CN116845075A - 一种图像传感器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括衬底；光电二极管，设置在所述衬底中；层间介质层，设置在所述衬底上；光导延申间隙层，设置在所述层间介质层中，所述光导延申间隙层环绕所述光电二极管设置，所述光导延申间隙层的一侧与所述衬底接触；光导，设置在所述层间介质层中，所述光导与所述光导延申间隙层的另一侧连接，且所述光导在所述衬底上的正投影覆盖所述光电二极管；以及挡光间隙，设置在光导延申间隙层中，由所述光导延申间隙层靠近所述衬底的一侧延伸至靠近所述光导的一侧。通过本发明提供的一种图像传感器，可改善全局曝光模式下图像传感器的寄生光响应。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域，特别涉及一种图像传感器及其制造方法。
背景技术
互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器的曝光模式包括卷帘曝光模式和全局曝光模式，全局像素结构包括电荷域和电压域两种。电荷域全局像素结构是将电荷信号存储在相邻的电荷域电容中，电压域全局像素结构是将转变成的电压信号存储在物理位置较远的电压域电容中。
在电荷域全局像素结构中，由于光电二极管与电荷存储节点的物理位置距离较近。故电荷存储节点易受入射光的影响，造成寄生光响应。
发明内容
本发明的目的在于提供一种图像传感器及其制造方法，可改善全局曝光模式下图像传感器的寄生光响应。
为实现上述目的，本发明提供了一种图像传感器，至少包括：
衬底；
光电二极管，设置在所述衬底中；
层间介质层，设置在所述衬底上；
光导延申间隙层，设置在所述层间介质层中，所述光导延申间隙层环绕所述光电二极管设置，所述光导延申间隙层的一侧与所述衬底接触；
光导，设置在所述层间介质层中，所述光导与所述光导延申间隙层的另一侧连接，且所述光导在所述衬底上的正投影覆盖所述光电二极管；以及
挡光间隙，设置在光导延申间隙层中，由所述光导延申间隙层靠近所述衬底的一侧延伸至靠近所述光导的一侧。
在本发明一实施例中，所述光导延申间隙层的介质材料与所述光导的介质材料相同。
在本发明一实施例中，所述光导延申间隙层介质材料的折射率小于与所述光导介质材料的折射率。
在本发明一实施例中，所述光导延申间隙层介质材料为金属，所述光导的介质材料为氮化硅。
在本发明一实施例中，随着所述光导厚度的增加，所述光导的径向尺寸保持不变。
在本发明一实施例中，随着所述光导厚度的增加，所述光导的径向尺寸逐渐增大。
在本发明一实施例中，所述图像传感器还包括：
存储节点，所述存储节点设置在所述衬底中；
挡光层，所述挡光层设置在所述衬底上，且所述挡光层在衬底上的正投影覆盖所述存储节点。
在本发明一实施例中，所述光导延申间隙层的另一侧与所述挡光层齐平。
在本发明一实施例中，所述光导延申间隙层的另一侧超过所述挡光层。
在本发明一实施例中，所述层间介质层包括第一介质层和第二介质层，所述第一介质层设置在所述衬底上，所述挡光层设置在所述第一介质层上，所述第二介质层设置在所述挡光层和所述第一介质层上。
本发明还提供一种图像传感器的制造方法，至少包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底中形成光电二极管；
在所述衬底上形成层间介质层；
蚀刻所述层间介质层，形成第一沟槽，并蚀刻所述第一沟槽底部靠近侧壁的所述层间介质层，形成第二沟槽；
在所述第二沟槽中沉积介质材料，形成光导延申间隙层，所述第二沟槽中未被所述介质材料填充的部分形成挡光间隙，在所述第一沟槽中沉积介质材料，形成光导；
其中，所述光导延申间隙层环绕所述光电二极管设置，所述光导延申间隙层的一侧与所述衬底接触，所述挡光间隙由所述光导延申间隙层靠近所述衬底的一侧延伸至靠近所述光导的一侧；所述光导与所述光导延申间隙层的另一侧连接，且所述光导在所述衬底上的正投影覆盖所述光电二极管。
在本发明一实施例中，所述第二沟槽的深宽比大于10：1。
