CN116828890A - 发光装置及其制备方法 - Google Patents

Abstract

发光装置包含导电层设置于基板上；第一凸块座及第二凸块座设置于导电层上且彼此分离；第一电极层设置于第一凸块座、导电层及第二凸块座上，第一电极层包含位于第一凸块座的侧壁、第二凸块座的侧壁及第一凸块座及第二凸块座间的第一凹部；第一凸块设置于第一凸块座上及第一凹部中的一部分；第二凸块设置于第二凸块座上及第一凹部中的一部分的一部分；发光单元形成于第一凹部且位于第一凸块及第二凸块间；及凸透镜设置于发光单元上且与发光单元垂直对准，凸透镜具有底面及朝向发光单元的凸面，且底面与凸面间的夹角的范围为20°至50°。

Description

发光装置及其制备方法

技术领域

本揭露是关于一种发光装置及其制备方法，特别是关于一种包含凸块及凸透镜的发光装置及其制备方法。

背景技术

有机发光装置已经广泛使用于最高端的电子装置的显示器中。然而，由于现有技术的限制，发光装置的亮度受到限制。因此，对于显示器制造商而言，具有更高亮度的发光装置成为一个努力的目标。

发明内容

一种发光装置包含一基板、一第一导电层设置于该基板上、一第一凸块座设置于该第一导电层上、一第二凸块座设置于该第一导电层上且与该第一凸块座分离，及一第一电极层设置于该第一凸块座、该第一导电层及该第二凸块座上，该第一电极层包含位于第一凸块座的侧壁、第二凸块座的侧壁及该第一凸块座及该第二凸块座间的一第一凹部。该发光装置还包含一第一凸块设置于该第一凸块座上及该第一凹部中的至少一部分、一第二凸块设置于该第二凸块座上及该第一凹部中的至少一部分的至少一部分、一发光单元形成于该第一凹部且位于该第一凸块及第二凸块间，及一凸透镜设置于该发光单元上且与该发光单元垂直对准，该凸透镜具有一底面及一凸面，该凸面是朝向该发光单元凸起，且该底面与该凸面间具有一夹角，该夹角的范围为20°至50°

于某些实施方式中，该发光装置还包含一第三凸块座，设置于该第一导电层上且与该第一凸块座及该第二凸块座彼此分离；及一第二凹部，形成于该第二凸块座与该第三凸块座间，且该第二凸块填满该第二凹部。

于某些实施方式中，其中以俯视观看，该凸透镜与该第一凸块座的至少一部分及该第二凸块座的至少一部份重迭，且与该第二凹部分离。

于某些实施方式中，该发光装置还包含一覆盖层设置于第一凸块及第二凸块及发光单元上；及一填料层设置于该覆盖层与该凸透镜，其中该凸透镜具有第一折射率，该填料层具有第二折射率，该第一折射率与该第二折射率的差值是小于0.05。

于某些实施方式中，该覆盖层具有第三折射率，该第二折射率是大于该第一折射率，且该第一折射率是大于等于该第三折射率。

一种发光装置，包含一像素阵列、一第一凸透镜及一第二凸透镜。该像素阵列包括一第一像素、一第二像素间隔的设置于该第一像素旁边，以及一凹部位于该第一像素及该第二像素间；该第一凸透镜设置于该第一像素上且与该第一像素垂直对准；及该第二凸透镜设置于该第二像素上且与该第一凸透镜分离。该第一像素包括一第一凸块座；一与该第一凸块座分离的一第二凸块座；一第一凸块设置于该第一凸块座上并覆盖该第一凸块座的一上表面面及一侧壁的至少一部份；一第二凸块设置于与该第二凸块座上并覆盖该第二凸块座的一上表面及一侧壁的至少一部份，该第一凸块座的该侧壁与该第二凸块座的该侧壁相对设置；一电极层设置于该第一凸块与该第二凸块间；及一发光单元设置于该第一凸块及第二凸块间的该电极层上。其中该第二像素包括与该第二凸块座分离的一第三凸块座，该凹部是设置于该第二凸块座与该第三凸块座间，且该第二凸块填满该凹部并延伸至覆盖该第三凸块座。

于某些实施方式中，该电极层是延伸至该第一凸块与该第一凸块座的该侧壁间，以及延伸至该第二凸块与该第二凸块座的该侧壁间。

于某些实施方式中，该发光单元为椭圆形，且该第一凸透镜具有一底面及一凸面，该凸面是朝向该发光单元凸起，且该底面与该凸面间具有一夹角，该夹角的范围为20°至50°。

一种制备发光装置的方法，包含形成一第一导电层于一第一基板上；形成一介电层于该第一导电层上；形成一第二导电层于该介电层上；形成一第一电极层于该第二导电层上；图案化该第一电极层、第二导电层及该介电层，以形成暴露该第一导电层的一第一开口；形成一第二电极层于该第一开口及该第一电极层上，以形成与该第一开口共型的第一凹部，该第一凹部具有一第一侧壁及相对于该第一侧壁的第二侧壁，以及位于该第一侧壁及该第二侧壁间的一底部；形成一第一凸块于该第一凹部的该第一侧壁；形成一第二凸块于该第一凹部的该第二侧壁；形成一发光单元于该第一凹部的该底部以及该第一凸块及该第二凸块间；形成一凸透镜于一第二基板上；及将该凸透镜及该第二基板设置于该发光单元上，并使该凸透镜与该发光单元垂直对准。其中该凸透镜具有一底面及一凸面，该凸面是朝向该发光单元凸起，且该底面与该凸面间具有一夹角(θ)，该夹角的范围为20°至50°。

于某些实施方式中，制备发光装置的方法还包含形成一覆盖层于该凸透镜与该凸透镜间；及形成一填料层于该覆盖层与该凸透镜间，并与该凸透镜接触。其中，该凸透镜具有第一折射率，该填料层具有第二折射率，该覆盖层具有第三折射率，该第二折射率是大于该第一折射率，且该第一折射率是大于等于该第三折射率，且该第一折射率与该第二折射率的差值是小于0.05。

附图说明

为协助读者达到最佳理解效果，建议在阅读本揭示时同时参考附件图示及其详细说明。请注意为遵循业界标准做法，各种特征未依照比例绘制。事实上，为了清楚说明，各种特征的尺寸可能刻意放大或缩小。

图1为根据某些实施方式，一发光装置的俯视图。

图2为根据某些实施方式，一发光装置的剖面图。

图3为根据某些实施方式，一发光装置的俯视图。

图4为根据某些实施方式，一制备发光装置的方法的流程图。

图5至26的概要图式绘示根据本揭示内容某些实施方式的方法处于不同制造阶段的发光装置。

具体实施方式

以下揭示内容提供许多不同的实施例或范例，用于实施本申请案的不同特征。组件与配置的特定范例的描述如下，以简化本申请案的揭示内容。当然，这些仅为范例，并非用于限制本申请案。例如，以下描述在第二特征上或上方形成第一特征可包含形成直接接触的第一与第二特征的实施例，亦可包含在该第一与第二特征间形成其他特征的实施例，因而该第一与第二特征并非直接接触。此外，本申请案可在不同范例中重复组件符号与/或字母。此重复是为了简化与清楚的目的，而非支配不同实施例与/或所讨论架构间的关系。

