CN116755129A - 一种电离辐射总剂量测量芯片和校准方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种电离辐射总剂量测量芯片及校准方法，所述电离辐射总剂量测量芯片包括使用BiCMOS工艺制作在同一硅片上的，通过集成电路依次相连的驱动电流源、测温器件和辐射敏感场效应晶体管；其中，所述驱动电流源输出恒定电流I0，依次流经所述测温器件和辐射敏感场效应晶体管，所述电离辐射总剂量效应测量芯片有V+、VR0、VR1、VR2和V‑共5个端口连接至集成电路外部，用于为芯片供电、电流I0设置、温度检测和总剂量测量。本发明的电离辐射总剂量测量芯片稳定可靠、集成度高，使用本发明集成芯片测量的结果经过本发明温度校准方法处理后的温度依赖性低，适合用于星载电离辐射总剂量效应测量。
Description
技术领域
本发明涉及星载电离辐射总剂量效应测量，具体涉及一种电离辐射总剂量测量芯片和校准方法。
背景技术
随着商业航天等成本敏感型航天任务的增加，商业现货(COTS)器件被越来越多的应用于宇航活动。在卫星等航天器中，使用商业现货器件最需要解决的是空间环境适应设计与验证问题，具体来说主要是商业现货器件对空间热环境、空间辐射环境和效应的耐受能力评价、防护设计和验证问题。卫星轨道处于空间辐射环境中，不可避免地遭遇高能粒子(主要是高能质子及重离子)的辐射，会对商业现货器件产生电离辐射总剂量效应(TID)。这种效应是由于空间高能粒子产生的电离辐射剂量决定的，可能引起商业现货器件的故障和失效。开展电离辐射总剂量效应探测，获得典型轨道的总剂量效应数据，可为商业航天选用商业现货器件的指标制定以及器件辐射防护设计提供支撑。
测量电离辐射总剂量效应最为直接有效的手段是在卫星上搭载总剂量传感器设备。目前，总剂量测量传感器普遍基于辐射敏感场效应晶体管制作而成。然而，这种辐射敏感场效应晶体管多为分离器件，使用时需要额外设计电流源驱动，集成度低，使得测量电路体积相对较大，且容易受到外界干扰影响。此外，辐射敏感场效应晶体管的输出信号受器件温度的影响大，如果不进行温度校准，测量结果存在较大误差。因此，现有测量电离辐射总剂量效应的辐射敏感场效应晶体管传感器还存在诸多局限，需要设计一种新的稳定可靠、温度依赖性低、集成度高的电离辐射总剂量效应测量芯片和方法。
发明内容
针对现有技术中存在的不足之处，本发明提出一种电离辐射总剂量测量芯片和校准方法，可为卫星等航天器的电离辐射总剂量效应探测提供技术手段。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
本发明提出一种电离辐射总剂量测量芯片1，包括使用BiCMOS工艺制作在同一硅片上的，通过集成电路依次相连的驱动电流源2、测温器件3和辐射敏感场效应晶体管4；
其中，所述驱动电流源输2出恒定电流，依次流经所述测温器件3和辐射敏感场效应晶体管4，所述电离辐射总剂量效应测量芯片有V+、VR0、VR1、VR2和V-共5个端口连接至集成电路外部，用于为芯片供电、电流I0设置、温度检测和总剂量测量。
在一些实施例中，本发明还包括以下技术特征：
所述恒定电流I0可以通过在芯片外接的电阻器进行微调，使电流I0的大小和温度稳定性满足使用要求。
所述测温器件为测温二极管或测温三极管。
所述测温器件3工作在正向导通状态，在恒定电流I0的激励下，测温器件3的PN结两端产生正向压降UD。
所述PN结的正向压降UD随温度变化的关系用如下式子表示：
其中，UD是所述测温器件3的正向压降；
U0是绝对零度时的导带底与价带顶的电位差；
k是波尔兹曼常数；
q是电子电量；
B是PN结发射面面积；
η是材料和工艺有关的常数；
I0是所述驱动电流源2输出的恒定电流；
T是所述测温器件3的温度。
由于式中除了温度T以外都是固定值，因而测量正向压降UD可以获得二极管3的温度T。并且由于ηlnT项较小，实际工程应用中可认为正向压降UD与二极管温度T近似满足线性关系。由于测温二极管3与芯片1的其他部分加工在同一硅片上，各部分之间的热阻极小，因此测温二极管3的温度T可以代表芯片1的温度。此外，使用三极管同样可以实现PN结的正向导通压降测温，其原理与二极管完全相同，因此本发明中不对测温器件具体是二极管或是三极管进行特别区分。
