CN116791088A - 蚀刻剂 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了蚀刻剂。该蚀刻剂包括：过硫酸盐；含氟化合物；含氯化合物；环胺化合物；无机酸；硫酸盐；和水，其中蚀刻剂的尖端控制指数(Y)为至少约45.0且不大于约70.0的值，尖端控制指数(Y)是通过方程式1计算的值：方程式1Y＝1.0×10‑3×M(X1)+1.0×10‑1×M(X2)+5.0×10‑2×M(X3)+1.5×M(X1)×M(X2)+2.0×10‑1×M(X1)×M(X3)+2.0×10‑1×M(X2)×M(X3)，方程式1的描述如本说明书中所述。

Description

蚀刻剂
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年3月21日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0034935号的优先权和权益，其公开通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
在本文中描述的本公开的实施方式涉及蚀刻剂。
背景技术
随着表达一种或多种适当的电信号信息的显示装置的领域(例如，在信息技术的领域)的进展，正在研究和开发一种或多种具有卓越的或适当的特性(比如减少厚度，减少重量和低功耗)的适当的平板显示装置。在这些显示装置中，有机发光显示装置可被制造成轻量化和薄型化，并且具有相对宽视角和快速响应速率的优势，因此作为下一代显示装置引起关注。
发明内容
实施方式的方面涉及能够蚀刻多层膜的蚀刻剂。
另外的方面将部分在随后的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。
根据实施方式，蚀刻剂包括：过硫酸盐；含氟化合物；含氯化合物；环胺化合物；无机酸；硫酸盐；和水，蚀刻剂具有尖端控制指数(Y)，其为至少约45.0且不大于约70.0、例如不大于70.08的值，尖端控制指数(Y)是通过<方程式1>计算的值：
方程式1
Y＝1.0×10-3×M(X1)+1.0×10-1×M(X2)+5.0×10-2×M(X3)+1.5×M(X1)×
M(X2)+2.0×10-1×M(X1)×M(X3)+2.0×10-1×M(X2)×M(X3)，
其中，在方程式1中，
M(X1)指示相对于蚀刻剂的总量100wt％，含氯化合物的wt％，
M(X2)指示相对于蚀刻剂的总量100wt％，硫酸盐的wt％，并且
M(X3)指示相对于蚀刻剂的总量100wt％，水的wt％。
蚀刻剂可蚀刻多层膜，并且使用蚀刻剂，在显示装置的制造期间可减少缺陷率。
附图说明
本公开的某些实施方式的上面以及其他的方面、特征和优势将从结合所附附图的下述描述中更显而易见。
图1至图5分别示出使用扫描电子显微镜对根据本公开的实施例1至实施例5的蚀刻样品的观察结果；并且
图6至图10分别示出使用扫描电子显微镜对根据本公开的比较例1至比较例5的蚀刻样品的观察结果。
具体实施方式
现在将更详细地参考其示例阐释在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件，并且可不提供其重复描述。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于在本文中陈述的描述。相应地，下面只是通过参考附图来描述实施方式，以解释本描述的各方面。如在本文中使用的术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b或c中的至少一个”指示仅仅a，仅仅b，仅仅c，a和b二者(例如，同时)，a和c二者(例如，同时)，b和c二者(例如，同时)，所有的a、b和c，或其变体。
本公开可包括一种或多种适当的修改和一种或多种适当的实施方式，并且具体的实施方式将在所附附图中阐释并在详细描述中更详细地描述。本公开的效果和特征以及实施本公开的方法将结合附图参考下面更详细描述的实施方式而变得清楚。然而，本公开不限于下面公开的实施方式，并且可以以一种或多种适当的形式来实现。
