CN116721952A - 基板处理系统和基板搬送方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 366
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G54/00—Non-mechanical conveyors not otherwise provided for
- B65G54/02—Non-mechanical conveyors not otherwise provided for electrostatic, electric, or magnetic
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F7/00—Magnets
- H01F7/06—Electromagnets; Actuators including electromagnets
- H01F7/20—Electromagnets; Actuators including electromagnets without armatures
- H01F7/206—Electromagnets for lifting, handling or transporting of magnetic pieces or material
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67709—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
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- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
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Abstract
本发明提供一种基板处理系统和基板搬送方法,能够针对多个模块以高自由度且高生产率进行基板替换动作。对基板进行处理的处理系统具备:多个模块,所述多个模块包括保持基板并对基板进行处理的处理室;搬送室,其与多个模块连接;基板搬送装置,其设置于搬送室的内部,进行针对多个模块的基板的交接和基板的取出;以及控制部,其中,所述基板搬送装置具有第一搬送单元和第二搬送单元,第一搬送单元和第二搬送单元能够载置基板,并能够在搬送室的面上独立且自如地进行直线移动及转动,控制部控制基板搬送装置,以使第一搬送单元与第二搬送单元同时并行地移动,来进行用来自多个模块中的一个模块的基板替换多个模块中的其它模块的基板的替换动作。
Description
技术领域
本公开涉及一种基板处理系统和基板搬送方法。
背景技术
例如,在半导体制造工艺中,在进行作为基板的半导体晶圆的处理时,使用在具有基板搬送装置的真空搬送室的周围设置有处理室、加载互锁室等多个模块的构造的基板处理系统。
作为这样的基板处理系统的基板搬送装置,提出了如下一种基板搬送装置:其具有绕共同的转动中心转动自如的第一转动部和第二转动部,在第一及第二转动部分别具备进退自如地设置的第一基板保持部和第二基板保持部、使第一基板保持部和第二基板保持部分别进行进退的第一进退驱动部和第二进退驱动部、以及用于分别驱动第一转动部和第二转动部的第一转动驱动部和第二转动驱动部(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005-19960号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够针对多个模块以高自由度且高生产率进行基板替换动作的基板处理系统和基板搬送方法。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式所涉及的基板处理系统对基板进行处理,所述基板处理系统具备:多个模块,所述多个模块包括保持基板并对基板进行处理的处理室;搬送室,其与所述多个模块连接;基板搬送装置,其设置于所述搬送室的内部,进行针对所述多个模块的基板的交接和基板的取出;以及控制部,其中,所述基板搬送装置具有第一搬送单元和第二搬送单元,所述第一搬送单元和所述第二搬送单元能够载置基板,并能够在所述搬送室的面上独立且自如地进行直线移动及转动,所述控制部控制所述基板搬送装置,以使所述第一搬送单元与所述第二搬送单元同时并行地移动,来进行用来自所述多个模块中的一个模块的基板替换所述多个模块中的其它模块的基板的替换动作。
发明的效果
根据本公开,提供一种能够针对多个模块以高自由度且高生产率进行基板替换动作的基板处理系统和基板搬送方法。
附图说明
图1是示出第一实施方式所涉及的基板处理系统的概要俯视图。
图2是用于说明基板搬送装置的一例中的搬送单元和平面马达的截面图。
图3是说明平面马达的驱动原理的立体图。
图4是说明第一实施方式中的基板搬送装置进行的基板替换动作的各工序的工序图。
图5是将包括第一实施方式中的基板替换动作的序列按每个工序以表的形式示出的图。
图6是示出第二实施方式所涉及的基板处理系统的概要俯视图。
