CN116722826A - 一种小尺寸单电源d模温度补偿超宽带放大器 - Google Patents

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CN116722826A CN202310480630.2A CN202310480630A CN116722826A CN 116722826 A CN116722826 A CN 116722826A CN 202310480630 A CN202310480630 A CN 202310480630A CN 116722826 A CN116722826 A CN 116722826A
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Abstract

本发明涉及一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，设计包括供电电路、以及分别接受供电电路供电的输入级匹配电路、第一级放大电路、中间级匹配电路、第二级放大电路、输出级匹配电路；通过单电源自偏置电路结构，借鉴二级管的自有的温度补偿效应，在不引入新电源、以及其他复杂电路结构的情况下，采用负反馈等技术进行综合设计，实现超宽带小尺寸单电源D模温度补偿放大器，该结构面积紧凑，同时负反馈结构可以提供更好的功率输出特性，不同温度条件下的增益曲线具备较小的幅度变化，并且该架构不会引入其他电源，单电源供电更加便捷以及实用，在工程实践中有着良好的应用前景。

Description

一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器
技术领域
本发明涉及一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，属于放大器设计技术领域。
背景技术
随着当下社会信息化的飞速发展，无线通信技术已经成为各个领域不可或缺的部分。作为接收机最前端的器件，低噪声放大器在射频前端占据着重要的作用。宽带低噪放是宽带相控阵雷达必需的芯片，其性能直接影响系统的灵敏度。因此，设计能够在宽带工作范围内具有优秀性能的低噪声放大器一直是研究的重难点。
在芯片工艺的选择上，常运用砷化镓/氮化镓制程进行低噪声放大器的设计，砷化镓/氮化镓是常见的Ⅲ族化合物半导体，工艺存在两种比较典型的器件，一种被称为增强型fet器件，一般称为E管；另一种被称为耗尽型fet器件，一般称为D管其制成的晶体管具有导通阻抗小，击穿电压高，热导率大等特点。
2016,Gholamreza Nikandish提出了一种用于18-43GHz带宽增强的双电源供电的反馈放大器和线性改进电路；2018-2019年，Jianquan Hu，马凯学利用带宽扩展技术和负反馈技术，设计了几款超宽带低噪放芯片，取得了不错的性能。但是其设计得芯片均是双电源供电，在雷达系统中一般低噪放是单电源供电，实际应用不便，且并未有温度增益补偿；2022年Jiajin Li, Chang Yang提出了一种栅极偏置结构来应对温度变化的增益补偿，其设计的920-960MHz GaAs HBT放大器栅极补偿电路共用栅极偏置的电源，总共有两个电源用来供电。取得了不错的性能，增益带内波动±2dB（-55-+125℃）；2022年Chuan Ding，Tiedi Zhang采用65-nm CMOS片上多重自补偿方案，使收发器的增益和输出功率随温度变化保持稳定，在-40℃-+85℃,增益波动范围±1.1 dB（未加温度补偿的电路增益范围波动为±4.9dB），性能明显改善，但是其补偿方案要引入很多新的器件；2020年Shouxian等使用单电源自偏置技术设计了Ku波段砷化镓双向放大器芯片，包含开关低噪放和功放，集成度高性能优异，但是无温度特性展示；2021年Chenxi Mao, Yuanci Gao使用砷化镓技术展示了一款Ka波段 T/R套片，其中运用了温度补偿技术，在-55-85℃范围内增益变化为4.5dB,其中低噪放采用双电源供电。
综上可以看出，为了补偿温度效应带来的增益起伏，无论是采用双电源或单电源供电低噪放，以及带宽扩展和自偏置技术，均是在栅极电压调整上引入温度补偿电路，新引入的器件均普遍偏多且电路复杂度高，且针对E管设计的低噪放均多用有源偏置如电流镜来进行温度补偿，E管的温度补偿电路相对简单明了，但是会引入新的电源，同时电路结构对电压较为敏感。在使用D管设计的低噪放中多采用引入栅极电压偏置控制等电路引入新的补偿电路进行调节，电路复杂度较高。在实际工程应用中发现，在多种代工厂的提供的工艺制程中，如WIN PP1551/PP1553，SanAn P15LN等，很多工艺制程只有D管，针对文献搜索实际应用单电源D管的低噪声放大器的温度补偿还未见报道。
