CN116799617A - 多孔dbr的vcsel芯片及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种多孔DBR的VCSEL芯片及其制备方法。所述制备方法包括制作外延结构，所述外延结构包括沿第一方向层叠设置的第一超晶格DBR层、n型半导体层、有源区、电子阻挡层、p型半导体层和第二超晶格DBR层；采用电化学腐蚀的方式对所述外延结构进行选择性腐蚀，以在所述第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层内形成多个多孔层，第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层中的多个多孔层沿第一方向依次间隔设置；制作p电极和n电极，且使所述p电极与所述p型半导体层电连接，所述n电极与n型半导体层电连接。本发明采用一次外延获得两对DBR，且使用一次电化学腐蚀即可获得两对多孔DBR。

Description

多孔DBR的VCSEL芯片及其制备方法
技术领域
本发明特别涉及一种多孔DBR的VCSEL芯片及其制备方法，属于激光光源技术领域。
背景技术
GaN基半导体激光器在激光照明、激光显示、高密度光存储、可见光通信等领域展现出了巨大的市场需求和应用前景，因此近年来在国内外的科研界和产业界备受关注。目前，GaN基边发射激光器(EEL)已实现了商品化，而性能更为优异的垂直腔面发射激光器(VCSEL)尚在研究开发中。和传统的边发射激光器相比，GaN基垂直腔面发射激光器具有光束发散角小、工作阈值低、而且具有良好的动态单模特性和空间发射模特性以及温度稳定性高，制作成本低等优点，还可以通过集成高密度二维阵列来实现更高功率的光输出。因此，GaN基VCSEL具有更为广阔的应用前景。
对于已报道的GaN基VCSEL，其难点是实现谐振腔的高反射率的DBR，从而获得高品质因子的光学谐振腔。通常采用混合型DBR结构(底部氮化物DBR和顶部介质DBR组成)，VCSEL的底部DBR在外延衬底上生长，氮化物DBR层主要由AlN与GaN构成，由于AlN和GaN的晶格失配和热膨胀系数差异较大，实际制备出高质量A1N/GaNDBR困难极大。同时，由于AlN和GaN的折射率差较小，则需要增加DBR层数来获得高反射率，往往会导致材料表面产生裂纹，这将进一步增加AlN/GaN系DBR的外延难度。因此，以AlN/GaN为代表的氮化物DBR生长程序比较复杂，外延条件非常苛刻且重复率不高。
另一种可替代方案是都采用双介质DBR制备VCSEL器件，通过激光剥离使外延层从衬底上脱落，然后在剥离GaN面沉积介质DBR层再与其它衬底进行键合。该方法规避了外延氮化物DBR生长的难题，可以实现高反射率的DBR。不过激光剥离的方法成本较高，要精确控制剥离的外延层厚度比较困难，而且需要经过化学抛光来实现剥离面的平坦化来降低散射损耗。因此，通过衬底剥离再沉积介质DBR的方法，其器件工艺复杂且成本昂贵，对于商品化GaN基VCSEL并不理想。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种多孔DBR的VCSEL芯片及其制备方法，从而克服现有技术中的不足。
为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：
本发明一方面提供了一种多孔DBR的VCSEL芯片的制备方法，包括：
制作外延结构，所述外延结构包括沿第一方向层叠设置的第一超晶格DBR层、n型半导体层、有源区、电子阻挡层、p型半导体层和第二超晶格DBR层；
采用电化学腐蚀的方式对所述外延结构进行选择性腐蚀，以在所述第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层内均形成多个多孔层，第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层中的多个多孔层沿第一方向依次间隔设置；
制作p电极和n电极，且使所述p电极与所述p型半导体层电连接，所述n电极与n型半导体层电连接。
本发明另一方面还提供了一种多孔DBR的VCSEL芯片，包括：
