CN116845078A - 一种图像传感器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种图像传感器及其制造方法，其中图像传感器包括：衬底，衬底上设置外延层；光电反应区，设置在衬底中和外延层中；电荷存储区，设置外延层中，电荷存储区光电反应区相邻；隔离沟槽，设置在衬底上，隔离沟槽设置在相邻的光电反应区之间，且沿着光线入射方向，隔离沟槽的槽宽递增，其中电荷存储区在衬底上的正投影位于隔离沟槽的槽壁上；以及隔离层，覆盖在隔离沟槽的槽壁上。本发明的提供了一种图像传感器及其制造方法，能够降低寄生光响应，并提升图像传感器的光电响应和光敏度。
Description
技术领域
本发明涉及图像传感技术领域，特别涉及一种图像传感器及其制造方法。
背景技术
在图像传感器中，电子快门图像传感器利用电子的方式控制图像传感器的曝光时间，快门速度高且无耀斑现象和快门声。在全局曝光式的电子快门图形传感器中，对电荷域的全局曝光，电荷存储节点的寄生光响应(Parasitic Light Sensitivity，PLS)是一个非常重要的指标。其中寄生光响应为电荷存储节点在没有信号时接收到的杂散光响应和光电二极管响应。为减小寄生光响应，往往会牺牲光电二极管的入射面积，因此图像传感器的光敏度较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种图像传感器及其制造方法，能够降低寄生光响应，并提升图像传感器的光电响应，从而提升图像传感器的光敏度。
为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：
本发明提供了一种图像传感器，包括：
衬底，所述衬底上设置外延层；
光电反应区，设置在所述衬底中和所述外延层中；
电荷存储区，设置在所述外延层中，所述电荷存储区与所述光电反应区相邻；
隔离沟槽，设置在所述衬底上，所述隔离沟槽设置在相邻的所述光电反应区之间，且沿着光线入射方向，所述隔离沟槽的槽宽递增，其中所述电荷存储区在所述衬底上的正投影位于所述隔离沟槽的槽壁上；以及
隔离层，覆盖在所述隔离沟槽的槽壁上。
在本发明一实施例中，所述隔离沟槽的槽口连接于所述外延层，并在所述隔离层和所述外延层之间形成孔洞结构。
在本发明一实施例中，所述光电反应区包括浅光电反应区，所述浅光电反应区设置在所述外延层中，且所述浅光电反应区延伸至所述衬底中，其中所述浅光电反应区与所述电荷存储区间隔分布。
在本发明一实施例中，所述光电反应区包括深光电反应区，所述深光电反应区设置在所述衬底中，相邻的所述深光电反应区的间距小于所述隔离沟槽的槽口宽度。
在本发明一实施例中，所述深光电反应区连接于所述浅光电反应区，且所述深光电反应区设置在所述浅光电反应区靠近入射光线的一侧，其中所述深光电反应区的宽度大于所述浅光电反应区的宽度。
在本发明一实施例中，所述图像传感器包括隔离柱，所述隔离柱设置在所述衬底中，且所述隔离柱连接于所述隔离层的拐角部。
在本发明一实施例中，所述隔离柱和所述隔离层的拐角部位于相邻的所述光电反应区之间。
在本发明一实施例中，所述隔离沟槽的两侧槽壁连接并形成槽壁夹角，其中所述槽壁夹角为20°～40°。
在本发明一实施例中，所述图像传感器包括金属互连结构，所述金属互连结构设置在所述外延层上。
本发明提供了一种图像传感器的制造方法，包括以下步骤：
提供一衬底，形成隔离沟槽于所述衬底上，其中沿着光线入射方向，所述隔离沟槽的槽宽递增；
形成隔离层于所述隔离沟槽的槽壁上；
形成外延层于所述衬底上；
对所述衬底和所述外延层注入第一离子，形成光电反应区，其中所述隔离沟槽设置在相邻的所述光电反应区之间；以及
对所述外延层注入第二离子，形成电荷存储区，其中所述电荷存储区在所述衬底上的正投影位于所述隔离沟槽的槽壁上。
在本发明一实施例中，形成所述光电反应区的步骤包括：
在形成所述隔离沟槽前，形成深光电反应区于所述衬底中；以及
在形成所述外延层后，形成浅光电反应区于所述外延层中和所述衬底中，其中所述浅光电反应区连接于所述深光电反应区，且所述浅光电反应区的宽度小于所述深光电反应区的宽度。