综上所述，本发明提供的一种图像传感器及其制造方法，在光电二极管上设置光导，在光导和光电二极管之间设置光导延申间隙层和挡光间隙，在不影响入射光通量的基础上，形成的挡光间隙阻挡存储节点侧边的入射光，减少存储节点侧面漏光，进而消除存储节点的寄生光响应。通过调整挡光间隙的高度和挡光间隙的材料，对存储节点的保护更加全面，并更加有效减少存储节点侧面漏光。还可以通过调整光导的结构，增加光电二极管的光通量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明中一种在衬底中形成光电二极管、存储节点及阱区的结构示意图。
图2是本发明中形成控制栅极的结构示意图。
图3是本发明中形成第一层间介质层的结构示意图。
图4是本发明中形成挡光层的结构示意图。
图5是本发明中形成第二层间介质层的结构示意图。
图6是本发明一实施例中形成第一沟槽的结构示意图。
图7是本发明一实施例中形成第二沟槽的结构示意图。
图8是本发明一实施例中形成光导延申间隙层和光导的结构示意图。
图9是本发明另一实施例中形成光导延申间隙层和光导的结构示意图。
图10是本发明又一实施例中形成第一沟槽的结构示意图。
图11是本发明又一实施例中形成第二沟槽的结构示意图。
图12是本发明又一实施例中形成光导延申间隙层和光导的结构示意图。
图13是本发明再一实施例中形成第一沟槽的结构示意图。
图14是本发明再一实施例中形成第二沟槽的结构示意图。
图15是本发明再一实施例中形成光导延申间隙层和光导的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语中“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
图像传感器按照曝光模式可以分为两种，一种是卷帘曝光模式(rollingshutter)，一种是全局曝光模式(global shutter)。卷帘曝光模式图像传感器可应用在手机摄像头，数码相机和家用的安防设备等设备上。卷帘曝光模式图像传感器的特点是一帧图像各行的曝光时刻不同，上一行曝光时刻早于下一行，得到的图像并不是被拍摄物体在某一时刻的真实反映。因此在拍摄高速运动的物体时，图像容易发生拖影现象。全局曝光模式图像传感器广泛应用在工业、车载、道路监控和高速相机等领域得到广泛应用。全局曝光模式下整幅图像的每一行都在同一时间曝光，然后将电荷信号同时传输并存储在像素单元的存储节点，最后将存储节点的信号逐行读出。由于全局曝光模式整幅图像所有行在同一时间进行曝光，所以不会造成拖影现象。
请参阅图8、图9、图12和图15所示，本申请提供一种全局曝光模式图像传感器，且该全局曝光模式传感器为电荷域全局曝光模式传感器。在全局曝光模式图像传感器中，设置有像素阵列。像素阵列包括多个像素单元，且每个像素单元中包括光电二极管102(Photo-Diode，PD)、存储节点103和多个晶体管。每个光电二极管102形成一个像素点，景物通过成像透镜聚焦到图像传感器的像素阵列上，光电二极管102可将表面的光强转换为电信号，并将电性号在存储节点103中存储起来。通过多个晶体管配合，控制光电二极管102的光转换，并控制电性号的存储与输出。在本申请中，光电二极管102和存储节点103相邻设置。在光电二极管102上，设置有光导115。在光导115与光电二极管102之间，还设置有光导延申间隙层113，光间隙层113中设置有挡光间隙114。而在存储节点103上，设置有挡光层109。
具体的，请参阅图1所示，衬底101可以为任意适用的半导体介质材料。在本发明一实施例中，衬底101为例如硅衬底。在其他实施例中，衬底101可以为绝硅锗、缘体上硅，绝缘体上层叠硅、绝缘体上层叠锗化硅、绝缘体上锗化硅以及绝缘体上锗，或这些半导体构成的叠层结构等。
请参阅图1所示，在本发明一实施例中，在每个像素单元中，设置有一光电二极管102和一存储节点103。光电二极管102和存储节点103设置在衬底101中，且光电二极管102和存储节点103并排设置。光电二极管102和存储节点103之间还设置有预设间距。其中，光电二极管102和存储节点103为第一类型掺杂区，第一类型掺杂区为N型掺杂区，且为N型轻掺杂区。在本申请中，可向衬底101中注入磷(P)或砷(As)等N型杂质，形成光电二极管102和存储节点103。可通过注入能量控制离子的注入深度，注入能量越大，离子的注入深度越大。本申请对于光电二极管102和存储节点103的深度不作限定，光电二极管102和存储节点103的深度可以相同，也可以不同。在本实施例中，光电二极管102的深度可等于存储节点103的深度。
