LED芯片110进行晶圆级测试，并完成像素LED芯片110的分选。
具体地，晶圆级封装好的像素LED芯片110，可以直接做晶圆级测试，在分割成单颗前完成有效芯片的分选，后续上模组可以选用测试通过的芯片，从而减少返工维修的几率，降低成本。
S11：沿切割道切割围挡遮光层130。
具体地，将晶圆级封装后的封装结构切割成单颗产品，具体可以采用金属刀片或激光切割技术进行加工。
值得注意的是，此处在切割之前，还可以根据特殊要求，在围挡遮光层130的表面制作一层特殊的光学膜133。
本发明实施例提供的LED芯片封装结构100及其制备方法，将多个像素LED芯片110间隔设置，然后利用围挡遮光层130包覆在多个像素LED芯片110外，其中像素LED芯片110的发光侧外露于围挡遮光层130的一侧，并且在围挡遮光层130的另一侧设置重新线路分布层150，该重新线路分布层150与像素LED芯片110的电极侧连接，最后在重新线路分布层150上设置阻焊层170，并通过焊接开口171露出部分重新线路分布层150作为焊盘，其中，围挡遮光层130采用遮光绝缘材料，并至少覆盖在像素LED芯片110的周围，用于阻挡相邻的像素LED芯片110之间的串扰出光。相较于现有技术，本实施例通过采用不透光的围挡遮光层130，能够将像素LED芯片110周围进行包覆，在实际发光时，围挡遮光层130能够起到侧面遮光作用，阻挡相邻的像素LED芯片110之间的串扰出光，提升发光亮度和发光均匀性。并且，本实施例中通过设置重新线路分布层150和阻焊层170来替代常规技术中的基板结构，能够降低封装尺寸和厚度。此外，在分割前进行晶圆测试，可以直接分选芯片，只将测试通过的芯片用于模组，降低维修的几率，减少维修的成本。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种LED芯片封装结构，其特征在于，包括：
多个间隔分布的像素LED芯片(110)，每个所述像素LED芯片(110)均具有相对的发光侧和电极侧；
围挡遮光层(130)，所述围挡遮光层(130)包覆在多个所述像素LED芯片(110)外，且所述像素LED芯片(110)的发光侧外露于所述围挡遮光层(130)的一侧表面；
重新线路分布层(150)，所述重新线路分布层(150)设置在所述围挡遮光层(130)的另一侧表面，并与所述像素LED芯片(110)的电极侧连接；
阻焊层(170)，所述阻焊层(170)设置在围挡遮光层(130)的表面，并包覆在所述重新线路分布层(150)外，且所述阻焊层(170)上设置有焊接开口(171)，所述焊接开口(171)露出部分所述重新线路分布层(150)；
其中，所述围挡遮光层(130)采用遮光绝缘材料，并至少覆盖在所述像素LED芯片(110)的周围，用于阻挡相邻的所述像素LED芯片(110)之间的串扰出光。
2.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述LED芯片封装结构还包括焊球(190)，所述焊球(190)设置在所述焊接开口(171)内，并朝向背离所述围挡遮光层(130)的方向凸起，且所述焊球(190)与所述重新线路分布层(150)连接。
3.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述像素LED芯片(110)包括透明层(111)、发光单元体(113)和电极层(115)，所述发光单元体(113)设置在所述透明层(111)上，所述电极层(115)设置在所述发光单元体(113)上，且所述透明层(111)远离所述电极层(115)的一侧外露于所述围挡遮光层(130)的一侧表面，所述电极层(115)与所述重新线路分布层(150)连接。
4.根据权利要求3所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述电极层(115)远离所述透明层(111)的一侧表面与所述围挡遮光层(130)的表面相平齐，并外露于所述围挡遮光层(130)。
5.根据权利要求3所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述围挡遮光层(130)远离所述透明层(111)的一侧表面设置有电极凹槽(131)，所述电极凹槽(131)与所述电极层(115)对应，以使所述电极层(115)外露于所述围挡遮光层(130)，所述重新线路分布层(150)覆盖所述电极凹槽(131)。
6.根据权利要求1-5任一项所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述LED芯片封装结构还包括光学膜(133)，所述光学膜(133)设置在所述围挡遮光层(130)远离所述阻焊层(170)的一侧表面，并覆盖所述LED芯片的光学侧。
7.一种LED芯片封装结构的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1所述的LED芯片封装结构，该制备方法包括：
在衬底(200)上形成分离层(210)；
将多个像素LED芯片(110)的发光侧贴装在所述分离层(210)上；
在所述分离层(210)上形成围挡遮光层(130)，所述围挡遮光层(130)包覆在多个所述像素LED芯片(110)外；
减薄所述围挡遮光层(130)，并露出所述像素LED芯片(110)的电极侧；
在所述围挡遮光层(130)上形成重新线路分布层(150)，所述重新线路分布层(150)与所述像素LED芯片(110)的电极侧连接；
在所述围挡遮光层(130)上形成阻焊层(170)，所述阻焊层(170)包覆在所述重新线路分布层(150)外；
在所述阻焊层(170)上开槽形成焊接开口(171)，所述焊接开口(171)露出部分所述重新线路分布层(150)；
剥离所述衬底(200)和所述分离层(210)；
对多个所述像素LED芯片(110)进行晶圆级测试，并完成所述像素LED芯片(110)的分选；
沿切割道切割所述围挡遮光层(130)；
其中，所述围挡遮光层(130)采用遮光绝缘材料，并至少覆盖在所述像素LED芯片(110)的周围，用于阻挡相邻的所述像素LED芯片(110)之间的串扰出光。
8.根据权利要求7所述的LED芯片封装结构的制备方法，其特征在于，在剥离所述衬底(200)和所述分离层(210)的步骤之前，所述制备方法还包括：
在所述焊接开口(171)处形成焊球(190)，所述焊球(190)朝向背离所述围挡遮光层(130)的方向凸起，并与所述重新线路分布层(150)连接。
9.根据权利要求7所述的LED芯片封装结构的制备方法，其特征在于，减薄所述围挡遮光层(130)，并露出所述像素LED芯片(110)的电极侧的步骤，包括：
研磨所述围挡遮光层(130)，直至露出所述像素LED芯片(110)的电极侧。
10.根据权利要求7所述的LED芯片封装结构的制备方法，其特征在于，减薄所述围挡遮光层(130)，并露出所述像素LED芯片(110)的电极侧的步骤，包括：
研磨预设厚度的所述围挡遮光层(130)；
在所述围挡遮光层(130)上开槽形成电极凹槽(131)，并露出所述像素LED芯片(110)的电极侧。
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