再者，本申请案可使用空间对应语词，例如「下」、「间」、「低于」、「较低」、「高于」、「较高」等类似语词的简单说明，以描述图式中一组件或特征与另一组件或特征的关系。空间对应语词是用以包括除了图式中描述的位向以外，装置于使用或操作中的不同位向。装置或可被定位(旋转90度或是其他位向)，并且可相应解释本申请案使用的空间对应描述。

尽管本揭露的广泛范围揭露的数值范围与参数为近似值，但在具体实施例中阐述的数值尽可能地精确。然而，任何数值固有地包含须由个别测试测量中得到的标准偏差所导致的某些误差。再者，如本文该，「约」通常是指给定值或范围的10％、5％、1％、或0.5％以内。或者，用语「约」是指该技艺中具有通常技术者考虑的平均值的可接受的标准误差内。除了在操作/工作范例中，或是除非特别指明，否则本文所揭露例如材料的量、时间期间、温度、操作条件、量的比例、以及类似者的所有的数值范围、量、值与比例皆应被理解为在所有情况下都被用语「约」修饰。因此，除非有相反的说明，否则本揭露与申请专利范围该的数值参数皆为可视需要而变化的近似值。至少应根据报告的有效数字的数量且应用普通舍入技术来解释每个数值参数。在本文中，范围可表示为自一端点至另一端点，或是在两个端点间。除非特别说明，否则本文所揭露的所有范围包含端点。

图1为俯视图，例示发光装置100。发光装置100具有像素阵列，像素阵列包括多个像素，每一像素包括一发光单元350。像素阵列可例如但不限于包括第一像素及第二像素间隔的设置于第一像素旁边，每一像素分别包括一发光单元350，凹部361位于第一像素及第二像素间。以俯视观看，发光单元350可以是任何形状，可例如但不限于圆形、椭圆形、多边形等。

于某些实施方式中，发光装置100包括多个发光单元350以及位于发光单元350上方的覆盖层381、填料层382、氧化硅层383，及第二基板384。对于发光单元350，可设置于复数个凸块340间，例如设置于第一凸块341及第二凸块342间的第一凹部331，第一凹部331提供用于容纳发光单元350阵列的凹部阵列。为使发光装置100具有更佳的亮度，第二凸块342下设置有第二凹部361，且每一发光单元350上设置有凸透镜390。于某些实施方式中，多个第二凹部361形成凹部阵列用于反射发光单元350阵列所发出的光线。于某些实施方式中，复数个发光单元350被复数个凸块340分离。

于某些实施方式中，每一凸透镜350是对应每一发光单元350设置。于某些实施方式中，以俯视观看，第二凹部361与复数个凸透镜350错开。

图2为根据本揭示内容某些实施方式的发光装置的剖面图。图2为例示沿着图1中的线AA的剖面图并且仅说明该区域。发光装置具有数个凸块340，以定义发光像素图案。第一凹部331位在两个相邻凸块340间并且提供容纳发光像素的空间。

参见图2，发光装置100包含第一基板110及第一导电层310设置于第一基板110上。于某些实施方式中，第一基板110位在第一导电层310下方。于某些实施方式中，第一基板110可包含晶体管阵列，其配置对应于发光单元350。第一基板110可包含数个电容器。于某些实施方式中，超过一个晶体管经配置以与一电容器与一发光单元350形成电路。

于某些实施方式中，第一基板110包含基材111、介电层112，及一或多个电路设于基材111上。于某些实施方式中，基材111为透明基材，或基至少一部分是透明的。于某些实施方式中，基材111为非可挠式基材，且基材111的材料可包括玻璃、石英、低温多晶硅(lowtemperature poly-silicon，LTPS)或其他适当材料。于某些实施方式中，基材111为可挠式基材，且基材111的材料可包括透明环氧树脂、聚酰亚胺、聚氯乙烯、甲基丙烯酸甲酯或其他适当材料。介电层112可视需要而设于如图1所示的基材上110。于某些实施方式中，介电层112可包括氧化硅、硅氮化物、硅氧氮化物或其他适当材料。

于某些实施方式中，电路可包含CMOS电路，或是包含数个晶体管210及邻近晶体管的数个电容器220，其中晶体管210及电容器220形成于介电层112上。于某些实施方式中，晶体管210为薄膜晶体管(thin-film transistor，TFT)。每一晶体管210包括源极/漏极区域212(包含至少一源极区域及一漏极区域)、介于源极/漏极区域212间的通道区域213、设于通道区域213上方的栅极电极214以及介于通道区域213与门极电极214间的栅极绝缘体215。栅极电极214可由导电性材料制成，譬如金属、硅化物或金属合金。于某些实施方式中，栅极电极214可为一复合结构，其包含数个不同层，且这些不同层可透过施加蚀刻剂并显微镜下观察时而彼此区分。于某些实施方式中，栅极电极214和层间介电结构230的第一金属层同时形成。层间介电结构230设于电路或晶体管210上。层间介电结构230可包括数层的金属导线及介电材料，以供电性连接与绝缘。晶体管210的通道区域213可由半导体材料制成，譬如硅或选自第IV族或第III族及第V族的其他元素。于某些实施方式中，层间介电结构230具有约100nm至1000nm间的厚度。于某些实施方式中，层间介电结构230具有约200nm至500nm间的厚度。

于某些实施方式中，栅极绝缘体215覆盖晶体管210的通道区域213及源极/漏极区域212，且栅极绝缘体215设于相邻的电容器220及介电层112间。于某些实施方式中，在于介电层112上形成源极/漏极区域212及通道区域213后，形成栅极绝缘体215。源极/漏极区域212设于通道区域213的相对侧上以提供载流子。于某些实施方式中，电容器220设于晶体管210间。每一电容器220包括下电极221、上电极222及位于上电极222与下电极221间的绝缘层223。于某些实施方式中，下电极221和介电层112上的层间介电结构230的金属层同时形成。于某些实施方式中，在形成金属层后才于晶体管210上形成绝缘层223。于某些实施方式中，绝缘层223设于下电极221与晶体管210上并与其共形。上电极222设于层间介电结构230中的绝缘层223上。上电极222可包括钛、铝、铜、氮化钛、上述的组合，或其他适当材料。于某些实施方式中，上电极222和层间介电结构230的金属层同时形成。于某些实施方式中，在形成绝缘层223后，形成上电极222及上电极222和层间介电结构230的金属层。

于某些实施方式中，一连接结构240将晶体管210电性连接至电容器220。连接结构240包括复数个连接通路及复数个连接线。连接通路可连接至晶体管210的源极/漏极区域212、晶体管210的栅极电极214、和电容器220的下电极和/或上电极221及222连接至连接线，并于基材111上形成一集成电路。连接结构240可包括某些连接通路241，其一端连接至晶体管210的漏极区域212。连接结构240可包括某些连接通路242，其一端连接至晶体管210的源极区域212。连接结构240可包括某些连接通路243，其一端连接至电容器220的下电极221。连接结构240可包括某些连接线244，其一端分别连接至连接通路241。连接结构240可包括某些连接线(图未示)，其一端仅分别连接至连接通路242。连接结构240还可包括某些连接线245，其一端连接至连接通路242以及连接通路243。于某些实施方式中，在形成层间介电结构230的金属层(如，第三金属层)的同时形成上述连接线。连接结构240与一导电插塞246电连接。于某些实施方式中，导电插塞246电连接连接线244及/或连接通路241。

