CN116770265A - 气体喷射装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种气体喷射装置。气体喷射装置包括：供应块体，包括用于供应从气体供应源提供过来的工艺气体的中心气体排出口；扩散罩，配置在所述供应块体的下部，并且配备有与所述中心气体排出口连通并从中心向外侧分支的分支管道；喷嘴，安装在所述扩散罩的下侧面，通过与所述分支管道连通而喷射所述工艺气体；以及，喷淋头，配置在所述喷嘴的下部，为了使通过所述喷嘴喷射出来的工艺气体均匀地喷射而配备有沿上下方向开放的多个喷射孔其中，在所述扩散罩的上侧面形成有与所述中心气体排出口相向且从所述扩散罩的上侧面向下方凹入的凹入部，所述凹入部包括对所述中心气体排出口进行覆盖的基本区域以及从所述基本区域向半径方向延长的延长区域。
Description
技术领域
本发明涉及一种在基板上执行薄膜的沉积、蚀刻以及洗涤的基板处理装置，尤其，涉及一种用于向基板上喷射气体的气体喷射装置的装配结构。
背景技术
通常来讲，通过向基板上供应反应气体而沉积薄膜的薄膜沉积方法包括原子层薄膜沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)以及化学气象沉积(CVD：Chemical VaporDeposition)等。所述原子层薄膜沉积法是一种通过在基板上交替执行反应气体的供应以及吹扫而吸附以及沉积到基板上的方法，而所述化学气象沉积法是一种通过同时喷射反应气体而在基板上进行沉积的方法。
例如，在用于执行所述薄膜沉积方法的装置的内部，包括：工艺腔室，具有用于搭载半导体晶圆(以下称之为晶圆)的加热器部件；以及，气体喷射装置，向配备为与所述加热器部件相向的晶圆表面执行工艺气体的供应。在气体喷射装置中可以以如下方式形成有气体流路：避免多种工艺气体相互混合，并且使工艺气体沿水平方向扩散，以使工艺气体均匀地供应到晶圆表面。
此外，气体喷射装置由多层金属部件构成，例如，以3段层叠构成。这样的金属部件利用例如螺栓来彼此固定并安装在工艺腔室中。从上表面侧供应的工艺气体沿着贯通3段金属部件内部的流路向下侧流动，并通过在下端面形成的多个喷射孔均匀地供应到晶圆的整个表面。
但是，通常来讲在由多层部件构成的气体喷射装置中，与用于提高通过所述部件的工艺气体的流动品质或扩散性能的相应部件的具体形状/结构设计相关的研究活动并不多见。
先行技术文献
专利文献
美国专利公报第9466468号(2016.10.11授权)
发明内容
本发明所要解决的技术课题在于提供一种可以在适用于薄膜沉积工艺的气体喷射装置中能够确保改善的流动特性以及扩散性能等的气体喷射装置的具体的形状/结构。
本发明的技术课题并不限定于在上述内容中提及的技术课题，本领域技术人员可以通过以下记载明确理解未被提及的其他技术课题。
为了解决所述的技术问题，根据本发明之一实施例的气体喷射装置，包括：供应块体，包括用于供应从气体供应源提供过来的工艺气体的中心气体排出口；扩散罩，配置在所述供应块体的下部，并且配备有与所述中心气体排出口连通并从中心向外侧分支的分支管道；喷嘴，安装在所述扩散罩的下侧面，通过与所述分支管道连通而喷射所述工艺气体；以及，喷淋头，配置在所述喷嘴的下部，为了使通过所述喷嘴喷射出来的工艺气体均匀地喷射而配备有沿上下方向开放的多个喷射孔；在所述扩散罩的上侧面形成有与所述中心气体排出口相向且从所述扩散罩的上侧面向下方凹入的凹入部，所述凹入部包括对所述中心气体排出口进行覆盖的基本区域以及从所述基本区域向半径方向延长的延长区域。
在所述基本区域的中心贯通形成有中心供应孔，所述中心供应孔与所述喷嘴中的安置在中心喷嘴安置部上的喷嘴连通。
在所述延长区域的彼此相反侧的端部贯通形成有周边供应孔，所述周边供应孔与所述喷嘴中的安置在周边喷嘴安置部上的喷嘴连通。
安置在所述中心喷嘴安置部上的喷嘴与安置在所述周边喷嘴安置部上的喷嘴之间的距离相对所述中心供应孔与所述周边供应孔中的一个周边供应孔之间的距离的比例为1.5至1.9。