在电离辐射的作用下，辐射敏感场效应晶体管4的栅氧化层中产生和俘获辐射诱导电荷，从而使晶体管4的阈值电压UR改变。阈值电压UR的变化与电离辐射总剂量有关。通过测量输出阈值电压UR的变化，能够实现对电离辐射总剂量效应的测量。
需要注意的是，辐射敏感场效应晶体管4的阈值电压UR不仅与受到的电离辐射总剂量有关。当测量精度要求较高时，阈值电压UR与晶体管4温度之间的依赖性也无法忽视，此时需要进行测量数据的温度校准。本发明芯片可以同时给出表示电离辐射总剂量效应的阈值电压UR和表示芯片温度的正向压降UD，因此能够方便地实现这种温度校准。理论分析和试验结果均表明，阈值电压UR与晶体管4温度之间具有很好的线性关系。而前述正向压降UD与二极管温度T也近似为线性关系。
因此，可使用正向压降UD的一次函数对阈值电压UR进行温度校正，将温度T时的阈值电压UR换算为室温(20℃)的阈值电压，从而减小测量结果的温度依赖性。具体公式如下式所示。
UR20＝UR+κ·UD+δU 式(1)
式中，UR20是晶体管4在室温(20℃)的阈值电压，单位V；
UR是在温度为T时测得的晶体管4的阈值电压，单位V；
κ是温度系数；
UD是在温度为T时的测温二极管3正向压降，单位V；
δU是一个固定的电压值，单位V。
校准时，需要测量包括室温(20℃)在内的、不同温度T时，晶体管4的阈值电压UR和二极管3正向压降UD，通过线性拟合确定温度系数κ。然后，根据室温(20℃)时的晶体管4阈值电压UR和二极管3正向压降UD确定固定电压值δU，即可得到温度校准使用的式(1)。
本发明还提出一种校准方法，用于校准上述电离辐射总剂量测量芯片1，包括以下步骤：
步骤1：测量所述电离辐射总剂量测量芯片1处于包括室温在内的N个不同温度Ti时，辐射敏感场效应晶体管4的阈值电压URi和测温器件3的正向压降UDi；
步骤2：按照如下的线性公式，根据测得的N组阈值电压URi和正向压降UDi，使用最小二乘法拟合确定温度系数κ，以及常数b；
UR＝-κ·UD+b
步骤3：根据室温时的辐射敏感场效应晶体管4阈值电压UR1和测温器件3正向压降UD1，按如下公式获取固定电压值δU；
δU＝b-UR1-2κ·UD1
步骤4：在使用电离辐射总剂量测量芯片1测量电离辐射总剂量时，电离辐射总剂量测量芯片1经过一定剂量的辐照，在某温度T测得阈值电压UR和正向压降UD，将他们代入下式中，获取当电离辐射总剂量测量芯片1在室温测量时的阈值电压UR20，使用阈值电压UR20计算总剂量测量值，以降低测量结果的温度依赖性。
UR20＝UR+κ·UD+δU
其中，UR20是辐射敏感场效应晶体管4在室温的阈值电压，单位V；
UR是在温度为T时测得的辐射敏感场效应晶体管4的阈值电压，单位V；
κ是温度系数；
UD是在温度为T时的测温器件3正向压降，单位V；
δU为步骤3中获取的固定电压值，单位V。
进一步地，步骤1中，在使用电离辐射总剂量效应测量芯片1测量之前，芯片1未经过辐照。
进一步地，步骤1中，室温为20℃。
进一步地，步骤1中，N≥6，i＝1,...,N。
进一步地，UR1、UD1分别是Ti取室温时的阈值电压和正向压降。
至此，实现了本发明描述的总剂量测量芯片和校准方法。
本发明的有益效果是：
本发明总剂量测量芯片和校准方法的特点在于：将电流源、测温二极管和辐射敏感场效应晶体管集成于同一个芯片内部，驱动电流干扰小、泄漏小，测量数据稳定可靠；测温二极管和辐射敏感场效应晶体管在同一硅片上，温度测量准确，温度校准结果误差小；芯片集成度高，简化外围电路设计，体积小、重量轻、使用方便。因此，该总剂量测量芯片稳定可靠、集成度高，数据经过本发明温度校准方法处理后的温度依赖性低，适合用于星载电离辐射总剂量效应测量。
附图说明
图1是本发明实施例中芯片的组成框图；
图2是本发明实施例中芯片的电子学原理图；
图3是本发明实施例中芯片实施总剂量测量和温度校准的使用方法；
