CN116780161A - 天线装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种天线装置及电子设备，天线装置的第一辐射体传输第一激励电流；第二辐射体传输第二激励电流；接地平面使第一激励电流和第二激励电流接地；去耦结构包括第一去耦单元和第二去耦单元，第一去耦单元连接于接地平面，第二去耦单元与接地平面间隔设置；第一去耦单元与在接地平面上流动的第一激励电流、第二激励电流中的至少一个耦合并将耦合的电流耦合至第二去耦单元，以使得第一去耦单元和第二去耦单元共同增加第一辐射体与第二辐射体之间的隔离度。基于此，本申请的去耦结构既可以实现解耦效果，也可以实现小型化设计。

Description

天线装置及电子设备

技术领域

本申请涉及通信技术领域，特别涉及一种天线装置及电子设备。

背景技术

随着通信技术的发展，诸如智能手机等电子设备能够实现的功能越来越多，电子设备的通信模式也更加多样化，电子设备内部设置的天线辐射体也越来越多。

但是，受到电子设备小型化设计的限制，多个天线辐射体之间干扰较大，多个天线辐射体的辐射性能较差。

发明内容

本申请提供一种天线装置及电子设备，天线装置的多个辐射体之间具有较优的隔离度性能，多个辐射体之间的干扰较小，天线装置的辐射性能较优。

第一方面，本申请提供了一种天线装置，包括：

第一辐射体，用于传输第一激励电流；

第二辐射体，与所述第一辐射体间隔设置，所述第二辐射体用于传输第二激励电流；

接地平面，用于使所述第一激励电流和所述第二激励电流接地；及

去耦结构，包括第一去耦单元和第二去耦单元，所述第一去耦单元连接于所述接地平面，所述第二去耦单元与所述接地平面间隔设置；所述第一去耦单元用于与在所述接地平面上流动的所述第一激励电流、所述第二激励电流中的至少一个耦合并用于将耦合的电流耦合至所述第二去耦单元，以使得所述第一去耦单元和所述第二去耦单元共同增加所述第一辐射体与所述第二辐射体之间的隔离度。

第二方面，本申请还提供了一种电子设备，包括如上所述的天线装置。

本申请的天线装置及电子设备，天线装置的第一辐射体传输第一激励电流；第二辐射体传输第二激励电流；去耦结构包括与接地平面连接的第一去耦单元以及与接地平面间隔设置的第二去耦单元，第一去耦单元可与在接地平面上流动的第一激励电流、第二激励电流中的至少一个耦合，并可将耦合的电流耦合至第二去耦单元，从而，第一去耦单元和第二去耦单元可以减少从接地平面上流向第一辐射体的第二激励电流的电流量并减少第二辐射体对第一辐射体的干扰，也可以减少从接地平面上流向第二辐射体的第一激励电流的电流量并减少第一辐射体对第二辐射体的干扰，第一去耦单元和第二去耦单元可以共同增加第一辐射体与第二辐射体之间的隔离度，去耦结构可以实现解耦功能，天线装置的辐射性能较优。并且，去耦结构同时包括第一去耦单元和第二去耦单元，相较于只设置一个去耦单元的方案而言，本申请的第一去耦单元、第二去耦单元各自占据的空间更小；同时，第一去耦单元设置于接地平面、第二去耦单元与接地平面间隔设置，第一去耦单元和第二去耦单元的设置位置更灵活，整个去耦结构更紧凑，占据空间更小，更利于去耦结构、天线装置实现小型化设计。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的天线装置的第一种结构示意图。

图2为本申请实施例提供的天线装置的第二种结构示意图。

图3为本申请实施例提供的天线装置的第三种结构示意图。

图4为本申请实施例提供的天线装置的第四种结构示意图。

图5为本申请实施例提供的天线装置的第五种结构示意图。

图6为图1所示的天线装置的一种电流分布示意图。

图7为图1所示的天线装置的一种电场分布示意图。

图8为图1所示的天线装置设置去耦结构与不设置去耦结构时，从接地平面耦合至第一辐射体的第二激励电流在不同相位下的电流强度示意图。

图9为图1所示的天线装置设置去耦结构与不设置去耦结构时的第一辐射体与第二辐射体之间的隔离度曲线示意图。

图10为图1所示的天线装置设置去耦结构与不设置去耦结构时第一辐射体的一种反射系数曲线示意图。

图11为图1所示的天线装置设置去耦结构与不设置去耦结构时第二辐射体的一种反射系数曲线示意图。

图12为本申请实施例提供的天线装置的第六种结构示意图。

图13为本申请实施例提供的天线装置的第七种结构示意图。

图14为图1所示的天线装置的接地平面及第一去耦单元的第一种结构示意图。

图15为图1所示的天线装置的接地平面及第一去耦单元的第二种结构示意图。

图16为图1所示的天线装置的第二去耦单元的一种结构示意图。

图17为本申请实施例提供的电子设备的一种结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图1至图17，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请实施例提供一种天线装置100和电子设备10，天线装置100用于实现无线通信功能，例如天线装置100可以但不限于传输无线保真(Wireless Fidelity，简称Wi-Fi)信号、全球定位系统(Global Positioning System，简称GPS)信号、第三代移动通信技术(3rd-Generation，简称3G)、第四代移动通信技术(4th-Generation，简称4G)、第五代移动通信技术(5th-Generation，简称5G)、近场通信(Near field communication，简称NFC)信号等。

请参考图1至图3，图1为本申请实施例提供的天线装置100的第一种结构示意图，图2为本申请实施例提供的天线装置100的第二种结构示意图，图3为本申请实施例提供的天线装置100的第三种结构示意图。天线装置100包括第一辐射体110、第二辐射体120、接地平面130和去耦结构140。

