CN116768614A - 一种高熵氧化物陶瓷材料及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种高熵氧化物陶瓷材料及其制备方法和应用，属于微波吸收材料技术领域。本发明提供的高熵氧化物陶瓷材料的化学式为(Co0.4‑nNinCu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4，其中，0＜n＜0.4。本发明提供的高熵氧化物陶瓷材料采用非等摩尔比的钴、镍、铜、锌、铝和铁形成，且具有吸波性能好的特点。
Description
技术领域
本发明属于微波吸收材料技术领域，具体涉及一种高熵氧化物陶瓷材料及其制备方法和应用。
背景技术
电子工业的爆炸式发展，一方面为人类生活带来舒适与便捷，另一方面也造成了电磁波的泛滥。过剩的电磁波不仅会影响精密仪器的运行，更甚者会对人体健康造成危害，因此，研发能将电磁波吸收转化为其他形式耗散的电磁波吸收材料尤为重要。应用型电磁波吸收材料除了要满足“薄轻强宽”外，还需要满足低成本、耐蚀耐磨等性能要求。
高熵氧化物从高熵合金的基础上发展而来，一般由五种或五种以上元素构成。高熵氧化物不仅具有优异的力学性能、化学稳定性以及高效电磁波吸收效率，还具有“高熵效应”、“晶格畸变效应”、“迟滞扩散效应”和“鸡尾酒效应”。高熵氧化物的性能特点和上述四种效应使其完美具备电磁波吸收材料的发展要求。一般情况下，由五种及五种以上元素等摩尔或近等摩尔复配能够使构型熵最大化，因此现有技术中大多采用等摩尔或近等摩尔比的元素制备高熵氧化物，进而制备电磁波吸收材料。但随着时代的发展，采用等摩尔或近等摩尔比的金属元素制备的电磁波吸收材料吸波性能仍有待提高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高熵氧化物陶瓷材料及其制备方法和应用，本发明提供的高熵氧化物陶瓷材料采用非等摩尔比的钴、镍、铜、锌、铝和铁形成，且具有吸波性能好的特点。
为实现上述目的，本发明采取以下技术方案：
本发明提供了一种高熵氧化物陶瓷材料，化学式为(Co0.4-nNinCu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4；其中，0＜n＜0.4。
优选地，所述高熵氧化物陶瓷材料的化学式为(Co0.1Ni0.3Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4 、(Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4 、(Co0.15Ni0.25Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4、(Co0.25Ni0.15Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4或(Co0.05Ni0.35Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4。
优选地，所述高熵氧化物陶瓷材料的最大反射损耗值为-11.73～-50.89dB，有效吸收带宽度为4.16～7.36GHz。
优选地，所述高熵氧化物陶瓷材料具有微米级八面体尖晶石单相结构。
本发明提供了上述技术方案所述高熵氧化物陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：
按照上述技术方案所述高熵氧化物陶瓷的化学组成计量比，将金属氧化物混合料进行煅烧，得到高熵氧化物陶瓷材料；所述金属氧化物混合料为钴氧化物、镍氧化物、铜氧化物、锌氧化物、铝氧化物和铁氧化物。
优选地，所述金属氧化物混合料由钴氧化物、镍氧化物、铜氧化物、锌氧化物、铝氧化物和铁氧化物通过湿法球磨得到。
优选地，所述湿法球磨所用研磨助剂为无水乙醇，所述金属氧化物原料的总质量和研磨助剂的质量比为1：(1～1.5)。
优选地，所述煅烧在空气气氛中进行，所述煅烧的温度为1100～1300℃，保温时间为6～8h。
本发明提供了上述技术方案所述高熵氧化物陶瓷材料或上述技术方案所述制备方法制备得到的高熵氧化物陶瓷材料在电磁波吸收材料中的应用。
本发明提供了一种高熵氧化物陶瓷材料，本发明提供的高熵氧化物陶瓷材料的化学式为(Co0.4-nNinCu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4，其中，0＜n＜0.4。本发明提供的高熵氧化物陶瓷材料采用非等摩尔比的钴、镍、铜、锌、铝和铁形成，且具有吸波性能好的特点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1～5所得高熵氧化物陶瓷材料的XRD图；
图2为本发明对比例1中Fe0.5Co0.5Ni0.5Cu0.5Zn0.5Al0.5)O4高熵氧化物陶瓷材料的XRD图；
图3为本发明实施例1中(Co0.1Ni0.3Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的SEM图；
图4为本发明实施例2中(Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的SEM图；
图5为本发明实施例1中(Co0.1Ni0.3Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能曲线；