虽然现在运用氮化镓工艺D管制程进行低噪声放大器的设计也较为普遍，但是其中均是双电源设计，不便于使用。同时，以上氮化镓低噪放均未有单电源供电下温度增益补偿性能展示，而在设计多功能套片以及在特定工艺,无E管可用情况下如何设计电路结构简单，单电源自偏置温度补偿低噪放电路显得非常重要，也是工程实际需要迫切解决的问题。。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，能够有效解决现有低噪放对偏置电路设计和温度补偿的不足、以及对低噪放在宽带内高性能的追求。
本发明为了解决上述技术问题采用以下技术方案：本发明设计了一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，用于针对待处理信号进行放大，并输送至目标负载，其特征在于：包括供电电路、以及分别接受供电电路供电的输入级匹配电路、第一级放大电路、中间级匹配电路、第二级放大电路、输出级匹配电路；
其中，输入级匹配电路的输入端构成超宽带放大器的输入端，用于接收待处理信号；自输入端至输出端方向，输入级匹配电路依次串联第一级放大电路、中间级匹配电路、第二级放大电路、输出级匹配电路；输出级匹配电路的输出端构成超宽带放大器的输出端，用于连接目标负载；
输入级匹配电路用于以最佳噪声阻抗点作为匹配目标阻抗，降低所接收待处理信号从超宽带放大器输入端至第一级放大电路输入端的损耗；第一级放大电路用于放大所接收信号中的低频信号，同时对所接收信号的噪声进行优化处理；中间级匹配电路用于降低第一级放大电路输出信号到第二级放大电路输入端的损耗，同时使低频处的损耗高于高频处，减小增益在频带内的起伏；第二级放大电路用于放大所接收信号中的高频信号，同时对所接收信号的增益进行优化处理；输出级匹配电路用于以最大输出功率阻抗点作为匹配目标阻抗，降低第二级放大器输出信号到目标负载的损耗。
作为本发明的一种优选技术方案：所述输入级匹配电路包括电容C1、微带线TL1、电感L1，其中，电容C1的其中一端构成超宽带放大器的输入端，电容C1的另一端分别对接微带线TL1、以及电感L1的其中一端，且该三者相连端构成输入级匹配电路的输出端，输入级匹配电路的输出端连接第一级放大电路的输入端，电感L1的另一端接地。
作为本发明的一种优选技术方案：所述第一级放大电路包括第一晶体管pHEMT1、第一负反馈电路、第一自偏置电路；第一负反馈电路包括电容C10、电阻R1、电感L2；其中，第一晶体管pHEMT1的栅极与电容C10的其中一端相连，且该相连端构成第一级放大电路的输入端，电容C10的另一端与电阻R1的其中一端相连；第一晶体管pHEMT1的源极串联第一自偏置电路、并接地，第一晶体管pHEMT1的漏极与电感L2的其中一端相连，电感L2的另一端与电阻R1的另一端相连，且该相连端构成第一级放大电路的输出端，第一级放大电路的输出端连接中间级匹配电路的输入端。
作为本发明的一种优选技术方案：所述第一自偏置电路包括电容C3和二极管D1，所述第一晶体管pHEMT1的源极分别对接电容C3的其中一端、以及二极管D1的正极，电容C3的另一端与二极管D1的负极相连、并接地。
作为本发明的一种优选技术方案：所述中间级匹配电路包括电容C2、电阻R3、电感L3、电感L4，其中，电感L4的其中一端构成中间级匹配电路的取电端，用于对接供电电路进行取电；电感L4的另一端与电容C2的其中一端相连，且该相连端构成中间级匹配电路的输入端，电容C2的另一端与电阻R3的其中一端相连，且该相连端构成中间级匹配电路的输出端，中间级匹配电路的输出端连接第二级放大电路的输入端，电阻R3的另一端串联电感L3后接地。
作为本发明的一种优选技术方案：所述第二级放大电路包括第二晶体管pHEMT2、第二负反馈电路、第二自偏置电路；第二负反馈电路包括电容C11、电阻R5、电感L5、电感L6；其中，第二晶体管pHEMT2的栅极与电容C11的其中一端相连，且该相连端构成第二级放大电路的输入端，电容C11的另一端串联电阻R5后与电感L5的其中一端相连；第二晶体管pHEMT2的源极串联第二自偏置电路、并接地；第二晶体管pHEMT2的漏极连接电感L6的其中一端，电感L6的另一端与电感L5的另一端相连，且该相连端构成第二级放大电路的输出端，第二级放大电路的输出端连接输出级匹配电路的输入端。