外延结构，所述外延结构包括沿第一方向层叠设置的第一超晶格DBR层、n型半导体层、有源区、电子阻挡层、p型半导体层和第二超晶格DBR层，所述第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层均包括多个沿第一方向依次间隔设置的多孔层；
p电极和n电极，所述p电极与所述p型半导体层电连接，所述n电极与所述n型半导体层电连接。
与现有技术相比，本发明的优点包括：
1)本发明提供的一种基于GaN基多孔DBR的VCSEL芯片及制备方法中的多孔DBR的制备只需对掺杂浓度可调制、周期分布的轻/重掺杂层进行电化学腐蚀即可获得，不需要考虑晶格失配问题，且制备过程简单、可重复性高，更利于实际生产。
2)本发明提供的一种基于GaN基多孔DBR的VCSEL芯片及制备方法，采用一次外延获得两对DBR，且使用一次电化学腐蚀即可获得两对多孔DBR，可操作性强，不涉及激光剥离和倒装键合等复杂器件工艺，成品率高，适合大规模生产。
附图说明
图1是本发明一典型实施案例中提供的一种基于GaN基多孔DBR的VCSEL芯片的结构示意图；
图2是本发明一典型实施案例中提供的一种基于GaN基多孔DBR的VCSEL芯片的制备流程示意图。
具体实施方式
鉴于现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。
本案发明人研究发现，横向多孔DBR可以从根本上突破谐振腔高反射率镜的技术壁垒，通过电化学腐蚀轻/重掺杂层交替堆叠的周期性GaN外延结构，可选择性的在重掺杂层内形成横向空气孔道，从而改变该层材料的有效折射率，而非掺(或轻掺)杂层则不受腐蚀影响，空气隙的引入将使多孔层与非多孔层产生一定的折射率差，从而形成多孔层和非多孔层交替堆叠的DBR复合结构。
本发明提供的一种基于GaN基多孔DBR的VCSEL(垂直腔面发射激光器)芯片及制备方法，是以横向多孔DBR作为GaN基VCSEL的顶部和底部反射镜，该VCSEL结构完全可以在外延腔里完成，不需要沉积ITO扩展层，也不需要沉积介质DBR，更不需要对芯片进行键合抛光，大大简化器件制造流程，提高了器件的可重复性。
本发明一方面提供了一种多孔DBR的VCSEL芯片的制备方法，包括：
制作外延结构，所述外延结构包括沿第一方向层叠设置的第一超晶格DBR层、n型半导体层、有源区、电子阻挡层、p型半导体层和第二超晶格DBR层；
采用电化学腐蚀的方式对所述外延结构进行选择性腐蚀，以在所述第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层内形成多个多孔层，第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层中的多个多孔层沿第一方向依次间隔设置；
制作p电极和n电极，且使所述p电极与所述p型半导体层电连接，所述n电极与n型半导体层电连接。
进一步的，所述第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层均包括多个周期设置的轻掺杂层和重掺杂层，并且，所述的制备方法具体包括：对所述重掺杂层进行腐蚀，在所述重掺杂层内腐蚀形成横向空气孔道，所述重掺杂层作为所述多孔层，所述轻掺杂层作为非多孔层。
进一步的，所述的制备方法包括：采用电化学腐蚀的方式对第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层进行腐蚀处理，从而在所述重掺杂层内腐蚀形成横向空气孔道，需要说明的是，电化学腐蚀所采用的腐蚀液等均是本领域技术人员已知的，在电化学腐蚀过程中重掺杂层的腐蚀程度会更高，从而形成多孔层，轻掺杂层被腐蚀的少，从而形成非多孔层。
进一步的，所述的制备方法具体包括：先采用腐蚀液对所述第一超晶格DBR层所包含的轻掺杂层和重掺杂层进行腐蚀，然后对再以保护胶等覆盖第二超晶格DBR层以上的结构层，以对其进行保护，之后再对所述第二超晶格DBR层所包含的轻掺杂层和重掺杂层进行腐蚀，之后除去保护胶，保护胶可以选自本领域技术人员已知的材料。
进一步的，所述重掺杂层的掺杂浓度为5×1019～9×1019cm-3，所述轻掺杂层的掺杂浓度为1016～1018cm-3。
进一步的，所述轻掺杂层和重掺杂层的周期数量为10-16。