数据线(图中未绘示)设于连接结构240的连接线上方，以电性连接至源极/漏极区域212。

于发光装置100中，第一导电层310设于层间介电结构230及连接结构240上方的上方，其中第一导电层310的一部分电性连接至连接结构240。于某些实施方式中，第一导电层310具有如第一基板110的平坦表面，通过一导电插塞246与连接结构240(包含连接通路242、243及连接线245)而电性连接至晶体管210和/或电容器220。于某些实施方式中，第一导电层310是不连续的设置于第一基板110上。于某些实施方式中，第一导电层310被第二凹部361断开。

于某些实施方式中，第一导电层310包含Al。于某些实施方式中，第一导电层310的厚度范围为50nm至300nm。

于某些实施方式中，蚀刻停止层311设置于第一基板110与第一导电层310间。于某些实施方式中，一部分的蚀刻停止层311自第一导电层310暴露而与第二凸块341接触。于某些实施方式中，蚀刻停止层311包含蚀刻选择比与铝不相同的材料。于某些实施方式中，蚀刻停止层311包含Ti。于某些实施方式中，蚀刻停止层311的厚度范围为300nm至800nm。于某些实施方式中，蚀刻停止层311围绕导电插塞246。

于某些实施方式中，第一凸块座321及第二凸块座322分别设置于第一导电层310上且彼此分离。于某些实施方式中，由剖面视角观看，第一凸块座321的侧壁3212及下表面间夹有一半径角σ1，半径角σ1的范围为10度到90度。于某些实施方式中，由剖面视角观看，第一凸块座321为梯型。于某些实施方式中，第一凸块座321的侧壁3212为弧形表面。于某些实施方式中，第一凸块座321的侧壁3212为下凹的弧形表面。

于某些实施方式中，第一凸块座321包含至少三个不同层的堆叠。于某些实施方式中，第一凸块座321包含介电层324设置于第一导电层310上，第二导电层325设置于介电层324上，及第二电极层326设置于第二导电层325上。于某些实施方式中，介电层324包含介电材料。于某些实施方式中，介电层324包含SiN。于某些实施方式中，介电层324的厚度是小于第一导电层310的厚度，例如具有厚度范围为5nm至50nm。于某些实施方式中，第二导电层325包含铝。于某些实施方式中，第二导电层325的厚度是大于介电层324的厚度，例如具有厚度范围为50nm至300nm于某些实施方式中，第一导电层310的厚度是大于第二导电层325的厚度。于某些实施方式中，第二电极层326是透明的。于某些实施方式中，第二电极层326包含电极材料，例如但不限于氧化铟锡(ITO)、钼、或前述的一组合。于某些实施方式中，第二电极层326的厚度范围为5nm至50nm。

于某些实施方式中，由剖面视角观看，第二凸块座322的第一侧壁3222及下表面间夹有一半径角σ2，半径角σ2的范围为10度到90度。于某些实施方式中，由剖面视角观看，第二凸块座322为梯型。于某些实施方式中，第二凸块座322的第一侧壁3222为弧形表面。于某些实施方式中，第二凸块座322的第一侧壁3222为下凹的弧形表面。于某些实施方式中，第二凸块座322包含至少三个不同层的堆叠。于某些实施方式中，第二凸块座322包含介电层324设置于第一导电层310上，第二导电层325设置于介电层324上，及第二电极层326设置于第二导电层325上。于某些实施方式中，第二凸块座322包含与第一凸块座321相同的堆叠结构。于某些实施方式中，第二凸块座322与第一凸块座321的高度相同。于某些实施方式中，第二凸块座322与第一凸块座321的宽度可为相同或不同。

于发光装置100中，第一电极层330设置于第一凸块座321、第二凸块座322，及第一凸块座321与第二凸块座322间的第一导电层310上。于某些实施方式中，第一电极层330连续的设置于第一凸块座321、第一导电层310及第二凸块座322上。于某些实施方式中，第一电极层330与第一凸块座321、第一导电层310及第二凸块座322接触。于某些实施方式中，第一电极层330与第一凸块座321及第二凸块座322间的第一导电层310接触。于某些实施方式中，第一电极层330与第一凸块座321的侧壁3212及上表面3211接触。于某些实施方式中，第一电极层330与第二凸块座322的第一侧壁3222及上表面3221接触。

于某些实施方式中，第一电极层330是透明的。于某些实施方式中，第一电极层330包含电极材料，例如但不限于氧化铟锡(ITO)、钼、或前述的一组合。于某些实施方式中，第一电极层330的厚度范围为5nm至50nm。于某些实施方式中，第一电极层330的厚度与第二电极层326的厚度可为相同或不同。于某些实施方式中，第一电极层330的折射率与第二电极层326的折射率不同。于某些实施方式中，第一电极层330与第二电极层326包含不同晶相的电极材料，通过具有不同晶相及不同折射率的材料配置，使发光装置100的亮度增加。

于某些实施方式中，第一电极层330包含位于第一凸块座321及第二凸块座322间的第一凹部331。于某些实施方式中，第一凹部331位于第一凸块座321的侧壁3212，及第二凸块座322的第一侧壁3222。于某些实施方式中，第一凹部331具有第一侧壁332及相对于第一侧壁332的第二侧壁333，以及位于第一侧壁332及第二侧壁333间的底部334。于某些实施方式中，第一凹部331的第一侧壁332是设置于第一凸块座321的侧壁3212上，第一凹部331的第二侧壁333是设置于第二凸块座322的第一侧壁3222上。于某些实施方式中，第一凹部331的底部334是与第一导电层310接触。

于发光装置100中，第一凹部331的两相对侧壁332、333上分别设有第一凸块341及第二凸块342。第一凸块341及第二凸块342彼此分离。于某些实施方式中，第一凸块座321、第二凸块座322是用于使徒快340设置于其上。某些实施方式中，第一凸块341设置于第一凸块座321上并覆盖第一电极层330的第一凹部331的第一侧壁332的至少一部分。于某些实施方式中，第一凸块341覆盖第一凸块座321的上表面3211及侧壁3212。第一凸块341及第二凸块342分别具有从第一基板110突出的弯曲表面。于某些实施方式中，凸块340是作为图案定义层。于某些实施方式中，第一凸块341及第二凸块342间的区域经配置用于容置发光单元350。于某些实施方式中，第一凸块341及/或第二凸块342包含光敏材料。于某些实施方式中，第一凸块341及/或第二凸块342包含吸光材料。于某些实施方式中，第一凸块341及/或第二凸块342包含透光材料。于某些实施方式中，第一凸块341及/或第二凸块342不包含氟。于某些实施方式中，第一凸块341及第二凸块342包含相同材料。于某些实施方式中，第一凸块341的厚度T1(相当于第一凸块座321上的第一电极层330的上表面至第一凸块341的顶点的距离)范围为100nm至500nm。

于某些实施方式中，第二凸块342设置于第二凸块座322上并覆盖第二侧壁333的至少一部分。于某些实施方式中，第二凸块342覆盖第二凸块座322的上表面3221及侧壁3222。于某些实施方式中，第一电极层330设置于第一凸块341与第二凸块342间，并且延伸至第一凸块341与第一凸块座321的侧壁3212间，以及延伸至第二凸块342与第二凸块座322的第一侧壁3222间。于某些实施方式中，第二凸块342的厚度T2(相当于第二凸块座322上的第一电极层330的上表面至第二凸块342的顶点的距离)范围为100nm至500nm。