如上所述，本发明提供了一种图像传感器及其制造方法，能够提升图像传感器的光敏度。根据本发明提供的图像传感器，能够实现全局曝光，能够降低寄生光效应。并且，在降低寄生光效应的同时，能够有效提升入射光线接触到的光电反应区的面积，从而减少入射光线的损耗，提升光电反应区对光线的灵敏度，从而提升图像传感器的光电响应。并且，根据本发明提供的图像传感器，能够实现对像素边缘入射的光线的全反射，从而将入射光线转移回光电反应区中，减少入射光线的损耗，同时减少了入射光直接射入储存电荷区域产生电子-空穴对，从而减少产生寄生光响应。根据本发明提供的图像传感器的制造方法，制程损耗较低，形成本发明所述图像传感器的制程良率高。
当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例中像素电路的结构示意图。
图2为本发明一实施例中衬底的结构示意图。
图3为本发明一实施例中深光电反应区的结构示意图。
图4为本发明一实施例中隔离沟槽的结构示意图。
图5为本发明一实施例中隔离层的结构示意图。
图6为本发明一实施例中蚀刻后隔离层的结构示意图。
图7为本发明另一实施例中蚀刻后隔离层的结构示意图。
图8为本发明一实施例中外延层的结构示意图。
图9为本发明一实施例中浅光电反应区和电荷存储区的结构示意图。
图10为本发明一实施例中栅极结构的结构示意图。
图11为本发明一实施例中金属互连结构的结构示意图。
图12为本发明一实施例中承载基板的结构示意图。
图13为本发明一实施例中衬底减薄后的结构示意图。
图14为本发明一实施例中沉积沟槽的结构示意图。
图15为本发明一实施例中隔离柱和透光层的结构示意图。
图16为本发明一实施例中隔离结构的结构示意图。
图17为本发明一实施例中图像传感器的结构示意图。
图中：100、衬底；101、深光电反应区；102、隔离沟槽；103、隔离层；104、外延层；105、孔洞结构；106、浅光电反应区；107、电荷存储区；108、栅极结构；109、介质层；110、金属布线；111、承载基板；112、沉积沟槽；113、隔离柱；114、透光层；115、隔离结构；116、滤光片；117、微透镜；200、掩膜层；201、蚀刻窗口。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1所示，电子快门图像传感器被分为卷帘式和全局曝光式的图像传感器。在卷帘式电子快门图像传感器中，像素阵列中每一行的曝光时间不同，因此在拍摄高速物体时会有拖影。本发明中提供一种电荷域全局曝光式电子快门图像传感器，在同一时间完成像素阵列每一行的曝光，从而解决在拍摄高速物体时的拖影问题。且本实施例的全局曝光式图像传感器，可以被广泛地应用到车载、工业、道路监控和高速摄像机中，应用范围广。在本实施例中，图像传感器可以是CMOS图像传感器。具体的，本发明的图像传感器包括MOS管电容和多个传输晶体管，且具体的，本实施例中包括例如6个传输晶体管。
请参阅图1所示，在本发明一实施例中，本发明提供的图像传感器的像素电路可以按照图1所示布局。且如图1所示，所述像素电路包括第一传输管M1、第二传输管M2、全局复位管M3、复位管M4、源跟随管M5和选择管M6，以及存储电容C和光电二极管PD。在本发明提供的像素电路中，全局复位管M3的一端电性连接于电源VDD。全局复位管M3的另一端电性连接于光电二极管PD的一端和第一传输管M1的一端。其中光电二极管PD的另一端接地。在本实施例中，第一传输管M1的另一端电性连接于第二传输管M2的一端，以及存储电容C的一端。其中存储电容C的另一端接地。在本实施例中，第二传输管M2的另一端电性连接于复位管M4的一端，以及源跟随管M5的驱动端。其中，复位管M4的另一端电性连接于电源VDD。在本实施例中，源跟随管M5的一端电性连接于选择管M6的一端，源跟随管M5的另一端电性连接于电源VDD。选择管M6的另一端作为像素电路的输出端。其中第一传输管M1、第二传输管M2、全局复位管M3、复位管M4、源跟随管M5和选择管M6为金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)。