进一步的，所述轻掺杂层和重掺杂层的材质包括III族氮化物材料。
进一步的，所述轻掺杂层和重掺杂层的材质均包括GaN、InGaN、AlGaN、InAlN或InAlGaN。
进一步的，所述外延结构具有沿第二方向依次设置的第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域环绕第二区域设置，第二区域环绕第三区域设置，所述第二方向与第一方向交叉设置；
并且所述的制备方法具体包括：除去位于所述第一区域的第二超晶格DBR层、p型半导体层、电子阻挡层、有源区以及部分n型半导体层，从而暴露出n型半导体层的第一台面；
除去位于所述第二区域的第二超晶格DBR层以及部分p型半导体层，从而暴露出p型半导体层的第二台面；
所述n电极设置在所述第一台面上，所述p电极设置在所述第二台面上。
进一步的，所述的多孔DBR的VCSEL芯片的制备方法还包括：在所述外延结构的侧面设置电流限制层，分别在所述电流限制层上加工形成暴露所述n型半导体层的第一窗口、暴露所述p型半导体层的第二窗口，所述n电极设置在所述第一窗口处，p电极设置在所述第二窗口处。
进一步的，所述电流限制层的材质包括SiNx、SiO2、Al2O3或HfO2。
进一步的，所述第一超晶格DBR层设置在缓冲层上，所述缓冲层设置在衬底上。
进一步的，该衬底的材质可以是蓝宝石、氮化镓、硅或碳化硅等
本发明另一方面还提供了一种多孔DBR的VCSEL芯片，包括：
外延结构，所述外延结构包括沿第一方向层叠设置的第一超晶格DBR层、n型半导体层、有源区、电子阻挡层、p型半导体层和第二超晶格DBR层，所述第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层均包括沿第一方向依次间隔交替设置的多孔层和非多孔层；
p电极和n电极，所述p电极与所述p型半导体层电连接，所述n电极与所述n型半导体层电连接。
进一步的，p型半导体层、n型半导体层还作为帮助电流扩展的电路扩展层。
进一步的，所述第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层均包括多个周期设置的轻掺杂层和重掺杂层，其中，所述重掺杂层为具有横向空气孔道的多孔层，所述轻掺杂层为非多孔层。
进一步的，所述重掺杂层的掺杂浓度为5×1019～9×1019cm-3，所述轻掺杂层的掺杂浓度为1016～1018cm-3。
进一步的，所述轻掺杂层和重掺杂层的周期数量为10-16。
进一步的，所述轻掺杂层和重掺杂层的材质包括III族氮化物材料。
进一步的，所述轻掺杂层和重掺杂层的材质均包括GaN、InGaN、AlGaN、InAlN或InAlGaN。
进一步的，所述n型半导体层包括沿第二方向依次设置的第一部分和第二部分，所述第二部分环绕第一部分设置且第二部分的厚度小于第一部分的厚度，所述有源区设置在所述第一部分上，所述n电极设置在所述第二部分上；所述p型半导体层包括沿第二方向依次设置的第三部分和第四部分，所述第四部分环绕第三部分设置且第四部分的厚度小于第三部分的厚度，所述第二超晶格DBR层设置在所述第三部分上，所述p电极设置在所述第四部分上。
进一步的，所述的多孔DBR的VCSEL芯片还包括：电流限制层，所述电流限制层覆盖所述n型半导体层的第四部分的局部、p型半导体层的第二部分的局部以及有源区、电子阻挡层的侧面。
进一步的，所述电流限制层的材质包括SiNx、SiO2、Al2O3或HfO2。
进一步的，所述第一超晶格DBR层设置在缓冲层上，所述缓冲层设置在衬底上。
如下将结合附图以及具体实施案例对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明，除非特别说明的之外，本发明实施例所采用的外延生长工艺及其设备、化学腐蚀的设备、刻蚀工艺及其设备等均是本领域技术人员已知的。
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图对本发明做进一步详细说明，这里以蓝光GaN基多孔DBR VCSEL作为优选实施例进行说明。
实施例1
请参阅图1，一种基于GaN基多孔DBR的VCSEL芯片，包括：