于发光装置100中，发光单元350形成于第一凹部331的底部334上且位于第一凸块341及第二凸块342间。于某些实施方式中，发光单元350与第一凹部331共型。于某些实施方式中，发光单元350与第一凸块341及第二凸块342接触。于某些实施方式中，发光单元350的上表面是高于第一凸块座321的上表面3211且低于第一凸块341的顶点。当发光单元350的上表面是低于第一凸块341的顶点，发光装置100较不易断线，且有利于发光单元350的侧向出光。

于某些实施方式中，发光单元350包含载流子注入层351。载流子注入层351设置于第一电极层330的第一凹部331的底面334的暴露表面上。载流子注入层351沿着底面334加衬(lining)。更具体而言，第一凸块341及第二凸块342间的区域经配置作为发光单元350的有效发光面积。于某些实施方式中，各个发光单元350具有个别的载流子注入层351。于某些实施方式中，载流子注入层351与第一电极层330的第一凹部331的底面334接触。于某些实施方式中，载流子注入层351与第一凸块341及第二凸块342接触。于某些实施方式中，载流子注入层351是用于空穴注入或电子注入。在一些实施例中，载流子注入层351包含有机材料。

于某些实施方式中，发光单元350包含载流子传输层352(或称第一型载流子传输层)。载流子注入层351设置在载流子传输层352下。于某些实施方式中，载流子传输层352沿着载流子注入层351加衬。各个发光单元具有个别的载流子传输层352。于某些实施方式中，载流子传输层352是用于空穴传输或电子传输。于某些实施方式中，载流子传输层352与载流子注入层351接触。于某些实施方式中，载流子传输层352与第一凸块341及第二凸块342接触。于某些实施方式中，载流子传输层352包含有机材料。

于某些实施方式中，发光单元350包含有机发光(emissive，EM)层353。于某些实施方式中，有机发光层353覆盖载流子传输层352。于某些实施方式中，有机发光层353沿着载流子传输层352加衬。于某些实施方式中，有机发光层263经配置以发光一颜色，例如红色、绿色或蓝色。于某些实施方式中，有机发光层263包含有机发光材料。

于某些实施方式中，发光单元350包含载流子传输层354(或称第二型载流子传输层)。于某些实施方式中，在有机发光层353上设置载流子传输层354(或称第二型载流子传输层)。于某些实施方式中，载流子传输层354可为空穴传输层或电子传输层。于某些实施方式中，载流子传输层354及载流子传输层352各自配置成相反的价态。于某些实施方式中，载流子传输层354包含有机材料。

于某些实施方式中，发光单元350包含第二电极355。于某些实施方式中，在有机载流子传输层354上设置第二电极355。于某些实施方式中，第二电极355延伸至第一凸块341及第二凸块342的侧表面。第二电极355可为金属材料，例如Ag、Mg等。于某些实施方式中，第二电极355包括ITO或IZO(氧化铟锌)。于某些实施方式中，各个发光单元350具有独立的第二电极355。于某些实施方式中，复数发光单元350共享共同的第二电极355。

发光装置100还包含第二凹部361，第二凹部361和第ㄧ凹部331彼此分离。于某些实施方式中，第二凹部361是用于使发光单元350所发出的光可以通过第二凹部361反射，使发光装置100的亮度增加。第二凹部361形成于第二凸块座322与第三凸块座323间，且第二凸块342填满第二凹部361。于某些实施方式中，第三凸块座323设置于第一导电层310上且与第一凸块座321及第二凸块座322彼此分离。于某些实施方式中，第二凸块座342位于第一凸块座341及第三凸块座343间。

于某些实施方式中，由剖面视角观看，第三凸块座322的侧壁3232及下表面间夹有一半径角σ3，半径角σ3的范围为10度到90度。于某些实施方式中，由剖面视角观看，第三凸块座323为梯型。于某些实施方式中，第三凸块座323的侧壁3232为弧形表面。于某些实施方式中，第三凸块座323的侧壁3232为下凹的弧形表面。于某些实施方式中，第三凸块座323包含至少三个不同层的堆叠。于某些实施方式中，第三凸块座323包含介电层324设置于第一导电层310上，第二导电层325设置于介电层324上，及第二电极层326设置于第二导电层325上。于某些实施方式中，第三凸块座323包含与第一凸块座321相同的堆叠结构。于某些实施方式中，第三凸块座323与第一凸块座321或第二凸块座322的高度相同。于某些实施方式中，第三凸块座323与第一凸块座321或第一凸块座322的宽度可为相同或不同。

于某些实施方式中，第一电极层330设置在第二凸块座322的上表面3221及第三凸块座323的上表面3231。于某些实施方式中，第一电极层330未设置在第二凹部361中。于某些实施方式中，第一电极层330不会与第二凸块座322的第二侧壁3223及第三凸块座323的侧壁3232接触。第二凸块座322的第一侧壁3222与第二侧壁3223分别位于第二凸块座322的相对的两侧。于某些实施方式中，第二凸块座322的第二侧壁3223为弧形表面。于某些实施方式中，第二凸块座322的第二侧壁3223为下凹的弧形表面。

于某些实施方式中，发光单元350所发出光包含侧向出光，光线通过第二凸块342后进入第二凹部362，再经由第二凸块座322的第二侧壁3223与第三凸块座323的侧壁3232反射后离开第二凹部361。于某些实施方式中，第二凹部361与第一凹部331间设有第二凸块座322。于某些实施方式中，第二凹部361与第一凹部331间设有还设有部分的第二凸块342。于某些实施方式中，第二凹部361与用于设置发光单元350的第一凹部331的距离并没有特别限制，只要第二凹部361可使发光单元350所发出的光通过第二凹部361反射，或是能使发光装置100的亮度增加。

于某些实施方式中，第二凹部361的深度大于第一凹部331。于某些实施方式中，第二凹部361延伸至第一导电层310间。于某些实施方式中，第二凹部361被第一电极层330、第二凸块座322、第三凸块座323及第一金属层310围绕。于某些实施方式中，第二凹部361的底部是蚀刻停止层311。

第二凸块342设置于第二凸块座322上以及第二凹部361中。于某些实施方式中，第二凸块342设置于第二凸块座322上及第三凸块座323上，以及第二凹部361中。于某些实施方式中，第二凸块342覆盖第二凸块座322的上表面3221及第一侧壁3222的至少一部份，第二凸块342还覆盖第二凸块座322的第二侧壁3223。于某些实施方式中，第二凸块342与第二凸块座322的上表面3221、第一侧壁3222的至少一部份接触，第二凸块342还与第二凸块座322的第二侧壁3223接触。于某些实施方式中，第二凸块342与第三凸块座323的上表面3231及侧壁3232接触。于某些实施方式中，第二凸块342深入第二凹361并与蚀刻停止层311接触。

于某些实施方式中，发光装置100还包含第三导电层370设置于发光单元350上。于某些实施方式中，第三导电层370设置于第二电极355上。于某些实施方式中，第三导电层370设置于第一凸块341、第二凸块342及发光单元350上。于某些实施方式中，第三导电层370与发光单元350、第一凸块341及第二凸块342共型。于某些实施方式中，第三导电层370包含Ag、Mg及其组合。于某些实施方式中，第三导电层370与第二电极355包含不同晶相的材料，通过具有不同晶相及不同折射率的材料配置，使发光装置200的亮度增加。于某些实施方式中，第三导电层370包含多层结构，可例如但不限于Ag层(图未示)及Mg层(图未示)的组合。第三导电层370的厚度范围为至/>