请参阅图1至图3所示，本发明提供了一种图像传感器的制造方法，首先提供一衬底100，并在衬底100中形成深光电反应区101。衬底100例如为形成半导体结构的硅基材。衬底100可以包括基材以及设置在基材上方的硅层，基材例如为硅(Si)、碳化硅(SiC)、蓝宝石(Al2O3)、砷化镓(GaAs)、铝酸锂(LiAlO2)等半导体基板材料，硅层形成于基材上方。在本实施例中，衬底100为单晶硅。在本实施例中，衬底100可以是本征半导体，也可以在衬底100中注入离子，形成N型半导体或P型半导体。本发明不限制衬底100的厚度。在本实施例中，对衬底100注入掺杂离子，形成深光电反应区101，其中深光电反应区101对应形成光电二极管PD。在本实施例中，注入的掺杂离子可以是施主杂质或受主杂质。且具体的，当衬底100为N型半导体，深光电反应区101的掺杂离子为受主杂质，例如硼离子。当衬底100为P型半导体，深光电反应区101的掺杂离子为施主杂质，例如磷离子。在本实施例中，衬底100中设置多个深光电反应区101。在本实施例中，深光电反应区101的长度为像素尺寸的例如70％～90％。
请参阅图3和图4所示，在本发明一实施例中，蚀刻衬底100，形成隔离沟槽102。其中，形成隔离沟槽102的步骤中，首先在衬底100上设置第一掩膜层200。第一掩膜层200例如为光刻胶。具体的，在衬底100上旋涂光刻胶，形成光阻层，并通过曝光蚀刻等方式图案化所述光阻层，形成第一掩膜层200。在本实施例中，第一掩膜层200包括多个蚀刻窗口201。蚀刻窗口201的宽度大于相邻深光电反应区101的间距B，并且蚀刻窗口201覆盖深光电反应区101的间隔区域。第一掩膜层200在深光电反应区101上的正投影位于深光电反应区101中。具体的，如图3所示，蚀刻窗口201的侧壁和深光电反应区101的侧壁间具有第一间距B1和第二间距B2。在本实施例中，第一间距B1和第二间距B2相等，以提升结构的对称性。在形成隔离沟槽102的步骤中，接着通过等离子气体蚀刻衬底100，形成隔离沟槽102，隔离沟槽102与蚀刻窗口201的位置对应。具体的，等离子气体为氯气(Cl2)和六氟化硫(SF6)的混合气体，或四氯化硅(SiCl4)和氯气(Cl2)的混合气体。在本实施例中，隔离沟槽102为V字形，隔离沟槽102的截面形状为三角形，且具体可以是等腰三角形。其中，隔离沟槽102延伸至相邻的深光电反应区101之间，并且隔离沟槽102的深度小于深光电反应区101的深度。在本实施例中，隔离沟槽102具有两面槽壁，且两面槽壁的槽壁夹角为例如20°～40°。其中，通过调整蚀刻参数可以调节隔离沟槽102的夹角大小，例如调整蚀刻时间或蚀刻气体类型。在形成隔离沟槽102后，去除第一掩膜层200。
请参阅图4和图5所示，在本发明一实施例中，形成隔离沟槽102后，在隔离沟槽102中和衬底100上沉积氧化物，形成隔离层103。其中隔离层103的材料为二氧化硅(SiO2)。在本实施例中，隔离层103覆盖在衬底100的表面。具体的，一部分隔离层103覆盖在隔离沟槽102的槽壁上，另一部分隔离层103覆盖在衬底100的顶部。且衬底100顶部的隔离层103的厚度小于隔离沟槽102中隔离层103的厚度。
请参阅图5至图7所示，在本发明一实施例中，蚀刻位于衬底100顶部的隔离层103。在本实施例中，可以以衬底100的表面为停止层，通过化学机械抛光(Chemical MechanicalPolishing，CMP)打磨衬底100顶部的隔离层103，直到将衬底100顶部的隔离层103去除。在本实施例中，也可以在隔离沟槽102中设置掩膜材料，并通过干法蚀刻去除衬底100顶部的隔离层103。其中，在打磨和掩膜蚀刻后隔离沟槽102中隔离层103的厚度为D1。在本实施例中，还可以通过干法蚀刻直接去除衬底100顶部的隔离层103。其中，在干法蚀刻过程中，缺少掩膜材料的保护，去除衬底100顶部隔离层103的同时，也会减薄隔离沟槽102中的隔离层103。因此直接进行干法蚀刻，隔离层103的厚度为D2。其中，D1＞D2。
