CN116798356A - 显示面板及显示设备 - Google Patents

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transistor
pixel driving
gate
driving circuit
initialization
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林白阁
卢慧玲
曹培轩
关星
刘锦涛
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Abstract

本申请实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示设备,其中,显示面板包括:基板;交替设置在基板上的第一像素驱动电路和第二像素驱动电路;第一像素驱动电路中第一初始化晶体管的漏电流小于第一补偿晶体管的漏电流;第二像素驱动电路中第二初始化晶体管的漏电流大于第二补偿晶体管的漏电流。

Description

显示面板及显示设备
技术领域
本申请实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示设备。
背景技术
随着显示技术的发展,越来越多的产品中应用显示屏对内容进行显示。然而,显示屏也成为了电子设备中主要的耗电部件。为了降低显示屏的功耗,增加显示屏的续航时间,目前大多采用降低刷新频率的技术方式,例如,AOD(Always on display)模式的方式等。
然而,在实现本发明过程中,发明人发现现有技术中至少存在如下问题:随着刷新频率的降低,显示屏出现了低频闪烁的问题。
发明内容
为了解决上述问题,本申请实施例提供了一种显示面板及显示设备,以至少部分地解决上述问题。
根据本申请实施例的第一方面,提供了一种显示面板,包括:
基板;
交替设置在所述基板上的第一像素驱动电路和第二像素驱动电路;
所述第一像素驱动电路包括:
第一驱动晶体管,用于驱动发光元件发光;
第一初始化晶体管,连接在初始化电压和所述第一驱动晶体管的栅极之间,用于将所述初始化电压施加至所述第一驱动晶体管的栅极;
第一补偿晶体管,连接在所述第一驱动晶体管的栅极和第一驱动晶体管的第一极之间,用于在导通时使得所述第一驱动晶体管形成二极管结构,其中,所述第一初始化晶体管的漏电流小于所述第一补偿晶体管的漏电流;
所述第二像素驱动电路包括:
第二驱动晶体管,用于驱动发光元件发光;
第二初始化晶体管,连接在初始化电压和所述第二驱动晶体管的栅极之间,用于将初始化电压施加至所述第二驱动晶体管的栅极;
第二补偿晶体管,连接在所述第二驱动晶体管的栅极和第一极之间,用于在导通时使得所述第二驱动晶体管形成二极管结构,其中,所述第二初始化晶体管的漏电流大于所述第二补偿晶体管的漏电流。
在一种可能的实现方式中,所述第一驱动晶体管在驱动所述发光元件发光时所述第一驱动晶体管的栅极电压上升,所述第二驱动晶体管在驱动所述发光元件发光时所述第二驱动晶体管的栅极电压下降。
在一种可能的实现方式中,所述第一初始化晶体管以及所述第一补偿晶体管包括双栅晶体管或者多栅晶体管。
在一种可能的实现方式中,所述第二初始化晶体管包括单栅晶体管或者双栅晶体管,所述第二补偿晶体管包括双栅晶体管或者多栅晶体管,其中,所述第二初始化晶体管的栅极数量少于所述第二补偿晶体管的栅极数量。
在一种可能的实现方式中,所述第二初始化晶体管为单栅晶体管,所述第二补偿晶体管为双栅晶体管。
在一种可能的实现方式中,所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路交替设置在基板上的显示区域内。
在一种可能的实现方式中,所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路的设置方式为沿行方向交替设置,和/或沿列方向交替设置。
在一种可能的实现方式中,所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路的数量比例为1:10到10:1。
在一种可能的实现方式中,所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路沿所述行方向交替设置且沿所述列方向交替设置,所述行方向与所述列方向垂直,所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路的数量比例为1:1。
根据本申请实施例的第二方面,提供了一种显示装置,包括:如上所述的显示面板。
在本申请实施例中,通过使得第一像素驱动电路和第二像素驱动电路穿插设置在基板上,并使得第一像素驱动电路中第一初始化晶体管的漏电流小于第一补偿晶体管的漏电流,第二像素驱动电路中第二初始化晶体管的漏电流大于第二补偿晶体管的漏电流,使得第一像素驱动电路在驱动发光元件发光时第一驱动晶体管的栅极电压上升,第二像素驱动电路在驱动发光元件发光时第二驱动晶体管的栅极电压下降,从而通过交替设置的第一像素驱动电路和第二像素驱动电路对应的亮度变化互补,弱化闪烁效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请实施例中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一种显示面板的结构示意图;