外延结构，所述外延结构包括沿第一方向层叠设置的衬底10、缓冲层20、第一超晶格DBR层30、n型半导体层40、有源区50、电子阻挡层60、p型半导体层70和第二超晶格DBR层80，所述第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层均包括沿第一方向依次间隔交替设置的多孔层和非多孔层；
p电极21和n电极11，所述p电极21与所述p型半导体层70电连接，所述n电极11与所述n型半导体层40电连接。
在本实施例中，所述衬底10为平面或图形化衬底，该衬底10的材质可以是蓝宝石、氮化镓、硅或碳化硅等。
在本实施例中，所述缓冲层20主要由低温AlN成核层和非故意掺杂AlN层构成；具体的，可以以高纯纯氨气作为氮源，三甲基铝作为A1源，先低温生长AlN成核层，再高温生长非故意掺杂AlN层，需要说明的是，可用作成核层的材料还可以是GaN等。
在本实施例中，所述第一超晶格DBR层30和第二超晶格DBR层80可以是由GaN、InGaN、AlGaN、InAlN或InAlGaN中的任意一种或两种以上材料组合的多孔层和非多孔层交替堆叠构成的多周期DBR。
在本实施例中，所述第一超晶格DBR层30和第二超晶格DBR层80是通过电化学腐蚀交替堆叠的轻/重掺杂层获得，其中，重掺杂层的掺杂浓度为1019cm-3量级，轻掺杂层的掺杂浓度为1016cm-3量级，轻/重掺杂层的周期数量为10-16层。
在本实施例中，所述第二超晶格DBR层80和第一超晶格DBR层30分别构成VCSEL芯片的上、下反射镜，VCSEL器件从顶部的第二超晶格DBR层80一侧出光。
在本实施例中，所述n型半导体层40的掺杂剂为硅烷，n型半导体层40的掺杂浓度为1018cm-3量级，其层叠设置在第一超晶格DBR层30的上表面，示例性的，所述n型半导体层包括n型GaN层，具体的，所述n型半导体层40包括沿第二方向依次设置的第一部分和第二部分，所述第二部分环绕第一部分设置且第二部分的厚度小于第一部分的厚度，所述第一部分作为凸起部分40’，所述第二部分的上表面作为第一台面40”，所述n电极11设置在所述第一台面40”上。
在本实施例中，所述有源区50设置在n型半导体层40的相对凸起的第一部分上，所述有源区50为InGaN/GaN多量子阱结构，其发光峰位于450nm附近，与第一超晶格DBR层30的高反带对应，发光波长需要与谐振波长相匹配。
在本实施例中，所述电子阻挡层60层叠设置在所述有源区50的上表面，所述电子阻挡层60的材质为AlGaN，可进行p型掺杂，掺杂剂为二茂镁。
在本实施例中，所述p型半导体层70层叠设置在电子阻挡层60的上表面，且所述p型半导体层70包括沿第二方向依次设置的第三部分和第四部分，所述第四部分环绕第三部分设置且第四部分的厚度小于第三部分的厚度，所述第三部分作为凸起部分70’，第四部分的上表面作为第二台面70”，以实现载流子窄化，所述p电极21设置在所述第二台面70”上；示例性的，所述p型半导体层70可以是p型GaN层。
在本实施例中，所述第二超晶格DBR层80层叠设置在所述p型半导体层70的第三部分上。
在本实施例中，所述外延结构的侧面还设置有电流限制层90，所述电流限制层90覆盖n型半导体层40的第一台面40”、p型半导体层70的第二台面70”的一部分以及有源区50、电子阻挡层60、p型半导体层70的侧壁，以实现侧壁钝化，减小器件的漏电通道。
在本实施例中，所述电流限制层90为绝缘介质，所述电流限制层90的材质可以是SiNx、SiO2、Al2O3或HfO2等。
在本实施例中，所述p电极和n电极设置在所述电流限制层90上，所述电流限制层90上还开设有暴露第一台面、第二台面的窗口(或理解为电流窗口)，所述p电极和n电极设置在所述窗口处；其中，所述窗口为直径在10-12μm的圆孔图形。
在本实施例中，所述n电极20和p电极21的材质包括Ti/Au、Ni/Ag/Pt/Au、Cr/Al/Ti/Au、Cr/Pt/Au或Ti/Pt/Au等。
实施例2
请参阅图2并结合参阅图1，一种基于GaN基多孔DBR的VCSEL芯片的制备方法，包括如下步骤：