第一辐射体110可以传输第一激励电流I1。该第一激励电流I1可以由馈源元件提供，例如，天线装置100还可以包括第一馈源150，第一馈源150可以与第一辐射体110直接或间接电连接并向第一辐射体110提供第一激励电流I1。第一辐射体110在传输第一激励电流I1时可以支持第一频段的第一无线信号。

第二辐射体120可以与第一辐射体110间隔设置，二者之间可以存在一定距离以避免相互干扰。第二辐射体120可以传输第二激励电流I2。该第二激励电流I2也可以由馈源元件提供，例如，天线装置100还可以包括第二馈源160，第二馈源160可以与第二辐射体120直接或间接电连接并向第二辐射体120提供第二激励电流I2。第二辐射体120在传输第二激励电流I2时可以支持第二频段的第二无线信号。可以理解的是，第二无线信号可以与第一无线信号的频段相同，也可以不同。当第一无线信号、第二无线信号的频段相同时，第一辐射体110和第二辐射体120可以实现该频段无线信号的多输入多输出(Multiple-InputMultiple-Output，简称MIMO)传输。本申请实施例对第一无线信号、第二无线信号不进行具体的限定。

接地平面130可以形成公共地。接地平面130可以通过天线装置100或电子设备10中的导体、印刷线路或者金属印刷层等形成。例如，接地平面130可以设置在天线装置100或电子设备10的电路板、小板上，还可以形成在天线装置100或电子设备10的中框上。其中，第一激励电流I1和第二激励电流I2可以在接地平面130上流动，接地平面130可以使第一激励电流I1和第二激励电流I2接地。

可以理解的是，第一辐射体110和第二辐射体120可以直接或间接地与接地平面130电连接以使得第一激励电流I1、第二激励电流I2可以通过第一辐射体110、第二辐射体120流入至接地平面130并实现接地。例如，如图1至图3所示，第一辐射体110上设有第一接地端111，第一接地端111与接地平面130电连接以使第一激励电流I1通过第一接地端111回地；第二辐射体120上设有第二接地端121，第二接地端121与接地平面130电连接以使第二激励电流I2通过第二接地端121回地，第一辐射体110、第二辐射体120可以但不限于是倒F天线形式。

可以理解的是，第一激励电流I1和第二激励电流I2也可以通过其他的方式例如但不限于通过第一馈源150、第二馈源160流动至接地平面130上。例如，请参考图4，图4为本申请实施例提供的天线装置100的第四种结构示意图，第一辐射体110和第二辐射体120还可以不设置第一接地端111、第二接地端121，第一辐射体110、第二辐射体120可以但不限于是单级子天线形式、贴片天线形式。第一馈源150的一端可与第一辐射体110电连接、另一端可与接地平面130电连接，以使得第一激励电流I1可以接地。第二馈源160的一端可与第二辐射体120电连接、另一端可与接地平面130电连接，以使得第二激励电流I2可以接地。其中，第一馈源150、第二馈源160可以但不限于通过同轴线实现与第一辐射体110、第二辐射体120的电连接，同轴线的内层可以传输的第一激励电流I1、第二激励电流I2，同轴线的外层屏蔽层可以与接地平面130电连接而为第一激励电流I1、第二激励电流I2提供回地回路。

需要说明的是，在图1至图3所示的实施例中，第一馈源150、第二馈源160也可以通过同轴线实现接地，在此不在详述。可以理解的是，以上仅为第一激励电流I1、第二激励电流I2在接地平面130上流动的示例性举例，本申请实施例的方式并不局限于上述举例，其他可实现第一激励电流I1、第二激励电流I2在接地平面130上流动并回地的方式也在本申请的保护范围内。

请再次参考图1至图3，去耦结构140可以增加第一辐射体110和第二辐射体120之间的隔离度。去耦结构140可以包括第一去耦单元141和第二去耦单元142，该第一去耦单元141可以设置于接地平面130，例如，如图1至3所示，第一去耦单元141可以设置并形成于接地平面130，第一去耦单元141可以但不限于为形成于接地平面130上的凹槽结构。再例如，请参考图5，图5为本申请实施例提供的天线装置100的第五种结构示意图，第一去耦单元141也可以直接或间接地连接于接地平面130，第一去耦单元141可以但不限于为与接地平面130连接的辐射枝节、接地枝节、寄生枝节。示例性的，如图5所示，第一去耦单元141可以包括相互连接且成L型结构的第一枝节和第二枝节，第一枝节可以接地平面130直接或间接连接，第二枝节可与第一枝节连接并弯折延伸以使第一去耦单元可形成L型结构。其中，该第一枝节可与第二去耦单元142的部分结构(例如后文中的第二去耦单元142的第二耦合部1421，或者后文中谐振环132的第二开口1321)正对设置，该第二枝节可与第二去耦单元142的主体结构(例如后文中的谐振环132的谐振环本体1324)平行设置，以使得耦合至第一去耦单元141的第一激励电流I1、第二激励电流I2可以更容易地耦合至第二去耦单元142上。需要说明的是，第一去耦单元141的结构并不局限于上述说明，其他的可与接地平面130上流动的第一激励电流I1、第二激励电流I2耦合并可与第二耦合单元142耦合的第一去耦单元141的结构均在本申请实施例的保护范围内。