图2为一种包括沿行方向交替设置的第一像素驱动电路和第二像素驱动电路的显示面板的结构示意图;
图3为一种包括沿列方向交替设置的第一像素驱动电路和第二像素驱动电路的显示面板的结构示意图;
图4为一种包括沿行方向以及列方向交替设置的第一像素驱动电路和第二像素驱动电路的显示面板的结构示意图;
图5为一种基础的像素驱动电路的结构示意图;
图6为一种像素驱动电路的信号时序图;
图7为一种第一像素驱动电路的结构示意图;
图8为一种第二像素驱动电路的结构示意图;
图9为对第一像素驱动电路和第二像素驱动电路分别进行仿真得到的仿真测试结果示意图;
图10为对本实施例提供的方案以及对一般的像素驱动电路进行仿真测试的仿真测试结果示意图。
具体实施方式
为了使本领域的人员更好地理解本申请实施例中的技术方案,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请实施例一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请实施例中的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都应当属于本申请实施例保护的范围。
如前所述,随着刷新频率的降低,显示器出现了低频闪烁的问题。经研究发现,刷新频率降低后,一帧的时间变长,而显示器的像素驱动电路中存在用于初始化或者用于补偿的晶体管,在发光过程中,用于初始化或者用于补偿的晶体管的漏电流会导致驱动晶体管的栅极电压在一帧的时间内发生变化,由于一帧的时间变长,驱动晶体管的栅极电压的变化较大,使得用于控制发光元件发光的电流值变化较大,表现为视觉闪烁。
有鉴于此,本申请实施例提供了一种显示面板,以降低由于一帧的时间变长导致的闪烁问题。
参见图1,提供了一种显示面板的结构示意图,如图1所示,其包括:基板101、交替设置在基板101上的第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103。
漏电流为晶体管在关断状态下晶体管的第一极和第二极之间流过的泄漏电流。
本实施例提供的方案中,第一像素驱动电路102中第一初始化晶体管的漏电流小于第一补偿晶体管的漏电流,第二像素驱动电路103中第二初始化晶体管的漏电流大于第二补偿晶体管的漏电流,以使得第一驱动晶体管在驱动发光元件发光时第一驱动晶体管的栅极电压上升,第二驱动晶体管在驱动发光元件发光时第二驱动晶体管的栅极电压下降,导致第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103在发光时的驱动晶体管的栅极电压变化相反,从而通过交替设置的第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103对应的亮度变化互补,弱化闪烁效果。
本实施例提供的方案中,发光元件可以为有机发光元件,也可以为液晶显示器的发光元件,还可以为其他显示面板的发光元件,均在本申请的保护范围内。
需要说明的是,本实施例中,显示面板上的第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103的排布方式不进行限定,只要两者交替设置且能够实现亮度互补即可。
可选地,本实施例中,第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103交替设置在基板上的显示区域内。由于本实施例提供的方案主要进行亮度变化互补,弱化视觉上的闪烁效果,因此将第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103交替设置于显示区域(Active Area,AA)内。
可选地,本实施例中,第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103的设置方式为沿行方向交替设置,和/或沿列方向交替设置。
通过设置不同的交替方式,可以满足不同的屏幕显示需求,例如在横向显示屏幕中应用沿行方向交替设置的第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103,在竖向显示屏幕中应用沿列方向交替设置的第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103,在正方形、圆形或者其他异形显示屏幕中应用沿行方向且沿列方向交替设置的第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103。