所述周边供应孔中的每一个横跨所述凹入部的底面与所述凹入部的侧壁而形成。
所述周边供应孔横跨在所述凹入部的侧壁上的高度相对所述凹入部的侧壁的高度的比例为0.3至0.7之间。
所述中心气体排出口为2个，所述基本区域具有与所述2个中心气体排出口对应的对称结构。
所述基本区域中与所述2个中心气体排出口相向的位置被所述凹入部的侧壁围绕，而且不向所述凹入部的下方贯通并被堵塞。
所述凹入部包括沿连接所述2个中心气体排出口的方向连接所述凹入部的底面与所述凹入部的侧壁的第一倾斜面。
所述凹入部包括沿与连接所述2个中心气体排出口的方向垂直的方向连接所述凹入部的底面与所述凹入部的侧壁的第二倾斜面。
通过根据本发明的应用于薄膜沉积工艺的气体喷射装置，可以提升在气体喷射装置中使用的流体的流动特性以及扩散性能。
通过根据本发明的应用于薄膜沉积工艺的气体喷射装置，即使喷头的大小增加，也能够向整个区域均匀地供应气体。
附图说明
图1是对采用根据本发明的气体喷射装置的薄膜沉积装置进行图示的纵向截面图。
图2a以及图2b是分别从彼此不同的方向上观察根据本发明的一实施例的气体喷射装置的斜视图。
图3a以及图3b是分别从不同的方向上观察根据本发明的一实施例的气体喷射装置的分解斜视图。
图4是沿着纵向截取根据本发明的一实施例的气体喷射装置的纵向截面图。
图5a是对根据本发明的一实施例的供应块体的上侧面进行图示的平面图，图5b是对所述供应块体的下侧面进行图示的底面图。
图6a是对根据本发明的一实施例的扩散罩的上侧面进行图示的平面图，图6b是对所述扩散罩的下侧面进行图示的底面图。
图7a是对根据本发明的一实施例的喷淋头的上侧面进行图示的平面图，图7b是对所述喷淋头的下侧面进行图示的底面图。
图8是在根据本发明的一实施例的扩散罩中仅对包括凹入部的匹配部进行图示的斜视图。
图9a是对图8中所图示的凹入部的主要参数进行标记的斜视图，图9b是对在扩散罩的下侧面形成的多个喷嘴安置部的主要参数进行标记的斜视图。
图10a是在图9a中将凹入部沿着A-A'方向截取的纵向截面图，图10b是在图9a中将凹入部沿着B-B'方向截取的纵向截面图。
图11是对在图10b中适用圆角形倾斜面的变形例进行图示的纵向截面图。
附图标记说明
51：中心供应孔 52：周边供应孔
53：底面 54：侧壁
56、57：倾斜面 100：气体喷射装置
110：供应块体 111、111a、111b：中心气体排出口
120：扩散罩 122a：中心喷嘴安置部
122b：周边喷嘴安置部 123：分支管道
130：喷嘴 135：空腔
140：喷淋头 141：喷射孔
150：凹入部 151：基本区域
152：延长区域 200：薄膜沉积装置
具体实施方式
本发明的优点和特征及其达成方法，可以通过参阅附图进行详细说明的后续的实施例得到进一步明确。但是，本发明并不限定于在下述内容中公开的实施例，而是可以通过多种不同的形态实现，这些实施例只是为了更加完整地公开本发明，并向具有本发明所属技术领域之一般知识的人员更加完整地介绍本发明的范畴，本发明只应该通过权利要求书的范畴做出定义。在整个说明书中，相同的参考编号代表相同的构成要素。
除非另有定义，否则在本说明书中使用的所有术语(包括技术以及科学术语)的含义与具有本发明所属技术领域之一般知识的人员所通常理解的含义相同。此外，除非另有明确的定义，否则不应该对通常所使用的已在词典中做出定义的术语做出过于理想化或夸张的解释。
在本说明书中所使用的术语只是用于对实施例进行说明，并不是为了对本发明做出限定。在本说明书中，除非另有提及，否则单属性语句还包含复数型含义。在本说明书中所使用的“包括(comprises)”和/或“包含(comprising)”并不实现排出所提及的构成要素之外的一个以上的其他构成要素存在或被附加的可能性。
接下来，将参阅附图对本发明的一实施例进行详细的说明。