图7是说明第二实施方式中的基板搬送装置进行的基板替换动作的各工序的工序图。
图8是将包括第二实施方式中的基板替换动作的序列按每个工序以表的形式示出的图。
具体实施方式
下面,参照附图来说明实施方式。
<第一实施方式>
图1是示出第一实施方式所涉及的基板处理系统的概要俯视图。
本实施方式的基板处理系统100对多个基板连续地实施处理。关于基板的处理并无特别限定,例如能够举出如成膜处理、蚀刻处理、灰化处理、清洁处理这样的各种处理。关于基板并无特别限定,例如例示出半导体晶圆。
如图1所示,基板处理系统100是多腔室类型的系统,具备多个处理装置110、真空搬送室120、加载互锁室130、大气搬送室140、基板搬送装置150以及控制部160。
真空搬送室120的平面形状呈矩形状,其内部被减压为真空气氛,在真空搬送室120的长边侧的相向的壁部经由闸阀G连接有多个处理室110。另外,在真空搬送室120的短边侧的一个壁部经由闸阀G1连接有两个加载互锁室130。在两个加载互锁室130的与真空搬送室120相反的一侧,经由闸阀G2连接有大气搬送室140。处理室110和加载互锁室130作为进行基板W的搬入和搬出的模块发挥功能。
真空搬送室120内的基板搬送装置150针对处理室110、加载互锁室130进行基板W的搬入和搬出,该基板搬送装置150具有平面马达(线性单元)10、第一搬送单元21、第二搬送单元22以及搬送控制部70。在后文中叙述基板搬送装置150的详情。
通过将闸阀G打开,处理室110与真空搬送室120之间连通,从而能够通过基板搬送装置150进行晶圆W的搬送,通过将闸阀G关闭,处理室110与真空搬送室120之间的连通被切断。另外,通过将闸阀G1打开,加载互锁室130与真空搬送室120之间连通,从而能够通过基板搬送装置150进行基板W的搬送,通过将闸阀G1关闭,加载互锁室130与真空搬送室120之间的连通被切断。
处理室110具有载置基板W的载置台111,在处理室110的内部被减压为真空气氛的状态下,对载置于载置台111的基板W实施期望的处理(成膜处理、蚀刻处理、灰化处理、清洁处理等)。
加载互锁室130具有载置基板W的载置台131,当在大气搬送室140与真空搬送室120之间搬送基板W时,在大气压与真空之间进行压力控制。
大气搬送室140呈大气气氛,例如形成洁净空气的下降流。另外,在大气搬送室140的壁面设置有加载端口(未图示)。加载端口构成为与收容有基板W的承载件(未图示)或空的承载件连接。作为承载件,例如能够使用FOUP(Front OpeningUnified Pod:前开式晶圆传送盒)等。
另外,在大气搬送室140的内部设置有搬送基板W的大气搬送装置(未图示)。大气搬送装置将收容于加载端口(未图示)的基板W取出并载置于加载互锁室130的载置台131,或者将载置于加载互锁室130的载置台131的基板W取出并收容于加载端口。通过将闸阀G2打开,加载互锁室130与大气搬送室140之间连通,从而能够通过大气搬送装置进行基板W的搬送,通过将闸阀G2关闭,加载互锁室130与大气搬送室140之间的切断被连通。
控制部160由计算机构成,其具有具备CPU的主控制部、输入装置、输出装置、显示装置、存储装置(存储介质)。主控制部控制基板处理系统100的各构成部的动作。例如,控制各处理室110中的基板W的处理、闸阀G、G1、G2的开闭等。基于内置于存储装置中的存储介质(硬盘、光盘、半导体存储器等)中存储的控制程序即处理制程来完成主控制部对各构成部的控制。
另外,在本实施方式中,控制部160具有控制基板搬送装置150的搬送控制部70。
接着,除了基于上述的图1以外,还基于图2~3来详细地进行说明本实施方式所涉及的基板搬送装置150。图2是用于说明基板搬送装置的搬送单元和平面马达的截面图,图3是用于说明平面马达的驱动原理的立体图。
如上述那样,基板搬送装置150具有平面马达(线性单元)10、第一搬送单元21以及第二搬送单元22。
平面马达(线性单元)10对第一搬送单元21和第二搬送单元22进行线性驱动。平面马达(线性单元)10具有由真空搬送室120的底壁121构成的主体部11、在主体部11的内部遍及整体地配置的多个电磁线圈12、以及向多个电磁线圈12分别单独地供电来对第一搬送单元21和第二搬送单元22进行线性驱动的线性驱动部13。线性驱动部13由搬送控制部70控制。通过向电磁线圈12供给电流来生成磁场。
第一搬送单元21和第二搬送单元22均具有相同的结构,具有作为保持基板W的基板保持部的末端执行器50、以及基部30。
如图3所示,基部30构成为其中排列有多个永久磁体35,该基部30由平面马达(线性单元)10驱动。而且,末端执行器50随着基部30的驱动而移动。通过将向平面马达(线性单元)10的电磁线圈12供给的电流的方向设为使通过该电流生成的磁场与永久磁体35相斥这样的方向,基部30构成为从主体部11表面磁悬浮。通过停止对电磁线圈12供给电流,基部30停止磁悬浮,成为载置于真空搬送室120的底面、即平面马达10的主体部11表面的状态。另外,通过搬送控制部70对从线性驱动部13向电磁线圈12供给的电流单独地进行控制,由此能够在使基部30磁悬浮的状态下使基部30沿平面马达10的主体部11表面移动,并能够控制其位置。另外,还能够通过控制电流来控制悬浮量。
