CN116825886A - 一种改善晶体硅电池金属化性能的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及太阳电池技术领域，公开一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，包括：先准备N型晶体硅太阳能电池；电池的正背面均设有金属电极，金属电极包括若干根间隔分布的主栅线和副栅线，主栅线纵向设于电池的正背面，副栅线横向设于电池的正背面；在金属电极上加载反向偏压，并用第一光源照射电池的正面和/或背面，以对金属电极进行二次熔融烧结处理；第一光源的条形光斑沿主栅线方向延伸，条形光斑在照射过程中沿副栅线方向行进扫描；再在金属电极上加载正向偏压，并用第二光源照射电池的正面和/或背面，以对电池进行损伤修复处理。该方法能共同实现接触复合性能和接触电阻性能的最优化，并能有效避免过烧问题，进而提升电池效率及产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种改善晶体硅电池金属化性能的方法。
背景技术
通常，晶体硅太阳能电池(简称晶体硅电池)中的电学损失主要为：硅片体区的复合损失、钝化区的复合损失、金属-半导体的接触复合损失、硅片体区的传输损失、掺杂层的传输损失、金属-半导体的接触电阻损失、金属栅线的电阻损失。在大规模产业化中，晶体硅电池采用的金属化方式通常为：先丝网印刷金属栅线，再高温烧结印刷的金属栅线。而在高温烧结过程中，金属栅线会对硅片形成损伤，比如：金属-半导体的接触复合损失是钝化区域的数十倍甚至上百倍，金属-半导体的接触电阻损失也远高于掺杂层的传输损失和金属栅线的电阻损失。晶体硅电池金属化的性能(主要包括金属-半导体的接触复合性能和接触电阻性能)是制约晶体硅电池效率提升的关键因素。
目前，钝化接触结构，如隧穿氧化层/掺杂多晶硅层结构，不仅具有优异的界面钝化性能，还具有优异的接触性能，可以显著降低金属-半导体的接触复合损失和接触电阻损失，缓解金属化带来的损伤，故而被广泛运用于N型电池(也即TOPCon电池)，成为有望取代P型PERC电池的下一代技术。而考虑到钝化接触结构中掺杂多晶硅层存在严重的吸光性能，TOPCon电池仅在背面引入了钝化接触结构，故而，电池的正面(即受光面)的金属电极与发射极之间(也即电池正面的金属-半导体)依然存在严重的金属化损伤。
实际中，对于晶体硅电池的金属化工艺而言，金属-半导体的接触复合损失和接触电阻损失无法通过烧结条件的调节来使这两者共同达到最优，只能通过烧结条件的优化保证这两者的平衡。比如，提高烧结温度可以降低金属-半导体的接触电阻损失，但其接触复合损失会增加；而降低烧结温度可以降低金属-半导体的接触复合损失，但其接触电阻损失会显著升高。因此，开发出一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，以同时降低电池受光面的金属-半导体的接触复合损失和接触电阻损失，而不需要考虑两者彼此之间的制约，对进一步提高电池的转换效率具有重要的意义。
现有技术中，为了改善晶体硅电池的金属-半导体的接触性能，降低接触电阻率，公开号为CN111742417的发明提供了一种改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法，其提出了如下的技术方案：将电压源的一个电极与电池的接触格电连接，将电压源的另一电极连接与附接在电池背触点上的接触装置电连接，以给电池加一个1～20V的反向电压；在加反向电压的同时，还用光斑面积为1×103～104μm2的点光源照射至电池的受光面，在点光源所照射区域产生200～20000A/cm2的电流密度，照射的时间为10ns～10ms。如此，通过加载反向电压，强制让点光源照射所产生的超大的电流密度从硅片-接触格(即金属栅线)接触处输出，使金属接触区域产生高温形成二次熔融烧结，局域增大金属-半导体的接触面积，并增加金属-半导体的烧结深度，降低其接触电阻损失。
然而，此方案存在三方面的不足：1)上述过程虽然会改善金属-半导体的接触性能，降低接触电阻率，但会带来新的问题：如上所述，由于金属-半导体的接触面积和烧结深度均会增大，所以会导致金属-半导体的接触复合变大，提效比较有限；2)点光源的光斑面积过小，随着电池片尺寸的逐渐增大，处理整片电池片的时间较长，产能难以满足当前产业化的需求；3)未公开点光源在受光面的金属栅线附近的扫描方式(如垂直副栅线扫描或平行副栅线扫描)，不正确的扫描方式会导致电池的金属-半导体的接触区域严重过烧，甚至直接烧毁。