图1是对采用根据本发明的气体喷射装置的薄膜沉积装置进行图示的纵向截面图。参考编号11是如利用铝制成的构成处理容器的腔室。在所述腔室11内，安装有用于搭载基板即晶圆(未图示)的略大于所述晶圆的圆盘形的加热器部件12以及从下方一侧对所述加热器部件12进行支撑的支撑体13。在加热器部件12的内部可以埋设利用如电阻加热体制成的加热器。所述加热器在进行沉积处理时例如对所述晶圆的整体进行均匀加热。
在所述腔室11的上侧安装有气体喷射装置100。对于如上所述的气体喷射装置100，接下来将参阅附图进行更为详细的说明。所述气体喷射装置100连接到构成气体供应通道的气体流入管21。至少一种以上的工艺气体G可以流入到所述气体流入管21中。
在气体喷射装置100的下端面形成有多个喷射孔141。通过所述喷射孔141，可以向搭载于所述加热器部件12上的晶圆的表面供应工艺气体。
此外，在腔室11的侧方安装有用于对所述晶圆进行搬入以及搬出的门16。在加热器部件12中，为了使得搬送臂可以通过门16对晶圆进行搬入/搬出而安装有可升降的升降销(未图示)。此外，可以沿着腔室11的侧壁向下方贯通形成排气管道17。完成所述薄膜沉积功成之后剩余的残留气体将通过所述排气管道17排出到外部。
图2a以及图2b是分别从不同的方向上观察根据本发明的一实施例的气体喷射装置100的斜视图，图3a以及图3b是分别从不同的方向上观察根据本发明之一实施例的气体喷射装置100的分解斜视图。此外，图4是沿着纵向截取根据本发明之一实施例的气体喷射装置100的纵向截面图。
如图所示，气体喷射装置100可以包括供应块体110、扩散罩120、喷嘴130以及喷淋头140。
供应块体110包括用于向下方供应从气体供应源(未图示)通过气体流入管21a、21b流入的工艺气体的中心气体排出口111。所述中心气体排出口111可以是与气体流入管21a、21b的数量相同的2个，但是并不限定于此，其数量也可以根据设计意图发生变化。
扩散罩120配置在所述供应块体110的下部，且配备有与所述中心气体排出口111连通并从所述中心向外侧分支的分支管道(duct)(图4中的123)。所述分支管道123以贯通所述扩散罩120的上下的方式形成，而且其方向沿着从扩散罩120的中心向外侧逐渐倾斜的方向形成。因此，与在扩散罩120的上侧的凹入部150中形成的供应孔相比，在扩散罩120的下侧的喷嘴安置部122b中形成的喷嘴孔的位置从扩散罩120的中心更加偏向于外侧。借助于如上所述的构成，可以使得通过扩散罩120的工艺气体向倾斜下方扩散喷射而不是向正下方。
喷嘴130安装在所述扩散罩120的下侧面，通过与所述分支管道连通而对所述工艺气体进行喷射。尤其是，喷嘴130可以通过如螺栓等紧固件安装到在扩散罩120的下侧面以与所述喷嘴形状对应的形状凹入形成的喷嘴安置部122a、122b。与其不同，所述喷嘴130可以安装在与所述扩散罩120的下侧面相反的上侧面上。
喷淋头140配置在所述喷嘴130的下部，为了对通过所述喷嘴130喷射出来的工艺气体进行均匀喷射而配备有向上下方向贯通的多个喷射孔141。
此时，如图4所示，所述供应块体110与所述扩散罩120之间以及所述扩散罩120与所述喷淋头140之间可以通过多个螺栓(未图示)紧固并固定。此外，在所述扩散罩120的下侧面与所述喷淋头140的上侧面之间形成有空腔(cavity)135，所述空腔135以可覆盖所述喷淋头140的喷射孔141的所有区域的面积形成。
图5a是对根据本发明的一实施例的供应块体110的上侧面进行图示的平面图，图5b是对所述供应块体110的下侧面进行图示的底面图。
在供应块体110的上侧面安装有2个气体流入管21a、21b，在供应块体110的下侧面形成有分别与所述气体流入管21a、21b连通的2个中心气体排出口111a、111b。通过所述2个气体流入管21a、21b可以流入不同的工艺气体，借此可以由各个中心气体排出口111a、111b分别供应相应的工艺气体。但是并不限定于此，2个气体流入管21a、21b以及中心气体排出口111a、111b也可以同时供应相同类型的工艺气体。