在像这样构成的基板搬送装置150中,通过搬送控制部70控制从平面马达(线性单元)10的线性驱动部13向电磁线圈12供给的电流来生成与永久磁体35相斥的磁场,由此使基部30磁悬浮。此时的悬浮量能够通过控制电流来控制。
在磁悬浮的状态下,通过单独地控制从线性驱动部13向电磁线圈12供给的电流,能够使基部30沿平面马达10的主体部11表面(真空搬送室120的底面)移动,并能够控制其位置。由此,能够使第一搬送单元21和第二搬送单元22在沿着平面马达10的主体部11表面(真空搬送室120的底面)的平面上独立且自如地移动(直线移动和转动)。
在本实施方式中,在使用第一搬送单元21和第二搬送单元22这两个搬送单元在加载互锁室130与处理室110之间进行未处理的基板与处理完毕的基板的替换这一点具有特征。
在控制部160(搬送控制部70)的控制下,如图4所示那样进行此时的搬送动作。图4是说明基板搬送装置150进行的基板替换动作的各工序的工序图,示意性地示出基板处理系统100的一部分。此外,在图4中,方便起见,对第一搬送单元21标注“1”,对第二搬送单元22标注“2”。
图4的(a)示出初始状态,在一个加载互锁室130中存在未处理的基板W1,在一个处理室110内存在基板W2,第一搬送单元21为空,在第二搬送单元22载置有处理完毕的基板W3。第一搬送单元21位于与存在未处理的基板W1的加载互锁室130对应的位置,该加载互锁室130的闸阀G1被打开。
在该状态下,如图4的(b)所示,通过空的第一搬送单元21取出加载互锁室130内的未处理的基板W1(取出动作)。
接着,如图4的(c)所示,使接受到未处理的基板W1的第一搬送单元21退避,使保持着处理完毕的基板W3的第二搬送单元22移动到与作为搬送目的地的加载互锁室130对应的位置,进行基板W3的交接的准备(交接准备)。
接着,如图4的(d)所示,将保持于第二搬送单元22的基板W3交接到加载互锁室130(交接动作),将保持着基板W1的第一搬送单元21设为等待从处理室110搬出基板W2的状态。此外,在图4的(a)~(c)的期间,在存在基板W2的处理室110中进行基板W2的处理,在图4的(d)中,基板W2的处理结束。
接着,如图4的(e)所示,将加载互锁室130的闸阀G1关闭。而且,将存在处理完毕的基板W2的处理室110的闸阀G打开,在使第一搬送单元21保持等待搬出的状态下使变空的第二搬送单元22位于与该处理室110对应的位置。
接着,如图4的(f)所示,通过第二搬送单元22取出处理室110内的处理完毕的基板W2(取出动作)。此时,第一搬送单元21保持等待搬出的状态不变。
接着,如图4的(g)所示,使保持着处理完毕的基板W2的第二搬送单元22移动到与作为搬送目的地的加载互锁室130对应的位置,使保持着未处理的基板W1的第一搬送单元21移动到变为空的处理室110对应的位置。
然后,如图4的(h)所示,将保持于第一搬送单元21的基板W1交接到处理室110(交接动作)。
图5是将包括如以上那样的基板替换动作的序列按每个工序以表的形式示出的图。在图5中,LLM表示加载互锁室130,PM表示处理室110,LLM GV表示加载互锁室130的闸阀G1,PM GV表示处理室110的闸阀G,Mover1表示第一搬送单元21,Mover2表示第二搬送单元22。另外,最左栏的数字表示序列序号。LLM栏和PM栏的×表示不存在基板,○表示存在未处理的基板,●表示存在处理完毕的基板。并且,在Mover1的栏和Mover2的栏中示出第一搬送装置21和第二搬送装置22的状态。具体地说,取出(GET)表示取出基板,交接(PUT)表示交接基板。例如,LLM取出表示从加载互锁室130取出基板,PM交接表示将基板交接到处理室110。另外,LLM至PM表示从与加载互锁室130对应的位置朝向与处理室110对应的位置移动,PM至LLM表示从与处理室110对应的位置朝向与加载互锁室130对应的位置移动。并且,在Mover1和Mover2的栏中,×表示未载置基板,○表示载置有未处理的基板,●表示载置有处理完毕的基板。
在图5中,序号0为初始状态,序号1~8是第一次的基板替换动作,序号9~16是第二次的基板替换动作,序号17~24是第三次的基板替换动作。在本实施方式中,第一次到第三次的基板替换动作是相同的序列。
如图5所示,在本实施方式中,同时并行地进行利用Mover1及Mover2进行的基板的取出动作及交接动作、以及PM GV及LLM GV的开闭动作,来进行LLM与PM之间的基板的替换。
具体地说,在序号1中,作为主动作,利用Mover1进行LLM的未处理的基板(W1)的取出。在序号2中,作为主动作,利用Mover2对LLM进行处理完毕的基板(W3)的交接,同时,作为并行动作,使保持着未处理的基板(W1)的Mover1朝向PM移动。在序号3中,作为主动作,进行LLM GV的关闭(Close),并且,作为并行动作,使Mover2朝向PM移动。在序号4中,作为主动作,进行PM GV的打开(OPEN),并且,作为并行动作,使Mover2继续移动。在序号5中,作为主动作,利用Mover2进行PM的处理完毕的基板(W2)的取出。此外,在序号3~5中,如果需要,则作为并行动作而进行Mover1的位置调整。在序号6中,作为主动作,利用Mover1对PM进行未处理的基板(W1)的交接,同时,作为并行动作,使保持着处理完毕的基板(W2)的Mover2从PM朝向LLM移动。在序号7中,作为主动作,进行PM GV的关闭,并且,作为并行动作,使Mover1从PM朝向LLM移动。在序号8中,作为主动作,进行LLM GV的打开,并且,作为并行动作,使Mover1及Mover2从PM朝向LLM移动。