图中，1是电离辐射总剂量效应测量芯片，2是驱动电流源，3是测温器件，4是辐射敏感场效应晶体管，5是电阻器R1；6是电阻器R2，Q1～Q7是双极性结型晶体管(BJT)，QD是辐射敏感场效应晶体管。
具体实施方式
为使本发明技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图对本发明实施例的技术方案进行完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面详细描述本发明的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
本发明的实施方式如图1，电离辐射总剂量效应测量芯片1由驱动电流源2、测温二极管3和辐射敏感场效应晶体管4等3个部分组成。
电离辐射总剂量效应测量芯片1的电子学原理图如图2。图中，芯片1共有V+、VR0、VR1、VR2和V-共5个端口。Q1～Q7是双极性结型晶体管(BJT)。QD是辐射敏感场效应晶体管4，是一个p沟道金属氧化物型晶体管(PMOS)。
本发明芯片实施总剂量测量和温度校准的使用方法如图3。图中，在电离辐射总剂量效应测量芯片1外围，端口V+和V-分别连接+12V的直流电源的正极和负极，为芯片1供电。端口VR0、VR1和VR2连接电阻器R1(5)和电阻器R2(6)。二极管3正向压降UD为端口VR1和VR2之间的电压。晶体管4的阈值电压UR为端口VR2和V-之间的电压。
图2中，晶体管Q1～Q6组成驱动电流源2。电流源2的输出电流I0'流经端口VR0和VR1之间连接的电阻器R1(5)，其大小由电阻器R1(5)确定。电流I0'与电阻器R1(5)的阻值成反比例关系。
晶体管Q7的PN结被用作测温二极管3。电流源2与晶体管Q7相连，其输出电流I0'流经晶体管Q7的PN结，在PN结上产生正向压降UD，可通过测量端口VR1和VR2之间的电压获得正向压降UD，实现对芯片1的温度检测。
辐射敏感场效应晶体管QD(4)，其阈值电压UR用于测量电离辐射总剂量。流过晶体管QD的电流I0，是流经电阻器R1(5)的电流I0'和流经电阻器R2(6)的电流之和。其中，端口VR0和VR2之间连接的电阻器R2(6)，利用测温二极管3的正向压降UD随温度变化的特性，调整流经电阻器R2(6)的电流，可补偿电流I0'随温度的变化，使电流I0保持恒定，提高阈值电压UR测量的准确性。一般地，测温二极管3的温度敏感性比电流源2更大，电阻器R2(6)的阻值比电阻器R1(5)的阻值高约一个数量级。
电离辐射总剂量效应测量芯片1选择使用BiCMOS工艺加工制作。其中驱动电流源2、测温二极管3由双极性结型晶体管Q1～Q7组成，属于BJT工艺设计。辐射敏感场效应晶体管4是p沟道金属氧化物型晶体管(PMOS)，属于CMOS工艺设计。在BiCMOS工艺加工的过程中，以CMOS工艺过程为基础，通过增加额外的工艺步骤制作BJT器件。其中，BJT器件的外基区和PMOS晶体管的源、漏级同时制作。BJT器件的发射区单独制作。按照此工艺方法加工，可实现将驱动电流源2、测温二极管3和辐射敏感场效应晶体管4在单片芯片上集成，从而可以制作本发明的电离辐射总剂量效应测量芯片1。
电离辐射总剂量效应测量芯片1输出数据的温度校准基于线性拟合实现。使用正向压降UD的一次函数对阈值电压UR进行温度校正，将温度T时的阈值电压UR换算为室温(20℃)的阈值电压UR20，从而减小测量结果的温度依赖性。校准过程按照以下步骤进行：
步骤1：在使用电离辐射总剂量效应测量芯片1测量之前，芯片1未经过辐照。测量该芯片1处于包括室温(20℃)在内的、N个不同温度Ti时，晶体管4的阈值电压URi和二极管3的正向压降UDi。其中，N≥6，i＝1,…,N，且不失一般性地，UR1、UD1分别是T1＝20℃的阈值电压和正向压降。
步骤2：按照如下的线性公式，根据测得的N组阈值电压URi和正向压降UDi，使用最小二乘法拟合确定温度系数κ，以及常数b。
UR＝-κ·UD+b
步骤3：根据室温(20℃)时的晶体管4阈值电压UR1和二极管3正向压降UD1，按如下公式确定式(1)中的固定电压值δU。