第一去耦单元141可以与在接地平面130上流动的第一激励电流I1、第二激励电流I2中的至少一个耦合。第二去耦单元142可以与接地平面130间隔设置，以使得二者没有物理上的连接关系；第二去耦单元142也可以与第一去耦单元141间隔设置并使得二者没有物理上的连接关系。第二去耦单元142可以位于第一去耦单元141附近的预设空间内，以使得第二去耦单元142可以与第一去耦单元141产生电磁耦合，第一去耦单元141可将其耦合的电流耦合至第二去耦单元142上。

请结合图1并请参考图6，图6为图1所示的天线装置100的一种电流分布示意图。当第一激励电流I1、第二激励电流I2在接地平面130上流动时，第一去耦单元141可以与第一激励电流I1耦合，或者，第一去耦单元141可以与第二激励电流I2耦合，或者第一去耦单元141还可以同时与第一激励电流I1和第二激励电流I2耦合。此时，第二去耦单元142可以与第一去耦单元141电磁耦合，以使得第一激励电流I1或者第二激励电流I2或者第一激励电流I1和第二激励电流I2可以通过第一去耦单元141耦合至第二去耦单元142，第一去耦单元141和第二去耦单元142可以共同增加第一辐射体110与第二辐射体120之间的隔离度，第一去耦单元141和第二去耦单元142可以共同实现解耦功能。

可以理解的是，如图1所示，第一去耦单元141可以包括第一耦合部1411，第二去耦单元142可以包括第二耦合部1421，在接地平面130上流动的第一激励电流I1、第二激励电流I2中的至少一个可以经过第一耦合部1411和第二耦合部1421耦合至第二耦合单元。可以理解的是，该第一耦合部1411、第二耦合部1421可以但不限于为实体结构或实体结构与虚体结构相结合的结构。例如，该第一耦合部1411可以为第一去耦单元141相对设置的两块基板及其之间的间隙形成的开口结构；该第二耦合部1421可以但不限于第二去耦单元142相对设置的两个端部及其之间的间隙形成的开口结构。

其中，为了使第一激励电流I1、第二激励电流I2更好地通过第一去耦单元141耦合至第二去耦单元142，在接地平面130上流动的第一激励电流I1、第二激励电流I2中的至少一个，在第一去耦单元141与第二去耦单元142的耦合区域处形成的电场的方向平行。例如，在接地平面130上流动的第一激励电流I1、第二激励电流I2中的至少一个，在第一耦合部1411处形成的第一电场E1与在第二耦合部1421处形成的第二电场E2的方向可以平行，以使得第一耦合部1411处的电场与第二耦合部1421的电场近似，第一耦合部1411更易与第二耦合部1421产生耦合。示例性的，请参考图7，图7为图1所示的天线装置100的一种电场分布示意图。由图7可知，在接地平面130上流动的第一激励电流I1、第二激励电流I2，在第一去耦单元141的第一耦合部1411处形成的第一电场E1的方向为水平方向、在第二耦合部1421处形成的第二电场E2的方向也为水平方向，二者电场近似使得第一激励电流I1、第二激励电流I2更容易通过第一耦合部1411、第二耦合部1421耦合至第二去耦单元142。

可以理解的是，第一去耦单元141可以将在接地平面130上流动的部分第一激励电流I1和/或部分激励第二激励电流I2耦合至第二去耦单元142上。从而，通过接地平面130流动到第一辐射体110的第二激励电流I2更少，去耦结构140可以降低第二辐射体120对第一辐射体110的干扰；或者，通过接地平面130流动至第二辐射体120上的第一激励电流I1更少，去耦结构140可以降低第一辐射体110对第二辐射体120的干扰。示例性的，请结合图2并请参考图8和图9，图8为图1所示的天线装置100设置去耦结构140与不设置去耦结构140时从接地平面130耦合至第一辐射体110的第二激励电流I2在不同相位下的电流强度示意图；图9为图1所示的天线装置100设置去耦结构140与不设置去耦结构140时的第一辐射体110与第二辐射体120之间的隔离度曲线示意图。其中，图8中左部分的图a1、图b1、图c1和图d1分别为天线装置100不设置去耦结构140时通过接地平面130流动至第一辐射体110的第二激励电流I2在0°、45°、90°、135°相位时的电流强度示意图。图8中右部分的图a2、图b2、图c2和图d2分别为天线装置100设置去耦结构140时通过接地平面130流动至第一辐射体110的第二激励电流I2在0°、45°、90°、135°相位时的电流强度示意图。图9中曲线S1为天线装置100不设置去耦结构140时的隔离度曲线，曲线S2为天线装置100设置去耦结构140时的隔离度曲线。由图8可知，天线装置100设置去耦结构140后，从接地平面130上耦合至第一辐射体110上的第二激励电流I2明显减弱；由图9可知，天线装置100设置去耦结构140后，隔离度曲线S2出现一个明显凹陷，第一辐射体110与第二辐射体120之间的隔离度明显提高。从而，本申请实施例的去耦结构140可以明显地降低第一辐射体110与第二辐射体120之间的干扰，去耦结构140的解耦效果较佳。

可以理解的是，去耦结构140通过第一去耦单元141将接地平面130上的第一激励电流I1、第二激励电流I2引流耦合至第二去耦结构140，去耦结构140基本不会影响第一辐射体110传输第一激励电流I1产生的第一无线信号的性能，也基本不会影响第二辐射体120传输第二激励电流I2产生的第二无线信号的性能。示例性的，请结合图2并请参考图10和图11，图10为图1所示的天线装置100设置去耦结构140与不设置去耦结构140时第一辐射体110的一种反射系数曲线示意图，图11为图1所示的天线装置100设置去耦结构140与不设置去耦结构140时第二辐射体120的一种反射系数曲线示意图。图10中曲线S3、图11中曲线S5为天线装置100不设置去耦结构140时第一辐射体110、第二辐射体120的一种反射系数曲线；图10中曲线S4、图11中曲线S6为天线装置100设置去耦结构140时第一辐射体110、第二辐射体120的一种反射系数曲线。由曲线S4至S6可知，天线装置100引入去耦结构140前后，第一辐射体110、第二辐射体120的匹配良好，去耦结构140的引入不会导致第一辐射体110、第二辐射体120的驻波发生恶化，去耦结构140不会影响第一辐射体110、第二辐射体120的辐射性能。