如以上那样,在本实施方式中,能够使第一搬送单元21和第二搬送单元22在沿着平面马达10的主体部11表面(真空搬送室120的底面)的平面上独立且自如地移动(直线移动及转动)。因此,如图4和图5所示,能够使第一搬送单元21和第二搬送单元22同时并行地移动,来在模块间进行基板的替换动作。由此,无论模块如何配置,均能够以高自由度且高生产率进行基板替换动作。
另外,在本例中,仅将与进行基板W的取出或交接时的模块对应的闸阀打开,因此其开闭需要时间,但由于在闸阀开闭的期间还能够使第一搬送单元21和第二搬送单元22并行地动作,因此能够相应地提高生产率。
在上述的专利文献1中,在绕共同的转动中心转动自如的第一转动部和第二转动部分别进退自如地设置有第一基板保持部和第二基板保持部,通过第一进退驱动部和第二进退驱动部、以及第一转动驱动部和第二转动驱动部进行进退动作以及转动动作,来进行基板的取出以及交接。由此,能够以高生产率进行基板的替换动作。但是,在专利文献1的技术的情况下,进行基板的替换动作的模块的配置受到限定,难以针对任意配置的多个模块以高自由度进行基板的替换动作。
对此,在本实施方式中,能够使第一搬送单元21和第二搬送单元22独立且自如地移动,因此即使要进行基板的替换动作的多个模块分离,也能够进行替换动作,自由度高且生产率高。
<第二实施方式>
图6是示出第二实施方式所涉及的基板处理系统的概要俯视图。
本实施方式的基板处理系统100'与第一实施方式所涉及的基板处理系统100同样地对多个基板连续地实施处理。
本实施方式的基板处理系统100'除了设置基板搬送装置150'来代替基板搬送装置150以外,与第一实施方式的基板处理系统100同样地构成。基板搬送装置150'除了与基板搬送装置150同样地还具有平面马达(线性单元)10、第一搬送单元21、第二搬送单元22以外,还具有第三搬送单元23。第三搬送单元23与第一搬送单元21及第二搬送单元22同样地具有作为保持基板W的基板保持部的末端执行器50、以及基部30。
与第一实施方式同样地,能够使基部30在磁悬浮的状态下沿平面马达10的主体部11表面(真空搬送室120的底面)移动,并能够控制其位置。由此,能够使第一搬送单元21、第二搬送单元22以及第三搬送单元23在沿着平面马达10的主体部11表面(真空搬送室120的底面)的平面上独立且自如地移动(直线移动及转动)。
在本实施方式中,在使用第一搬送单元21、第二搬送单元22以及第三搬送单元23这三个搬送单元在加载互锁室130与处理室110之间进行未处理的基板和处理完毕的基板的替换这一点具有特征。
通过控制部160(搬送控制部70)的控制,如图7所示那样进行此时的搬送动作。图7是说明基板搬送装置150'进行的基板替换动作的各工序的工序图,示意性地示出基板处理系统100'的一部分。此外,在图7中,方便起见,对第一搬送单元21标注“1”,对第二搬送单元22标注“2”,对第三搬送单元23标注“3”。
图7的(a)示出基准状态,在一个加载互锁室130内存在未处理的基板W1,在一个处理室110内存在基板W2,第一搬送单元21和第三搬送单元23为空,在第二搬送单元22载置有处理完毕的基板W3。第一搬送单元21位于与存在未处理的基板W1的加载互锁室130对应的位置,该加载互锁室130的闸阀G1被打开。
在该状态下,如图7的(b)所示,通过空的第一搬送单元21取出加载互锁室130内的未处理的基板W1(取出动作)。
接着,如图7的(c)所示,使接受到未处理的基板W1的第一搬送单元21退避,使保持着处理完毕的基板W3的第二搬送单元22移动到与作为搬送目的地的加载互锁室130对应的位置,来进行基板W3的交接的准备(交接准备)。
接着,如图7的(d)所示,将保持于第二搬送单元22的基板W3交接到加载互锁室130(交接动作),将保持着基板W1的第一搬送单元21设为等待从处理室110搬出基板W2的状态。接着,使第三搬送单元23移动到与存在基板W2的处理室110对应的位置。此外,在图7的(a)~(c)的期间,在存在基板W2的处理室110中进行基板W2的处理,在图7的(d)中,基板W2的处理结束。
接着,如图7的(e)所示,将加载互锁室130的闸阀G1关闭。而且,将存在处理完毕的基板W2的处理室110的闸阀G打开,在使第一搬送单元21保持为等待搬出的状态下,通过第三搬送单元23取出处理室110内的处理完毕的基板W2(取出动作)。此时,第一搬送单元21保持等待搬出的状态不变,第二搬送单元22为仍位于与被搬送了基板W3的加载互锁室130对应的位置的状态。
接着,如图7的(f)所示,使保持着处理完毕的基板W2的第三搬送单元23移动到与作为搬送目的地的加载互锁室130的对应的位置,使保持着未处理的基板W1的第一搬送单元21移动到与变为空的处理室110对应的位置。第二搬送单元22为仍位于与被搬送了基板W3的加载互锁室130对应的位置的状态。