δU＝b-UR1-2κ·UD1
步骤4：在使用芯片1测量电离辐射总剂量时，芯片1经过一定剂量的辐照，在某温度T测得阈值电压UR和正向压降UD，将他们代入下式，即式(1)中，可以计算当芯片1在室温(20℃)测量时的阈值电压UR20，使用阈值电压UR20计算总剂量测量值，可以降低测量结果的温度依赖性。
UR20＝UR+κ·UD+δU
至此，实现了本发明描述的总剂量测量芯片和校准方法。
为使本发明的技术方案更加清楚，下面结合附图对本发明的一个实施例做详细描述。
本实施例中，电离辐射总剂量效应测量芯片1由驱动电流源2、测温二极管3和辐射敏感场效应晶体管4等3个部分组成。
电离辐射总剂量效应测量芯片1有V+、VR0、VR1、VR2和V-共5个端口。Q1～Q7是双极性结型晶体管(BJT)。QD是辐射敏感场效应晶体管4，是一个p沟道金属氧化物型晶体管(PMOS)。
在电离辐射总剂量效应测量芯片1外围，端口V+和V-分别连接+12V的直流电源的正极和负极，为芯片1供电。端口VR0、VR1和VR2连接电阻器R1(5)和电阻器R2(6)。二极管3正向压降UD为端口VR1和VR2之间的电压。晶体管4的阈值电压UR为端口VR2和V-之间的电压。
晶体管Q1～Q6组成驱动电流源2。电流源2的输出电流I0'流经端口VR0和VR1之间连接的电阻器R1(5)，其大小由电阻器R1(5)确定。电流I0'与电阻器R1(5)的阻值成反比例关系，可近似为I0'＝67.7mV/R1。
晶体管Q7的PN结被用作测温二极管3。电流源2与晶体管Q7相连，其输出电流I0'流经晶体管Q7的PN结，在PN结上产生正向压降UD，可通过测量端口VR1和VR2之间的电压获得正向压降UD，实现对芯片1的温度检测。
辐射敏感场效应晶体管QD(4)，其阈值电压UR用于测量电离辐射总剂量。流过晶体管QD的电流I0，是流经电阻器R1(5)的电流I0'和流经电阻器R2(6)的电流之和。其中，端口VR0和VR2之间连接的电阻器R2(6)，利用测温二极管3的正向压降UD随温度变化的特性，调整流经电阻器R2(6)的电流，可补偿电流I0'随温度的变化，使电流I0保持恒定，提高阈值电压UR测量的准确性。本实施例中，电流源2的温度系数约为0.227mV/℃，测温二极管3的温度系数约为-2.5mV/℃。为使电流I0保持恒定，电阻器R1(5)和电阻器R2(6)的阻值应满足以下关系
可知，R2≈10R1。计入测温二极管3的压降，流过R2的补偿电流约为667.7mV/R2≈I0'，所以I0≈2I0'＝135.4mV/R1。辐射敏感场效应晶体管QD(4)的驱动电流选定为I0≈10μA，可选R1＝13.3kΩ，并且R2＝10R1＝133kΩ。
如前所示，电离辐射总剂量效应测量芯片1选择使用BiCMOS工艺加工制作。其中，驱动电流源2、测温二极管3由双极性结型晶体管Q1～Q7组成，属于BJT工艺设计。辐射敏感场效应晶体管4是p沟道金属氧化物型晶体管(PMOS)，属于CMOS工艺设计。在BiCMOS工艺加工的过程中，以CMOS工艺过程为基础，通过增加额外的工艺步骤制作BJT器件。其中，BJT器件的外基区和PMOS晶体管的源、漏级同时制作。BJT器件的发射区单独制作。按照此工艺方法加工，可实现将驱动电流源2、测温二极管3和辐射敏感场效应晶体管4在单片芯片上集成。
电离辐射总剂量效应测量芯片1输出数据的温度校准过程如下：
第1步：在使用芯片1测量电离辐射总剂量之前，测量芯片1处于包括室温(20℃)在内的、8个不同温度Ti＝20℃,-20℃,-10℃,0℃,10℃,30℃,40℃,50℃时，晶体管4的阈值电压URi和二极管3正向压降UDi，如下表。其中，i＝1,…,8。此处，UR1、UD1分别是T1＝20℃的阈值电压和正向压降。
表1温度校准测量数据
第2步：按照如下的线性公式，根据表1所示的8组阈值电压URi和正向压降UDi，使用最小二乘法拟合确定温度系数κ＝-0.5274，以及常数b＝1.027V。
UR＝-κ·UD+b
第3步：根据室温(20℃)时的晶体管4阈值电压UR1和二极管3正向压降UD1，按如下公式确定式(1)中的固定电压值δU。