可以理解的是，当接地平面130上流动的第一激励电流I1、第二激励电流I2中的至少一个通过第一去耦单元141耦合至第二去耦单元142时，第一去耦单元141与第二去耦单元142相互耦合共同形成谐振，该谐振可以支持预设波长的无线信号。该预设波长可以与该谐振的频率相关联，例如但不限于二者符合波速等于频率与波长的乘积的关系。由于辐射体的长度会影响谐振的频率，本申请实施例中第一去耦单元141和第二去耦单元142共同谐振，第一去耦单元141和第二去耦单元142总体长度可以与相关技术中一个去耦单元的长度相当，从而，单个的第一去耦单元141或第二去耦单元142的长度可以较小，以使得天线装置100实现小型化设计。例如，相关技术中设置一个去耦单元的长度往往为去耦单元产生谐振的波长的二分之一；而本申请实施例中第一去耦单元141的长度可以小于或等于预设波长的四分之一，第二去耦单元142的长度可以小于预设波长的二分之一，第一去耦单元141、第二去耦单元142占据的空间均较小，有利于天线装置100实现小型化设计。可以理解的是，去耦单元的长度可以是指去耦单元两端部之间的总长度，例如当去耦单元为环形时，去耦单元的长度可为环形两端之间的曲线的长度。本申请实施例的去耦单元的长度可以参考射频天线中辐射体长度的相关规定，本申请实施例对此不进行限定。

本申请实施例的天线装置100，去耦结构140包括与接地平面130连接的第一去耦单元141以及与接地平面130间隔设置的第二去耦单元142，第一去耦单元141可与在接地平面130上流动的第一辐射体110传输的第一激励电流I1、第二辐射体120传输的第二激励电流I2中的至少一个耦合并可将耦合的电流耦合至第二去耦单元142，从而，第一去耦单元141和第二去耦单元142可以减少从接地平面130上流向第一辐射体110的第二激励电流I2并减少第二辐射体120对第一辐射体110的干扰，也可以减少从接地平面130上流向第二辐射体120的第一激励电流I1并减少第一辐射体110对第二辐射体120的干扰，第一去耦单元141和第二去耦单元142可以共同增加第一辐射体110与第二辐射体120之间的隔离度，去耦结构140可以实现解耦功能，天线装置100的辐射性能较优。并且，去耦结构140同时包括第一去耦单元141和第二去耦单元142，相较于只设置一个去耦单元的方案而言，本申请的第一去耦单元141、第二去耦单元142占据的空间均更小；同时，第一去耦单元141设置于接地平面130、第二去耦单元142与接地平面130间隔设置，第一去耦单元141和第二去耦单元142的设置位置更灵活，整个去耦结构140更紧凑，占据空间更小，更利于去耦结构140、天线装置100实现小型化设计。

其中，当接地平面130上流动的第一激励电流I1、第二激励电流I2中的至少一个通过第一去耦单元141耦合至第二去耦单元142且第一去耦单元141与第二去耦单元142相互耦合共同形成谐振时，该谐振可以支持第一频段的第一无线信号，或者第二频段的第二无线信号。从而，第一去耦单元141和第二去耦单元142形成的去耦结构140可以在第一辐射体110的谐振频率或者第二辐射体120的谐振频率处产生谐振，去耦结构140可以更好地与接地平面130上的第一激励电流I1、第二激励电流I2产生耦合，可以避免更多的第一激励电流I1流向第二辐射体120而产生干扰，也可以避免更多的第二激励电流I2流向第一辐射体110而产生干扰，去耦结构140的去耦效果更佳。

其中，请再次参考图1至图3并请参考图12，图12为本申请实施例提供的天线装置100的第六种结构示意图。本申请实施例的天线装置100还可以包括基板170。接地平面130可以形成在该基板170上，去耦结构140可以设置于该基板170上。

基板170可以包括相对设置的第一面171和第二面172，接地平面130可以形成在其中的一个面例如第一面171上，可以理解的是，接地平面130可以但不限于通过覆铜工艺在基板170的第一面171的部分区域或全部区域上形成。去耦结构140可以设置(或形成于)于基板170上。例如，第一去耦单元141可以是设置于(或形成于)接地平面130上的缺陷地(Defected Ground Structure，简称DGS)去耦单元，第二去耦单元142可以是设置于基板170的超材料结构去耦单元。

可以理解的是，该基板170可以但不限于天线装置100、电子设备10的电路板、主板、小板、支架等结构。本申请实施例对此不进行限定。

可以理解的是，去耦结构140可与接地平面130位于基板170的同一面例如第一面171上。例如，基板170的第一面171的部分区域可以通过覆铜工艺形成接地平面130，第一面171的另一部分区域可以但不限于通过蚀刻等工艺形成去耦结构140的第二去耦单元142，基板170在接地平面130所在区域可以开设贯穿接地平面130厚度方向的开口槽体以形成去耦结构140的第一去耦单元141。当然，部分去耦结构140也可以与接地平面130位于基板170的不同面上，本申请实施例对此不进行限定。