同样为了改善晶体硅电池的金属-半导体的接触性能，降低接触电阻率，公开号为CN217485456U的实用新型还提供了一种降低晶硅太阳能电池接触电阻的设备，其针对发明CN111742417A在某些方面的不足，提出了如下的技术改进方案：1)采用条形激光光斑取代点光源光斑，条形激光光斑沿太阳能电池的第二方向(即副栅线方向)进行延伸，而处理的过程中控制该条形激光光斑沿太阳能电池的第一方向(即主栅线方向)进行移动扫描，可以显著缩短扫描处理电池片的时间，提高设备的产能；2)沿着太阳能电池受光面的第一方向(即主栅线方向)并行设置多根导电丝，导电丝与受光面的主栅线接触，保证外部电源施加的反向偏压通过导电丝均匀分布在电池的受光面表面的电极上，确保不同位置的烧结程度一致，解决反向偏压不能均匀加载在电池片上的现象，提高电池片第二次烧结处理效果的均匀性。
然而，此方案仍然存在两方面的不足：1)上述过程虽然会改善金属-半导体的接触性能，但同样会带来新的问题：在增强接触性能的同时会进一步导致金属-半导体的接触复合变大。其说明书有益效果中虽然表述了：在反向偏压和激光辐射的共同作用下，驱动钝化层中的H原子扩散至金属接触界面处，进一步钝化Ag-Si合金界面处的断键，减少载流子复合；但是，对于N型电池而言，硅片衬底中的多数载流子为电子，电池正面的发射极为正极，电池背面为负极，H原子在N型电池硅片中会捕获电子以H-作为主要形式而存在，当通过外部电源加载反向偏压的时，外部电源负极加载在N型电池正面的正极上，H-会与外部电源负极同性相斥，所以硅片中的H-不仅不会被驱动至金属接触界面处，反而会在反向偏压的电场作用下驱离金属接触的界面处，导致电池正面的金属接触复合进一步增加。2)上述采用条形激光光斑取代点光源光斑、以及沿着太阳能电池主栅线方向并行设置多根导电丝来与主栅线接触，这些虽然考虑到了：将巨大的光生电流密度(200～20000A/cm2)均匀分流到每根主栅线上，故而即便产生的辐射电流过高也能分担到每根主栅线，以防止太阳能电池被击穿导致损坏；但是，副栅线的线宽一般为主栅线的1/10，副栅线的线电阻为主栅线的10～30倍，当条形激光光斑沿副栅线方向进行延伸、且处理的过程中沿着主栅线方向进行移动扫描时，由于条形激光光斑的宽度很窄(0.01～10mm，如0.1mm)，而相邻副栅线的间距一般为1.5mm，所以整个条形激光光斑会全部照射至两根相邻的副栅线之间，条形激光光斑照射产生的巨大电流密度会从相邻的两根副栅线之间流过，而副栅线的线电阻远高于主栅线，在电流从副栅线传输到主栅线之前，副栅线会被严重“过烧”而导致电池片的击穿损坏。因此，实用新型CN217485456U在提高接触性能的同时，也导致其金属-半导体的接触复合增加，且其未考虑到条形激光光斑在受光面栅线附近所用的扫描方式会带来严重“过烧”的不利影响。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的缺陷，提供一种改善晶体硅电池金属化性能的方法。
基于此，本发明公开了一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，包括依次进行的如下工艺处理过程：
步骤一，预先准备待处理的N型晶体硅太阳能电池；
其中，所述电池的正面和背面均设有金属电极，所述金属电极包括若干根间隔分布的主栅线和若干根间隔分布的副栅线，且主栅线纵向设置于电池的正面和背面，而副栅线横向设置于电池的正面和背面；
步骤二，在所述电池的金属电极上加载反向偏压，并采用第一光源照射电池的正面和/或背面，以对金属电极进行二次熔融烧结处理；
其中，所述第一光源所照射的光斑是条形光斑，所述条形光斑沿主栅线方向进行延伸，且条形光斑在照射过程中沿副栅线方向进行行进扫描；
步骤三，再在所述电池的金属电极上加载正向偏压，并采用第二光源照射电池的正面和/或背面，以对电池进行损伤修复处理。
优选地，所述反向偏压的加载电压小于正向偏压的加载电压；所述第一光源的条形光斑的光照强度大于第二光源的光斑光照强度。
进一步优选地，所述反向偏压和正向偏压采用外部电源进行加载；
所述反向偏压为-6～-18V、加载时间为10～1000ms，正向偏压为0.75～1.0V、加载时间为10～1000ms。
进一步优选地，所述第一光源的光斑是波长为800～1100nm的条形光斑，其光照强度为1～100W/cm2；所述第二光源的光斑是波长为800～1200nm的条形光斑或面形光斑，其光照强度小于或等于0.05W/cm2。