图6为本发明实施例2中(Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能曲线；
图7为本发明实施例3中(Co0.15Ni0.25Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能曲线；
图8为本发明实施例4中(Co0.25Ni0.15Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能曲线；
图9为本发明实施例5中(Co0.05Ni0.35Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能曲线。
具体实施方式
本发明提供了一种高熵氧化物陶瓷材料，化学式为(Co0.4-nNinCu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4；其中，n的取值为0＜n＜0.4，优选为0.1≤n≤0.35，在本发明的实施例中，n具体为0.15、0.2、0.25、0.3或0.35。
在本发明中，所述高熵氧化物陶瓷材料的化学式优选为(Co0.1Ni0.3Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4 、 (Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4 、(Co0.15Ni0.25Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4、(Co0.25Ni0.15Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4或(Co0.05Ni0.35Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4。
在本发明中，所述高熵氧化物陶瓷材料的最大反射损耗值优选为-11.73～-50.89dB；所述高熵氧化物陶瓷材料的有效吸收带宽度优选为4.16～7.36GHz。
在本发明中，所述高熵氧化物陶瓷材料优选具有微米级八面体尖晶石单相结构。
本发明还提供了上述技术方案所述高熵氧化物陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：
按照上述技术方案所述高熵氧化物陶瓷的化学组成计量比，将金属氧化物混合料进行煅烧，得到高熵氧化物陶瓷材料。
在本发明中，若无特殊说明，所用原料均为本领域技术人员熟知的市售商品。
本发明所述所述金属氧化物混合料优选为钴氧化物、镍氧化物、铜氧化物、锌氧化物、铝氧化物和铁氧化物，更优选为CoO、NiO、CuO、ZnO、Al2O3和Fe2O3；所述金属氧化物原料中金属的摩尔比如所述高熵氧化物陶瓷材料的化学式所定义。
在本发明中，所述金属氧化物混合料优选由钴氧化物、镍氧化物、铜氧化物、锌氧化物、铝氧化物和铁氧化物通过湿法球磨得到；所述湿法球磨所用研磨助剂优选为无水乙醇；所述金属氧化物原料的总质量和研磨助剂的质量比优选为1：(1～1.5)。本发明对所述湿法研磨的装置没有特殊限定，采用本领域技术人员熟知的湿法研磨装置即可。本发明通过研磨将多种金属氧化物原料混合均匀，便于进行后续的煅烧处理。在本发明中，所述湿法球磨后优选进行固液分离和干燥。本发明所述固液分离的方式优选为过滤；本发明对干燥的方式及条件没有特殊限定，采用本领域技术人员熟知的干燥方式即可。本发明所述煅烧优选在空气气氛中进行，所述煅烧的温度优选为1100～1300℃，更优选为1100～1200℃；保温时间优选为6～8h，具体可以为6h、7h或8h。本发明对升温至所述煅烧温度的方式和速率没有特殊限定，采用本领域技术人员熟知的升温方式即可。
在本发明中，煅烧温度和保温时间影响着所得高熵氧化物陶瓷材料的纯度和晶粒形貌，烧结温度过低或保温时间太短无法形成单相结构，烧结温度过高或保温时间太长会使晶粒融化。本发明将钴氧化物、镍氧化物、铜氧化物、锌氧化物和铝氧化物作为高熵氧化物陶瓷材料中的A相，将铁氧化物作为高熵氧化物陶瓷材料中的B相，本发明采用A相和B相进行共掺杂，并通过金属元素的非等摩尔配比合成了具备微米级八面体尖晶石单相结构的高熵氧化物陶瓷材料。同时，与传统等摩尔比的高熵氧化物陶瓷材料相比，本发明提供的非等摩尔比的高熵氧化物陶瓷材料具有更加优异的电磁波吸收特性，最大反射损耗值高达-11.73～-50.89dB，有效吸收带宽度优选为4.16～7.36GHz。此外，本发明制备工艺简单，操作方便，适用于工业生产。
本发明还提供了上述技术方案所述高熵氧化物陶瓷材料或上述技术方案所述制备方法制备得到的高熵氧化物陶瓷材料在电磁波吸收材料中的应用。本发明对所述高熵氧化物陶瓷材料在电磁波吸收材料中的具体应用方式没有特殊限定，采用本领域技术人员熟知的方式即可。
为了进一步说明本发明，下面结合附图和实施例对本发明提供的高熵氧化物陶瓷材料进行详细地描述，但不能将它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例所用金属氧化物原料和试剂均为市售。
实施例1
采用煅烧法制备(Co0.1Ni0.3Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料；