可以理解的是，第一辐射体110、第二辐射体120也可以与接地平面130位于基板170的同一面上。例如，第一辐射体110、第二辐射体120可以但不限于通过蚀刻形成在基板170的第一面171上；再例如，第一辐射体110、第二辐射体120也可以连接于第一面171，第一辐射体110、第二辐射体120可以但不限于为辐射枝节、辐射贴片等形式。本申请实施例对第一辐射体110、第二辐射体120的具体结构及设置位置不进行具体的限定。

本申请实施例的天线装置100，去耦结构140与接地平面130均形成在基板170上，一方面，去耦结构140与接地平面130的距离更近，更利于去耦结构140与接地平面130上的第一激励电流I1、第二激励电流I2耦合；另一方面，天线装置100的结构更加紧凑，更利于实现小型化设计。

其中，请参考图13，图13为本申请实施例提供的天线装置100的第七种结构示意图，部分去耦结构140可以与接地平面130设置于不同的基板170或不同载体上。

示例性的，接地平面130可以设置于天线装置100或电子设备10的电路板、主板、小板等基板170上，去耦结构140的第一去耦单元141可以随接地平面130设置于电路板、主板、小板等基板170上；第一辐射体110、第二辐射体120可以设置于天线装置100或电子设备10的另一载体例如框体180(例如后文中的中框300)上，去耦结构140的第二去耦单元142可以随第一辐射体110、第二辐射体120设置于天线装置100或电子设备10的框体180、或者设置于另一基板上，从而，第二去耦单元142可与第一去耦单元141、接地平面130设置于不同的载体上。

当然，实际生产中也可以将接地平面130、去耦结构140设置于同一基板170、而第一辐射体110、第二辐射体120设置于另一载体上。本申请实施例对第一辐射体110、第二辐射体120、接地平面130、去耦结构140的具体设置位置不进行限定。

可以理解的是，第二去耦单元142与第一去耦单元141、接地平面130可以处于同一水平高度。当然，第二去耦单元142也可与第一去耦单元141、接地平面130处于不同的水平高度，以使得第二去耦单元142与第一去耦单元141、接地平面130之间存在高度差；例如，接地平面130的第一去耦单元141可以位于第二去耦单元142的上方一侧或者下方一侧。本申请实施例对第二去耦单元142、第一去耦单元141、接地平面130的具体设置位置不进行限定。

其中，请再次参考图1至图3，为了更好地提高第一辐射体110与第二辐射体120之间的隔离度，如图1所示，本申请实施例的去耦结构140可以位于第一辐射体110和第二辐射体120之间。第一去耦单元141和第二去耦单元142均可以位于第一辐射体110和第二辐射体120之间。

可以理解的是，位于第一辐射体110和第二辐射体120之间，可以是指位于第一辐射体110和第二辐射体120之间的三维空间内的任一区域。例如，第一去耦单元141、第二去耦单元142可以位于与第一辐射体110、第二辐射体120同一高度的区域中第一辐射体110、第二辐射体120之间的区域；再例如，第一去耦单元141、第二去耦单元142也可以位于与第一辐射体110、第二辐射体120不同高度的区域中的第一辐射体110、第二辐射体120之间的区域。本申请实施例对第一去耦单元141、第二去耦单元142的具体设置位置不进行限定。

当去耦结构140位于第一辐射体110和第二辐射体120之间时，设置于第一辐射体110和第二辐射体120之间的第一去耦单元141，可以从空间上物理地进一步地阻挡第一激励电流I1流向第二辐射体120，也可以进一步地阻挡第二激励电流I2流向第一辐射体110。从而，第一去耦单元141除了可以将第一激励电流I1、第二激励电流I2耦合至第二去耦单元142外，还可以进一步阻挡第一激励电流I1、第二激励电流I2的电流路径，进一步降低第一激励电流I1、第二激励电流I2之间的干扰。并且，设置于第一辐射体110和第二辐射体120之间的第二去耦单元142，除了可以与第一去耦单元141产生谐振增加第一辐射体110和第二辐射体120的隔离度外，第二辐射体120本身还可以在空间上阻挡第一无线信号、第二无线信号的传播。本申请实施例将去耦结构140设置于第一辐射体110和第二辐射体120之间，可以显著降低第一辐射体110和第二辐射体120之间的相互干扰。

其中，请再次参考图1至图3并请参考图14和图15，图14为图1所示的天线装置100的接地平面130及第一去耦单元141的第一种结构示意图，图15为图1所示的天线装置100的接地平面130及第一去耦单元141的第二种结构示意图。第一去耦单元141可以是形成在接地平面130上的凹槽131。

接地平面130可以形成在基板170的一面例如第一面171上，接地平面130可以包括边缘133和主体134，接地平面130上可以形成凹槽131，该凹槽131可以由接地平面130的边缘133朝向接地平面130的主体134延伸，以使得该凹槽131在接地平面130的边缘133形成第一开口1311，凹槽131可以是形成在接地平面130上的开口地板槽，第一去耦单元141可以包括该凹槽131。

可以理解的是，接地平面130铺设在基板170的第一面171上时可以具有一定厚度。如图14所示，考虑到实际生产问题，凹槽131可以沿基板170的厚度方向(即接地平面130的厚度方向)贯穿整个基板170并贯穿接地平面130。当然，如图15所示，凹槽131也可以沿接地平面130的厚度方向贯穿整个接地平面130而不贯穿基板170。

可以理解的是，凹槽131可以包括形成在接地平面130内部的第一侧壁1312、底壁1313和第二侧壁1314，该第一侧壁1312、底壁1313和第二侧壁1314可以顺次连接，第一侧壁1312、第二侧壁1314可以分别位于底壁1313的两侧并相对设置，以使得凹槽131可以形成开口位于接地平面130边缘的开口槽体结构。第一开口1311可以形成在凹槽131靠近接地平面130的边缘133的区域，该第一开口1311可以包括第一侧壁1312、第二侧壁1314在接地平面130的边缘133处的部分侧壁区域、以及这两部分侧壁区域之间的空隙。

