CN116718862B - 一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法 - Google Patents

一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及反激式变压器屏蔽检测领域,尤其涉及一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法,包括:在反激式变压器设置双重屏蔽绕组;获取所述双重屏蔽绕组对应实时监测数据;根据所述实时监测数据得到屏蔽效果检测结果,用于反激式变压器的屏蔽快速监测,直观有效的评估反激变压器屏蔽绕组的屏蔽效果。并满足EMI实验要求,降低研发成本和测试成本。

Description

一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法
技术领域
本发明涉及反激式变压器屏蔽检测领域,具体涉及一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法。
背景技术
反激式开关电源的应用增加,并且很多的产品都有严苛的EMI要求。现有的反激式开关电源都会加共模及差模滤波结构,来满足EMI实验。变压器是整个开关电源方案的主要噪声源。设计过程中变压器里面会通过增加屏蔽层的方式来改善噪声,以达到最好的设计效果,从源头降低噪声,减少滤波器,降低生产成本。但是设计过程中往往只能通过专用的EMI测试设备来测试评估方案设计是否合理,能不能满足EMI要求。不满足要求还要重复修改在测试评估这整个步骤。拉长了研发周期和研发成本。本发明提供了一种反激式变压器的屏蔽层绕制方案,并且同时提供了一种简单易行,能够直观量化的评估变压器内部所加屏蔽层屏蔽效果的检测方式,来评估变压器屏蔽层是否已经是最优方案。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法,通过设置反激式变压器绕制屏蔽层并进行屏蔽效果简易检测,有效直观评估屏蔽结果。
为实现上述目的,本发明提供了一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法,包括:
S1、在反激式变压器设置双重屏蔽绕组;
S2、获取所述双重屏蔽绕组对应实时监测数据;
S3、根据所述实时监测数据得到屏蔽效果检测结果。
优选的,所述在反激式变压器设置双重屏蔽绕组包括:
S1-1、在反激式变压器的磁芯与初级绕组间设置第一屏蔽绕组作为磁芯屏蔽绕组;
S1-2、在反激式变压器的初级绕组与次级绕组间设置第二屏蔽绕组作为输出屏蔽绕组;
S1-3、利用所述磁芯屏蔽绕组与输出屏蔽绕组作为双重屏蔽绕组;
其中,所述输出屏蔽绕组的起绕点悬空,输出屏蔽绕组的终绕点与初级绕组的接地端连接,所述输出屏蔽绕组的圈数比相邻次级绕组的圈数低。
进一步的,获取所述双重屏蔽绕组对应实时监测数据包括:
利用第一示波器采集所述双重屏蔽绕组对应反激式变压器的磁芯波形作为磁芯屏蔽绕组对应波形;
利用第二示波器采集次级绕组的地上噪声波形作为输出屏蔽绕组对应波形;
利用所述磁芯屏蔽绕组对应波形与输出屏蔽绕组对应波形作为双重屏蔽绕组对应实时监测数据;
其中,所述第一示波器为交流测量模式,所述第一示波器的输出负载为纯电阻,所述第一示波器的电源无Y电容。
进一步的,根据所述实时监测数据得到屏蔽效果检测结果包括:
S3-1、根据所述实时监测数据的磁芯屏蔽绕组对应波形得到第一屏蔽效果检测结果;
S3-2、根据所述实时监测数据的输出屏蔽绕组对应波形得到第二屏蔽效果检测结果;
S3-3、利用所述第一屏蔽效果检测结果与第二屏蔽效果检测结果进行波形复验处理得到屏蔽效果检测结果。
进一步的,根据所述实时监测数据的磁芯屏蔽绕组对应波形得到第一屏蔽效果检测结果包括:
当实时监测数据的磁芯屏蔽绕组对应波形小于300mV时,判断所述实时监测数据的磁芯屏蔽绕组对应波形与开关电源芯片的两端电压波形是否方向一致,若是,则所述第一屏蔽效果检测结果为欠补偿,否则,所述第一屏蔽效果检测结果为过补偿。
进一步的,根据所述实时监测数据的输出屏蔽绕组对应波形得到第二屏蔽效果检测结果包括:
判断所述实时监测数据的输出屏蔽绕组对应波形与开关电源芯片的两端电压波形是否相同,若是,则所述第二屏蔽效果检测结果为欠补偿,否则,所述第二屏蔽效果检测结果为过补偿。
进一步的,利用所述第一屏蔽效果检测结果与第二屏蔽效果检测结果进行波形复验处理得到屏蔽效果检测结果包括:
S3-3-1、利用所述双重屏蔽绕组的基础属性进行物理属性复验得到双重屏蔽绕组的物理属性复验结果;
S3-3-2、根据所述物理属性复验结果获取第一屏蔽效果检测结果与第二屏蔽效果检测结果的数据合理性结果;
S3-3-3、根据所述数据合理性结果得到屏蔽效果检测结果;
其中,所述基础属性为双重屏蔽绕组对应初级绕组与次级绕组。
进一步的,利用所述双重屏蔽绕组的基础属性进行物理属性复验得到双重屏蔽绕组的物理属性复验结果包括:
S3-3-1-1、判断所述双重屏蔽绕组对应初级绕组至次级绕组间是否存在第一电容耦合,若是,则所述物理属性复验结果为异常,并返回S1-1,否则,执行S3-3-1-2;
S3-3-1-2、判断所述双重屏蔽绕组对应次级绕组至初级绕组间是否存在第二电容耦合,若是,则所述物理属性复验结果为异常,并返回S1-2,否则,执行S3-3-1-3;
S3-3-1-3、判断所述双重屏蔽绕组的对地耦合感应电动势波形是否正常,若是,则所述物理属性复验结果为正常,否则,所述物理属性复验结果为异常;
其中,所述第一电容耦合为初级绕组的开关噪声耦合到次级绕组,第二电容耦合为次级绕组开关噪声耦合到初级绕组。
进一步的,根据所述物理属性复验结果获取第一屏蔽效果检测结果与第二屏蔽效果检测结果的数据合理性结果包括:
S3-3-2-1、判断所述物理属性复验结果是否存在循环处理,若是,则执行S3-3-2-2,否则,直接执行S3-3-2-3;