示例地,沿行方向交替设置可以例如:沿行方向上相邻的两个像素驱动电路不同;或者沿行方向上以两个像素驱动电路为一组,组内的像素驱动电路相同,相邻的两组像素驱动电路不同,或者沿行方向上按照一个第一像素驱动电路102、两个第二像素驱动电路103等方式交替设置,这些均在本申请的保护范围内。
参见图2,示出了本实施例提供的一种沿行方向交替设置的第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103,图2中沿行方向每间隔一个第一像素驱动电路102交替设置一个第二像素驱动电路103。
沿列方向交替设置与沿行方向交替设置类似,不再赘述。参见图3,示出了本实施例提供的一种沿列方向交替设置的第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103,图2中沿列方向每间隔两个第一像素驱动电路102交替设置一个第二像素驱动电路103。
沿行方向且沿列方向交替设置可以为第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103在沿行方向和列方向上均交替间隔分布,例如:将相邻的多个发光元件划分为一组,相邻两组发光元件之间的像素驱动电路不同。需要说明的是,上述仅为举例说明,并不作为本实施例的限定。
参见图4,示出了本实施例提供的一种沿行方向且沿列方向交替设置的第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103,图4中在行方向和列方向上每间隔一个第一像素驱动电路102设置一个第二像素驱动电路103。
可选地,本实施例中,第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103的数量比例为1:10到10:1。通过将第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103的数量比例设置为1:10到10:1,可以保证第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103对应的亮度变化能够互补,弱化闪烁效果;并可以减少第一像素驱动电路102或者第二像素驱动电路103中的一种像素驱动电路的数量,本领域的技术人员可以有选择地降低第一像素驱动电路102或者第二像素驱动电路103中较为复杂的一种,从而降低显示面板的加工难度。
可选地,本实施例中,当第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103的设置方式为沿行方向交替设置且沿列方向交替设置时,第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103的数量比例为1:1,从而达到较好的互补效果,例如上述图4所示。
以下,对第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103的具体电路结构进行说明。
为了能够更加清楚地说明第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103,本申请中先对基础的像素驱动电路进行说明。本实施例提供一种基础的像素驱动电路,第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103可以为在基础的像素驱动电路上进行修改或调整得到的电路。需要说明的是,本实施例提供的方案仅以一种像素驱动电路为例进行示例性说明,其他结构的像素驱动电路也在本申请的保护范围内。
如图5所示,基础的像素驱动电路可以包括驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6、复位晶体管T7、存储电容C1。
第一发光控制晶体管T5、驱动晶体管T1和第二发光控制晶体管T6串联连接在第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS之间,第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6的栅极与发光控制信号输入端EM连接。
数据写入晶体管T2的栅极与第二扫描信号输入端S2连接,数据写入晶体管T2的第一极与驱动晶体管T1的第二极连接,数据写入晶体管T2的第二极与数据信号输入端Vdata连接,驱动晶体管T1的第二极为靠近第一电源电压ELVDD的一极。
补偿晶体管T3的栅极与第二扫描信号输入端S2连接,且连接在驱动晶体管的栅极和第一极之间,用于在导通时使得驱动晶体管形成二极管结构。
初始化晶体管T4的栅极与第一扫描信号输入端S1连接,数据写入晶体管T2的第一极与初始化信号输入端Vrefn连接,数据写入晶体管T2的第二极与驱动晶体管T1的栅极连接,用于将初始化信号输入端Vrefn的初始化电压施加至第一驱动晶体管的栅极。