请参阅图1所示，在本发明一实施例中，在相邻的像素单元中，还设置有隔离阱106。隔离阱106设置在相邻像素单元的光电二极管102和存储节点103之间，且隔离阱106的深度大于光电二极管102的深度，也大于存储节点103的深度，可将不同像素单元之间的光电二极管102和存储节点103隔离开。其中，隔离阱106的掺杂类型与光电二极管102和存储节点103的掺杂类型相反，为第二类型掺杂区。第二类型掺杂区为P型掺杂区。在本申请中，可向衬底101中注入硼(B)等P型杂质，形成隔离阱106。在进行P型杂质的离子注入时，可通过控制注入能量的大小，控制隔离阱106的深度。
请参阅图1所示，在本发明一实施例中，在衬底101中，且位于光电二极管102和存储节点103靠近衬底101表面的一侧，设置有第一阱区104和第二阱区105。第一阱区104位于光电二极管102上的衬底101中，第二阱区105位于存储节点103上的衬底101中。在本申请中，第一阱区104和第二阱区105为第二类型掺杂区，即为P型掺杂区。可向衬底101中注入硼(B)等P型杂质，形成第一阱区104和第二阱区105。其中，第一阱区104中的杂质浓度大于光电二极管102中的杂质浓度，第二阱区105中的杂质浓度大于存储节点103中的杂质浓度。通过设置高掺杂浓度的第一阱区104，形成压缩了的光电二极管102的耗尽区，减小衬底101表面的缺陷带来的影响，进而降低衬底101表面悬挂键导致的暗电流。通过设置高掺杂浓度的第二阱区105，可防止产生暗电流。
请参阅图1所示，在本申请中，并不限制在衬底101中形成光电二极管102、存储节点103、隔离阱106、第一阱区104和第二阱区105的顺序。在一些实施例中，可先形成第一类型掺杂区，即发光二极管和存储节点103。再形成第二类型掺杂区，即隔离阱106、第一阱区104和第二阱区105。在另一些实施例中，可先形成第二类型掺杂区，再形成第一类型掺杂区。
请参阅图2所示，在本发明一实施例中，在衬底101上，设置有控制栅极107。控制栅设置在衬底101上，用于控制将电性号从光电二极管102转移到存储节点103中。其中，控制栅极107覆盖存储节点103、存储节点103和光电二极管102之间的区域，并延伸到光电二极管102上。在本申请中，在形成多个掺杂区后，在衬底101上形成栅极介质材料层(图中未显示)。在本实施例中，栅极介质材料层可以为多晶硅。多晶硅可以为重掺杂多晶硅层，在形成栅极介质材料层后，在栅极介质材料层上形成图案化的光阻层(图中未显示)，以图案化的光阻层为掩膜，例如采用干法刻蚀刻蚀栅极介质材料层，形成控制栅极107。在其他实施例中，栅极材料层也可以是金属介质材料，例如是几种高介电金属材料的合金，形成的控制栅极107为多层合金层组合成的多层的结构栅。
请参阅图3至图5所示，在本发明一实施例中，在衬底101和控制栅极107上，设置有层间介质层(Inter layer dielectric，ILD)1081和金属间介电层Inter MetalDielectric1082，金属间介电层1082设置在层间介质层1081上。在层间介质层1081和金属间介电层1082之间，还设置有挡光层109。在金属间介电层1082中，还设置有金属层110。
具体的，请参阅图3所示，在本发明一实施例中，层间介质层1081位于衬底101和控制栅极107上，且覆盖衬底101和控制栅极107。在本申请中，可在形成控制栅极107后，在衬底101和控制栅极107上，通过化学气相沉积或高密度等离子体化学气相沉积法沉积一层氧化层。其中，所述氧化层例如为氧化硅层。之后使用化学机械研磨(Chemical MechanicalPolish，CMP)的方法研磨氧化硅层，对氧化硅层进行平坦化处理，形成层间介质层1081。在本申请中，并不限制层间介质层1081的厚度，形成的层间介质层1081覆盖控制栅极107即可。