如在本文中使用的术语“第一”、“第二”等，仅用于将一个组件与另一个组件区分开，并不用于限制的目的。
如在本文中使用的单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确指示。
如在本文中使用的术语比如“包括”和/或“具有”等旨在指示在本说明书中公开的特征或元件的存在，并不旨在排除可存在或可添加一个或多个其他特征或元件的可能性。
如在本文中使用的，当元件(比如层、膜、区或组件)被称为“在”另一元件(比如层、膜、区或组件)“上”时，它可“直接在”其他元件(比如层、膜、区或组件)“上”，或也可存在一个或多个居间的层、膜、区或组件。
在附图中，为了易于描述，元件的尺寸被放大或缩小。例如，附图中示出的每个元件的尺寸或厚度为了易于描述而任意阐释，并且因此本公开不限于此。
根据实施方式，蚀刻剂包括：过硫酸盐；含氟化合物；含氯化合物；环胺化合物；无机酸；硫酸盐；和水，蚀刻剂具有尖端控制指数(Y)，其为至少约45.0且不大于约70.0、例如不大于70.08的值，尖端控制指数(Y)是通过<方程式1>计算的值：
方程式1
Y＝1.0×10-3×M(X1)+1.0×10-1×M(X2)+5.0×10-2×M(X3)+1.5×M(X1)×
M(X2)+2.0×10-1×M(X1)×M(X3)+2.0×10-1×M(X2)×M(X3)，
其中，在方程式1中，
M(X1)指示相对于蚀刻剂的总量100wt％，含氯化合物的wt％，
M(X2)指示相对于蚀刻剂的总量100wt％，硫酸盐的wt％，并且
M(X3)指示相对于蚀刻剂的总量100wt％，水的wt％。
在一个或多个实施方式中，蚀刻剂中的过硫酸盐可包括过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾或者其一种或多种组合。过硫酸盐为主要的蚀刻组分，并且可控制蚀刻速率。例如，过硫酸盐可包括过硫酸铵或过二硫酸铵。例如，过硫酸盐可为过硫酸铵或过二硫酸铵。在一些实施方式中，当使用其中过硫酸盐包括钠(Na)(例如，过硫酸盐为过二硫酸钠)的蚀刻剂制造显示装置时，可通过与玻璃基板反应生成含硅(Si)沉淀(例如，Na2SiF6)。然而，当过硫酸盐不包括Na时，生成的含Si沉淀的量可能降低，因此可获得显示装置的缺陷率减少的效果。在一些实施方式中，当使用其中过硫酸盐包括钾(K)(例如，当过硫酸盐为过二硫酸钾时)的蚀刻剂制造显示装置时，分解速率可能随着时间推移而增加，并且制造时间可能增加。然而，当过硫酸盐不包括K时，可获得增加稳定性和减少制造时间的效果。
例如，相对于蚀刻剂的总量100wt％，过硫酸盐可为约3.0wt％或更大且约15.0wt％或更小。当包括的过硫酸盐的量小于约3.0wt％时，可能不会发生蚀刻或蚀刻速率可能减少。当包括的过硫酸盐超过约15.0wt％时，难以控制蚀刻速率，并且阴离子过度增加，因此降低多层膜的蚀刻均匀性。
在一个或多个实施方式中，蚀刻剂中的含氟化合物可包括氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠、氟化氢钾或者其一种或多种组合。含氟化合物可减少在蚀刻期间可能生成的残留物和/或尖端。含氟化合物可为其中氟离子或多原子氟离子溶解在溶液中的化合物。
例如，相对于蚀刻剂的总量100wt％，含氟化合物可为约0.10wt％或更大且约2.0wt％或更小。在其他实施方式中，含氟化合物可为约0.6wt％或更大且约1.0wt％或更小。当包括的含氟化合物的量小于约0.10wt％时，蚀刻速率可能减少，因此生成残留物和/或尖端。当包括的含氟化合物大于约2.0wt％时，可能损坏基板(例如，构成布线的基底的基板、包括布线的基板和/或硅类绝缘层)。含氯化合物可为其中氯离子溶解在溶液中的化合物。
在一个或多个实施方式中，蚀刻剂中的含氯化合物可包括盐酸、氯化钠、氯化钾、氯化铵、氯化铁(III)、高氯酸钠、高氯酸钾、乙基磺酰氯、甲基磺酰氯或者其一种或多种组合。含氯化合物通过改善蚀刻速率来改善图案化的布线的临界尺寸(CD)损失，并且因此可改善工艺裕度。在一些实施方式中，通过防止或减少布线的过蚀刻，可改善产率。临界尺寸(CD)损失为当垂直方向和水平方向上的蚀刻速率之间没有大的差异时出现的图案轮廓故障之一，并且可指由于用于蚀刻的掩模图案(例如，光致抗蚀剂图案)的末端和蚀刻图案的末端之间的水平距离减小而不能正常实现布线的故障。