优选地，所述第一光源的条形光斑的长度为150～300mm、宽度为0.04～1mm；
所述第二光源的光斑是长度为150～300mm、宽度为0.04～10mm的条形光斑，或者，所述第二光源的光斑是长度为150～300mm、宽度为150～300mm的面形光斑。
进一步优选地，步骤二和步骤三中，所述条形光斑的延伸长度大于电池的边长，以通过单次扫描来完成对整片电池的处理；或者，所述条形光斑的延伸长度小于电池的边长，以通过多次来回扫描来完成对整片电池的处理。
进一步优选地，步骤三中，所述面形光斑的光照面积大小能覆盖整片电池；或者，所述面形光斑的光照面积小于整片电池，以通过多次来回扫描来完成对整片电池的处理。
优选地，所述第一光源和第二光源为激光、氙灯、卤素灯或LED灯。
优选地，在所述二次熔融烧结处理的过程中，还对电池进行第一预热处理，且预热温度为25～100℃；在所述损伤修复处理的过程中，还对电池进行第二预热处理，其预热温度为25～300℃。
进一步优选地，所述第一预热处理的预热温度小于第二预热处理的预热温度。
本发明的方法中，首先，在采用特定的第一光源照射电池的表面(以电池的正面为例)的过程中，还在电池的正背面上加载特定的反向偏压；如此，能强制让第一电源照射下所产生的超大的电流密度从电池的硅片-金属电极(金属电极包括主栅线和副栅线)接触处输出，使接触不良的地方产生高温，从而金属接触区域形成二次熔融烧结，局域增大金属-半导体的接触面积和烧结深度，扩展了电流的传输通道，降低接触电阻损失，进而改善金属-半导体的接触电阻性能。
其次，在二次熔融烧结处理的过程中，将第一光源的条形光斑沿主栅线方向延伸，且该条形光斑在照射过程中的行进扫描方向沿副栅线方向进行；如此，整个条形光斑会横跨多条副栅线，该条形光斑照射所产生的巨大电流密度会分散到多根副栅线上，确保电流从副栅线传输到主栅线之前不会被“过烧”，进而能有效避免副栅线被严重“过烧”而导致电池片击穿损坏，提高产品良率和电池效率。
再者，在采用特定的第二光源照射电池的表面(以电池的正面为例)的过程中，还在电池的正背面上加载特定的正向偏压；如此，外部的电源正极接触电池正面的正电极(如电池正面的主栅线)，故而N型电池的硅片衬底中的H-由于异性相吸会聚集到电池正面的金属-半导体的接触区域，钝化该接触区域的悬挂键，修复上一步骤中改善金属接触电阻性能所带来金属接触复合变大的缺陷损伤；而且，正向偏压会向电池的正面注入空穴，光照也会在硅片中产生大量的电子-空穴对，H-得到注入或光照所产生的空穴，会变成氢属性中钝化性能最强的H0，进一步提高电池正面的金属接触区域及非金属接触区域的钝化性能，降低电池的金属-半导体的接触复合损失，进而改善金属-半导体的接触复合性能。
故而，本发明的上述方法，通过依次进行的步骤二和步骤三的处理步骤的结合，可以同时降低电池受光面的金属-半导体的接触复合损失和接触电阻损失，实现接触复合性能和接触电阻性能这两者的共同最优化，还能有效避免二次熔融烧结过程中因第一光源的扫描方式不当所导致的严重“过烧”问题；故而，该方法能有效促进晶体硅电池效率的提升，并能大大提高产品良率。
需要说明的是，上述步骤二和步骤三的处理顺序不能进行调换(也即，需要先进行二次熔融烧结处理，再进行损伤修复处理)，否则难以有效避免“过烧”问题，故而难以确保高产品良率。
综合而言，本发明的方法可以显著改善晶体硅电池金属化的性能，将为电池工艺优化和效率提升奠定重要的基础。
与现有技术相比，本发明至少包括以下有益效果：
1)在改善金属-半导体的接触电阻性能的同时能兼顾优化到金属-半导体(如电池正面的金属电极-发射极)的接触复合性能，将两者性能分别最大程度的进行优化，降低金属化工艺对硅片的损伤，促进晶体硅电池转换效率的提升。
2)在电池的正背面均设置第一光源和第二光源，工艺处理过程中，两面的第一光源(或第二光源)可以同时对电池进行扫描处理，进一步降低处理所需要的时间，提高产能。
3)本发明优化了条形光斑的延伸方向和行进扫描方向，与现有技术CN217485456U不同的是，条形光斑沿着主栅线方向进行延伸，且处理的过程中沿着副栅线方向进行移动扫描，这样，整个条形光斑会横跨多条副栅线，该条形光斑照射所产生的巨大电流密度会分散到多根副栅线上，确保电流从副栅线传输到主栅线之前不会被“过烧”，进而能提高产品良率和电池效率。
4)处理步骤简单、耗时短、成本低且可以适应企业大批量快速处理的要求。
附图说明
图1为实施例1、2的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法中步骤二和三的工艺处理过程的示意图。