接着,如图7的(g)所示,将保持于第一搬送单元21的基板W1交接到处理室110(交接动作)。在图7的(g)中还记载有在之后进行的、打开另一个加载互锁室130的闸阀G1并将保持于第三搬送单元23的基板W2交接到该加载互锁室130(交接动作)的动作。另一方面,在通过第三搬送单元23进行基板W2的交接动作之前,如图示那样,第二搬送单元22进行接受新配置于从前的加载互锁室130内的未处理的基板W4的准备。之后,第二搬送单元22在通过第三搬送单元23进行基板W2的交接动作之前接受基板W4,但未图示。
图8是将包括如以上那样的基板替换动作的序列按每个工序详细地以表的形式示出的图。图8中的符号基本与图5相同。新追加的Mover3表示第三搬送单元23,Mover3的栏表示出第三搬送装置23的状态。
在图8中,序号0为初始状态,序号1~8是第一次的基板替换动作,序号9~16是第二次的基板替换动作,序号17~24是第三次的基板替换动作。
如图8所示,在本实施方式中,同时并行地进行利用Mover1、Mover2以及Mover3进行的基板的取出动作及交接动作、以及PM GV及LLM GV的开闭动作,来进行LLM与PM之间的基板的替换。
具体地说,在序号1中,作为主动作,利用Mover1进行LLM的未处理的基板(W1)的交接。在序号2中,作为主动作,利用Mover2对LLM进行处理完毕的基板(W3)的取出,同时,作为并行动作,使保持着未处理的基板(W1)的Mover1朝向PM移动,并使Mover3移动到与PM对应的位置。在序号3中,作为主动作,进行LLM GV的关闭,并且,作为并行动作,使Mover1的移动和Mover3继续移动。在序号4中,作为主动作,进行PM GV的打开,并且,作为并行动作,使Mover1、Mover3继续移动。在序号5中,作为主动作,利用Mover3进行PM的处理完毕的基板(W2)的取出,如果需要,则作为并行动作而使Mover1继续移动。在序号6中,作为主动作,利用Mover1对PM进行未处理的基板(W1)的交接,同时,作为并行动作,使保持着处理完毕的基板(W2)的Mover3从PM朝向LLM移动。在序号7中,作为主动作,进行PM GV的关闭,并且,如果需要,作为并行动作,使Mover1、Mover3继续移动。在序号8中,作为主动作,进行LLM GV的打开,并且,作为并行动作,使Mover2移动到与LLM对应的位置,如果需要,进行Mover1、Mover3的移动。
作为第二次的LLM与PM之间的基板的替换动作,首先进行继上述序号8之后的序号9。在序号9中,作为主动作,利用Mover2进行LLM的未处理的基板(W4)的取出。在序号10中,作为主动作,利用Mover3对LLM进行处理完毕的基板(W2)的交接,同时,作为并行动作,使保持着未处理的基板(W4)的Mover2朝向PM移动,并使Mover1移动到与PM对应的位置。在序号11中,作为主动作,进行LLM GV的关闭,并且,作为并行动作,使Mover1的移动和Mover2继续移动。在序号12中,作为主动作,进行PM GV的打开,并且,作为并行动作,使Mover1和Mover2继续移动。在序号13中,作为主动作,利用Mover1进行PM的处理完毕的基板(W1)的取出,作为并行动作,如果需要则使Mover2继续移动。在序号14中,作为主动作,利用Mover2对PM进行未处理的基板(W4)的交接,同时,作为并行动作,使保持着处理完毕的基板(W1)的Mover1从PM朝向LLM移动。在序号15中,作为主动作,进行PM GV的关闭,并且,作为并行动作,如果需要则使Mover1和Mover2继续移动。在序号16中,作为主动作,进行LLM GV的打开,并且,作为并行动作,使Mover3移动到与LLM对应的位置,如果需要则使Mover1、Mover2继续移动。也就是说,在第二次的基板的替换动作即序号9~16中,仅仅是将第一次的Mover1、Mover2、Mover3分别更换为Mover3、Mover1、Mover2来进行与第一次同样的动作。
在第三次的基板的替换动作即序号17~24中,同样地,仅仅是将第二次的Mover1、Mover2、Mover3分别更换为Mover3、Mover1、Mover2来进行与第二次同样的动作。
如以上那样,在本实施方式中,能够使第一搬送单元21、第二搬送单元22、第三搬送单元23在沿着平面马达10的主体部11表面(真空搬送室120的底面)的平面上独立且自如地移动(直线移动及转动)。因此,如图7和图8所示,能够使第一搬送单元21、第二搬送单元22、第三搬送单元23同时并行地移动,从而能够在模块间进行基板的替换动作。由此,无论模块如何配置,均能够以高自由度且高生产率进行基板替换动作。
在上述第一实施方式中,在通过第一搬送单元21从加载互锁室130取出未处理基板之后,需要通过第二搬送单元22将进行处理完毕基板的交接到加载互锁室130、以及从处理室110取出处理完毕基板。