作为本发明的一种优选技术方案：所述第二自偏置电路包括电容C4和二极管D2，所述第二晶体管pHEMT2的源极分别对接电容C4的其中一端、以及二极管D2的正极，电容C4的另一端与二极管D2的负极相连、并接地。
作为本发明的一种优选技术方案：所述输出级匹配电路包括电感L7、电感L8、电容C12，其中，电感L7的其中一端构成输出级匹配电路的取电端，用于对接供电电路进行取电；电感L7的另一端与电感L8的其中一端相连，且该相连端构成输出级匹配电路的输入端，电感L8的另一端连接电容C12的其中一端，电容C12的另一端构成输出级匹配电路的输出端，即超宽带放大器的输出端。
作为本发明的一种优选技术方案：所述供电电路包括电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电阻R6、电阻R7，其中，电容C7的其中一端、电阻R7的其中一端、电容C8的其中一端、电容C9的其中一端四者相连，且该相连端外接电源VD进行取电，同时该相连端构成供电电路的第二供电端，用于连接输出级匹配电路的取电端进行供电；电容C7的另一端、电容C8的另一端、电容C9的另一端分别接地；电阻R7的另一端、电容C6的其中一端、电阻R6的其中一端三者相连，电容C6的另一端接地；电阻R6的另一端与电容C5的其中一端相连，且该相连端构成供电电路的第一供电端，用于连接中间级匹配电路的取电端进行供电，电容C5的另一端接地。
作为本发明的一种优选技术方案：所述晶体管为D管制程工艺制造的晶体管。
本发明所述一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：
（1）本发明所设计小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，设计包括供电电路、以及分别接受供电电路供电的输入级匹配电路、第一级放大电路、中间级匹配电路、第二级放大电路、输出级匹配电路；通过单电源自偏置电路结构，借鉴二级管的自有的温度补偿效应，在不引入新电源、以及其他复杂电路结构的情况下，采用负反馈等技术进行综合设计，实现超宽带小尺寸单电源D模温度补偿放大器，该结构面积紧凑，同时负反馈结构可以提供更好的功率输出特性，不同温度条件下的增益曲线具备较小的幅度变化，并且架构不会引入其他电源，单电源供电更加便捷以及实用，在工程实践中有着良好的应用前景；
（2）本发明所设计小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器中，将传统的源极自偏置电路中的电阻使用二极管替换，使电路获得良好的温度补偿效应，无需引入额外的补偿电路进行调节；使用单电源供电设计D管低噪声放大器，降低电路的复杂性，提高芯片幅度一致性，减少宽带放大器在工程应用的装配工序和调试工作，提高了产品的可靠性。
附图说明
图1是本发明设计小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器的基本拓扑结构；
图2是对4x50μm栅宽的主流工艺制程的D管进行直流参数仿真得到的直流扫描图；
图3是源极未引入二极管条件下温度增益曲线；
图4是源极引入二极管条件下温度增益曲线。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
现有技术中，相对带宽超过100%的超宽带放大器设计，一般采用分布式结构进行设计，这种架构级数多，尺寸相对较大，输出功率低等有着明显的不足，因此，本发明所设计一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，用于针对待处理信号进行放大，并输送至目标负载，实际应用当中，如图1所示，具体设计包括供电电路、以及分别接受供电电路供电的输入级匹配电路、第一级放大电路、中间级匹配电路、第二级放大电路、输出级匹配电路。
其中，输入级匹配电路的输入端构成超宽带放大器的输入端，用于接收待处理信号；自输入端至输出端方向，输入级匹配电路依次串联第一级放大电路、中间级匹配电路、第二级放大电路、输出级匹配电路；输出级匹配电路的输出端构成超宽带放大器的输出端，用于连接目标负载。
为了减小引入的噪声，输入级匹配电路使用低耗元件设计，电路结构简单，输入级匹配电路用于以最佳噪声阻抗点作为匹配目标阻抗，降低所接收待处理信号从超宽带放大器输入端至第一级放大电路输入端的损耗。
第一级放大电路用于放大所接收信号中的低频信号，同时对所接收信号的噪声进行优化处理；中间级匹配电路由于不能达到完全匹配，必会产生反射损耗，可以利用这个特性降低第一级放大电路输出信号到第二级放大电路输入端的损耗，同时使低频处的损耗高于高频处，减小增益在频带内的起伏。