按照上述化学式，取10mmol Fe2O3、1mmol CoO、3mmol NiO、2mmol CuO、2mmol ZnO、1mmolAl2O3和3～5mL无水乙醇置于玛瑙研钵中，进行充分研磨，研磨完毕后进行过滤和干燥，之后放入马弗炉中，在1100℃下煅烧6h，即得到(Co0.1Ni0.3Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料。
实施例2
采用煅烧法制备(Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料；
按照上述化学式，取10mmol Fe2O3、2mmol CoO、2mmol NiO、2mmol CuO、2mmol ZnO、1mmolAl2O3和3～5mL无水乙醇置于玛瑙研钵中，进行充分研磨，研磨完毕后进行过滤和干燥，之后放入马弗炉中，在1100℃下煅烧6h，即得到(Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料。
实施例3
采用煅烧法制备(Co0.15Ni0.25Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料；
按照上述化学式，取10mmol Fe2O3、1.5mmol CoO、2.5mmol NiO、2mmol CuO、2mmolZnO、1mmolAl2O3和3～5mL无水乙醇置于玛瑙研钵中，进行充分研磨，研磨完毕后进行过滤和干燥，之后放入马弗炉中，在1100℃下煅烧6h，即得到(Co0.15Ni0.25Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料。
实施例4
采用煅烧法制备(Co0.25Ni0.15Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料；
按照上述化学式，取10mmol Fe2O3、2.5mmol CoO、1.5mmol NiO、2mmol CuO、2mmolZnO、1mmolAl2O3和3～5mL无水乙醇置于玛瑙研钵中，进行充分研磨，研磨完毕后进行过滤和干燥，之后放入马弗炉中，在1100℃下煅烧6h，即得到(Co0.25Ni0.15Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料。
实施例5
采用煅烧法制备(Co0.05Ni0.35Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料；
按照上述化学式，取10mmol Fe2O3、0.5mmol CoO、3.5mmol NiO、2mmol CuO、2mmolZnO、1mmolAl2O3和3～5mL无水乙醇置于玛瑙研钵中，进行充分研磨，研磨完毕后进行过滤和干燥，之后放入马弗炉中，在1100℃下煅烧6h，即得到(Co0.05Ni0.35Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料。
对比例1
采用煅烧法制备(Fe0.5Co0.5Ni0.5Cu0.5Zn0.5Al0.5)O4高熵氧化物陶瓷材料；
按照上述化学式，取2.5mmol Fe2O3、5mmol CoO、5mmol NiO、5mmol CuO、5mmolZnO、2.5mmolAl2O3和3～5mL无水乙醇置于玛瑙研钵中，进行充分研磨，研磨完毕后进行过滤和干燥，之后放入马弗炉中，在1100℃下煅烧6h，即得到Fe0.5Co0.5Ni0.5Cu0.5Zn0.5Al0.5)O4高熵氧化物陶瓷材料。
本发明实施例1～5和对比例1所得高熵氧化物陶瓷材料的性能测试的研究：
分别以实施例1～5和对比例1所得高熵氧化物陶瓷材料为样品，进行XRD测试，测试结果如图1和图2所示；其中，图1为本发明实施例1～5所得高熵氧化物陶瓷材料的XRD图，图2为本发明对比例1中(Fe0.5Co0.5Ni0.5Cu0.5Zn0.5Al0.5)O4高熵氧化物陶瓷材料的XRD图。由图1可知，实施例1～5所得高熵氧化物陶瓷材料具有单相尖晶石结构；由图2可知，对比例1所得(Fe0.5Co0.5Ni0.5Cu0.5Zn0.5Al0.5)O4高熵氧化物陶瓷材料并不是单相结构，而是由过渡金属氧化物和尖晶石结构氧化物组成的。此外，对对比例1所得(Fe0.5Co0.5Ni0.5Cu0.5Zn0.5Al0.5)O4高熵氧化物陶瓷材料进行了吸波性能测试，测试结果显示，在0～5mm厚度范围内，2～18GHz频段的(Fe0.5Co0.5Ni0.5Cu0.5Zn0.5Al0.5)O4高熵氧化物陶瓷材料的反射损耗均高于-10dB，即对比例1中的(Fe0.5Co0.5Ni0.5Cu0.5Zn0.5Al0.5)O4高熵氧化物陶瓷材料不具备电磁波吸收性能。
分别以实施例1～2所得高熵氧化物陶瓷材料为样品，进行SEM成像，测试结果如图3～4所示；其中，图3为本发明实施例1中(Co0.1Ni0.3Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的SEM图，图4为本发明实施例2中(Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的SEM图。由图3可知，(Co0.1Ni0.3Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料具有八面体形貌，晶粒尺寸为微米级；由图4可知，(Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的晶粒尺寸较小，八面体形貌不明显。