对此,在本实施方式中,例如在通过第二搬送单元22将处理完毕基板交接到加载互锁室130之后,通过第三搬送单元23从处理室110取出处理完毕基板。因此,能够同时并行地进行用于利用第二搬送单元22向加载互锁室130交接基板的动作、以及用于利用第三搬送单元23从处理室110取出基板的的动作。即,从处理室110取出处理完毕的基板的搬送单元如图8所示的序列中的序号1~4的Mover3、序号7~12的Mover1那样在取出之前没有主动作,因此能够立即进入取出动作。因而,与第一实施方式相比,能够缩短向加载互锁室130交接处理完毕的基板的交接动作和从处理室110取出处理完毕基板的动作的时间,从而能够缩短向处理室110交接未处理的基板时的搬送单元的待机时间。因此,在本实施方式中,相比于第一实施方式,能够缩短并行动作的时间,相比于第一实施方式,能够提高30%左右的处理生产率。
另外,在本实施方式中,相比于第一实施方式,即使在搬送单元的动作余量大、系统为大型系统且搬送单元的移动距离长的情况下,也能够维持高生产率。
并且,在图8的序列的序号3中进行将LLM GV关闭的动作,在序号4中进行将PM GV打开的动作,但通过同时进行这些动作或者消除闸阀的开闭动作本身,能够期待生产率的进一步提高。此时的生产率提高效果是以作为并行动作的各搬送单元的动作时间短且这些动作不会限制整体的处理时间为前提的,在本实施方式中,相比于第一实施方式能够缩短并行动作,因此能够得到这样的生产率进一步提高的效果。
<其它应用>
以上对实施方式进行了说明,但应当认为本次公开的实施方式在所有方面均为例示,而非限制性的。上述的实施方式可以不脱离所附的权利要求书和其主旨地以各种方式进行省略、置换、变更。
例如,在上述实施方式中示出了基板处理系统的搬送单元为两个的例子以及为三个的例子,但也可以为四个以上。
另外,在上述实施方式中示出了使用平面马达使搬送单元进行搬送的情况,但不限于此,只要多个搬送单元能够沿平面任意地移动即可。搬送单元的结构并不限于如本实施方式那样由基部和末端执行器构成,也可以是在基部与末端执行器之间设置有连杆机构的结构、设置有多个末端执行器的结构。
并且,在上述实施方式中示出了进行基板的替换动作的模块为加载互锁室和处理室的情况,但不限于此,例如也可以是两个处理室间的基板的替换动作。
并且,作为基板,不限于半导体晶圆,也可以是FPD(平板显示器)基板、石英基板、陶瓷基板等其它基板。
附图标记说明
10:平面马达;11:主体部;12:电磁线圈;13:线性驱动部;21:第一搬送单元;22:第二搬送单元;23:第三搬送单元;30:基部;35:永久磁体;50:末端执行器(基板保持部);70:搬送控制部;100、100':基板处理系统;110:处理室;120:真空搬送室;130:加载互锁室;140:大气搬送室;150、150':基板搬送装置;160:控制部;W:基板。
Claims (19)
1.一种基板处理系统,对基板进行处理,所述基板处理系统具备:
多个模块,所述多个模块包括保持基板并对基板进行处理的处理室;
搬送室,其与所述多个模块连接;
基板搬送装置,其设置于所述搬送室的内部,进行针对所述多个模块的基板的交接和基板的取出;以及
控制部,
其中,所述基板搬送装置具有第一搬送单元和第二搬送单元,所述第一搬送单元和所述第二搬送单元能够载置基板,并能够在所述搬送室的面上独立且自如地进行直线移动及转动,
所述控制部控制所述基板搬送装置,以使所述第一搬送单元与所述第二搬送单元同时并行地移动,来进行用来自所述多个模块中的一个模块的基板替换所述多个模块中的其它模块的基板的替换动作。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,
在作为初始状态而在所述一个模块存在第一基板、在所述其它模块存在第二基板、以及在所述第二搬送单元存在第三基板的情况下,
所述控制部控制所述基板搬送装置,以执行作为主动作的以下动作:
利用所述第一搬送单元取出存在于所述一个模块的所述第一基板;
接着,将所述第二搬送单元的所述第三基板交接到所述一个模块;
接着,利用所述第二搬送单元取出所述其它模块的所述第二基板;以及
接着,利用所述第一搬送单元将所述第一基板交接到所述其它模块。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理系统,其特征在于,
还具有能够开闭的闸阀,所述闸阀设置于所述搬送室与所述多个模块的各模块之间。
4.根据权利要求3所述的基板处理系统,其特征在于,
在作为初始状态而在所述一个模块存在第一基板、在所述其它模块存在第二基板、在所述第二搬送单元存在第三基板、以及所述一个模块的所述闸阀打开的情况下,
所述控制部控制所述基板搬送装置,以执行作为主动作的以下动作:
利用所述第一搬送单元取出存在于所述一个模块的所述第一基板;
接着,将所述第二搬送单元的所述第三基板交接到所述一个模块;
接着,将所述一个模块的所述闸阀关闭;
将所述其它模块的所述闸阀打开;
接着,利用所述第二搬送单元取出所述其它模块的所述第二基板;以及
接着,利用所述第一搬送单元将所述第一基板交接到所述其它模块。
5.根据权利要求2或4所述的基板处理系统,其特征在于,
在进行所述主动作的期间,所述控制部进行控制,以进行使所述第一搬送单元以及/或者所述第二搬送单元进行动作的并行动作。