第二级放大电路用于放大所接收信号中的高频信号，同时对所接收信号的增益进行优化处理；输出级匹配电路优先关注功率大小，因此，输出级匹配电路用于以最大输出功率阻抗点作为匹配目标阻抗，降低第二级放大器输出信号到目标负载的损耗。
两级放大电路的设计应用，既保证了宽带性能，又控制电路的总功耗不会过大，同时使用两级负反馈结构进行拓展带宽，以及针对特定D管制程工艺，采用电流复用、以及单电源自偏置结构进行设计。
实际应用中，各个电路分别具体设计：如图1所示，所述输入级匹配电路设计包括电容C1、微带线TL1、电感L1，其中，电容C1的其中一端构成超宽带放大器的输入端，电容C1的另一端分别对接微带线TL1、以及电感L1的其中一端，且该三者相连端构成输入级匹配电路的输出端，输入级匹配电路的输出端连接第一级放大电路的输入端，电感L1的另一端接地。
应用中，如图1所示，所述第一级放大电路包括第一晶体管pHEMT1、第一负反馈电路、第一自偏置电路；第一负反馈电路包括电容C10、电阻R1、电感L2；其中，第一晶体管pHEMT1的栅极与电容C10的其中一端相连，且该相连端构成第一级放大电路的输入端，电容C10的另一端与电阻R1的其中一端相连；第一晶体管pHEMT1的源极串联第一自偏置电路、并接地，第一晶体管pHEMT1的漏极与电感L2的其中一端相连，电感L2的另一端与电阻R1的另一端相连，且该相连端构成第一级放大电路的输出端，第一级放大电路的输出端连接中间级匹配电路的输入端。
这里第一自偏置电路设计包括电容C3和二极管D1，所述第一晶体管pHEMT1的源极分别对接电容C3的其中一端、以及二极管D1的正极，电容C3的另一端与二极管D1的负极相连、并接地。
关于这里自偏置电路的设计，现有技术采用电容与电阻的RC结构进行应用，本发明这里将电阻替换为了二极管D1，即利用二极管的温度不敏感特性，使漏源电压在温度变化时也能保持稳定，并且无需引入新的补偿电路进行调节，基于图3所示未引入二极管的应用，18GHz增益-55℃-+125℃相差3.2dB，低频温度增益特性变化相差约2dB；图4所示引入二极管的应用18GHz增益-55℃-+125℃相差1.6dB，低频温度增益特性变化相差小于1dB。高频温度增益特性明显有改善，低频改善更加直观。
如图1所示，所述中间级匹配电路包括电容C2、电阻R3、电感L3、电感L4，其中，电感L4的其中一端构成中间级匹配电路的取电端，用于对接供电电路进行取电；电感L4的另一端与电容C2的其中一端相连，且该相连端构成中间级匹配电路的输入端，电容C2的另一端与电阻R3的其中一端相连，且该相连端构成中间级匹配电路的输出端，中间级匹配电路的输出端连接第二级放大电路的输入端，电阻R3的另一端串联电感L3后接地。
如图1所示，所述第二级放大电路包括第二晶体管pHEMT2、第二负反馈电路、第二自偏置电路；第二负反馈电路包括电容C11、电阻R5、电感L5、电感L6；其中，第二晶体管pHEMT2的栅极与电容C11的其中一端相连，且该相连端构成第二级放大电路的输入端，电容C11的另一端串联电阻R5后与电感L5的其中一端相连；第二晶体管pHEMT2的源极串联第二自偏置电路、并接地；第二晶体管pHEMT2的漏极连接电感L6的其中一端，电感L6的另一端与电感L5的另一端相连，且该相连端构成第二级放大电路的输出端，第二级放大电路的输出端连接输出级匹配电路的输入端。
这里第二自偏置电路设计包括电容C4和二极管D2，所述第二晶体管pHEMT2的源极分别对接电容C4的其中一端、以及二极管D2的正极，电容C4的另一端与二极管D2的负极相连、并接地。
如图1所示，所述输出级匹配电路包括电感L7、电感L8、电容C12，其中，电感L7的其中一端构成输出级匹配电路的取电端，用于对接供电电路进行取电；电感L7的另一端与电感L8的其中一端相连，且该相连端构成输出级匹配电路的输入端，电感L8的另一端连接电容C12的其中一端，电容C12的另一端构成输出级匹配电路的输出端，即超宽带放大器的输出端。
如图1所示，所述供电电路包括电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电阻R6、电阻R7，其中，电容C7的其中一端、电阻R7的其中一端、电容C8的其中一端、电容C9的其中一端四者相连，且该相连端外接电源VD进行取电，同时该相连端构成供电电路的第二供电端，用于连接输出级匹配电路的取电端进行供电；电容C7的另一端、电容C8的另一端、电容C9的另一端分别接地；电阻R7的另一端、电容C6的其中一端、电阻R6的其中一端三者相连，电容C6的另一端接地；电阻R6的另一端与电容C5的其中一端相连，且该相连端构成供电电路的第一供电端，用于连接中间级匹配电路的取电端进行供电，电容C5的另一端接地。