复位晶体管T7的栅极与第三扫描信号输入端S3连接,且复位晶体管T7的第一极与初始化信号输入端Vrefn连接,复位晶体管T7的第二极与发光元件连接,用于将初始化信号输入端Vrefn的初始化电压施加至发光元件,来对发光元件进行复位。
存储电容C1连接在驱动晶体管T1和第一电源电压ELVDD之间。
像素驱动电路的工作过程可以包括初始化阶段、数据写入阶段、发光阶段。工作过程的信号时序图可以如图6所示,图6中的1标识初始化阶段,2标识数据写入阶段,3标识发光阶段。
具体地,在初始化阶段,可以先通过第一扫描信号输入端接入的第一扫描信号S1控制初始化晶体管T4导通,来对驱动晶体管T1的栅极进行初始化。
在数据写入阶段,可以通过第二扫描信号输入端接入的第二扫描信号S2使数据写入晶体管T2、补偿晶体管T3打开。此时,数据信号通过数据信号输入端Vdata传输至驱动晶体管T1的第二极,通过补偿晶体管T3接入存储电容C1,此时,驱动晶体管T1形成二极管结构,从而可以将数据信号Vdata与驱动晶体管T1的阈值电压的差值存储在存储电容C1中。
在发光阶段,通过发光控制信号输入端EM控制第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6导通,此时驱动晶体管T1根据栅极电位(即存储电容C1中远离ELVSS一端的电压值)形成驱动电流,驱动电流流过发光元件,使得发光元件发光。
在发光阶段,虽然补偿晶体管T3和初始化晶体管T4处于关断状态,但是补偿晶体管T3和初始化晶体管T4存在漏电流,导致驱动晶体管T1的栅极电位发生变化。
在上述像素驱动电路的基础上,可以对补偿晶体管T3和初始化晶体管T4进行参数调整或者结构调整,来调整补偿晶体管T3和初始化晶体管T4的漏电流,得到初始化晶体管T4和补偿晶体管T3的漏电流大小关系相反的第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103。
具体地,参见图5,示出了像素驱动电路在发光过程中存在的漏电流。具体可以包括从补偿晶体管T3流向驱动晶体管T1的栅极的第一漏电流I1,以及从驱动晶体管T1的栅极流向初始化晶体管T4的第二漏电流I2。
若在图5示出的像素驱动电路的基础上得到第一像素驱动电路102,则图5中的驱动晶体管T1为第一驱动晶体管,用于驱动发光元件发光;初始化晶体管T4为第一初始化晶体管,连接在初始化电压和第一驱动晶体管的栅极之间,用于将初始化电压施加至第一驱动晶体管的栅极;补偿晶体管T3为第一补偿晶体管,连接在第一驱动晶体管的栅极和第一驱动晶体管的第一极之间,用于在导通时使得第一驱动晶体管形成二极管结构。
若在图5示出的像素驱动电路的基础上得到第一像素驱动电路102,则第一初始化晶体管T4的漏电流小于第一补偿晶体管T3的漏电流,以通过第一补偿晶体管T3的漏电流使得第一驱动晶体管T1在驱动发光元件发光时其栅极电压上升。
具体地,若第二漏电流I2的大小小于第一漏电流I1的大小,则主要通过第一漏电流I1使第一驱动晶体管T1的栅极电压Vgate上升,栅极电压Vgate与第一电源电压ELVDD的差值逐渐减小,从而使得第一驱动晶体管T1流向发光元件的电流值减小,发光元件的亮度逐渐减小。
类似地,若在图5示出的像素驱动电路的基础上得到第二像素驱动电路103,则图5中的驱动晶体管T1为第二驱动晶体管,用于驱动发光元件发光;初始化晶体管T4为第二初始化晶体管,用于将初始化电压施加至第二驱动晶体管T1的栅极;补偿晶体管T3为第二补偿晶体管,连接在第二驱动晶体管的栅极和第一极之间,用于在导通时使得第二驱动晶体管形成二极管结构。
当实现为第二像素驱动电路103时,第二漏电流I2的大小大于第一漏电流I1的大小,则主要通过第二漏电流I2使第二驱动晶体管T1的栅极电压Vgate下降,栅极电压Vgate与第一电源电压ELVDD的差值逐渐增大,从而导致第二驱动晶体管流向发光元件的电流值增大,发光元件的亮度逐渐增大。
具体地,本实施例中,可以通过调整初始化晶体管或者补偿晶体管的结构,得到第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103。
具体地,第一像素驱动电路102中的第一初始化晶体管和第一补偿晶体管可以包括双栅晶体管或者多栅晶体管,由此,可以提高第一像素驱动电路102的稳定性,并提高电子噪声抑制能力。
图7示例性示出了一种第一像素驱动电路102的结构示意图,图7中的第一初始化晶体管和第一补偿晶体管均为双栅晶体管。在第一像素驱动电路102工作过程中,需要说明的是,图7仅以双栅晶体管进行举例说明,其他能够使得第一初始化晶体管的漏电流小于第一补偿晶体管的漏电流的方案也在本申请的保护范围内,例如,第一初始化晶体管和第一补偿晶体管均为三栅晶体管等。
具体地,本实施例中,如图7所示,第一像素驱动电路102的第一补偿晶体管为第一双栅晶体管,图中以T3-1和T3-2标识,第一双栅晶体管连接在第一驱动晶体管的栅极和第一驱动晶体管的第一极之间;第一初始化晶体管为第二双栅晶体管,图7中以T4-1和T4-2标识,第二双栅晶体管连接在初始化电压和第一驱动晶体管的栅极之间;第二双栅晶体管的漏电流小于第一双栅晶体管的漏电流,使得第一驱动晶体管在驱动发光元件发光时其栅极电压上升。