请参阅图7和图8所示，在本发明一实施例中，在去除位于衬底100顶部的隔离层103后，在衬底100上生长同质外延，形成外延层104。在本实施例中，通过气相外延工艺在衬底100的表面生长与衬底100相同的单晶硅，以提升形成器件的漏电流性能。其中，单晶硅只会在衬底100的表面生长，隔离层103表面不能生长。因此随着单晶硅侧部的累积和延伸，当隔离沟槽102两侧的单晶硅相连，会部分陷落在隔离沟槽102中，并形成稳定的底面结构。随着外延生长的进行，底面结构上会继续生长出稳定的单晶硅，从而形成外延层104。在隔离沟槽102两侧的单晶硅连接形成外延层104的底面结构的同时，外延层104封住隔离沟槽102的开口，从而形成孔洞结构105。在本实施例中，孔洞结构105的截面形状为三角形。
请参阅图1、图8和图9所示，在本发明一实施例中，对外延层104和衬底100注入离子，形成浅光电反应区106。接着对外延层104注入离子，形成电荷存储区107。其中，形成浅光电反应区106的步骤中，注入离子的类型与深光电反应区101的离子类型一致。并且注入离子时，注射离子扩散至深光电反应区101，使浅光电反应区106与深光电反应区101连接。其中浅光电反应区106的宽度小于深光电反应区101的宽度，且具体的，浅光电反应区106的宽度可以是像素尺寸的例如40％～70％。在本实施例中，深光电反应区101、浅光电反应区106和电荷存储区107的注入离子相同，且与外延层104注入的离子类型不同。例如，深光电反应区101注入受主离子，则电荷存储区107注入施主离子。本发明对具体的离子类型不作限定。其中电荷存储区107的宽度和外延层104的厚度相等。电荷存储区107沿离子注入方向的正投影位于孔洞结构105内。若倒置本发明图9所示的半导体结构，隔离层103在电荷存储区107上的正投影覆盖电荷存储区107。在本实施例中，电荷存储区107与浅光电反应区106间隔分布。其中，电荷存储区107和浅光电反应区106的间距满足预设宽度范围。根据不同系列的图像传感器，预设宽度范围可以不同，此为图像传感器的制程参数，本发明不限定预设宽度范围的具体数值。在本实施例中，电荷存储区107对应存储电容C。在本实施例中，隔离层103的位置能够对浅光电反应区106的位置进行限位，以在不损害到电荷存储区107成型区域的情况下，帮助形成深光电反应区101和浅光电反应区106的连接结构。
请参阅图9至图11所示，在本发明一实施例中，在外延层104上设置栅极结构108，并在外延层104上设置金属互连结构。在本实施例中，通过化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)或等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，PECVD)等方式在外延层104上多晶硅层，并图案化所述多晶硅层，形成栅极结构108。在本实施例中，栅极结构108的一侧连接于电荷存储区107，另一侧连接于浅光电反应区106。在本实施例中，在形成金属互连结构的步骤中，首先在外延层104上沉积介质层109，接着蚀刻介质层109并在蚀刻处填充金属材料，形成金属布线110，从而形成金属互连结构。其中介质层109可以是二氧化硅，金属布线110不限定于铜、铝和钨等金属。具体的，可以通过大马士革工艺形成金属互连结构。在本实施例中，金属布线110在外延层104上的正投影位于电荷存储区107上。并且，金属布线110关于电荷存储区107的中线对称。
请参阅图11至图13所示，在本发明一实施例中，在形成金属互连结构后，在介质层109上键合承载基板111，并减薄衬底100。其中，承载基板111可用于转运半导体结构。本发明不限定承载基板111的具体结构，承载基板111可以是晶圆(wafer)。通过键合(bonding)的方式将介质层109和承载基板111以范德华力、分子力等方式固定连接，形成一个新的半导体结构。在本实施例中，键合承载基板111后，减薄衬底100。具体的，可以将当前的半导体结构翻转，并且利用化学机械抛光的方式，减薄衬底100与承载基板111相对的一侧，直到深光电反应区101露出，如图12和图13所示。其中为顺应制程结构的变化，图13显示的是翻转后的半导体结构。