图2为本发明的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法中步骤二和三的工艺条件的示意图。
图3为实施例3、4的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法中步骤二和三的工艺处理过程的示意图。
图4为实施例5、6的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法中步骤二和三的工艺处理过程的示意图。
图5为实施例7、8的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法中步骤二和三的工艺处理过程的示意图。
附图标号说明：晶体硅太阳能电池1；主栅线11；副栅线12；第一电源21；第二电源22；第一光源31；第二光源32。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例1
本实施例的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，参见图1-2，其包括依次进行的如下工艺处理过程：
步骤一，准备好待处理的N型晶体硅太阳能电池1：该电池的正面和背面均设有金属电极，正面金属电极包括若干根间隔分布于电池正面的主栅线11和若干根间隔分布于电池正面的副栅线12；相似地，背面金属电极包括若干根间隔分布于电池背面的主栅线11和若干根间隔分布于电池背面的副栅线12；且主栅线11沿纵向设置于电池的正面和背面，而副栅线12沿横向设置于电池的正面和背面。
步骤二，在晶体硅太阳能电池1的金属电极上加载反向偏压，并在反向偏压加载的过程中，采用第一光源31照射电池的正面和背面。
步骤二中，反向偏压通过外部的第一电源21进行加载，反向偏压V1的大小为-12V、加载时间t1为240ms。
步骤二中，第一光源31是波长为915nm的激光，该激光是长度为200mm、宽度为0.05mm的条形激光光斑，且该条形激光光斑的光照强度N1为50W/cm2。具体地，第一光源31通过衍射光栅或者微透镜阵列输出获得步骤二的上述条形激光光斑。
进一步，步骤二中，该条形激光光斑沿主栅线11方向延伸，且条形激光光斑在激光照射过程中沿副栅线12方向行进扫描；扫描的线间距为0.05mm/s、频率为100kHz。
步骤三，在晶体硅太阳能电池1的金属电极上加载正向偏压，并在正向偏压加载的过程中，采用第二光源32照射电池的正面和背面。
步骤三中，正面偏压通过外部的第二电源22进行加载，正面偏压V2的大小为0.75V、加载时间t2为500ms。
步骤三中，第二光源32是波长为915nm的激光，该激光是长度为200mm、宽度为1mm的条形激光光斑，且该条形激光光斑的光照强度N2为0.01W/cm2。由于步骤三仅是利用正向偏压和光照注入载流子，来调控该电池的硅片中氢的含量及漂移运动来改善金属接触的复合性能，经试验10个太阳的光照强度就可以满足该步骤的处理需求(1个太阳的光照强度为1mW/cm2)；因此，步骤三中第二光源32的光照强度远低于步骤二中第一光源31的光照强度，电池的副栅线12足以承受第二光源32产生的电流密度，故而步骤三中对条形光斑的延伸方向及行进扫描方向不做具体的限制，处理电池的过程中第二光源32能覆盖到整片电池即可。
具体地，第二光源32通过衍射光栅或者微透镜阵列输出获得步骤三的上述条形激光光斑。
而且，本实施例中，在上述步骤二和步骤三的处理过程中，电池均无需做预热处理，也即电池在室温下进行上述步骤二和步骤三的工艺处理。
实施例2
本实施例的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，参见图1-2，其工艺过程具体参见实施例1，其与实施例1的区别在于：
在步骤二和步骤三的处理过程中，增加了对电池的预热处理。
具体地，步骤二中电池的预热处理温度T1为100℃，步骤三中电池的预热处理温度T2为200℃，用于提高反应的活性，增强处理的效果。其余参数设置与实施例1相同。
实施例3
本实施例的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，参见图3，其工艺过程具体参见实施例1，其与实施例1的区别在于：
步骤二中，加载的反向偏压V1的大小为-15V、加载时间t1为120ms。
步骤二中，第一光源31是波长为1064nm的激光，该激光也是长度为200mm、宽度为0.05mm的条形激光光斑，但该条形激光光斑的光照强度N1为100W/cm2。