请参阅图4所示，在本发明一实施例中，挡光层109设置在层间介质层1081上。且挡光层109在衬底101上的正投影覆盖存储节点103，但并不与光电二极管102干涉。在本申请中，可在形成层间介质层1081后，在层间介质层1081表面沉积挡光介质，之后在挡光介质上形成光罩(图中未显示)，光罩覆盖存储节点103上的挡光介质，之后蚀刻掉未被光罩覆盖的挡光介质，被光罩覆盖的挡光介质形成挡光层109。在一些实施例中，挡光层109还覆盖存储节点103周围的衬底101。此时，形成的光罩也覆盖存储节点103周围的衬底101上的挡光介质。本申请并不限制挡光层109的具体大小，在不与光电二极管102干涉的条件下，可尽量扩大挡光层109的面积，以保证存储节点103不被入射光照射。
请参阅图5所示，在本发明一实施例中，金属间介电层1082设置在挡光层109上，且金属间介电层1082中设置有金属层110。金属间介电层1082与层间介质层1081的介质材料相同，例如为氧化硅层。在本申请中，在形成金属间介电层1082和金属层110时，可先在层间介质层1081上沉积一层氧化硅层，之后对沉积的氧化硅层进行平坦化处理，并在氧化硅层上形成金属层110。再依据金属层110的层数，循环形成氧化硅层和金属层110。最后在顶层金属层110上沉积一层氧化硅层。即形成金属间介电层1082，以及位于金属间介电层1082中的多层金属层110。
请参阅图8所示，在本发明一实施例中，在光电二极管102上的层间介质层108中，设置有光导延申间隙层113和光导115。其中，光导延申间隙层113位于光电二极管102上，且环绕光电二极管102设置。光导115位于挡光间隙114上，且光导115在衬底101上的正投影覆盖光电二极管102。在本申请中，光导115在衬底101上的正投影还覆盖隔离阱106。本申请对光导延申间隙层113的介质材料和大小不作限制。在一些实施例中，光导延申间隙层113的介质材料与光导115介质材料相同。在另一些实施例中，光导延申间隙层113的介质材料与光导115介质材料不同。在一些实施例中，光导延申间隙层113与挡光层109齐平。在另一些实施例中，光导延申间隙层113超过挡光层109。本申请也并不限制光导115的具体形状。在一些实施例中，随着光导115厚度的增加，光导115的径向尺寸保持不变。在另一些实施例中，随着光导115厚度的增加，光导115的径向尺寸逐渐增大。
请参阅图6至图7，图10至图11，图13至图14所示，在本发明一实施例中，在形成层间介质层108后，先蚀刻光电二极管102上的层间将介质层，形成第一沟槽111。此时，第一沟槽111的底部设置有预设厚度的层间介质层108，第一沟槽111具有第一深度。之后，蚀刻第一沟槽111底部靠近侧壁的层间介质层108，形成第二沟槽112，第二沟槽112的外侧壁与第一沟槽111的侧壁平滑连接。第二沟槽112呈环形设置，第二沟槽112的底部与衬底101接触。第二沟槽112具有第二深度。
请参阅图8、图10、图12以及图15所示，在本发明一实施例中，在形成第一沟槽111和第二沟槽112后，在第二沟槽112和第一沟槽111中沉积介质材料，在第二沟槽112中形成光导延申间隙层113，在第一沟槽111中形成光导115。其中，由于第二沟槽112具有较大的深宽比，在第二沟槽112中沉积介质材料，介质材料附着在第二沟槽112的底壁、侧壁以及顶部，形成光导延申间隙层113。而在第二沟槽112中，未被介质材料填充的部分形成挡光间隙114，形成的挡光间隙114位于光导延申间隙层113中。在本申请中，为在第二沟槽112中形成挡光间隙114，第二沟槽112的深宽比大于10:1，例如可以为11:1，12:1或13:1等。在另一些实施例中，在第二沟槽112中沉积完介质材料后，由于在第二沟槽112中沉积的介质材料与第一沟槽111中的不同，在第二沟槽112中沉积完介质材料后，先蚀刻掉多余的材料，再填充第一沟槽111。