于某些实施方式中，发光装置100还包含一覆盖层381设置于第一凸块341及第二凸块342及发光单元350上。于某些实施方式中，覆盖层381包含有机材料。于某些实施方式中，覆盖层381的穿透率大于99％。于某些实施方式中，覆盖层381的上表面是平坦的。

于某些实施方式中，还包含一填料层382设置于覆盖层381上。于某些实施方式中，覆盖层381位于发光单元350与填料层382间。于某些实施方式中，填料层382包含树脂材料。于某些实施方式中，填料层382的穿透率大于99％。

于某些实施方式中，凸透镜390设置于发光单元350上且与发光单元350垂直对准，使发光单元350发出的光可以通过凸透镜390。于某些实施方式中，凸透镜390具有底面391及凸面392，凸面392是自底面391朝向发光单元350凸起，且被填料层382围绕。于某些实施方式中，凸透镜390的底面391与填料层382的上表面共平面。

于某些实施方式中，以俯视观看，凸透镜390与第一凸块座321的至少一部分及第二凸块座322的至少一部份重迭。于某些实施方式中，以俯视观看，凸透镜390与第一凸块座321的侧壁3212的至少一部分及第二凸块座322的第一侧壁3222的至少一部份重迭。于某些实施方式中，以俯视观看，凸透镜390与第二凸块座322的上表面3221的至少一部份重迭。于某些实施方式中，以俯视观看，凸透镜390且与第二凹部361分离，第二凹部361上方没有设置凸透镜390。

于某些实施方式中，凸透镜390的底面391与凸面392间具有夹角θ，夹角θ的范围为20°至50°。当夹角大于50°，凸透镜390的厚度增加导致发光装置100整体的厚度较大，且凸透镜390容易反射发光单元发出的光，导致发光装置中有杂散光且发光装置的亮度渐弱。当夹角小于20°，凸透镜的折射光线的效果不佳。于某些实施方式中，夹角θ的范围为20°至40°。于某些实施方式中，凸透镜390包含有机材料。

于某些实施方式中，一凸透镜390与另一凸透镜390间隔的设置，每一凸透镜390分别对应不同的发光单元350。于某些实施方式中，至少一部分的填料层382位于相邻的凸透镜390间。于某些实施方式中，以俯视观看，第二凹部361位于一凸透镜390与另一凸透镜390间。

于某些实施方式中，凸透镜390具有第一折射率，填料层382具有第二折射率，覆盖层381具有第三折射率。于某些实施方式中，第二折射率与第一折射率的差值是小于0.05。于某些实施方式中，第二折射率是大于第一折射率，且第一折射率是大于等于第三折射率。于某些实施方式中，第一折射率与第三折射率的差值是小于等于0.08。于某些实施方式中，第一折射率范围为1.45至1.55。于某些实施方式中，第二折射率范围为1.51至1.6。于某些实施方式中，第三折射率范围为1.45至1.55。

于某些实施方式中，发光装置100还包含氧化硅层383设置于填料层382及凸透镜390上，以及第二基板384设置于氧化硅层383上。于某些实施方式中，氧化硅层383会与凸透镜的底面392与填料层382接触。于某些实施方式中，氧化硅层383包含二氧化硅。于某些实施方式中，氧化硅层383具有第四折射率。于某些实施方式中，第二折射率是大于第四折射率。于某些实施方式中，第四折射率是等于该第一折射率。于某些实施方式中，第二基板384是透明基板，可例如但不限于包括玻璃。

图3为俯视图，例示发光装置200。发光装置200具有像素阵列，像素阵列包括多个像素，每一像素包括一发光单元350。像素阵列可例如但不限于包括第一像素201及第二像素202间隔的设置于第一像素201旁边。于某些实施方式中，像素阵列可例如但不限于包括多个第一像素201、多个第二像素202及多个第三像素203用以显示不同色彩。每一第一像素201包括发光单元350G及凸透镜390G，每一第二像素202包括发光单元350R及凸透镜390R，每一第三像素203包括发光单元350B及凸透镜390B。发光单元350G、发光单元350R、发光单元350B可分别用以发出第一色彩的光、第二色彩的光及第三色彩的光。譬如，发光单元350G可用以显示绿色、发光单元350R可用以显示红色，且发光单元350B可用以显示蓝色。

于某些实施方式中，像素阵列的排列包括，从左至右，第二像素202、第一像素201接着是第三像素203，但不限于此。于某些实施方式中，多个第一像素201彼此分散，多个第三像素203彼此聚集，第二像素202的设置则没有特别限制。亦可根据设计或其他考虑改变各种像素的排置。再者，虽然图3绘示的发光单元350G、发光单元350R、发光单元350B的形状是椭圆形，也可采用其他形状。此外，像素的种类的数目可以是，但不限于，三种像素；可改变像素的数目，且可使用其他适当种类的像素来显示不同色彩，如黄色、白色或其他颜色。

于某些实施方式中，发光单元350G、发光单元350R、发光单元350B的形状是椭圆形，分别具有长轴D1及短轴D2，长轴D1的范围为3.4-4μm，短轴D2的范围为2.5-3.1μm。于某些实施方式中，发光单元350G、发光单元350R、发光单元350B的长轴D1分别为3.7μm，短轴D2分别为3.7μm。于某些实施方式中，凸透镜390G、凸透镜390R及凸透镜390B的形状是圆形或椭圆形，也可采用其他形状。凸透镜390G、凸透镜390R及凸透镜390B的尺寸及形状可为相同或不同。

于某些实施方式中，凸透镜390G具有长轴D3及短轴D4，长轴D3的范围为4.7-5.3μm，短轴D4的范围为4.1-4.7μm。于某些实施方式中，凸透镜390G的长轴D3为5.0μm，短轴D4为4.4μm。于某些实施方式中，凸透镜390R具有长轴D5及短轴D6，长轴D5的范围为4.5-5.1μm，短轴D6的范围为4.1-4.7μm。于某些实施方式中，凸透镜390R的长轴D5为4.8μm，短轴D6为4.4μm。于某些实施方式中，凸透镜390B具有长轴D7及短轴D8，长轴D7的范围为4.6-5.1μm，短轴D8的范围为4.0-4.7μm。于某些实施方式中，凸透镜390B的长轴D7为4.8μm，短轴D8为4.3μm。

于某些实施方式中，相邻的像素间的距离D9，例如但不限于第一像素201与第二像素202间的距离D9、第二像素202与第三像素203间的距离D9，或第一像素201与第三像素203间的距离D9，可为相同或不同。距离D9的范围为0.5-1.1μm。于某些实施方式中，相邻的像素间的距离D9为0.8μm。

为了进一步说明本揭示内容，图4为根据某些实施方式制备发光装置的方法400的流程图。制备发光装置如发光装置100的方法400包括以下步骤：401形成第一导电层于第一基板上；402形成介电层于第一导电层上；403形成第二导电层于介电层上；404形成第二电极层于第二导电层上；405图案化第二电极层、第二导电层及介电层，以形成暴露第一导电层的第一开口；406形成第一电极层于第一开口及第二电极层上，以形成与第一开口共型的第一凹部，第一凹部具有一第一侧壁及相对于第一侧壁的第二侧壁，以及位于第一侧壁及第二侧壁间的一底部；407形成第一凸块于第一凹部的第一侧壁；408形成第二凸块于第一凹部的第二侧壁；409形成发光单元于第一凹部的底部以及第一凸块及第二凸块间；410形成凸透镜于第二基板上；以及411将凸透镜及第二基板设置于发光单元上，并使凸透镜与发光单元垂直对准。应注意到，图4所示的流程图仅为说明的目的，其本意并非将所述步骤限定于特定顺序。根据不同实施方式，可安排步骤401至411的不同顺序。