可以理解的是，第一开口1311可以是第一去耦单元141的第一耦合部1411，在接地平面130上流动的第一激励电流I1、第二激励电流I2中的至少一个可以经过第一开口1311耦合至第二去耦单元142。示例性的，由图6和图7可知，第一激励电流I1、第二激励电流I2在凹槽131的第一开口1311处的电场强度最大，在凹槽131闭合(底壁1313)处的电场强度最小。本申请实施例的第一激励电流I1、第二激励电流I2通过第一开口1311更容易耦合到第二去耦单元142。

当在接地平面130上流动的第一激励电流I1、第二激励电流I2中的至少一个经过第一开口1311耦合至第二去耦单元142时，凹槽131相对设置的第一侧壁1312和第二侧壁1314可以等效为电容器件的两片电极以使得第一侧壁1312和第二侧壁1314可以形成等效电容。可以理解的是，考虑到凹槽131在第一开口1311处的电场强度大于凹槽131其他区域的电场强度，因此，第一侧壁1312、第二侧壁1314在接平面130的边缘处的部分侧壁区域更容易等效为电容器件的两片电极，以使得第一开口1311也可以形成等效电容，第一开口1311形成的等效电容的电容值可以大于凹槽131其他区域出形成的等效电容的电容值。

可以理解的是，可以通过调整第一侧壁1312在接地平面130的边缘处的部分侧壁区域与第二侧壁1314在接地平面130的边缘处的部分侧壁区域之间的距离(也即第一开口1311的宽度)来调整第一去耦单元141的性能，以便于第一去耦单元141更容易与第一激励电流I1、第二激励电流I2、第二去耦单元142耦合。

其中，凹槽131的长度可以小于或等于预设波长的四分之一。该预设波长可为第一去耦单元141、第二去耦单元142共同形成谐振时所支持的无线信号的波长。例如，当在接地平面130上流动的第一激励电流I1、第二激励电流I2中的至少一个经过第一开口1311耦合至第二去耦单元142、第一去耦单元141和第二去耦单元142共同形成谐振且支持预设波长的无线信号时，凹槽131的长度可以小于或等于预设波长的四分之一。可以理解的是，当该预设波长为第一无线信号的第一波长或第二无线信号的第二波长时，凹槽131的长度可以小于或等于第一波长的四分之一，或者，凹槽131的长度可以小于或等于第二波长的四分之一。可以理解的是，凹槽131的长度可以是其开口至其闭合处(例如第一开口1311至底壁1313)的总长度，凹槽131可以但不限于是直条型结构，也可以是曲线形结构，还可以是多段式结构。该凹槽131的长度可以参见前述对第一去耦单元141的长度的说明，在此不再赘述。需要说明的是，本申请实施例的凹槽131的长度也可以大于预设波长的四分之一，本申请实施例对凹槽131的具体长度不进行限定。

可以理解的是，本申请实施例的凹槽131的长度较小，凹槽131对接地平面130的结构强度的影响较小，凹槽131也不会影响接地平面130、电路板400等结构的布局。

可以理解的是，为了提高去耦结构140的解耦效果，凹槽131的第一开口1311可以形成于第一辐射体110、第二辐射体120在接地平面130上的投影区域之间。由于凹槽131在第一开口1311处的电场强度大于凹槽131其他区域的电场强度，将第一开口1311设置在第一辐射体110和第二辐射体120之间，可以使得第一激励电流I1、第二激励电流I2更容易通过第一开口1311耦合至第二去耦单元142。当然，凹槽131的其他区域可以位于第一辐射体110、第二辐射体120在接地平面130上的投影区域之间，也可以位于投影区域之外。本申请实施例对凹槽131的具体结构不进行限定。

本申请实施例的第一去耦单元141包括形成在接地平面130上的具有第一开口1311的凹槽131，凹槽131的长度较小，对接地平面130、天线装置100或电子设备10的电路板400、基板170的布局影响较小，可以实现天线装置100或电子设备10的小型化设计。

需要说明的是，本申请实施例的第一去耦单元141的结构并不局限于上述凹槽131的结构。例如，第一去耦单元141还可以包括与凹槽131电连接的电容、电感等电路结构；再例如第一去耦单元141还可以包括多个相互连通或相互存在电连接的槽体结构。本申请实施例对第一去耦单元141的具体结构不进行限定。

其中，请再次参考图1至图3并请参考图16，图16为图1所示的天线装置100的第二去耦单元142的一种结构示意图。第二去耦单元142可以包括谐振环132(Split ResonantRing，简称SRR)。

谐振环132可以包括第一端1322、第二端1323以及形成在第一端1322和第二端1323之间的谐振环本体1324。谐振环本体1324可以从第一端1322朝向第二端1323的方向弯折并形成环形。谐振环132的第一端1322和第二端1323可以间隔设置，以使得谐振环132在第一端1322和第二端1323之间可以形成第二开口1321。第二开口1321可以包括谐振环132的第一端1322、第二端1323以及形成在第一端1322和第二端1323之间的间隙。第二开口1321可以形成谐振环132的第二耦合部1421，在接地平面130上流动的第一激励电流I1、第二激励电流I2中的至少一个可以经过第一开口1311、第二开口1321耦合至谐振环132(谐振环本体1324)。