由图1、3和4可知，按照本发明提供的方法制备得到的高熵氧化物材料具有材料纯度高、粒径均匀的优点。
本发明实施例1～5所得高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能的研究：
分别以实施例1～5制得的高熵氧化物陶瓷材料为样品，并将样品和石蜡按8：2的质量比制备得到外径为7mm、内径为3.04mm、厚度为2mm的圆环，利用矢量网络分析仪同轴线法分别对实施例1～5所得高熵氧化物陶瓷材料进行介电性能和磁性能的分析。
本发明实施例1制备的(Co0.1Ni0.3Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能测试结果如表1所示：
表1实施例1制备的(Co0.1Ni0.3Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能测试结果
| 厚度/mm | 反射损耗/dB | 有效吸收带宽/GHz |
| 3.6 | -21.72 | 4.80 |
| 3.8 | -31.64 | 5.12 |
| 4.0 | -50.02 | 5.12 |
| 4.2 | -29.63 | 5.04 |
| 4.4 | -25.77 | 4.88 |
实施例1所得(Co0.1Ni0.3Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能曲线如图5所示(图例中的数字代表模拟的样品厚度)。由图5可知：(Co0.1Ni0.3Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料具有优异的电磁吸波性能，其中最大反射损耗在4.0mm可达-50.02dB，且同时有效吸收频带宽度达到5.12GHz。
本发明实施例2制备的(Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能测试结果如表2所示：
表2实施例2制备的(Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能测试结果
| 厚度/mm | 反射损耗/dB | 有效吸收带宽/GHz |
| 2.5 | -13.74 | 5.44 |
| 2.7 | -19.57 | 6.32 |
| 2.9 | -24.59 | 6.56 |
| 3.1 | -20.47 | 6.24 |
| 3.3 | -17.19 | 5.76 |
实施例2所得(Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能曲线如图6所示(图例中的数字代表模拟的样品厚度)。由图6可知：(Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的最大反射损耗在2.9mm时为-24.59dB，同时有效吸收频带宽度为6.56GHz。
本发明实施例3制备的(Co0.15Ni0.25Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能测试结果如表3所示：
表3实施例3制备的(Co0.15Ni0.25Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能测试结果
| 厚度/mm | 反射损耗/dB | 有效吸收带宽/GHz |
| 3.0 | -21.83 | 6.00 |
| 3.2 | -26.32 | 6.40 |
| 3.4 | -27.64 | 6.32 |
| 3.6 | -25.48 | 5.84 |
| 3.8 | -21.67 | 5.12 |
本发明实施例3所得Co0.15Ni0.25Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能曲线如图7所示(图例中的数字代表模拟的样品厚度)。由图7可知：Co0.15Ni0.25Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料具有优异的电磁吸波性能，其中最大反射损耗在3.4mm可达-27.64dB，且同时有效吸收频带宽度达到6.32GHz。
本发明实施例4制备的(Co0.1Ni0.3Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能测试结果如表4所示：
表4实施例4制备的(Co0.25Ni0.15Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能测试结果
| 厚度/mm | 反射损耗/dB | 有效吸收带宽/GHz |
| 2.0 | -11.73 | 4.16 |
| 2.2 | -17.26 | 6.48 |
| 2.4 | -23.53 | 7.36 |
| 2.6 | -20.47 | 7.36 |
| 2.8 | -19.02 | 6.56 |