参照图5至26，图5至26绘示根据本揭示内容某些实施方式，用以制备发光装置的方法。图5至26为图1中沿AA线段的剖面图。

步骤401包括形成第一导电层310于一第一基板110上。如图5所示，第一基板110可包括基材111、介电层112、晶体管210、电容器220、层间介电结构230、连接结构240、介电层310及平面层320，上述组件类似上文发光装置100所述，故此处不再赘述。如图6所示，第一导电层310形成于第一基板110上。于某些实施方式中，利用沉积技术来形成第一导电层310于第一基板110的顶部表面，例如但不限于原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)、物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)、溅射(sputtering)、电镀(plating)、激光热成像(Laser InducedThermal Imaging，LITI)、喷墨打印(inkjet printing)、阴影屏蔽(shadow mask)或湿式涂布(wet coating)等沉积技术。于某些实施方式中，方法400还包含形成一蚀刻停止层311于第一基板110与第一导电层310间以及形成被蚀刻停止层311围绕且电连接第一导电层310及第一基板110的导电插塞246。于某些实施方式中，利用沉积技术来形成蚀刻停止层311于第一基板110的顶部表面。

如图7所示，步骤402包括形成一介电层324于第一导电层310上，步骤403包括形成第二导电层325于介电层324上，步骤404包括形成第二电极层326于第二导电层325上。于某些实施方式中，利用沉积技术形成介电层324于第一导电层310的顶部表面。于某些实施方式中，利用沉积技术形成第二导电层325于介电层324的顶部表面。于某些实施方式中，利用沉积技术形成第二电极层326于第二导电层325的顶部表面。于某些实施方式中，形成第一凸块座321、第二凸块座322及第三凸块座323包括形成依序堆叠于第一导电层310上的介电层324、第二导电层325及第二电极层326。

如图8至12所示，步骤405包括图案化第二电极层326、第二导电层325及介电层324，以形成暴露第一导电层326的第一开口502。于某些实施方式中，如图8所示，形成一光敏(photoresist)层501于第二电极层326上方。于某些实施方式中，涂布光敏层501于第二电极层326的顶部表面。于某些实施方式中，透过旋涂或喷涂法来设置光敏层501。于某些实施方式中，光敏层501可包含正光阻或负光阻。于某些实施方式中，光敏层501可包含有机材料及无机材料。于某些实施方式中，有机材料可包含，例如，酚甲醛树脂、环氧树脂、醚类、胺类、橡胶、丙烯酸、丙烯酸树脂、丙烯酸环氧树脂、丙烯酸三聚氰胺。于某些实施方式中，无机材料可包含，例如，金属氧化物与硅化物。于某些实施方式中，光敏层501可包含由一材料组成的一层。于某些实施方式中，光敏层501可包含由数种不同材料组成的数层，譬如一有机材料层堆叠于一无机材料层上。

于某些实施方式中，进一步利用蚀刻制程将光敏层501图样化使光敏层501的一部分被移除，而留下的部分光敏层501用于定位如图2所示的第一凸块座321及第二凸块座322，并使光敏层501被移除的部分在后续的步骤中用于设置如图2所示的发光单元350。于某些实施方式中，留下的部分光敏层501还用于定位如图2所示的第三凸块座323，光敏层501被移除的部分还用于在后续的步骤中形成如图2所示的第二凹部361。于某些实施例中，光敏层501的图样经设计以供形成阵列排列的第一凸块座321及第二凸块座322。

于某些实施方式中，如图9所示，通过干式蚀刻进行图案化，使光敏层501图样化，使光敏层501的一部分、第二电极层326的一部分及第二导电层325的一部分被移除，而形成第一凹槽502及第二凹槽503。于某些实施方式中，由剖面视角观看，光敏层501的侧壁及下表面间夹有一半径角σ4，半径角σ4的范围为60度到90度。于某些实施方式中，由剖面视角观看，第一凹槽502及第二凹槽503分别为U型。于某些实施方式中，由剖面视角观看，第二导电层325的侧壁及下表面间夹有一半径角σ5，半径角σ5的范围为10度到90度。

于某些实施方式中，如图10所示，通过湿式蚀刻进行图案化，使光敏层501图样化使光敏层501的一部分、第二电极层326的一部分及第二导电层325的一部分被移除，而形成第一凹槽502及第二凹槽503。于某些实施方式中，图案化第二电极层326及第二导电层325会发生钻蚀(undercut)(图未示)。于某些实施方式中，由剖面视角观看，光敏层501的侧壁及下表面间夹有一半径角σ6，半径角σ6的范围为45度到90度。于某些实施方式中，由剖面视角观看，半径角σ6的范围为55度到80度。于某些实施方式中，由剖面视角观看，第二导电层325的侧壁及下表面间夹有一半径角σ7，半径角σ7的范围为10度到90度。于某些实施方式中，干式蚀刻制程形成的半径角σ5大于湿式蚀刻制程形成的半径角σ7。

于某些实施方式中，如图11所示，进一步利用蚀刻制程将介电层324的一部分被移除，而留下的第二电极层326、第二导电层325及介电层324形成彼此分离的第一凸块座321及第二凸块座322，并形成第一凸块座321及第二凸块座322间的第一开口504。于某些实施方式中，一部分的第一导电层310自第一凸块座321及第二凸块座322间暴露。于某些实施方式中，利用干式蚀刻制程将介电层324的一部分被移除。于某些实施方式中，由剖面视角观看，在第一凸块座321的侧壁3212及下表面间形成半径角σ1，半径角σ1的范围为10度到90度。于某些实施方式中，由剖面视角观看，在第二凸块座322的侧壁3222及下表面间形成半径角σ2，半径角σ2的范围为10度到90度。

于某些实施方式中，经图案化的第二电极层326、第二导电层325及介电层324还形成与第二凸块座322分离的第三凸块座323，并形成第二凸块座322及第三凸块座323间的第二开口505。第一开口504与第二开口505彼此分离。于某些实施方式中，第一开口504与第二开口505同时形成。于某些实施方式中，一部分的第一导电层310自第三凸块座323及第二凸块座322间暴露。于某些实施方式中，由剖面视角观看，在第三凸块座323的侧壁3232及下表面间形成半径角σ3，半径角σ3的范围为10度到90度。于某些实施方式中，于第一导电层310上形成彼此分离的第一凸块座321、第二凸块座322及第三凸块座323。

于某些实施方式中，如图12所示，去除光敏层501。于某些实施方式中，去除光敏层501后，露出第一凸块座321的上表面3211、第二凸块座322的上表面3221及第三凸块座323的上表面3231。于某些实施方式中，第一开口504与第二开口505具有相同的深度。

如图13所示，步骤406包括形成第一电极层330于第一开口504及第二电极层326上，以形成与第一开口504共型的第一凹部331。第一凹部331具有一第一侧壁332及相对于第一侧壁332的第二侧壁333，以及位于第一侧壁332及第二侧壁333间的底部334。于某些实施方式中，第一电极层330还形成于第二开口505。于某些实施方式中，进行共形沉积以形成第一电极层330于第一开口504、第一凸块座321的上表面3211及侧面3212，以及第二凸块座322的上表面3221及第一侧面3221及第二侧面3223。