6.一种基板处理系统,对基板进行处理,所述基板处理系统具备:
多个模块,所述多个模块包括保持基板并对基板进行处理的处理室;
搬送室,其与所述多个模块连接;
基板搬送装置,其设置于所述搬送室的内部,进行针对所述多个模块的基板的交接和基板的取出;以及
控制部,
其中,所述基板搬送装置具有第一搬送单元、第二搬送单元以及第三搬送单元,所述第一搬送单元、所述第二搬送单元以及所述第三搬送单元能够载置基板,并能够在所述搬送室的面上独立且自如地进行直线移动及转动,
所述控制部控制所述基板搬送装置,以使所述第一搬送单元、所述第二搬送单元以及所述第三搬送单元同时并行地移动,来进行用来自所述多个模块中的一个模块的基板替换所述多个模块中的其它模块的基板的替换动作。
7.根据权利要求6所述的基板处理系统,其特征在于,
在作为初始状态而在所述一个模块存在第一基板、在所述其它模块存在第二基板、以及在所述第二搬送单元存在第三基板的情况下,
所述控制部控制所述基板搬送装置,以执行作为主动作的以下动作:
利用所述第一搬送单元取出存在于所述一个模块的所述第一基板;
接着,将所述第二搬送单元的所述第三基板交接到所述一个模块;
接着,利用所述第三搬送单元取出所述其它模块的所述第二基板;以及
接着,利用所述第一搬送单元将所述第一基板交接到所述其它模块。
8.根据权利要求6或7所述的基板处理系统,其特征在于,
还具有能够开闭的闸阀,所述闸阀设置于所述搬送室与所述多个模块的各模块之间。
9.根据权利要求8所述的基板处理系统,其特征在于,
在作为初始状态而在所述一个模块存在第一基板、在所述其它模块存在第二基板、在所述第二搬送单元存在第三基板、以及所述一个模块的所述闸阀打开的情况下,
所述控制部控制所述基板搬送装置,以执行作为主动作的以下动作:
利用所述第一搬送单元取出存在于所述一个模块的所述第一基板;
接着,将所述第二搬送单元的所述第三基板交接到所述一个模块;
接着,将所述一个模块的所述闸阀关闭;
将所述其它模块的所述闸阀打开;
接着,利用所述第三搬送单元取出所述其它模块的所述第二基板;以及
接着,利用所述第一搬送单元将所述第一基板交接到所述其它模块。
10.根据权利要求7或9所述的基板处理系统,其特征在于,
在进行所述主动作的期间,所述控制部进行控制,以进行使所述第一搬送单元、所述第二搬送单元以及/或者所述第三搬送单元进行动作的并行动作。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的基板处理系统,其特征在于,
所述一个模块为加载互锁室,所述其它模块为所述处理室。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的基板处理系统,其特征在于,
所述第一搬送单元及所述第二搬送单元、或者所述第一搬送单元、所述第二搬送单元及所述第三搬送单元具有基板保持部和基部,所述基板保持部保持基板,所述基部的内部具有磁体,所述基部使所述基板保持部移动,
所述基板搬送装置还具有平面马达,所述平面马达具有:主体部,其构成所述搬送室的底壁;多个电磁线圈,所述多个电磁线圈排列在所述主体部内;以及线性驱动部,其向所述电磁线圈供电,使所述基部磁悬浮并且对所述基部进行线性驱动。
13.一种基板搬送方法,用于在具有多个模块、搬送室以及基板搬送装置的基板处理系统中进行用来自所述多个模块中的一个模块的基板替换所述多个模块中的其它模块的基板的替换动作,所述多个模块包括保持基板并对基板进行处理的处理室,所述搬送室与所述多个模块连接,所述基板搬送装置设置于所述搬送室的内部,进行针对所述多个模块的基板的交接和基板的取出,
所述基板搬送装置具有第一搬送单元和第二搬送单元,所述第一搬送单元和所述第二搬送单元能够载置基板,并能够在所述搬送室的面上独立且自如地进行直线移动及转动,
在作为初始状态而在所述一个模块存在第一基板、在所述其它模块存在第二基板、以及在所述第二搬送单元存在第三基板的情况下,所述基板搬送方法包括作为主动作的以下动作:
利用所述第一搬送单元取出存在于所述一个模块的所述第一基板;
接着,将所述第二搬送单元的所述第三基板交接到所述一个模块;
接着,利用所述第二搬送单元取出所述其它模块的所述第二基板;以及
接着,利用所述第一搬送单元将所述第一基板交接到所述其它模块。
14.根据权利要求13所述的基板搬送方法,其特征在于,
所述基板处理系统还具有能够开闭的闸阀,所述闸阀设置于所述搬送室与所述多个模块的各模块之间,
所述基板搬送方法包括作为主动作的以下动作:
利用所述第一搬送单元取出存在于所述一个模块的所述第一基板;
接着,将所述第二搬送单元的所述第三基板交接到所述一个模块;
接着,将所述一个模块的所述闸阀关闭;
将所述其它模块的所述闸阀打开;
接着,利用所述第二搬送单元取出所述其它模块的所述第二基板;以及
接着,利用所述第一搬送单元将所述第一基板交接到所述其它模块。
15.一种基板搬送方法,用于在具有多个模块、搬送室以及基板搬送装置的基板处理系统中进行用来自所述多个模块中的一个模块的基板替换所述多个模块中的其它模块的基板的替换动作,所述多个模块包括保持基板并对基板进行处理的处理室,所述搬送室与所述多个模块连接,所述基板搬送装置设置于所述搬送室的内部,进行针对所述多个模块的基板的交接和基板的取出,