请参阅图6至图8所示，在本发明一实施例中，光导延申间隙层113与挡光层109齐平，光导延申间隙层113的介质材料与光导115的介质材料相同。随着光导115厚度的增加，光导115的径向尺寸保持不变，光导115的截面呈矩形设置。此时，第一沟槽111的第一深度等于金属间介电层1082的厚度加挡光层109的厚度。第二沟槽112的第二深度等于层间介质层1081的厚度。第一沟槽111的一侧壁临近控制栅极107的边缘，第一沟槽111的另一侧壁临近隔离阱106的边缘。第二沟槽112的一外侧壁临近控制栅极107的边缘，第二沟槽112的另一外侧壁临近隔离阱106的边缘。在第一沟槽111中沉积的介质材料和在第二沟槽112中沉积的介质材料相同，例如为氮化硅。
请参阅图6、图7和图9所示，在本发明另一实施例中，光导延申间隙层113与挡光层109齐平，光导延申间隙层113介质材料的折射率小于光导115介质材料的折射率或者光导延申间隙层113介质材料为金属材质。随着光导115厚度的增加，光导115的径向尺寸保持不变。此时，第一沟槽111的第一深度等于金属间介电层1082的厚度加挡光层109的厚度。第二沟槽112的第二深度等于层间介质层1081的厚度。第一沟槽111的一侧壁临近控制栅极107的边缘，第一沟槽111的另一侧壁临近隔离阱106的边缘。第二沟槽112的一外侧壁临近控制栅极107的边缘，第二沟槽112的另一外侧壁临近隔离阱106的边缘。在第一沟槽111中沉积的介质材料和在第二沟槽112中沉积的介质材料不同，第一沟槽111中沉积的介质材料例如为氮化硅。在第二沟槽112中沉积的介质材料为金属介质材料或折射率低于第一沟槽111中沉积的介质材料。其中，金属介质材料可以为金属钨等介质材料。低折射率的介质材料和金属材料可有效的阻挡光导115底部侧面的漏光。
请参阅图10至12所示，在本发明又一实施例中，光导延申间隙层113超过挡光层109，光导延申间隙层113的介质材料与光导115的介质材料相同。随着光导115厚度的增加，光导115的径向尺寸保持不变。此时，第一沟槽111的第一深度小于金属间介电层1082的厚度。第二沟槽112的第二深度大于挡光层109的厚度加层间介质层1081的厚度。第一沟槽111的一侧壁临近控制栅极107的边缘，第一沟槽111的另一侧壁临近隔离阱106的边缘。第二沟槽112的一外侧壁临近控制栅极107的边缘，第二沟槽112的另一外侧壁临近隔离阱106的边缘。在第一沟槽111中沉积的介质材料和在第二沟槽112中沉积的介质材料相同，例如为氮化硅。此时，挡光间隙114的深度增加，对存储节点103的保护更加全面。
请参阅图15所示，在本发明再一实施例中，光导延申间隙层113与挡光层109齐平，光导延申间隙层113的介质材料与光导115的介质材料相同。随着光导115厚度的增加，光导115的径向尺寸逐渐增大。此时，第一沟槽111的第一深度等于金属间介电层1082的厚度加挡光层109的厚度。第二沟槽112的第二深度等于层间介质层1081的厚度。第一沟槽111的侧壁呈倾斜设置，随着第一沟槽111深度的增加，第一沟槽111的侧壁与光电二极管102的距离越来越小。且第一沟槽111的一侧壁的底部临近控制栅极107的边缘，第一沟槽111的另一侧壁的底部临近隔离阱106的边缘。第二沟槽112的一外侧壁临近控制栅极107的边缘，第二沟槽112的另一外侧壁临近隔离阱106的边缘。在第一沟槽111中沉积的介质材料和在第二沟槽112中沉积的介质材料相同，例如为氮化硅。由于随着光导115厚度的增加，光导115的径向尺寸逐渐增大，可进一步增加接收的光通量。光导115的截面例如呈倒置的等腰梯形设置。
综上所述，本发明提供的一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括衬底，设置在衬底中的光电二极管和存储节点，设置在衬底上的层间介质层。在层间介质层中，且位于存储节点上方，设置有挡光层。而在层间介质层中，且位于光电二极管的上，设置有光导。在衬底和光导之间，设置有光导延申间隙层，光导延申间隙层环绕光电二极管设置。在光导延申间隙层中，设置有挡光间隙，挡光间隙由光导延申间隙层靠近衬底的一侧延伸至靠近光导的一侧。通过本发明提供的图像传感器，可减小了光对存储节点的影响。
以上公开的本发明实施例只是用于帮助阐述本发明。实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (12)