在像素电路工作过程中,第一双栅晶体管和第二双栅晶体管在由打开状态变为关闭状态时,由于寄生电容的影响,其栅极电位的跳变会耦合到双栅晶体管的中间节点,使得双栅晶体管中间节点的电位发生跳变。具体地,在发光阶段,VTFT_3>Vgate,且Vrefn<VTFT_4<Vgate,且VTFT_3与Vgate的电压差大于Vgate与VTFT_4的电压差,其中,VTFT_3为第一双栅晶体管中间节点的电压,即T3-1和T3-2之间的节点的电压,Vgate为第一驱动晶体管的栅极电压,Vrefn为初始化电压,VTFT_4为第二双栅晶体管中间节点的电压,即T4-1和T4-2之间的节点的电压。
此时,第一双栅晶体管的中间节点电压与第一驱动晶体管的栅极电压的电压差大于第二双栅晶体管的中间节点电压与第一驱动晶体管的栅极电压的电压差,从第一双栅晶体管中间的节点流向驱动晶体管的栅极的第一漏电流,大于从第一驱动晶体管的栅极流向第二双栅晶体管中间的节点的第二漏电流,使得第一驱动晶体管的栅极电压上升。
具体地,第二像素驱动电路103中的第二初始化晶体管包括单栅晶体管或者双栅晶体管,第二补偿晶体管包括双栅晶体管或者多栅晶体管,其中,第二初始化晶体管的栅极数量少于第二补偿晶体管的栅极数量,由此,可以使得第二初始化晶体管的漏电流大于第二补偿晶体管的漏电流。
图8示例性示出了一种第二像素驱动电路的结构示意图,图8中以第二像素驱动电路103中的第二初始化晶体管为双栅晶体管,第二补偿晶体管为单栅晶体管为例,进行举例说明,本实施例提供的方案,通过将单栅晶体管作为第二初始化晶体管,使得第二初始化晶体管的漏电流大于第二补偿晶体管的漏电流,实现简单,并可以尽量减少像素驱动电路占用的面积。
具体地,本实施例中,如图8所示,第二像素驱动电路103的第二初始化晶体管为单栅晶体管,单栅晶体管连接在初始化电压和第二驱动晶体管的栅极之间,以将初始化电压施加至第二驱动晶体管的栅极;第二像素驱动电路103的第二补偿晶体管为第三双栅晶体管,第三双栅晶体管的第二极与第二驱动晶体管的第一极连接,第三双栅晶体管的第一极与第二驱动晶体管的栅极连接;单栅晶体管的漏电流大于第三双栅晶体管的漏电流,使得第二驱动晶体管在驱动发光元件发光时其栅极电压下降。
具体地,在发光阶段,VTFT_3>Vgate,且Vrefn<Vgate,其中,VTFT_3为第三双栅晶体管中间的节点电压,Vgate为第二驱动晶体管的栅极电压,Vrefn为初始化电压。
此时,由于Vrefn<Vgate,且相比于VTFT_3与Vgate两者电压差,Vrefn与Vgate两者电压差较大,导致流过单栅晶体管的漏电流较大,使得从第二驱动晶体管的栅极流向单栅晶体管的漏电流大于从第三双栅晶体管中间的节点流向第二驱动晶体管的栅极的漏电流,使得第二驱动晶体管的栅极电压下降。
本实施例提供的方案,通过将第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103交替设置在基板上,并使得第一像素驱动电路102中第一驱动晶体管的栅极电压上升,以及使得通过使得第二像素驱动电路103中第二驱动晶体管的栅极电压下降,导致第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103引起的亮度变化相反,使得第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103对应的亮度变化互补,弱化闪烁效果。
仿真实验
本实施例中,对像素驱动电路进行仿真测试,得到的测试结果如下:
参见图9,示出了对第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103分别进行仿真测试得到的仿真测试结果。
仿真测试结果具体如下表一:
表一
图9中以刷新频率为5Hz的OLED显示面板为例,图9中的横坐标为时间,单位是秒s,T1和T2为在一帧时间内的两个测量时间点;图9中的纵坐标为电流值,单位为A(安培)。如图9所示,第一像素驱动电路102的电流值逐渐减小,第二像素驱动电路103的电流值逐渐增加。
假设第一像素驱动电路102和第二像素驱动电路103的数量比例为1:1,则将上表中的电流值进行平均,可以得到本方案的电流值变化情况。
图10示出了对本申请实施例提供的方案进行仿真测试,以及对常规的像素驱动电路进行仿真测试得到的仿真测试结果,参见图10所示,“原方案”对应常规的像素驱动电路的仿真测试结果,“本方案”对应于采用本申请实施例提供的显示面板的仿真测试结果,本方案的仿真测试结果通过对图9中的电路一和电路二的电流值求平均值得到。。
仿真测试结果具体如下表二:
表二
比较而言,针对一帧内的电流变化量,本方案的1.54nA小于原方案的6.45nA,可见,本方案降低了发生闪烁的可能性。
此外,本发明实施例还提供了一种显示面板,其包括上述实施例提供的显示面板。