例如，相对于蚀刻剂的总量100wt％，含氯化合物可为约0.01wt％或更大且约1.0wt％或更小。在其他实施方式中，含氯化合物可为约0.01wt％或更大且约0.5wt％或更小。当包括的含氯化合物的量小于约0.01wt％时，蚀刻速率可能减少，因此生成残留物。在一些实施方式中，由于不能防止或不能适当地减少布线的过蚀刻，因此产率可能减少。当包括的含氯化合物超过约1.0wt％时，蚀刻速率可能过度增加，因此减少蚀刻均匀性。
在一个或多个实施方式中，蚀刻剂中的环胺化合物可包括5-氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、吡咯啉、5-甲基四唑、1-甲基-5-氨基四唑、1-乙基-5-氨基四唑或者其一种或多种组合。环胺化合物可控制蚀刻速率，改善蚀刻均匀性，并形成轮廓。
例如，相对于蚀刻剂的总量100wt％，环胺化合物可为约0.10wt％或更大且约2.0wt％或更小。当包括的环胺化合物的量小于约0.10wt％时，蚀刻速率是不可控制的，因此造成过蚀刻或基本上非均匀的蚀刻。当包括的环胺化合物超过约2.0wt％时，蚀刻速率可能减少，因此降低效率。
在一个或多个实施方式中，蚀刻剂中的无机酸可包括硝酸、硫酸、磷酸、亚磷酸或者其一种或多种组合。无机酸可为用于蚀刻的辅助氧化剂。
例如，相对于蚀刻剂的总量100wt％，无机酸可为约0.10wt％或更大且约5.0wt％或更小。当包括的无机酸的量小于约0.10wt％时，蚀刻速率可能减少，因此造成在轮廓中出现残留物或故障。当包括的无机酸超过约5.0wt％时，可能发生过蚀刻，或可能发生光致抗蚀剂破裂，因此降低产率。
在一个或多个实施方式中，蚀刻剂中的硫酸盐可包括金属硫酸盐、有机酸硫酸盐或其任何组合。例如，硫酸盐可包括硫酸钠、硫酸钾、硫酸铜、硫酸钛、硫酸铁、硫酸铵、硫酸氨基葡萄糖或者其一种或多种组合。在其他实施方式中，硫酸盐可为硫酸钠、硫酸钾、硫酸铁或者其一种或多种组合。
例如，相对于蚀刻剂的总量100wt％，硫酸盐可为约0.10wt％或更大且约7.0wt％或更小。在其他实施方式中，硫酸盐可为约0.5wt％或更大且约5.0wt％或更小。当包括的硫酸盐的量小于约0.10wt％时，蚀刻速率(例如，金属氧化物膜的蚀刻速率)可能减少，因此生成残留物。当包括的硫酸盐大于约7.0wt％时，蚀刻速率(例如，金属膜或铜金属膜的蚀刻速率)可能减少。
在一个或多个实施方式中，蚀刻剂中的过硫酸盐可包括过硫酸铵、过硫酸钾或其组合，含氟化合物可包括氟化铵、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钾或者其一种或多种组合，含氯化合物可包括盐酸、氯化钾、氯化铵、高氯酸钾、乙基磺酰氯、甲基磺酰氯或者其一种或多种组合，并且硫酸盐可包括硫酸钾、硫酸铜、硫酸钛、硫酸铁、硫酸铵、硫酸氨基葡萄糖或者其一种或多种组合。
在其他实施方式中，蚀刻剂可包括：相对于蚀刻剂的总量100wt％，量为至少约3.0wt％且不大于约15.0wt％的过硫酸盐，量为至少约0.10wt％且不大于约2.0wt％的含氟化合物，量为至少约0.01wt％且不大于约1.0wt％的含氯化合物，量为至少约0.10wt％且不大于约2.0wt％的环胺化合物，量为至少约0.10wt％且不大于约5.0wt％的无机酸，以及量为至少约0.10wt％且不大于约7.0wt％的硫酸盐。
在一个或多个实施方式中，蚀刻剂中的水可为用于半导体加工的去离子水。例如，水可为约18MΩ/cm或更大的去离子水。在其他实施方式中，水可作为余量包括在内。余量指达到包括本公开的基本组分和/或其他组分的蚀刻剂的总重量100wt％所需的量。
例如，水的量可以为至少约75wt％且不大于约88wt％。
尖端控制指数(Y)为至少约45.0且不大于约70.0、例如不大于70.08的值，并且在本文中为通过<方程式1>计算的值。