图6a是对根据本发明的一实施例的扩散罩120的上侧面进行图示的平面图，图6b是对所述扩散罩120的下侧面进行图示的底面图。
在所述扩散罩120的上侧面的中心一侧形成有可以与所述中心气体排出口111a、111b匹配结合的匹配部121，而且在所述匹配部121的内部形成有与所述中心气体排出口111a、111b相向且从所述扩散罩120的上侧面向下方凹入的凹入部150。所述凹入部150包括对所述中心气体排出口111a、111b进行覆盖的基本区域151以及从所述基本区域151向半径方向延长的延长区域152。
在所述扩散罩120的下侧面上以与所述凹入部150对应的方式配置有多个喷嘴安置部122a、122b。在多个喷嘴安置部122a、122b中，在扩散罩120的下侧面中心形成一个中心喷嘴安置部122a，并在所述中心喷嘴安置部122a的周边沿着圆周方向以相同的间隔形成多个周边喷嘴安置部122b。周边喷嘴安置部122b的数量可以根据在凹入部150中形成的供应孔的数量发生变化，但是在本发明的实施例中以5个为例进行说明。
图7a是对根据本发明的一实施例的喷淋头140的上侧面进行图示的平面图，图7b是对所述喷淋头140的下侧面进行图示的底面图。在喷淋头140的下侧面形成有用于最终向晶圆上喷射工艺气体的多个喷射孔141。因此，在喷淋头140的上侧面形成有与所述多个喷射孔141对应数量的微细孔142。但是，可以从微细孔142箱下方倾斜展开(flared)，在如上所述的情况下，多个喷射孔141的直径可以略大于所述微细孔142的直径。
图8是在根据本发明的一实施例的扩散罩120中仅对包括凹入部150的匹配部121进行图示的斜视图。
如上所述，凹入部150包括对2个中心气体排出口111a、111b进行覆盖的基本区域151以及从所述基本区域151向半径方向延长的例如4个延长区域152。
所述基本区域151以与在如上所述的供应块体110上形成的2个中心气体排出口111a、111b对应的对称结构(镜像对称结构)形成。尤其是，所述基本区域中151中与所述中心气体排出口111a、111b相向的位置55被侧壁54围绕，而且不向所述凹入部150的下方贯通而被堵塞。这是因为，在2个中心气体排出口111a、111b位于与供应孔51、52相邻的位置上的情况下，在工艺气体通过扩散罩120扩散之前就会通过喷嘴排出。因此，为了提高扩散功能乃至于均匀喷射功能，在与中心气体排出口111a、11b对应的位置相隔相当远的位置上配置供应孔51、52为宜。
作为一实施例，在所述基本区域151的中心贯通形成中心供应孔51，所述中心供应孔51与安置在扩散罩120的下侧面的喷嘴130中的安置在中心喷嘴安置部122a上的喷嘴连通。
同理，在所述延长区域152的端部贯通形成周边供应孔52(在图8的实施例中形成4个周边供应孔42)，所述周边供应孔52与所述喷嘴130中的安置在周边喷嘴安置部122b上的喷嘴连通。
此时，所述周边供应孔52分别横跨所述凹入部150的底面53以及所述凹入部150的侧壁54形成。如上所述，通过横跨底面53以及侧壁54而不是单纯地在底面53或侧壁54上形成周边供应孔52，可以提升如工艺气体等流体的流动(flow)特性。
图9a是对图8中所图示的凹入部150的主要参数进行标记的斜视图，图9b是对在扩散罩120的下侧面形成的多个喷嘴安置部122a、122b的主要参数进行标记的斜视图。
图9a中所图示的d1被定义为所述中心供应孔51与所述周边供应孔52中的某一个之间的距离。中心供应孔51与共计4个周边供应孔52中的任何一个的距离d1都相同。此外，所图示的h被定义为凹入部150的侧壁54的高度，而所图示的h1被定义为周边供应孔52横跨所述凹入部150的侧壁54的高度。
此外，图9b中所图示的d2被定义为安置在所述中心喷嘴安置部122a上的喷嘴130与安置在所述周边喷嘴安置部122b上的喷嘴130之间的距离。