进一步，步骤二中，该条形激光光斑仍然沿主栅线11方向延伸，且条形激光光斑在激光照射过程中的行进扫描方向仍然沿副栅线12方向进行；但扫描的线间距为0.1mm/s、频率为150kHz。
步骤三中，加载的正面偏压V2的大小为0.85V、加载时间t2仍然为500ms。
步骤三中，第二光源32为氙灯，氙灯经滤光片过滤掉800nm以下的短波后，通过聚光装置输出能完全覆盖整个电池的正面或背面的面形光斑，面形光斑的波长范围为800～1200nm；步骤三中，在电池的正面和背面均采用该面形光斑进行照射。
进一步，步骤三中，面形光斑的面积大小为200mm*200mm，光照强度N2为0.005W/cm2。
本实施例中，其余工艺过程和参数设置与实施例1相同。
实施例4
本实施例的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，参见图2-3，其工艺过程具体参见实施例3，其与实施例3的区别在于：
在步骤二和步骤三的处理过程中，增加了对电池的预热处理。
具体地，步骤二中电池的预热处理温度T1为80℃，步骤三中电池的预热处理温度T2为150℃，用于提高反应的活性，增强处理的效果。其余参数设置与实施例3相同。
实施例5
本实施例的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，参见图4，其工艺过程具体参见实施例1，其与实施例1的区别在于：
在步骤二中，仅在电池的正面照射第一光源31；且在步骤三中，也仅在电池的正面照射第二光源32。
步骤二中，条形激光光斑的光照强度N1为100W/cm2。
进一步，步骤二中，该条形激光光斑扫描的线间距仍然为0.05mm/s、频率为150kHz。
步骤三中，加载的正面偏压V2的大小为0.85V、加载时间t2仍然为500ms。
步骤三中，条形激光光斑的光照强度N2为0.02W/cm2。
本实施例中，其余工艺过程和参数设置与实施例1相同。
实施例6
本实施例的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，参见图2、4，其工艺过程具体参见实施例5，其与实施例5的区别在于：
在步骤二和步骤三的处理过程中，增加了对电池的预热处理。
具体地，步骤二中电池的预热处理温度T1为100℃，步骤三中电池的预热处理温度T2为250℃，用于提高反应的活性，增强处理的效果。其余参数设置与实施例5相同。
实施例7
本实施例的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，参见图5，其工艺过程具体参见实施例1，其与实施例1的区别在于：
在步骤二中，仅在电池的正面照射第一光源31；且在步骤三中，也仅在电池的正面照射第二光源32。
步骤二中，第一光源31是波长为1064nm的激光，其光照强度N1为100W/cm2。
进一步，步骤二中，该条形激光光斑扫描的线间距仍然为0.05mm/s、频率为150kHz。
步骤三中，加载的正面偏压V2的大小为0.90V、加载时间t2仍然为500ms。
步骤三中，第二光源32为LED模块，LED模块通过集成多个LED灯珠来输出覆盖电池的整个正面的面形光斑，波长范围为800～1200nm。
进一步，步骤三中，面形光斑的面积大小为200mm*200mm，光照强度N2为0.02W/cm2。
本实施例中，其余工艺过程和参数设置与实施例1相同。
实施例8
本实施例的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，参见图2、5，其工艺过程具体参见实施例7，其与实施例7的区别在于：
在步骤二和步骤三的处理过程中，增加了对电池的预热处理。
具体地，步骤二中电池的预热处理温度T1为80℃，步骤三中电池的预热处理温度T2为250℃，用于提高反应的活性，增强处理的效果。其余参数设置与实施例7相同。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
以上对本发明所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，其特征在于，包括依次进行的如下工艺处理过程：
步骤一，预先准备待处理的N型晶体硅太阳能电池；
其中，所述电池的正面和背面均设有金属电极，所述金属电极包括若干根间隔分布的主栅线和若干根间隔分布的副栅线，且主栅线纵向设置于电池的正面和背面，而副栅线横向设置于电池的正面和背面；