请参阅图13和图14所示，在本发明一实施例中，以隔离层103为停止层，蚀刻衬底100，形成沉积沟槽112。在本实施例中，通过等离子气体，例如通过氯气(Cl2)和六氟化硫(SF6)的混合气体或四氯化硅(SiCl4)和氯气(Cl2)的混合气体在衬底100中形成沉积沟槽112。其中，沉积沟槽112为竖直方向延伸，且沉积沟槽112分布在相邻的浅光电反应区106之间。其中，干法蚀刻的等离子气体由于不与隔离层103发生反应，因此沉积沟槽112延伸至隔离层103表面后会自然停止蚀刻进程，从而限制沉积沟槽112的形状。在本实施例中，沉积沟槽112的底壁隔离层103，且为V字形。
请参阅图14和图15所示，在本发明一实施例中，在沉积沟槽112内填充氧化物，形成隔离柱113。在填充氧化物时，在衬底100上沉积氧化物，形成透光层114。其中，可以通过化学气相沉积在沉积沟槽112中和衬底100上、填充二氧化硅和高介电常数介质，形成隔离柱113和透光层114。在实施例中，隔离层103和隔离柱113形成了深沟槽隔离结构。通过深沟槽隔离结构隔离深光电反应区101，能够避免相邻的深光电反应区101间出现干扰。其中电荷存储区107和浅光电反应区106间未设置隔离。在图像传感器工作时，栅极结构108通电状态下，浅光电反应区106和电荷存储区107之间形成电子转移通道，从而将电子存储在电荷存储区107中。
请参阅图15和图16所示，在本发明一实施例中，在透光层114上形成隔离结构115。具体的，通过化学气相沉积在透光层114上沉积遮光材料，例如金属材料。再于遮光材料上形成掩膜结构，在掩膜结构的保护下，蚀刻部分遮光材料，从而形成隔离结构115。其中隔离结构115在衬底100上的正投影覆盖隔离柱113。
请参阅图16和图17所示，在本发明一实施例中，在透光层114上设置滤光片116，并在滤光片116上设置微透镜117。其中，滤光片116为彩色滤光片(Color Filter，CF)。滤光片116设置在相邻的隔离结构115之间。具体的，如图17所示，隔离结构115的高度小于等于滤光片116的厚度，以保证入射光线透过滤光片116到达透光层114时，相邻的区域之间不受干扰。其中微透镜117能帮助聚焦光线。在本发明提供的图像传感器中，入射光线透过微透镜117，被微透镜117聚焦，接着通过滤光片116筛选出特定波长范围的入射光线。部分入射光线穿过透光层114，直接到达深光电反应区101中。根据本发明提供的深光电反应区101和浅光电反应区106的结构，能够在保证电荷存储区107面积的同时，提升入射光线与光电反应区的接触面积，从而提升图像传感器的光敏度。其中，部分光线不会直接射入深光电反应区101，而是从深光电反应区101和深沟槽隔离结构之间的衬底100进入。因为隔离层103的结构宽度大于相邻深光电反应区101的间距，因此这部分入射光线会打在隔离层103上。根据本发明提供的隔离层103的角度，入射光线打在隔离层103上，会出现全反射。并且，孔洞结构105的介质为空气，隔离层103的介质为二氧化硅，因此隔离层103的折射率大于孔洞结构105的折射率。孔洞结构105也会帮助实现入射光线的全反射。而全反射的入射光线会回到浅光电反应区106中，从而减少了入射光线的损耗，减小了光学串扰，提升了图像传感器的光敏度。
本发明提供了一种图像传感器及其制造方法，其中图像传感器包括衬底、光电反应区、电荷存储区、隔离沟槽和隔离层。其中衬底上设置外延层。光电反应区设置在衬底中和外延层中。电荷存储区设置在外延层中，且电荷存储区和光电反应区相邻；隔离沟槽设置在衬底上。其中隔离沟槽设置在相邻的光电反应区之间，且沿着光线入射方向，隔离沟槽的槽宽递增。其中电荷存储区在衬底上的正投影位于隔离沟槽的槽壁上。隔离层覆盖在隔离沟槽的槽壁上。本发明的提供了一种图像传感器及其制造方法，能够降低寄生光响应，并提升图像传感器的光电响应和光敏度。