尖端控制指数(Y)为用于控制蚀刻剂的量以使多层膜能够被蚀刻并减少锥角从而防止或减少尖端形成的指数。对于其中Y小于约45.0或大于约70的蚀刻剂，多层膜的上部的蚀刻速率低于多层膜的下部的蚀刻速率，并且因此，在具有这种蚀刻速率的多层膜中，尖端出现可能性可能高并且锥角可能增加。对于其中Y为约45.0或更大且不大于约70的蚀刻剂，增加了多层膜的上部的蚀刻速率，并且在具有这种蚀刻速率的多层膜中，尖端出现可能性可能低并且可减少锥角。例如，当使用满足Y的范围的蚀刻剂制造显示装置时，多层膜(例如，Ti/Cu/Ti/ITO结构的膜)可被同步地(例如，同时)蚀刻，并且减少了多层膜的尖端出现(例如，在Ti/Cu/Ti/ITO结构的膜的ITO中尖端出现)可能性，因此可形成合适的或适当的锥角。
例如，通过控制蚀刻剂的量以满足Y的范围，可有效开发出具有卓越的或适当的蚀刻效率和蚀刻均匀性的蚀刻剂，并且可制造出高清晰度显示装置。
例如，Y可为至少约45.3且不大于约68.0。
在一个或多个实施方式中，蚀刻剂可进一步包括表面活性剂、金属离子螯合剂、抗腐蚀剂、热稳定剂、增稠剂、乙二醇或者其一种或多种组合。
在一个或多个实施方式中，蚀刻剂可用于蚀刻金属膜、金属氧化物膜或其组合。
在其他实施方式中，蚀刻剂可用于蚀刻金属膜或金属氧化物膜。
例如，金属膜可为单层膜或多层膜。
例如，金属膜可包括铜、钛、钛合金或者其一种或多种组合。钛合金可包括：钛；以及钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)或者其一种或多种组合。
例如，金属膜可包括第一金属膜、第二金属膜和第三金属膜。第一金属膜和第三金属膜可各自独立地包括钛或钛合金；并且钛合金可包括：钛；以及钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)或者其一种或多种组合(例如，钛合金可包括：钛；以及钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)和钕(Nd)中的至少一种)。第二金属膜可包括铜。
例如，金属氧化物膜可包括铟(In)、锡(Sn)、镓(Ga)、锌(Zn)或者其一种或多种组合的氧化物。在其他实施方式中，金属氧化物膜可包括以下的氧化物：In；以及Sn、Ga、Zn或者其一种或多种组合(例如，金属氧化物膜可包括以下的氧化物：In；以及Sn、Ga和Zn中的至少一种)。在其他实施方式中，金属氧化物膜可为In和Sn的氧化物(例如，ITO)。
例如，第一金属膜可包括钛，第二金属膜可包括铜，第三金属膜可包括钛，并且金属氧化物膜可包括ITO。然而，实施方式不限于此。
在下文中，现在将参考下述示例更详细地描述根据本公开的蚀刻剂的一个或多个实施方式。
实施例1至实施例10和比较例1至比较例5
以具有如表1中的组成制备根据实施例1至实施例10和比较例1至比较例5的蚀刻剂。在表1中，％指示wt％。然后，在基板上形成Ti/Cu/Ti/ITO四层膜，随后在四层膜上进行光致抗蚀剂图案化以制造样品。每种蚀刻剂置于喷雾类型或种类的蚀刻设备(型号名称：ETCHER(TFT)，可从SEMES获得)中，并将温度设置为约28℃，并且之后，对每个样品进行蚀刻工艺以获得蚀刻样品。蚀刻时间为约50秒至200秒。
在表1中，APS为过硫酸铵，SPS为过硫酸钠，KPS为过硫酸钾，ABF为氟化氢铵，ACl为氯化铵，NaCl为氯化钠，ATZ为5-氨基四唑，HNO3为硝酸，SS为硫酸钠，PS为硫酸钾，并且FS为硫酸铁。
评估例1
根据实施例1至实施例10和比较例1至比较例5的蚀刻样品另外被过蚀刻了70％，并且通过使用扫描电子显微镜(SEM，Model：S-4700，可从Hitachi获得)测量过蚀刻样品的轮廓和Cu上部的Ti/ITO突出长度，确定是否出现尖端。结果在表1中示出。在表1中，其中未出现尖端的情况标记为“O”，并且其中出现尖端的情况标记为“X”。图1至图5分别示出实施例1至实施例5的蚀刻样品的轮廓，并且图6至图10分别示出比较例1至比较例5的蚀刻样品的轮廓。
表1