本发明实施例4所得(Co0.25Ni0.15Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能曲线如图8所示(图例中的数字代表模拟的样品厚度)。由图8可知：(Co0.25Ni0.15Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料具有优异的电磁吸波性能，其中最大反射损耗在2.4mm可达-23.53dB，且同时有效吸收频带宽度达到7.36GHz。
本发明实施例5制备的(Co0.25Ni0.15Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能测试结果如表5所示：
表5实施例5制备的(Co0.05Ni0.35Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能测试结果
| 厚度/mm | 反射损耗/dB | 有效吸收带宽/GHz |
| 4.2 | -20.21 | 4.16 |
| 4.4 | -27.17 | 4.88 |
| 4.6 | -34.18 | 5.20 |
| 4.8 | -50.89 | 5.28 |
| 5.0 | -41.49 | 5.12 |
本发明实施例5所得(Co0.05Ni0.35Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料的电磁波吸收性能曲线如图9所示(图例中的数字代表模拟的样品厚度)。由图9可知：(Co0.05Ni0.35Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4高熵氧化物陶瓷材料具有优异的电磁吸波性能，其中最大反射损耗在4.8mm可达-50.89dB，且同时有效吸收频带宽度达到5.28GHz。
由表1～5可知，按照本申请提供的方法制备得到的高熵氧化物陶瓷材料具有吸波性能好的特点。
以上结合具体实施方式和范例性实例对本发明进行了详细说明，不过这些说明并不能理解为对本发明的限制。本领域技术人员理解，在不偏离本发明精神和范围的情况下，可以对本发明技术方案及其实施方式进行多种等价替换、修饰或改进，这些均落入本发明的范围内。本发明的保护范围以所附权利要求为准。
尽管上述实施例对本发明做出了详尽的描述，但它仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例，人们还可以根据本实施例在不经创造性前提下获得其他实施例，这些实施例都属于本发明保护范围。
Claims (10)
1.一种高熵氧化物陶瓷材料，化学式为(Co0.4-nNinCu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4；其中，0＜n＜0.4。
2.根据权利要求1所述的高熵氧化物陶瓷材料，其特征在于，化学式为(Co0.1Ni0.3Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4、(Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4、(Co0.15Ni0.25Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4、(Co0.25Ni0.15Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4或(Co0.05Ni0.35Cu0.2Zn0.2Al0.2)Fe2O4。
3.根据权利要求1或2所述的高熵氧化物陶瓷材料，其特征在于，所述高熵氧化物陶瓷材料的最大反射损耗值为-11.73～-50.89dB，有效吸收带宽度为4.16～7.36GHz。
4.根据权利要求1或2所述的高熵氧化物陶瓷材料，其特征在于，所述高熵氧化物陶瓷材料具有微米级八面体尖晶石单相结构。
5.权利要求1～4任一项所述高熵氧化物陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：
按照权利要求1～4任意一项所述高熵氧化物陶瓷的化学组成计量比，将金属氧化物混合料进行煅烧，得到高熵氧化物陶瓷材料；所述金属氧化物混合料为钴氧化物、镍氧化物、铜氧化物、锌氧化物、铝氧化物和铁氧化物。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物混合料由钴氧化物、镍氧化物、铜氧化物、锌氧化物、铝氧化物和铁氧化物通过湿法球磨得到。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述湿法球磨所用研磨助剂为无水乙醇，所述金属氧化物原料的总质量和研磨助剂的质量比为1：(1～1.5)。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述煅烧在空气气氛中进行，所述煅烧的温度为1100～1300℃。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述煅烧的保温时间为6～8h。
10.权利要求1～4任一项所述高熵氧化物陶瓷材料或权利要求5～9任一项所述制备方法制备得到的高熵氧化物陶瓷材料在电磁波吸收材料中的应用。
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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