以上公开的本发明实施例只是用于帮助阐述本发明。实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (11)
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上设置外延层；
光电反应区，设置在所述衬底中和所述外延层中；
电荷存储区，设置在所述外延层中，所述电荷存储区与所述光电反应区相邻；
隔离沟槽，设置在所述衬底上，所述隔离沟槽设置在相邻的所述光电反应区之间，且沿着光线入射方向，所述隔离沟槽的槽宽递增，其中所述电荷存储区在所述衬底上的正投影位于所述隔离沟槽的槽壁上；以及
隔离层，覆盖在所述隔离沟槽的槽壁上。
2.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述隔离沟槽的槽口连接于所述外延层，并在所述隔离层和所述外延层之间形成孔洞结构。
3.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述光电反应区包括浅光电反应区，所述浅光电反应区设置在所述外延层中，且所述浅光电反应区延伸至所述衬底中，其中所述浅光电反应区与所述电荷存储区间隔分布。
4.根据权利要求3所述的一种图像传感器，其特征在于，所述光电反应区包括深光电反应区，所述深光电反应区设置在所述衬底中，相邻的所述深光电反应区的间距小于所述隔离沟槽的槽口宽度。
5.根据权利要求4所述的一种图像传感器，其特征在于，所述深光电反应区连接于所述浅光电反应区，且所述深光电反应区设置在所述浅光电反应区靠近入射光线的一侧，其中所述深光电反应区的宽度大于所述浅光电反应区的宽度。
6.根据权利要求4所述的一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括隔离柱，所述隔离柱设置在所述衬底中，且所述隔离柱连接于所述隔离层的拐角部。
7.根据权利要求6所述的一种图像传感器，其特征在于，所述隔离柱和所述隔离层的拐角部位于相邻的所述光电反应区之间。
8.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述隔离沟槽的两侧槽壁连接并形成槽壁夹角，其中所述槽壁夹角为20°～40°。
9.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括金属互连结构，所述金属互连结构设置在所述外延层上。
10.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，形成隔离沟槽于所述衬底上，其中沿着光线入射方向，所述隔离沟槽的槽宽递增；
形成隔离层于所述隔离沟槽的槽壁上；
形成外延层于所述衬底上；
对所述衬底和所述外延层注入第一离子，形成光电反应区，其中所述隔离沟槽设置在相邻的所述光电反应区之间；以及
对所述外延层注入第二离子，形成电荷存储区，其中所述电荷存储区在所述衬底上的正投影位于所述隔离沟槽的槽壁上。
11.根据权利要求10所述的一种图像传感器的制造方法，其特征在于，形成所述光电反应区的步骤包括：
在形成所述隔离沟槽前，形成深光电反应区于所述衬底中；以及
在形成所述外延层后，形成浅光电反应区于所述外延层中和所述衬底中，其中所述浅光电反应区连接于所述深光电反应区，且所述浅光电反应区的宽度小于所述深光电反应区的宽度。
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|---|---|---|---|---|
| CN117319822A (zh) * | 2023-11-24 | 2023-12-29 | 合肥海图微电子有限公司 | 一种图像传感器及其控制方法 |
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