1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：
衬底；
光电二极管，设置在所述衬底中；
层间介质层，设置在所述衬底上；
光导延申间隙层，设置在所述层间介质层中，所述光导延申间隙层环绕所述光电二极管设置，所述光导延申间隙层的一侧与所述衬底接触；
光导，设置在所述层间介质层中，所述光导与所述光导延申间隙层的另一侧连接，且所述光导在所述衬底上的正投影覆盖所述光电二极管；以及
挡光间隙，设置在光导延申间隙层中，由所述光导延申间隙层靠近所述衬底的一侧延伸至靠近所述光导的一侧。
2.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述光导延申间隙层的介质材料与所述光导的介质材料相同。
3.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述光导延申间隙层介质材料的折射率小于与所述光导介质材料的折射率。
4.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述光导延申间隙层介质材料为金属，所述光导的介质材料为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，随着所述光导厚度的增加，所述光导的径向尺寸保持不变。
6.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，随着所述光导厚度的增加，所述光导的径向尺寸逐渐增大。
7.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：
存储节点，所述存储节点设置在所述衬底中；
挡光层，所述挡光层设置在所述衬底上，且所述挡光层在衬底上的正投影覆盖所述存储节点。
8.根据权利要求7所述的一种图像传感器，其特征在于，所述光导延申间隙层的另一侧与所述挡光层齐平。
9.根据权利要求7所述的一种图像传感器，其特征在于，所述光导延申间隙层的另一侧超过所述挡光层。
10.根据权利要求7所述的一种图像传感器，其特征在于，所述层间介质层包括第一介质层和第二介质层，所述第一介质层设置在所述衬底上，所述挡光层设置在所述第一介质层上，所述第二介质层设置在所述挡光层和所述第一介质层上。
11.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底中形成光电二极管；
在所述衬底上形成层间介质层；
蚀刻所述层间介质层，形成第一沟槽，并蚀刻所述第一沟槽底部靠近侧壁的所述层间介质层，形成第二沟槽；
在所述第二沟槽中沉积介质材料，形成光导延申间隙层，所述第二沟槽中未被所述介质材料填充的部分形成挡光间隙，在所述第一沟槽中沉积介质材料，形成光导；
其中，所述光导延申间隙层环绕所述光电二极管设置，所述光导延申间隙层的一侧与所述衬底接触，所述挡光间隙由所述光导延申间隙层靠近所述衬底的一侧延伸至靠近所述光导的一侧；所述光导与所述光导延申间隙层的另一侧连接，且所述光导在所述衬底上的正投影覆盖所述光电二极管。
12.根据权利要求11所述的一种图像传感器的制造方法，其特征在于，所述第二沟槽的深宽比大于10：1。
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|---|---|---|---|
| CN202310497943.9A CN116845075A (zh) | 2023-05-04 | 2023-05-04 | 一种图像传感器及其制造方法 |
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Family Applications (1)
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2023
- 2023-05-04 CN CN202310497943.9A patent/CN116845075A/zh active Pending
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