首先，所述d2与所述d1的比例会对扩散罩120中的工艺气体的扩散性能造成密切的影响。尤其是，为了使得工艺气体在通过扩散罩120的过程中发生扩散，所述d2相对所述d1的比例应该大于1。具体来讲，所述d2相对所述d1的比例为1.5至1.9之间为优选，较佳地为1.7左右。之所以设定所述的数值范围，是因为在所述比例(d2/d1)小于下限1.5的情况下会导致扩散性能下降的问题，而在所述比例(d2/d1)大于上限1.9的情况下会导致从气体喷射装置100供应到晶圆上的气体流量过度减少的问题。如上所述，通过将d2的长度维持在适当的较长长度，即使是在喷淋头140的大小有所增加的情况下也可以通过喷淋头140的整体区域均匀地供应气体。
作为另一个重要参数，所述h1与所述h的比例也会对通过扩散罩120的工艺气体的特性或流量造成影响。具体来讲，所述h1相对所述h的比例为0.3至0.7之间为宜。之所以设定所述的数值范围，是因为在所述比例(h1/h)小于下限(0.3)的情况下会导致扩散性能下降的问题，而在所述比例(h1/h)大于上限(0.7)的情况下会导致从气体喷射装置100供应到晶圆上的气体流量过度减少的问题。如上所述，通过将h1的高度维持在适当的高度，可以提升工艺气体的整体流动品质。
此外，作为如上所述的扩散性能或流动品质等的重要的设计参数，还会受到中心气体排出口111a、111b的大小以及凹入部150的面积的影像。在图5b中，2个中心气体排出口111a、111b的整体面积S1可以单纯地只通过中心气体排出口111a、111b的直径计算得出。此外，凹入部150的面积S2可以根据图6a中的凹入部150所占据的封闭曲线的面积计算得出。具体来讲，所述S1与所述S2的比例为28至35之间为宜，较佳地为31左右。在所述比例(S2/S1)低于下限28或大于上限38时，可能会导致供应块体110与扩散罩120之间的流动品质下降的问题。
图10a是在图9a中将凹入部150沿着A-A'方向截取的纵向截面图，图10b是在图9a中将凹入部150沿着B-B'方向截取的纵向截面图。
虽未图示，所述凹入部150可以沿着连接所述2个中心气体排出口111a、111b的方向(A-A')包括相互垂直的所述凹入部150的底面53以及所述凹入部150的侧壁54。与其不同，参阅图10a，所述凹入部150可以沿着连接所述2个中心气体排出口111a、111b的方向(A-A')包括连接所述凹入部150的底面53以及所述凹入部150的侧壁54的第一倾斜面56。
此外，虽未图示，所述凹入部150可以沿着连接所述2个中心气体排出口111a、111b的方向(A-A')以及与其垂直的方向(B-B')包括相互垂直的所述凹入部150的底面53以及所述凹入部150的侧壁54。与其不同，参阅图10b，所述凹入部150可以沿着连接所述2个中心气体排出口111a、111b的方向(A-A')以及与其垂直的方向(B-B')包括连接所述凹入部150的底面53以及所述凹入部150的侧壁54的第二倾斜面57。如上所述的第一倾斜面56或第二倾斜面57可以在从上方供应工艺气体时减少在角落附近产生的涡流或流动停滞现象，从而确保整体的气体流动更加顺畅。作为另一实施例，并不限定于如上所述的直线形倾斜面56、57，还可以通过适用如图11所示的圆角形倾斜面57'进一步提升其效果。
在如上所述的实施例中，如图4所示，对在供应块体110与扩散罩120之间以及扩散罩120与喷淋头140之间通过多个螺栓紧固并固定的情况进行了例示。但是，在利用螺栓对构成气体喷射装置100的各层部件进行紧固的情况下，可能会在受到扭矩作用或温度上升时导致螺栓松动的危险，而且可能会因为在紧固螺栓的过程中或紧固螺栓之后的使用过程中从螺栓中脱落的一部分碎片堵塞一部分贯通孔的危险。