步骤1)：在一衬底10上第一方向依次生长缓冲层20、交替堆叠的轻/重掺杂层、n型半导体层40、有源区50、电子阻挡层60、p型半导体层70、交替堆叠的轻/重掺杂层，从而形成外延结构，所述外延结构具有沿第二方向依次设置的第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域环绕第二区域设置，第二区域环绕第三区域设置，所述第二方向与第一方向垂直交叉设置。
在本实施例中，所述衬底10的材质可以是蓝宝石、氮化镓、硅或碳化硅等。所述轻/重掺杂层的材质为GaN、InGaN、A1GaN、InAlN、InAlGaN或以上材料的组合。
步骤2：自轻/重掺杂层向下对所述外延结构的第一区域进行刻蚀，刻蚀深度到达n型半导体层40内，并在n型半导体层30的四周形成被暴露的第一台面40”。
步骤3：自轻/重掺杂层向下对所述外延结构的第二区域进行刻蚀，刻蚀深度到达p型半导体层70内，并在p型半导体层70的四周形成被暴露的第二台面70”。
步骤4：采用电化学腐蚀的方法对交替堆叠的轻/重掺杂层进行横向腐蚀，以将其中的重掺杂层腐蚀形成多孔层，从而将其转变为多孔层和非多孔层交替堆叠的多孔DBR层；
步骤5：在p型半导体层的第二台面70”、n型半导体层的第一台面40”以及p型半导体层70、有源区50和电子阻挡层60的侧壁覆设电流限制层90，以实现载流子窄化和侧壁钝化，减小器件的漏电通道；其中，所述电流限制层90的材质可以为SiNx、SiO2、Al2O3或HfO2等。
步骤6：采用光刻、腐蚀技术去掉第一台面40”和第二台面70”上的部分电流限制层90。
步骤7：在去掉部分电流限制层90的第一台面40”和第二台面70”上分别制备n电极20和p电极21，且使所述n电极20与n型半导体层电连接，p电极21与p型半导体层电连接。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、同等替换以及改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
本发明采用一次外延获得两对DBR，使用一次电化学腐蚀即可获得两对具有三角形横向空气孔道的DBR，可操作性强，不涉及激光剥离和倒装键合等复杂器件工艺，成品率高，适合大规模生产。
应当理解，上述实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种多孔DBR的VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，包括：
制作外延结构，所述外延结构包括沿第一方向层叠设置的第一超晶格DBR层、n型半导体层、有源区、电子阻挡层、p型半导体层和第二超晶格DBR层；
采用电化学腐蚀的方式对所述外延结构进行选择性腐蚀，以在所述第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层内均形成多个多孔层，第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层中的多个所述多孔层沿所述第一方向依次间隔设置；
制作p电极和n电极，且使所述p电极与所述p型半导体层电连接，所述n电极与n型半导体层电连接。
2.根据权利要求1所述的多孔DBR的VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，所述第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层均包括多个周期设置的轻掺杂层和重掺杂层，并且，所述的制备方法具体包括：对所述重掺杂层进行腐蚀，在所述重掺杂层内腐蚀形成横向空气孔道，所述重掺杂层作为所述多孔层，所述轻掺杂层作为非多孔层。
优选的，所述的制备方法具体包括：先采用腐蚀液对所述第一超晶格DBR层所包含的轻掺杂层和重掺杂层进行腐蚀，再对所述第二超晶格DBR层所包含的轻掺杂层和重掺杂层进行腐蚀；优选的，所述重掺杂层的掺杂浓度为5×1019～9×1019cm-3，所述轻掺杂层的掺杂浓度为1016～1018cm-3：
优选的，所述轻掺杂层和重掺杂层的周期数量为10-16；
优选的，所述轻掺杂层和重掺杂层的材质包括III族氮化物材料；
优选的，所述轻掺杂层和重掺杂层的材质均包括GaN、InGaN、AlGaN、InAlN或InAlGaN。