于某些实施方式中，方法400还包含将第一电极层330共形沉积于第二开口505及第三凸块座323的上表面3231及侧面3232。于某些实施方式中，第一电极层330具有形成于第二开口505及第三凸块座323间凹部360，凹部360与第二开口505共型。于某些实施方式中，连续的将第一电极层330形成于第一开口504、第二开口505、第一凸块座321、第二凸块座322及第三凸块座323上。

于某些实施方式中，如图14至16所示，方法400还包含移除位于第二开口505的第一电极层330。于某些实施方式中，移除第一电极层330的凹部360。于某些实施方式中，如图14所示，形成一光敏层510于第一电极层330上方，并移除位于凹部360中的光敏层510。于某些实施方式中，涂布光敏层510于第一电极层330的顶部表面以及第一凹部331及凹部360中，并图案化光敏层510，使第一电极层330的凹部360自光敏层510露出。于某些实施方式中，透过旋涂或喷涂法来设置光敏层510。于某些实施方式中，光敏层510可包含正光阻或负光阻。于某些实施方式中，利用蚀刻制程将光敏层510图样化使光敏层510的一部分被移除，而光敏层510被移除的部分在后续的步骤中用于形成如图2所示的第二凹部361。

于某些实施方式中，如图15所示，通过蚀刻制程进行图案化，移除自光敏层510暴露的第一电极层330，而形成凹槽511。于某些实施方式中，通过湿式蚀刻进行图案化，移除第一电极层330的凹部360后，形成凹槽511。

于某些实施方式中，如图16所示，移除光敏层510，露出第二凸块座322的第二侧壁3223及第三凸块座323的侧壁3232，以及部分第一金属层310。于某些实施方式中，凹槽511的周围包括第一电极层330、第二凸块座322、第三凸块座323及第一金属层310。

于某些实施方式中，如图17至18所示，方法400还包括图案化自凹槽511暴露的第一导电层310，以形成第二凹部361。于某些实施方式中，如图17所示，形成一光敏层520于第一电极层330上方，并移除位于凹槽511中第一电极层330上方的光敏层520。于某些实施方式中，光敏层520与第二凸块座322的第二侧壁3223及第三凸块座323的侧壁3232接触。于某些实施方式中，涂布光敏层510于第一电极层330的顶部表面以及第一凹部331及凹槽511中，并图案化光敏层520，使凹槽511中第一电极层330自光敏层520露出，再将位于凹槽511中第一导电层310移除。于某些实施方式中，透过旋涂或喷涂法来设置光敏层520。于某些实施方式中，光敏层520可包含正光阻或负光阻。

于某些实施方式中，通过干式蚀刻进行图案化，移除自凹槽511暴露的第一导电层310。于某些实施方式中，图案化第一导电层310使第二凹部361的深度大于第一凹部331的深度。于某些实施方式中，图案化第一导电层310使蚀刻停止层311自第二凹部361暴露。

于某些实施方式中，如图18所示，移除光敏层520，形成第二凹部361。于某些实施方式中，移除光敏层520后，露出第二凸块座322的第二侧壁3223及第三凸块座323的侧壁3232、部分第一金属层310，及部分的蚀刻停止层311。

如图19所示，步骤407包括形成第一凸块341于第一凹部331的第一侧壁332，步骤408包括形成第二凸块342于第一凹部331的第二侧壁333。于某些实施方式中，第一凸块341及第二凸块342同时形成。于某些实施方式中，第一凹部331的底部334自第一凸块341及第二凸块342间暴露。于某些实施方式中，第二凸块342还形成于第二凹部361中以及第三凸块323上。于某些实施方式中，第二凸块342填满第二凹部361。

如图20所示，步骤409包括形成发光单元350于第一电极层330的第一凹部331的底部334以及第一凸块341及第二凸块342间。于某些实施方式中，共形沉积以形成发光单元350。于某些实施方式中，发光单元350与第一电极层330、第一凸块341及第二凸块342接触。于某些实施方式中，于底部334上依序形成载流子注入层351、载流子传输层352、有机发光层353、载流子传输层354及第二电极355。

于某些实施方式中，如图21所示，方法400还包括形成覆盖层380于第一凸块341及第二凸块342及发光单元350上。于某些实施方式中，利用沉积技术形成覆盖层380。于某些实施方式中，平坦化覆盖层380的上表面。

于某些实施方式中，如图22-24所示，步骤410包括形成凸透镜390于第二基板384上。于某些实施方式中，多个凸透镜390形成于第二基板384上。多个凸透镜390彼此间隔的设置。于某些实施方式中，如图22所示，形成氧化硅层383于第二基板384，以及形成透镜材料层393于氧化硅层383上。于某些实施方式中，涂布透镜材料于氧化硅层383上以形成透镜材料层393，透镜材料包含有机材料，可例如但不限于市售产品SU8。于某些实施方式中，如图23所示，图案化透镜材料层393，使透镜材料层393的一部分被移除。于某些实施方式中，将透镜材料层393对应第二凹部361的部分移除。于某些实施方式中，经图案化的透镜材料层393是包含对应发光单元350的位置。于某些实施方式中，如图24所示，使透镜材料层393形成凸透镜390。于某些实施方式中，使透镜材料层393形成具有底面391及凸面392的凸透镜390，底面与凸面间具有夹角θ，夹角的范围为20°至50°。于某些实施方式中，使经图案化的透镜材料层393进行光酸(photoacid)反应及热回流，以形成凸透镜390。

于某些实施方式中，如图25所示，方法400还包括形成填料层382于覆盖层381上。于某些实施方式中，利用沉积技术或涂布方法形成填料层382于覆盖层381上。于某些实施方式中，形成于覆盖层381上的填料层382是尚未完全固化的。

于某些实施方式中，如图26所示，步骤411包括将凸透镜390及第二基板384设置于发光单元350上，并使凸透镜390与发光单元350垂直对准。于某些实施方式中，翻转第二基板384，使凸透镜390的凸面392是自底面391朝向发光单元350凸起后，将第二基板下的凸透镜390与所对应的发光单元350垂直对准，使凸透镜390与填料层382彼此接近，直到凸面392完全与填料层382接触。于某些实施方式中，在填料层382围绕凸透镜390的凸面392后，固化填料层382。于某些实施方式中，填料层382是与凸透镜390的凸面392及氧化硅层383接触。于某些实施方式中，方法400制得如图2所示的发光装置100。

因此，本揭示内容的一种实施方式提供一种发光装置，包含一基板；一第一导电层设置于该基板上；一第一凸块座设置于该第一导电层上；一第二凸块座设置于该第一导电层上且与该第一凸块座分离；一第一电极层设置于该第一凸块座、该第一导电层及该第二凸块座上，该第一电极层包含位于第一凸块座的侧壁、第二凸块座的侧壁及该第一凸块座及该第二凸块座间的一第一凹部；一第一凸块设置于该第一凸块座上及该第一凹部中的至少一部分；一第二凸块设置于该第二凸块座上及该第一凹部中的至少一部分的至少一部分；一发光单元形成于该第一凹部且位于该第一凸块及第二凸块间；及一凸透镜设置于该发光单元上且与该发光单元垂直对准，该凸透镜具有一底面及一凸面，该凸面是朝向该发光单元凸起，且该底面与该凸面间具有一夹角，该夹角的范围为20°至50°。