δU＝b-UR1-2κ·UD1＝0.309V
第4步：在使用电离辐射总剂量效应测量芯片1时，在某温度T'测得阈值电压UR'＝1.317V和正向压降UD'＝0.550V，将他们代入式(1)中，可以计算当芯片1在20℃测量时的阈值电压UR20'
UR20'＝UR'+κ·UD'+δU＝1.336V
使用阈值电压UR20'＝1.336V计算总剂量测量值，可以降低测量结果的温度依赖性。
本发明提出一种稳定可靠、温度依赖性低、集成度高的星载电离辐射总剂量效应测量芯片，以及使用这种芯片实现测量数据温度校准的方法，可为卫星等航天器的电离辐射总剂量效应探测提供技术手段。该芯片集成有片上驱动用电流源、测温二极管以及辐射敏感场效应晶体管，优点包括：驱动电流干扰小、泄漏小，测量数据稳定可靠；温度测量精确，降低了温度校准误差；集成度高，减少了电子学的体积、重量，因而具有现实意义。相对于现有技术，本发明提出的总剂量效应测量芯片和温度校准方法具有以下优势：
1.总剂量效应测量结果相比现有方法更加稳定可靠。一方面，片上集成的驱动电流源，与辐射敏感场效应晶体管在芯片内部就近实现电连接，可以显著降低外部电磁场对测量信号的干扰。另一方面。驱动电流不经过芯片外部的印制电路板导线传导，减少了驱动电流在导线上的泄露，使流过晶体管的驱动电流更加准确，提高了晶体管输出信号的精度。这两方面的效果是现有分立器件辐射敏感场效应晶体管所不具备的，使得本发明方法的测量结果更加稳定可靠。
2.温度检测精度更高，校正后总剂量效应测量误差更小。现有方法普遍使用外部测温电阻检测辐射敏感场效应晶体管的温度。测温电阻与晶体管之间跨越了多层结构材料，并且两者位置之间有一定距离，所以测温电阻的温度与晶体管存在不可忽视的差异，不能准确反映晶体管的温度，从而影响校准效果。本发明中，测温二极管和辐射敏感场效应晶体管在同一片硅片上被加工出来，两者间的热阻很小，温度几乎一致。这个特点使得本发明方法的温度校准结果更为精确。
3.总剂量测量芯片与现有测量方式相比集成度高，具有体积小、重量轻、使用方便的优势。当前基于分离器件的总剂量测量电子学，需要在辐射敏感场效应晶体管外围增加电流源和测温电路实现总剂量测量，这些都需要额外的体积和重量才能够实现，并且增加了测量电子学的设计和实施难度。本发明方法，芯片内集成了测量所需的电流源、测温二极管和场效应晶体管，外围电路大为简化，体积小、重量轻、实现总计量测量更方便。
综上，本发明实现的总剂量测量芯片和温度校准方法将电离辐射总剂量测量所需的电子学集成于一个芯片内部，受外界干扰小、驱动电流泄漏小，测量数据稳定可靠；测温二极管和辐射敏感场效应晶体管在同一硅片上，温度测量准确，温度校准结果误差小；芯片集成度高，简化外围电路设计，体积小、重量轻、使用方便。本发明在星载电离辐射总剂量效应探测技术等空间环境科学和工程领域具有明确的应用前景和开发潜力。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”和“示例”等述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相对的实施例或示例中以合适的方式结合。
必须指出，以上实施例的说明不用于限制而只是用于帮助理解本发明的核心思想，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，对本发明进行的任何改进以及与本产品等同的替代方案，也属于本发明权利要求的保护范围内。
Claims (10)
1.一种电离辐射总剂量测量芯片，其特征在于，包括使用BiCMOS工艺制作在同一硅片上的，通过集成电路依次相连的驱动电流源、测温器件和辐射敏感场效应晶体管；
其中，所述驱动电流源输出恒定电流I0，依次流经所述测温器件和辐射敏感场效应晶体管，所述电离辐射总剂量效应测量芯片有V+、VR0、VR1、VR2和V-共5个端口连接至集成电路外部，用于为芯片供电、电流I0设置、温度检测和总剂量测量。
2.根据权利要求1所述的电离辐射总剂量测量芯片，其特征在于，所述恒定电流I0可以通过在芯片外接的电阻器进行微调，使电流I0的大小和温度稳定性满足使用要求。