3.根据权利要求1所述的多孔DBR的VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，所述外延结构具有沿第二方向依次设置的第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域环绕第二区域设置，第二区域环绕第三区域设置，所述第二方向与第一方向交叉设置；
并且所述的制备方法具体包括：除去位于所述第一区域的第二超晶格DBR层、p型半导体层、电子阻挡层、有源区以及部分n型半导体层，从而暴露出n型半导体层的第一台面；
除去位于所述第二区域的第二超晶格DBR层以及部分p型半导体层，从而暴露出p型半导体层的第二台面；
所述n电极设置在所述第一台面上，所述p电极设置在所述第二台面上。
4.根据权利要求3所述的多孔DBR的VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，还包括：在所述外延结构的侧面设置电流限制层，分别在所述电流限制层上加工形成暴露所述n型半导体层的第一窗口、暴露所述p型半导体层的第二窗口，所述n电极设置在所述第一窗口处，p电极设置在所述第二窗口处；
优选的，所述电流限制层的材质包括SiNx、SiO2、Al2O3或HfO2。
5.根据权利要求1所述的多孔DBR的VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，所述第一超晶格DBR层设置在缓冲层上，所述缓冲层设置在衬底上。
6.一种多孔DBR的VCSEL芯片，其特征在于，包括：
外延结构，所述外延结构包括沿第一方向层叠设置的第一超晶格DBR层、n型半导体层、有源区、电子阻挡层、p型半导体层和第二超晶格DBR层，所述第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层均包括多个沿第一方向依次间隔设置的多孔层；
p电极和n电极，所述p电极与所述p型半导体层电连接，所述n电极与所述n型半导体层电连接。
7.根据权利要求6所述的多孔DBR的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层均包括多个周期设置的轻掺杂层和重掺杂层，其中，所述重掺杂层为具有横向空气孔道的多孔层，所述轻掺杂层为非多孔层；
优选的，所述重掺杂层的掺杂浓度为5×1019～9×1019cm-3，所述轻掺杂层的掺杂浓度为1016～1018cm-3：
优选的，所述轻掺杂层和重掺杂层的周期数量为10-16；
优选的，所述轻掺杂层和重掺杂层的材质包括III族氮化物材料；
优选的，所述轻掺杂层和重掺杂层的材质均包括GaN、InGaN、AlGaN、InAlN或InAlGaN。
8.根据权利要求6所述的多孔DBR的VCSEL芯片，其特征在于，所述n型半导体层包括沿第二方向依次设置的第一部分和第二部分，所述第二部分环绕第一部分设置且第二部分的厚度小于第一部分的厚度，所述有源区设置在所述第一部分上，所述n电极设置在所述第二部分上；所述p型半导体层包括沿第二方向依次设置的第三部分和第四部分，所述第四部分环绕第三部分设置且第四部分的厚度小于第三部分的厚度，所述第二超晶格DBR层设置在所述第三部分上，所述p电极设置在所述第四部分上。
9.根据权利要求6所述的多孔DBR的VCSEL芯片，其特征在于，还包括：电流限制层，所述电流限制层覆盖所述n型半导体层的第四部分的局部、p型半导体层的第二部分的局部以及有源区、电子阻挡层的侧面；
优选的，所述电流限制层的材质包括SiNx、SiO2、Al2O3或HfO2。
10.根据权利要求6所述的多孔DBR的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一超晶格DBR层设置在缓冲层上，所述缓冲层设置在衬底上；
优选的，所述第一超晶格DBR层与缓冲层之间还设置与第一电流扩展层，所述p型半导体层和第二超晶格DBR层之间还设置有第二电流扩展层。
所述第一超晶格DBR层设置在所述第一电流扩展层上，所述第二超晶格DBR层设置在p型半导体层和第二超晶格DBR层之间。
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