为了解决如上所述的问题，也可以利用通过扩散压合(diffusion bonding)将各层部件之间结合成一体的方式替代所述螺栓。所述扩散压合是指通过在高温条件下使金属材料贴紧而借助于在接触面上发生的原子的扩散进行压合的技术。尤其是，具有如压合之后的热应力或变形较少、因为组织变化而导致的材料劣化较少、可以实现同类材料(例如金属之间)以及不同性质的异类材料(例如陶瓷与金属之间)的压合以及复杂形状的接合的优点、但是，同时具有一旦结合之后除了切割的方式之外无法了解其压合面的状态的问题。
根据本发明之另一实施例的气体喷射装置100中所包括的各层部件之间可以将至少一个通过扩散压合结合(重新参阅图3a以及图3b)。较佳地，可以在所述供应块体110与所述扩散罩120之间通过扩散压合结合。如上所述，可以仅在供应块体110以及扩散罩120之间通过扩散压合结合，而在扩散罩120与喷淋头140之间可以通过如上所述的螺栓结合。在如上所述的情况下，在供应块体110以及扩散罩120之间可以通过扩散压合进行一体化而确保其气密性以及紧固性，而在扩散罩120与喷淋头140之间可以进行分离，因此可以在所述边界面上发生问题时对其进行管理或维修。
但是，并不限定于此，当确保气密性/紧固性的需求大于管理/维修的需求时，所述扩散罩120与所述喷淋头140之间也可以通过扩散压合结合。
在上述内容中参阅附图对本发明的实施例进行了说明，但是具有本发明所属技术领域之一般知识的人员应该可以理解，本发明可以在不变更其技术思想或必要特征的前提下以其他具体的形态实施。因此，在上述内容中记述的实施例在所有方面仅为示例性目的而非限定。
Claims (10)
1.一种气体喷射装置，包括：
供应块体，包括用于供应从气体供应源提供过来的工艺气体的中心气体排出口；
扩散罩，配置在所述供应块体的下部，并且配备有与所述中心气体排出口连通并从中心向外侧分支的分支管道；
喷嘴，安装在所述扩散罩的下侧面，通过与所述分支管道连通而喷射所述工艺气体；以及，
喷淋头，配置在所述喷嘴的下部，为了使通过所述喷嘴喷射出来的工艺气体均匀地喷射而配备有沿上下方向开放的多个喷射孔，
其中，在所述扩散罩的上侧面形成有与所述中心气体排出口相向且从所述扩散罩的上侧面向下方凹入的凹入部，
所述凹入部包括对所述中心气体排出口进行覆盖的基本区域以及从所述基本区域向半径方向延长的延长区域。
2.根据权利要求1所述的气体喷射装置，其中，
在所述基本区域的中心贯通形成有中心供应孔，所述中心供应孔与所述喷嘴中的安置在中心喷嘴安置部上的喷嘴连通。
3.根据权利要求2所述的气体喷射装置，其中，
在所述延长区域的彼此相反侧的端部贯通形成有周边供应孔，所述周边供应孔与所述喷嘴中的安置在周边喷嘴安置部上的喷嘴连通。
4.根据权利要求3所述的气体喷射装置，其中，
安置在所述中心喷嘴安置部上的喷嘴与安置在所述周边喷嘴安置部上的喷嘴之间的距离相对所述中心供应孔与所述周边供应孔中的一个周边供应孔之间的距离的比例为1.5至1.9。
5.根据权利要求3所述的气体喷射装置，其中，
所述周边供应孔中的每一个横跨所述凹入部的底面与所述凹入部的侧壁而形成。
6.根据权利要求5所述的气体喷射装置，
所述周边供应孔横跨在所述凹入部的侧壁上的高度相对所述凹入部的侧壁的高度的比例为0.3至0.7之间。
7.根据权利要求1所述的气体喷射装置，其中，
所述中心气体排出口为2个，所述基本区域具有与所述2个中心气体排出口对应的对称结构。
8.根据权利要求7所述的气体喷射装置，其中，
所述基本区域中与所述2个中心气体排出口相向的位置被所述凹入部的侧壁围绕，而且不向所述凹入部的下方贯通并被堵塞。
9.根据权利要求8所述的气体喷射装置，其中，
所述凹入部包括沿连接所述2个中心气体排出口的方向连接所述凹入部的底面与所述凹入部的侧壁的第一倾斜面。
10.根据权利要求9所述的气体喷射装置，其中，
所述凹入部包括沿与连接所述2个中心气体排出口的方向垂直的方向连接所述凹入部的底面与所述凹入部的侧壁的第二倾斜面。
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