实际应用中，中间级匹配电路与输出级匹配电路中的电感分别同时为对应晶体管的漏极进行供电，缩减了输出网络的支节数量。
由于晶体管的噪声与漏电流成正比，增大漏极电流就会引入更高的噪声，在工艺和偏置条件已经确定的情况下，只能通过减小栅极宽度来减小漏极电流，但在偏置条件的选取上不能一味追求低噪声，因为漏电流变小时，晶体管的增益也会变小。所以上述设计方案在具体实施中，通过对主流工艺制程的D管进行直流参数仿真，如图2所示，通过不同的偏压控制条件下，源极、漏极的电流、电压特性曲线，权衡噪声、输出功率、增益等性能参数后，方案设计中涉及到两个晶体管选用4x50μm栅宽的晶体管，将栅极偏置在-0.7~-0.8V间，并且为了得到良好的温度补偿效应，在晶体管的源极引入RC并联结构作为自偏置，并在其中使用二极管代替偏置电阻，同时由于二极管的温度-电压特性，随着温度的升高导通电压降低的特性可以很好的平衡放大管随着温度增高栅极偏置降低所带来的的增益起伏特性，使漏源电压在温度变化时也能保持稳定，并且无需引入新的补偿电路进行调节。
应用中，引入负反馈电路结构可以拓展带宽，提高系统的稳定性，但是会显著降低增益，大幅增加噪声，所以根据上述所设计两级放大电路的特性，通过合理的选择反馈电路中的电阻、电容、电感的值，使得第一负反馈电路对噪声进行优化，第二负反馈电路对增益进行优化。
进一步上述方案设计中涉及到第一晶体管pHEMT1、第二晶体管pHEMT2，在具体实施中，具体采用D管制程工艺制造的晶体管，诸如采用氮化镓D管制程工艺制造的晶体管或砷化镓D管制程工艺制造的晶体管进行本发明设计的实施应用。
整个技术方案设计小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，通过单电源自偏置电路结构，借鉴二级管的自有的温度补偿效应，在不引入新电源、以及其他复杂电路结构的情况下，采用负反馈等技术进行综合设计，实现超宽带小尺寸单电源D模温度补偿放大器，该结构面积紧凑，同时负反馈结构可以提供更好的功率输出特性，不同温度条件下的增益曲线具备较小的幅度变化，并且架构不会引入其他电源，单电源供电更加便捷以及实用，在工程实践中有着良好的应用前景。
并且设计中，将传统的源极自偏置电路中的电阻使用二极管替换，使电路获得良好的温度增益补偿效应，无需引入额外的补偿电路进行调节；使用单电源供电设计D管低噪声放大器，降低电路的复杂性，提高芯片幅度一致性，减少宽带放大器在工程应用的装配工序和调试工作，提高了产品的可靠性。
上面结合附图对本发明的实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化。

Claims (10)

1.一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，用于针对待处理信号进行放大，并输送至目标负载，其特征在于：包括供电电路、以及分别接受供电电路供电的输入级匹配电路、第一级放大电路、中间级匹配电路、第二级放大电路、输出级匹配电路；
其中，输入级匹配电路的输入端构成超宽带放大器的输入端，用于接收待处理信号；自输入端至输出端方向，输入级匹配电路依次串联第一级放大电路、中间级匹配电路、第二级放大电路、输出级匹配电路；输出级匹配电路的输出端构成超宽带放大器的输出端，用于连接目标负载；
输入级匹配电路用于以最佳噪声阻抗点作为匹配目标阻抗，降低所接收待处理信号从超宽带放大器输入端至第一级放大电路输入端的损耗；第一级放大电路用于放大所接收信号中的低频信号，同时对所接收信号的噪声进行优化处理；中间级匹配电路用于降低第一级放大电路输出信号到第二级放大电路输入端的损耗，同时使低频处的损耗高于高频处，减小增益在频带内的起伏；第二级放大电路用于放大所接收信号中的高频信号，同时对所接收信号的增益进行优化处理；输出级匹配电路用于以最大输出功率阻抗点作为匹配目标阻抗，降低第二级放大器输出信号到目标负载的损耗。
2.根据权利要求1所述一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，其特征在于：所述输入级匹配电路包括电容C1、微带线TL1、电感L1，其中，电容C1的其中一端构成超宽带放大器的输入端，电容C1的另一端分别对接微带线TL1、以及电感L1的其中一端，且该三者相连端构成输入级匹配电路的输出端，输入级匹配电路的输出端连接第一级放大电路的输入端，电感L1的另一端接地。