3.根据权利要求2所述的电离辐射总剂量测量芯片，其特征在于，所述测温器件工作在正向导通状态，在恒定电流I0的激励下，测温器件的PN结两端产生正向压降UD。
4.根据权利要求3所述的电离辐射总剂量测量芯片，其特征在于，所述PN结的正向压降UD随温度变化的关系用如下式子表示：
其中，UD是所述测温器件的正向压降；
U0是绝对零度时的导带底与价带顶的电位差；
k是波尔兹曼常数；
q是电子电量；
B是PN结发射面面积；
η是材料和工艺有关的常数；
I0是所述驱动电流源输出的恒定电流；
T是所述测温器件的温度。
5.根据权利要求1所述的电离辐射总剂量测量芯片，其特征在于，所述测温器件为测温二极管或测温三极管。
6.一种校准方法，其特征在于，用于校准根据权利要求1-5任一项所述的电离辐射总剂量测量芯片，包括以下步骤：
步骤1：测量所述电离辐射总剂量测量芯片处于包括室温在内的N个不同温度Ti时，辐射敏感场效应晶体管的阈值电压URi和测温器件的正向压降UDi；
步骤2：按照如下的线性公式，根据测得的N组阈值电压URi和正向压降UDi，使用最小二乘法拟合确定温度系数κ，以及常数b；
UR＝-κ·UD+b
步骤3：根据室温时的辐射敏感场效应晶体管阈值电压UR1和测温器件正向压降UD1，按如下公式获取固定电压值δU；
δU＝b-UR1-2κ·UD1
步骤4：在使用电离辐射总剂量测量芯片测量电离辐射总剂量时，电离辐射总剂量测量芯片经过一定剂量的辐照，在某温度T测得阈值电压UR和正向压降UD，将他们代入下式中，获取当电离辐射总剂量测量芯片在室温测量时的阈值电压UR20，使用阈值电压UR20计算总剂量测量值，以降低测量结果的温度依赖性；
UR20＝UR+κ·UD+δU
其中，UR20是辐射敏感场效应晶体管在室温的阈值电压，单位V；
UR是在温度为T时测得的辐射敏感场效应晶体管的阈值电压，单位V；
κ是温度系数；
UD是在温度为T时的测温器件正向压降，单位V；
δU为步骤3中获取的固定电压值，单位V。
7.根据权利要求6所述的校准方法，其特征在于，步骤1中，在使用电离辐射总剂量效应测量芯片测量之前，芯片未经过辐照。
8.根据权利要求6所述的校准方法，其特征在于，步骤1中，室温为20℃。
9.根据权利要求6所述的校准方法，其特征在于，步骤1中，N≥6，i＝1,...,N。
10.根据权利要求6所述的校准方法，其特征在于，UR1、UD1分别是Ti取室温时的阈值电压和正向压降。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202310453648.3A CN116755129A (zh) | 2023-04-25 | 2023-04-25 | 一种电离辐射总剂量测量芯片和校准方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116755129A true CN116755129A (zh) | 2023-09-15 |
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Family Applications (1)
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| CN202310453648.3A Pending CN116755129A (zh) | 2023-04-25 | 2023-04-25 | 一种电离辐射总剂量测量芯片和校准方法 |
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| CN (1) | CN116755129A (zh) |
-
2023
- 2023-04-25 CN CN202310453648.3A patent/CN116755129A/zh active Pending
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