可以理解的是，由图6和图7可知，第一激励电流I1、第二激励电流I2在谐振环132的第二开口1321处的电场强度最大，在远离第二开口1321处的电场强度最小。本申请实施例的第一激励电流I1、第二激励电流I2通过第二开口1321更容易耦合到第二去耦单元142。

可以理解的是，当在接地平面130上流动的第一激励电流I1、第二激励电流I2中的至少一个经过第一开口1311、第二开口1321耦合至谐振环132时，谐振环132的第一端1322和第二端1323可以等效为电容器件的两个电极，以使得第二开口1321可以形成等效电容。同时，凹槽131的第一侧壁1312、第二侧壁1314在接平面130的边缘处的部分侧壁区域可以等效为电容器件的两片电极，以使得第一开口1311可以形成等效电容。并且，耦合第一激励电流I1、第二激励电流I2的第一开口1311和第二开口1321也可以等效为电容器件的两个电极，以使得第一开口1311和第二开口1321也可以共同形成等效电容。同时，谐振环132的谐振环本体1324可以形成等效电感。基于此，凹槽131与谐振环132可以共同形成多个等效电容、等效电感组成的复杂的LC振荡电路。通过调整第一开口1311、第二开口1321的宽度、第一开口1311、第二开口1321之间的距离以及谐振环本体1324的长度等参数中的一个或多个，可以调整去耦结构140的性能，以便于第一激励电流I1、第二激励电流I2、更容易与第一去耦单元141、第二去耦单元142耦合。

其中，谐振环132的长度可以小于预设波长的二分之一。该预设波长可为第一去耦单元141(例如凹槽131)、第二去耦单元142(例如谐振环132)共同形成的谐振所支持的无线信号的波长。例如，当在接地平面130上流动的第一激励电流I1、第二激励电流I2中的至少一个经过第一开口1311、第二开口1321耦合至谐振环132、凹槽131和谐振环132共同形成谐振且支持预设波长的无线信号时，谐振环132的长度可以小于预设波长的二分之一。可以理解的是，当该预设波长为第一无线信号的第一波长或第二无线信号的第二波长时谐振环132的长度可以小于第一波长的二分之一或小于第二波长的二分之一。可以理解的是，谐振环132的长度可以是谐振环132的第一端1322和第二端1323之间的长度。该谐振环132的长度可以参见前述对第二去耦单元142的长度的说明，在此不再赘述。本申请实施例的谐振环132的长度较小，谐振环132的结构可以设计的更紧凑，谐振环132可以实现小型化设计。需要说明的是，本申请实施例的谐振环132的长度也可以等于或大于预设波长的二分之一(例如谐振环132的长度可以等于或大于第一波长/第二波长的二分之一)。本申请实施例对谐振环132的具体长度不进行限定。

可以理解的是，第二开口1321可以位于第一辐射体110、第二辐射体120之间，以便于谐振环132可以具有更好地解耦性能。当然，第二开口1321也可以不位于第一辐射体110、第二辐射体120之间。同理，全部的谐振环132可以位于第一辐射体110、第二辐射体120之间，当然，至少部分谐振环132也可以不位于第一辐射体110、第二辐射体120之间。本申请实施例对谐振环132的具体设置位置不进行具限定。

可以理解的是，第二开口1321也可以设置于第一开口1311附近的预设范围内，以便于第一激励电流I1、第二激励电流I2可以从第二开口1321耦合到第一开口1311。在一些实施例中，第二开口1321可以与第一开口1311正对设置，以便于耦合在第一开口1311的第一激励电流I1、第二激励电流I2可以更好地耦合到第二开口1321。

可以理解的是，请再次参考图7，为了使第一激励电流I1、第二激励电流I2更好地通过第一开口1311耦合至第二开口1321，在接地平面130上流动的第一激励电流I1、第二激励电流I2中的至少一个在第一开口1311处形成的第一电场E1和在第二开口1321处形成的第二电场E2的方向可以平行，以使得第一开口1311处的电场与第二开口1321处的电场近似，凹槽131更易与谐振环132产生耦合。

本申请实施例的第一去耦单元141包括形成在接地平面130上的具有第一开口1311的凹槽131，第二去耦单元142包括具有第二开口1321的谐振环132结构，利用接地平面130上的凹槽131耦合谐振环132，凹槽131可以增强谐振环132的结构效果，谐振环132的长度可以小于二分之一波长，谐振环132可以实现小型化设计。

需要说明的是，本申请实施例的第二去耦单元142的结构并不局限于上述谐振环132结构。例如，第二去耦单元142还可以包括两个或多个独立的谐振环132组合形成的去耦单元；再例如第二去耦单元142还可以包括两个或多个相互连通或相互存在电连接的谐振环132体结构；又例如，第二去耦单元142还可以包括电连接的电容、电感等电路结构。本申请实施例对第二去耦单元142的具体结构不进行限定。

基于上述天线装置100的结构，本申请实施例还提供一种电子设备10。电子设备10可以是智能手机、平板电脑等设备，还可以是游戏设备、增强现实(Augmented Reality，简称AR)设备、汽车装置、数据存储装置、音频播放装置、视频播放装置、笔记本电脑、桌面计算设备等。请参考图17，图17为本申请实施例提供的电子设备10的一种结构示意图。电子设备10除了包括天线装置100外，还可以包括显示屏200、中框300、电路板400、电池500和后壳600。

其中，显示屏200设置在中框300上，以形成电子设备10的显示面，用于显示图像、文本等信息。其中，显示屏200可以包括液晶显示屏(Liquid Crystal Display，LCD)或有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示屏等类型的显示屏200。