具体地,若显示屏幕面板为OLED,显示面板可以包括基板以及设置于基板上的第一像素驱动电路和第二像素驱动电路,还可以包括发光器件层,发光器件层包括层叠设置在基板上的阳极、发光功能层、阴极。
阳极用于在电流流过时注入空穴;阴极,用于在电流流过时注入电子。发光功能层,用于在电子和空穴的作用下产生光。
本发明实施例还提供一种显示装置,其包括:如上所述的显示面板。其中,显示装置可以为手机、可穿戴设备、电脑、电视等任意能够进行显示的装置。
还需要说明的是,本申请中各个附图中为便于进行示意,各结构其未必是按照实际比例绘制的,应理解,各附图均不作为对本申请实施例中的任何限制。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
需要说明的是,本文使用的术语“包括”及其变形是开放性包括,即“包括但不限于”。术语“基于”是“至少部分地基于”。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”;术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”;术语“一些实施例”表示“至少一些实施例”。其他术语的相关定义将在下文描述中给出。需要注意,本申请中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对不同的装置、模块或单元进行区分,并非用于限定这些装置、模块或单元所执行的功能的顺序或者相互依存关系。
需要注意,本申请中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的,本领域技术人员应当理解,除非在上下文另有明确指出,否则应该理解为“一个或多个”。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本申请实施例的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
交替设置在所述基板上的第一像素驱动电路和第二像素驱动电路;
所述第一像素驱动电路包括:
第一驱动晶体管,用于驱动发光元件发光;
第一初始化晶体管,连接在初始化电压和所述第一驱动晶体管的栅极之间,用于将所述初始化电压施加至所述第一驱动晶体管的栅极;
第一补偿晶体管,连接在所述第一驱动晶体管的栅极和第一驱动晶体管的第一极之间,用于在导通时使得所述第一驱动晶体管形成二极管结构,其中,所述第一初始化晶体管的漏电流小于所述第一补偿晶体管的漏电流;
所述第二像素驱动电路包括:
第二驱动晶体管,用于驱动发光元件发光;
第二初始化晶体管,连接在初始化电压和所述第二驱动晶体管的栅极之间,用于将初始化电压施加至所述第二驱动晶体管的栅极;
第二补偿晶体管,连接在所述第二驱动晶体管的栅极和第一极之间,用于在导通时使得所述第二驱动晶体管形成二极管结构,其中,所述第二初始化晶体管的漏电流大于所述第二补偿晶体管的漏电流。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一驱动晶体管在驱动所述发光元件发光时所述第一驱动晶体管的栅极电压上升,所述第二驱动晶体管在驱动所述发光元件发光时所述第二驱动晶体管的栅极电压下降。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一初始化晶体管以及所述第一补偿晶体管均包括双栅晶体管或者多栅晶体管。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二初始化晶体管包括单栅晶体管或者双栅晶体管,所述第二补偿晶体管包括双栅晶体管或者多栅晶体管,其中,所述第二初始化晶体管的栅极数量少于所述第二补偿晶体管的栅极数量。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二初始化晶体管为单栅晶体管,且所述第二补偿晶体管为双栅晶体管。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路交替设置在基板上的显示区域内。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路的设置方式为沿行方向交替设置,和/或沿列方向交替设置。
8.根据权利要求1-7任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路的数量比例为1:10到10:1。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路沿所述行方向交替设置且沿所述列方向交替设置,所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路的数量比例为1:1。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1-9任一项所述的显示面板。
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