参考表1，发现实施例1至实施例10的蚀刻剂各自显示出尖端控制指数(Y)为至少约45且不大于约70，并且比较例1至比较例5的蚀刻剂各自显示出Y为小于约45或大于约70。发现实施例1至实施例10的蚀刻样品具有卓越的或适当的轮廓而没有出现尖端，而比较例1至比较例5的蚀刻样品由于出现了尖端而具有基本上不均匀的轮廓。
参考图1至图10，发现实施例1至实施例5的样品在上部上没有出现尖端，而比较例1至比较例5的样品在上部上出现尖端，分别为0.1468微米(μm)、0.1389μm，0.0992μm、0.3254μm或0.4286μm。所以，与比较例1至比较例5的蚀刻剂相比，发现实施例1至实施例5中使用的蚀刻剂具有卓越的或适当的蚀刻效率和蚀刻均匀性。
如上所述，根据一个或多个实施方式，蚀刻剂可蚀刻多层膜，并且使用蚀刻剂，在显示装置的制造期间可减少缺陷率。
应理解，在本文中描述的实施方式应仅以描述性意义考虑并且不用于限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应考虑可用于其他实施方式中其他类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由上述权利要求及其等同方案限定的精神和范围的情况下可在其中进行形式和细节上的一种或多种适当的改变。
如在本文中使用的术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且旨在说明本领域普通技术人员会认识到的测量值或计算值的固有偏差。如在本文中使用的，“约”或“近似”包括叙述值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差的范围内。例如，“约”可意指在一个或多个标准偏差内，或者在叙述值的±30％、±20％、±10％或±5％以内。
此外，在本文中阐述的任何数值范围旨在包括落入阐述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括阐述的1.0的最小值和阐述的10.0的最大值之间(并且包括1.0和10.0)，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围，比如，例如，2.4至7.6。在本文中阐述的任何最大数值界限旨在包括落入其中的所有较低数值界限，并且在该说明书中阐述的任何最小数值界限旨在包括落入其中的所有较高数值界限。相应地，申请人保留修改包括权利要求在内的该说明书的权利，以明确地阐述落入本文中明确地阐述的范围内的任何子范围。
如在本文中使用的术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可以被认为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。
当描述本公开的实施方式时“可”的使用指“本公开的一个或多个实施方式”。

Claims (20)

1.一种蚀刻剂，包括：
过硫酸盐；
含氟化合物；
含氯化合物；
环胺化合物；
无机酸；
硫酸盐；和
水，
其中，
所述蚀刻剂的尖端控制指数Y为至少45.0且不大于70.08的值，
所述尖端控制指数Y是通过方程式1计算的值：
方程式1
Y＝1.0×10-3×M(X1)+1.0×10-1×M(X2)+5.0×10-2×M(X3)+1.5×M(X1)×
M(X2)+2.0×10-1×M(X1)×M(X3)+2.0×10-1×M(X2)×M(X3)，
其中，在方程式1中，
M(X1)指示相对于所述蚀刻剂的总量100wt％，所述含氯化合物的wt％，
M(X2)指示相对于所述蚀刻剂的总量100wt％，所述硫酸盐的wt％，并且
M(X3)指示相对于所述蚀刻剂的总量100wt％，所述水的wt％。
2.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述过硫酸盐包括过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾或者其一种或多种组合。
3.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述过硫酸盐为过硫酸铵。