3.根据权利要求1所述一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，其特征在于：所述第一级放大电路包括第一晶体管pHEMT1、第一负反馈电路、第一自偏置电路；第一负反馈电路包括电容C10、电阻R1、电感L2；其中，第一晶体管pHEMT1的栅极与电容C10的其中一端相连，且该相连端构成第一级放大电路的输入端，电容C10的另一端与电阻R1的其中一端相连；第一晶体管pHEMT1的源极串联第一自偏置电路、并接地，第一晶体管pHEMT1的漏极与电感L2的其中一端相连，电感L2的另一端与电阻R1的另一端相连，且该相连端构成第一级放大电路的输出端，第一级放大电路的输出端连接中间级匹配电路的输入端。
4.根据权利要求3所述一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，其特征在于：所述第一自偏置电路包括电容C3和二极管D1，所述第一晶体管pHEMT1的源极分别对接电容C3的其中一端、以及二极管D1的正极，电容C3的另一端与二极管D1的负极相连、并接地。
5.根据权利要求1所述一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，其特征在于：所述中间级匹配电路包括电容C2、电阻R3、电感L3、电感L4，其中，电感L4的其中一端构成中间级匹配电路的取电端，用于对接供电电路进行取电；电感L4的另一端与电容C2的其中一端相连，且该相连端构成中间级匹配电路的输入端，电容C2的另一端与电阻R3的其中一端相连，且该相连端构成中间级匹配电路的输出端，中间级匹配电路的输出端连接第二级放大电路的输入端，电阻R3的另一端串联电感L3后接地。
6.根据权利要求1所述一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，其特征在于：所述第二级放大电路包括第二晶体管pHEMT2、第二负反馈电路、第二自偏置电路；第二负反馈电路包括电容C11、电阻R5、电感L5、电感L6；其中，第二晶体管pHEMT2的栅极与电容C11的其中一端相连，且该相连端构成第二级放大电路的输入端，电容C11的另一端串联电阻R5后与电感L5的其中一端相连；第二晶体管pHEMT2的源极串联第二自偏置电路、并接地；第二晶体管pHEMT2的漏极连接电感L6的其中一端，电感L6的另一端与电感L5的另一端相连，且该相连端构成第二级放大电路的输出端，第二级放大电路的输出端连接输出级匹配电路的输入端。
7.根据权利要求6所述一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，其特征在于：所述第二自偏置电路包括电容C4和二极管D2，所述第二晶体管pHEMT2的源极分别对接电容C4的其中一端、以及二极管D2的正极，电容C4的另一端与二极管D2的负极相连、并接地。
8.根据权利要求1所述一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，其特征在于：所述输出级匹配电路包括电感L7、电感L8、电容C12，其中，电感L7的其中一端构成输出级匹配电路的取电端，用于对接供电电路进行取电；电感L7的另一端与电感L8的其中一端相连，且该相连端构成输出级匹配电路的输入端，电感L8的另一端连接电容C12的其中一端，电容C12的另一端构成输出级匹配电路的输出端，即超宽带放大器的输出端。
9.根据权利要求1所述一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，其特征在于：所述供电电路包括电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电阻R6、电阻R7，其中，电容C7的其中一端、电阻R7的其中一端、电容C8的其中一端、电容C9的其中一端四者相连，且该相连端外接电源VD进行取电，同时该相连端构成供电电路的第二供电端，用于连接输出级匹配电路的取电端进行供电；电容C7的另一端、电容C8的另一端、电容C9的另一端分别接地；电阻R7的另一端、电容C6的其中一端、电阻R6的其中一端三者相连，电容C6的另一端接地；电阻R6的另一端与电容C5的其中一端相连，且该相连端构成供电电路的第一供电端，用于连接中间级匹配电路的取电端进行供电，电容C5的另一端接地。
10.根据权利要求3或6所述一种小尺寸单电源D模温度补偿超宽带放大器，其特征在于：所述晶体管为D管制程工艺制造的晶体管。
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