步骤二，在所述电池的金属电极上加载反向偏压，并采用第一光源照射电池的正面和/或背面，以对金属电极进行二次熔融烧结处理；
其中，所述第一光源所照射的光斑是条形光斑，所述条形光斑沿主栅线方向进行延伸，且条形光斑在照射过程中沿副栅线方向进行行进扫描；
步骤三，再在所述电池的金属电极上加载正向偏压，并采用第二光源照射电池的正面和/或背面，以对电池进行损伤修复处理。
2.根据权利要求1所述的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，其特征在于，所述反向偏压的加载电压小于正向偏压的加载电压；所述第一光源的条形光斑的光照强度大于第二光源的光斑光照强度。
3.根据权利要求1或2所述的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，其特征在于，所述反向偏压和正向偏压采用外部电源进行加载；
所述反向偏压为-6～-18V、加载时间为10～1000ms，正向偏压为0.75～1.0V、加载时间为10～1000ms。
4.根据权利要求1或2所述的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，其特征在于，所述第一光源的光斑是波长为800～1100nm的条形光斑，其光照强度为1～100W/cm2；所述第二光源的光斑是波长为800～1200nm的条形光斑或面形光斑，其光照强度小于或等于0.05W/cm2。
5.根据权利要求1所述的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，其特征在于，所述第一光源的条形光斑的长度为150～300mm、宽度为0.04～1mm；
所述第二光源的光斑是长度为150～300mm、宽度为0.04～10mm的条形光斑，或者，所述第二光源的光斑是长度为150～300mm、宽度为150～300mm的面形光斑。
6.根据权利要求5所述的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，其特征在于，步骤二和步骤三中，所述条形光斑的延伸长度大于电池的边长，以通过单次扫描来完成对整片电池的处理；或者，所述条形光斑的延伸长度小于电池的边长，以通过多次来回扫描来完成对整片电池的处理。
7.根据权利要求5所述的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，其特征在于，步骤三中，所述面形光斑的光照面积大小能覆盖整片电池；或者，所述面形光斑的光照面积小于整片电池，以通过多次来回扫描来完成对整片电池的处理。
8.根据权利要求1所述的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，其特征在于，所述第一光源和第二光源为激光、氙灯、卤素灯或LED灯。
9.根据权利要求1所述的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，其特征在于，在所述二次熔融烧结处理的过程中，还对电池进行第一预热处理，且预热温度为25～100℃；在所述损伤修复处理的过程中，还对电池进行第二预热处理，其预热温度为25～300℃。
10.根据权利要求9所述的一种改善晶体硅电池金属化性能的方法，其特征在于，所述第一预热处理的预热温度小于第二预热处理的预热温度。
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|---|---|---|---|
| CN202310621330.1A CN116825886A (zh) | 2023-05-30 | 2023-05-30 | 一种改善晶体硅电池金属化性能的方法 |
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| CN202310621330.1A CN116825886A (zh) | 2023-05-30 | 2023-05-30 | 一种改善晶体硅电池金属化性能的方法 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118198203A (zh) * | 2024-05-15 | 2024-06-14 | 深圳市圭华智能科技有限公司 | 一种太阳能电池的激光烧结方法及相关装置 |
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