本揭示内容的一种实施方式提供一种发光装置，包含一像素阵列包括一第一像素、一第二像素间隔的设置于该第一像素旁边，以及一凹部位于该第一像素及该第二像素间；一第一凸透镜设置于该第一像素上且与该第一像素垂直对准；及一第二凸透镜设置于该第二像素上且与该第一凸透镜(390a)分离。其中该第一像素包括一第一凸块座；一与该第一凸块座分离的一第二凸块座；一第一凸块设置于该第一凸块座上并覆盖该第一凸块座的一上表面面及一侧壁的至少一部份；一第二凸块设置于与该第二凸块座上并覆盖该第二凸块座的一上表面及一侧壁的至少一部份，该第一凸块座的该侧壁与该第二凸块座的该侧壁相对设置；一电极层设置于该第一凸块与该第二凸块间；及一发光单元设置于该第一凸块及第二凸块间的该电极层上。其中该第二像素包括与该第二凸块座分离的一第三凸块座，该凹部是设置于该第二凸块座与该第三凸块座间，且该第二凸块填满该凹部并延伸至覆盖该第三凸块座。

本揭示内容的一种实施方式提供一种制备发光装置的方法，包含形成一第一导电层于一第一基板上；形成一介电层于该第一导电层上；形成一第二导电层于该介电层上；形成一第一电极层于该第二导电层上；图案化该第一电极层、第二导电层及该介电层，以形成暴露该第一导电层的一第一开口；形成一第二电极层于该第一开口及该第一电极层上，以形成与该第一开口共型的第一凹部，该第一凹部具有一第一侧壁及相对于该第一侧壁的第二侧壁，以及位于该第一侧壁及该第二侧壁间的一底部；形成一第一凸块于该第一凹部的该第一侧壁；形成一第二凸块于该第一凹部的该第二侧壁；形成一发光单元于该第一凹部的该底部以及该第一凸块及该第二凸块间；形成一凸透镜于一第二基板上；及将该凸透镜及该第二基板设置于该发光单元上，并使该凸透镜与该发光单元垂直对准，其中该凸透镜具有一底面及一凸面，该凸面是朝向该发光单元凸起，且该底面与该凸面间具有一夹角，该夹角的范围为20°至50°。

前述内容概述一些实施方式的特征，因而熟知此技艺的人士可更加理解本揭露的各方面。熟知此技艺的人士应理解可轻易使用本揭露作为基础，用于设计或修饰其他制程与结构而实现与本申请案所述的实施例具有相同目的与/或达到相同优点。熟知此技艺的人士亦应理解此均等架构并不脱离本揭露揭示内容的精神与范围，并且熟知此技艺的人士可进行各种变化、取代与替换，而不脱离本揭露的精神与范围。

Claims (10)

1.一种发光装置，包含：

一基板；

一第一导电层设置于该基板上；

一第一凸块座设置于该第一导电层上；

一第二凸块座设置于该第一导电层上且与该第一凸块座分离；

一第一电极层设置于该第一凸块座、该第一导电层及该第二凸块座上，该第一电极层包含位于第一凸块座的侧壁、第二凸块座的侧壁及该第一凸块座及该第二凸块座间的一第一凹部；

一第一凸块设置于该第一凸块座上及该第一凹部中的至少一部分；

一第二凸块设置于该第二凸块座上及该第一凹部中的至少一部分的至少一部分；

一发光单元形成于该第一凹部且位于该第一凸块及第二凸块间；及

一凸透镜设置于该发光单元上且与该发光单元垂直对准，该凸透镜具有一底面及一凸面，该凸面是朝向该发光单元凸起，且该底面与该凸面间具有一夹角，该夹角的范围为20°至50°。

2.如权利要求1所述的发光装置，还包含：

一第三凸块座，设置于该第一导电层上且与该第一凸块座及该第二凸块座彼此分离；及

一第二凹部，形成于该第二凸块座与该第三凸块座间，且该第二凸块填满该第二凹部。

3.如权利要求2所述的发光装置，其中以俯视观看，该凸透镜与该第一凸块座的至少一部分及该第二凸块座的至少一部份重迭，且与该第二凹部分离。

4.如权利要求1所述的发光装置，还包含：

一覆盖层设置于第一凸块及第二凸块及发光单元上；及

一填料层设置于该覆盖层与该凸透镜间，

其中该凸透镜具有第一折射率，该填料层具有第二折射率，该第二折射率与该第一折射率的差值是小于0.05。

5.如权利要求4所述的发光装置，其中该覆盖层具有第三折射率，该第二折射率是大于该第一折射率，且该第一折射率是大于等于该第三折射率。

6.一种发光装置，包含：

一像素阵列包括一第一像素、一第二像素间隔的设置于该第一像素旁边，以及一凹部位于该第一像素及该第二像素间；

一第一凸透镜设置于该第一像素上且与该第一像素垂直对准；及

一第二凸透镜设置于该第二像素上且与该第一凸透镜分离，

其中该第一像素包括：

一第一凸块座；

一与该第一凸块座分离的一第二凸块座；

一第一凸块设置于该第一凸块座上并覆盖该第一凸块座的一上表面面及一侧壁的至少一部份；

一第二凸块设置于与该第二凸块座上并覆盖该第二凸块座的一上表面及一侧壁的至少一部份，该第一凸块座的该侧壁与该第二凸块座的该侧壁相对设置；

一电极层设置于该第一凸块与该第二凸块间；及

一发光单元设置于该第一凸块及第二凸块间的该电极层上，

其中该第二像素包括与该第二凸块座分离的一第三凸块座，该凹部是设置于该第二凸块座与该第三凸块座间，且该第二凸块填满该凹部并延伸至覆盖该第三凸块座。

7.如权利要求6所述的发光装置，其中该电极层是延伸至该第一凸块与该第一凸块座的该侧壁间，以及延伸至该第二凸块与该第二凸块座的该侧壁间。

8.如权利要求6所述的发光装置，其中该发光单元为椭圆形，且该第一凸透镜具有一底面及一凸面，该凸面是朝向该发光单元凸起，且该底面与该凸面间具有一夹角，该夹角的范围为20°至50°。

9.一种制备发光装置的方法，包含：

形成一第一导电层于一第一基板上；

形成一介电层于该第一导电层上；

形成一第二导电层于该介电层上；

形成一第一电极层于该第二导电层上；

图案化该第一电极层、第二导电层及该介电层，以形成暴露该第一导电层的一第一开口；

形成一第二电极层于该第一开口及该第一电极层上，以形成与该第一开口共型的第一凹部，该第一凹部具有一第一侧壁及相对于该第一侧壁的第二侧壁，以及位于该第一侧壁及该第二侧壁间的一底部；

形成一第一凸块于该第一凹部的该第一侧壁；

形成一第二凸块于该第一凹部的该第二侧壁；

形成一发光单元于该第一凹部的该底部以及该第一凸块及该第二凸块间；

形成一凸透镜于一第二基板上；及

将该凸透镜及该第二基板设置于该发光单元上，并使该凸透镜与该发光单元垂直对准，

其中该凸透镜具有一底面及一凸面，该凸面是朝向该发光单元凸起，且该底面与该凸面间具有一夹角，该夹角的范围为20°至50°。

10.如权利要求9所述的制备发光装置的方法，还包含：

形成一覆盖层于该凸透镜与该凸透镜间；及

形成一填料层于该覆盖层与该凸透镜间，并与该凸透镜接触，

其中，该凸透镜具有第一折射率，该填料层具有第二折射率，该覆盖层具有第三折射率，该第二折射率是大于该第一折射率，且该第一折射率是大于等于该第三折射率，且该第一折射率与该第二折射率的差值是小于0.05。