所述基板搬送装置具有第一搬送单元、第二搬送单元以及第三搬送单元,所述第一搬送单元、所述第二搬送单元以及所述第三搬送单元能够载置基板,并能够在所述搬送室的面上独立且自如地进行直线移动及转动,
在作为初始状态而在所述一个模块存在第一基板、在所述其它模块存在第二基板、以及在所述第二搬送单元存在第三基板的情况下,
所述基板搬送方法包括作为主动作的以下动作:
利用所述第一搬送单元取出存在于所述一个模块的所述第一基板;
接着,将所述第二搬送单元的所述第三基板交接到所述一个模块;
接着,利用所述第三搬送单元取出所述其它模块的所述第二基板;以及
接着,利用所述第一搬送单元将所述第一基板交接到所述其它模块。
16.根据权利要求15所述的基板搬送方法,其特征在于,
所述基板处理系统还具有能够开闭的闸阀,所述闸阀设置于所述搬送室与所述多个模块的各模块之间,
所述基板搬送方法包括作为主动作的以下动作:
利用所述第一搬送单元取出存在于所述一个模块的所述第一基板;
接着,将所述第二搬送单元的所述第三基板交接到所述一个模块;
接着,将所述一个模块的所述闸阀关闭;
将所述其它模块的所述闸阀打开;
接着,利用所述第三搬送单元取出所述其它模块的所述第二基板;以及
接着,利用所述第一搬送单元将所述第一基板交接到所述其它模块。
17.根据权利要求13至16中的任一项所述的基板搬送方法,其特征在于,
在进行所述主动作的期间,进行使所述第一搬送单元以及/或者所述第二搬送单元进行动作的并行动作,或者进行使所述第一搬送单元、所述第二搬送单元以及/或者所述第三搬送单元进行动作的并行动作。
18.根据权利要求13至17中的任一项所述的基板搬送方法,其特征在于,
所述一个模块是加载互锁室,所述其它模块是所述处理室。
19.根据权利要求13至18中的任一项所述的基板搬送方法,其特征在于,
所述第一搬送单元及所述第二搬送单元、或者所述第一搬送单元、所述第二搬送单元及所述第三搬送单元具有基板保持部和基部,所述基板保持部保持基板,所述基部的内部具有磁体,所述基部使所述基板保持部移动,
所述基板搬送装置还具有平面马达,所述平面马达具有:主体部,其构成所述搬送室的底壁;多个电磁线圈,所述多个电磁线圈排列在所述主体部内;以及线性驱动部,其向所述电磁线圈供电,使所述基部磁悬浮并对所述基部进行线性驱动。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022-034267 | 2022-03-07 | ||
JP2022034267A JP2023129919A (ja) | 2022-03-07 | 2022-03-07 | 基板処理システムおよび基板搬送方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116721952A true CN116721952A (zh) | 2023-09-08 |
Family
ID=87851053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310173715.6A Pending CN116721952A (zh) | 2022-03-07 | 2023-02-28 | 基板处理系统和基板搬送方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230282503A1 (zh) |
JP (1) | JP2023129919A (zh) |
KR (1) | KR20230131772A (zh) |
CN (1) | CN116721952A (zh) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4450664B2 (ja) | 2003-06-02 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
-
2022
- 2022-03-07 JP JP2022034267A patent/JP2023129919A/ja active Pending
-
2023
- 2023-02-23 US US18/113,374 patent/US20230282503A1/en active Pending
- 2023-02-23 KR KR1020230024113A patent/KR20230131772A/ko not_active Application Discontinuation
- 2023-02-28 CN CN202310173715.6A patent/CN116721952A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023129919A (ja) | 2023-09-20 |
US20230282503A1 (en) | 2023-09-07 |
KR20230131772A (ko) | 2023-09-14 |
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