中框300可以为薄板状或薄片状的结构，也可以为中空的框体结构。中框300用于为电子设备10中的电子器件或功能组件提供支撑作用，以将电子设备10的电子器件、功能组件安装到一起。例如，中框300上可以设置凹槽、凸起、通孔等结构，以便于安装电子设备10的电子器件或功能组件。可以理解的，中框300的材质可以包括金属或塑胶等。可以理解的是，当中框300包括金属材料时，第一辐射体110、第二辐射体120中的一个或多个可以是中框300上的金属枝节。

电路板400设置在中框300上以进行固定，并通过后壳600将电路板400密封在电子设备10的内部。其中，电路板400可以为电子设备10的主板。电路板400上可以集成有处理器，此外还可以集成耳机接口、加速度传感器、陀螺仪、马达等功能组件中的一个或多个。同时，显示屏200可以电连接至电路板400，以通过电路板400上的处理器对显示屏200的显示进行控制。天线装置100的第一馈源150、第二馈源160、接地平面130中的一个或多个可以设置于电路板400上。当然，上述部件也可以设置在电子设备10的小板上，在此不对其进行限定。

电池500设置在中框300上，并通过后壳600将电池500密封在电子设备10的内部。同时，电池500电连接至电路板400，以实现电池500为电子设备10供电。其中，电路板400上可以设置有电源管理电路。电源管理电路用于将电池500提供的电压分配到电子设备10中的各个电子器件。

后壳600与中框300连接。例如，后壳600可以通过诸如双面胶等粘接剂贴合到中框300上以实现与中框300的连接。其中，后壳600用于与中框300、显示屏200共同将电子设备10的电子器件和功能组件密封在电子设备10内部，以对电子设备10的电子器件和功能组件形成保护作用。

需要说明的是，以上仅为本申请实施例的电子设备10的示例性说明，电子设备10还可以但不限于包括摄像头模组、声电转换模块、传感器模块等。本申请实施例对电子设备10的具体结构不进行限定。

需要理解的是，在本申请的描述中，诸如“第一”、“第二”等术语仅用于区分类似的对象，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

以上对本申请实施例所提供的天线装置及电子设备进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (13)

1.一种天线装置，其特征在于，包括：

第一辐射体，用于传输第一激励电流；

第二辐射体，与所述第一辐射体间隔设置，所述第二辐射体用于传输第二激励电流；

接地平面，用于使所述第一激励电流和所述第二激励电流接地；及

去耦结构，包括第一去耦单元和第二去耦单元，所述第一去耦单元连接于所述接地平面，所述第二去耦单元与所述接地平面间隔设置；所述第一去耦单元用于与在所述接地平面上流动的所述第一激励电流、所述第二激励电流中的至少一个耦合并用于将耦合的电流耦合至所述第二去耦单元，以使得所述第一去耦单元和所述第二去耦单元共同增加所述第一辐射体与所述第二辐射体之间的隔离度。

2.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述接地平面上形成有凹槽，所述凹槽由所述接地平面的边缘朝向所述接地平面的主体延伸，以使所述凹槽在所述接地平面的边缘形成第一开口；

所述第一去耦单元包括所述凹槽，在所述接地平面上流动的所述第一激励电流、所述第二激励电流中的至少一个经过所述第一开口耦合至所述第二去耦单元。

3.根据权利要求2所述的天线装置，其特征在于，所述第一开口形成于所述第一辐射体、所述第二辐射体在所述接地平面上的投影区域之间。

4.根据权利要求2所述的天线装置，其特征在于，所述凹槽包括顺次连接的第一侧壁、底壁和第二侧壁，所述第二侧壁与所述第一侧壁分别位于所述底壁的两侧并相对设置。

5.根据权利要求2所述的天线装置，其特征在于，所述凹槽的长度小于或等于预设波长的四分之一，所述预设波长为所述第一去耦单元和所述第二去耦单元共同形成谐振时支持的无线信号的波长。

6.根据权利要求2所述的天线装置，其特征在于，所述第二去耦单元包括谐振环，所述谐振环的第一端和第二端间隔设置，以使所述谐振环在所述第一端和所述第二端之间形成第二开口；

在所述接地平面上流动的所述第一激励电流、所述第二激励电流中的至少一个经过所述第一开口、所述第二开口耦合至所述谐振环。

7.根据权利要求6所述的天线装置，其特征在于，所述第一开口与所述第二开口正对设置。

8.根据权利要求6所述的天线装置，其特征在于，在所述接地平面上流动的所述第一激励电流、所述第二激励电流中的至少一个在所述第一开口处和所述第二开口处形成的电场的方向平行。

9.根据权利要求6所述的天线装置，其特征在于，所述谐振环的长度小于或等于预设波长的二分之一，所述预设波长为所述第一去耦单元和所述第二去耦单元共同形成谐振时支持的无线信号的波长。

10.根据权利要求1至9任一项所述的天线装置，其特征在于，在所述接地平面上流动的所述第一激励电流、所述第二激励电流中的至少一个，在所述第一去耦单元与所述第二去耦单元的耦合区域处形成的电场的方向平行。

11.根据权利要求1至9任一项所述的天线装置，其特征在于，所述第一辐射体通过所述第一激励电流支持第一频段的无线信号，所述第二辐射体通过所述第二激励电流支持第二频段的无线信号；其中，

所述第一去耦单元和所述第二去耦单元用于共同形成谐振，所述谐振用于支持所述第一频段或所述第二频段的无线信号。

12.根据权利要求1至9任一项所述的天线装置，其特征在于，所述天线装置还包括基板，所述接地平面形成在所述基板上，所述第一辐射体、所述第二辐射体、所述去耦结构设置于所述基板。

13.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至12任一项所述的天线装置。