4.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述含氟化合物包括氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠、氟化氢钾或者其一种或多种组合。
5.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述含氯化合物包括盐酸、氯化钠、氯化钾、氯化铵、氯化铁(III)、高氯酸钠、高氯酸钾、乙基磺酰氯、甲基磺酰氯或者其一种或多种组合。
6.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述环胺化合物包括5-氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、吡咯啉、5-甲基四唑、1-甲基-5-氨基四唑、1-乙基-5-氨基四唑或者其一种或多种组合。
7.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述无机酸包括硝酸、硫酸、磷酸、亚磷酸或者其一种或多种组合。
8.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述硫酸盐包括金属硫酸盐、有机酸硫酸盐或者其一种或多种组合。
9.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述硫酸盐包括硫酸钠、硫酸钾、硫酸铜、硫酸钛、硫酸铁、硫酸铵、硫酸氨基葡萄糖或者其一种或多种组合。
10.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述硫酸盐包括硫酸钠、硫酸钾、硫酸铁或者其一种或多种组合。
11.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中Y为至少45.3且不大于68.0。
12.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，相对于所述蚀刻剂的总量100wt％，
所述过硫酸盐的量为至少3.0wt％且不大于15.0wt％，
所述含氟化合物的量为至少0.10wt％且不大于2.0wt％，
所述含氯化合物的量为至少0.01wt％且不大于1.0wt％，
所述环胺化合物的量为至少0.10wt％且不大于2.0wt％，
所述无机酸的量为至少0.10wt％且不大于5.0wt％，并且
所述硫酸盐的量为至少0.10wt％且不大于7.0wt％。
13.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中相对于所述蚀刻剂的总量100wt％，所述水的量为至少75wt％且不大于85wt％。
14.根据权利要求1所述的蚀刻剂，进一步包括表面活性剂、金属离子螯合剂、抗腐蚀剂、热稳定剂、增稠剂、乙二醇或者其一种或多种组合。
15.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述蚀刻剂用于蚀刻金属膜、金属氧化物膜或其组合。
16.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述蚀刻剂用于蚀刻金属膜或金属氧化物膜。
17.根据权利要求15所述的蚀刻剂，其中所述金属膜为多层膜。
18.根据权利要求15所述的蚀刻剂，其中所述金属膜包括铜、钛、钛合金或者其一种或多种组合，并且
所述钛合金包括：钛；以及钼、钽、铬、镍、钕或者其一种或多种组合。
19.根据权利要求15所述的蚀刻剂，其中所述金属膜包括第一金属膜、第二金属膜和第三金属膜，
所述第一金属膜和所述第三金属膜各自独立地包括钛或钛合金，
所述钛合金包括：钛；以及钼、钽、铬、镍、钕或者其一种或多种组合，并且
所述第二金属膜包括铜。
20.根据权利要求15所述的蚀刻剂，其中所述金属氧化物膜包括铟、锡、镓、锌或者其一种或多种组合的氧化物。
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