S3-3-2-2、判断所述第一屏蔽效果检测结果对应波形与第二屏蔽效果检测结果对应波形是否与所述实时监测数据对应DS两端电压波形均为对应,若是,则执行S3-3-2-3,否则,所述数据合理性结果为异常,进行旁路滤波清除后返回S3-1;
S3-3-2-3、判断所述第一屏蔽效果检测结果对应波形与第二屏蔽效果检测结果对应波形是否相互对应,若是,则所述数据合理性结果为正常,否则,所述数据合理性结果为异常;
其中,所述循环处理为双重屏蔽绕组对应初级绕组至次级绕组间存在第一电容耦合或双重屏蔽绕组对应次级绕组至初级绕组间存在第二电容耦合。
进一步的,根据所述数据合理性结果得到屏蔽效果检测结果包括:
S3-3-3-1、判断所述数据合理性结果是否为正常,若是,则直接输出第一屏蔽效果检测结果与第二屏蔽效果检测作为屏蔽效果检测结果,否则,执行S3-3-3-2;
S3-3-3-2、判断所述数据合理性结果是否存在循环处理,若是,则所述屏蔽效果检测结果为异常,并输出对应循环处理初级绕组与次级绕组,否则,直接输出屏蔽效果检测结果为异常。
与最接近的现有技术相比,本发明具有的有益效果:
本发明提供了一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法,通过提出的反激式变压器屏蔽层设置方法可以有效的降低变压器工作噪声。通过提出的检测方法可以直观有效的评估反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果。使用此方法快速评估调试,使开关电源满足EMI实验要求,降低研发成本和测试成本,同时对检测结果根据实时波形数据进行复验,采用直接或间接方式,对数据采集过程与检测结果输出依次验证,前后逻辑自洽保证了屏蔽效果检测结果的合理与方案实施的稳定输出。
附图说明
图1是本发明提供的一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法的流程图;
图2是本发明提供的一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法的反激电路动静点示意图;
图3是本发明提供的一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法的变压器绕组示意图;
图4是本发明提供的一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法的屏蔽层原理图;
图5是本发明提供的一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法的磁芯屏蔽绕组测试示意图;
图6是本发明提供的一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法的磁芯屏蔽绕组对应波形示意图;
图7是本发明提供的一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法的输出屏蔽绕组测试示意图;
图8是本发明提供的一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法的传统波形图;
图9是本发明提供的一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法的优化波形图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1:本发明提供了一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法,如图1所示,包括:
S1、在反激式变压器设置双重屏蔽绕组;
S2、获取所述双重屏蔽绕组对应实时监测数据;
S3、根据所述实时监测数据得到屏蔽效果检测结果。
S1具体包括:
S1-1、在反激式变压器的磁芯与初级绕组间设置第一屏蔽绕组作为磁芯屏蔽绕组;
S1-2、在反激式变压器的初级绕组与次级绕组间设置第二屏蔽绕组作为输出屏蔽绕组;
S1-3、利用所述磁芯屏蔽绕组与输出屏蔽绕组作为双重屏蔽绕组;
其中,所述输出屏蔽绕组的起绕点悬空,输出屏蔽绕组的终绕点与初级绕组的接地端连接,所述输出屏蔽绕组的圈数比相邻次级绕组的圈数低。
S2具体包括:
S2-1、利用第一示波器采集所述双重屏蔽绕组对应反激式变压器的磁芯波形作为磁芯屏蔽绕组对应波形;
S2-2、利用第二示波器采集次级绕组的地上噪声波形作为输出屏蔽绕组对应波形;
S2-3、利用所述磁芯屏蔽绕组对应波形与输出屏蔽绕组对应波形作为双重屏蔽绕组对应实时监测数据;
其中,所述第一示波器为交流测量模式,所述第一示波器的输出负载为纯电阻,所述第一示波器的电源无Y电容。
S3具体包括:
S3-1、根据所述实时监测数据的磁芯屏蔽绕组对应波形得到第一屏蔽效果检测结果;
S3-2、根据所述实时监测数据的输出屏蔽绕组对应波形得到第二屏蔽效果检测结果;
S3-3、利用所述第一屏蔽效果检测结果与第二屏蔽效果检测结果进行波形复验处理得到屏蔽效果检测结果。
S3-1具体包括:
S3-1-1、当实时监测数据的磁芯屏蔽绕组对应波形小于300mV时,判断所述实时监测数据的磁芯屏蔽绕组对应波形与开关电源芯片的两端电压波形是否方向一致,若是,则所述第一屏蔽效果检测结果为欠补偿,否则,所述第一屏蔽效果检测结果为过补偿。
S3-2具体包括:
S3-2-1、判断所述实时监测数据的输出屏蔽绕组对应波形与开关电源芯片的两端电压波形是否相同,若是,则所述第二屏蔽效果检测结果为欠补偿,否则,所述第二屏蔽效果检测结果为过补偿。
S3-3具体包括:
S3-3-1、利用所述双重屏蔽绕组的基础属性进行物理属性复验得到双重屏蔽绕组的物理属性复验结果;
S3-3-2、根据所述物理属性复验结果获取第一屏蔽效果检测结果与第二屏蔽效果检测结果的数据合理性结果;
S3-3-3、根据所述数据合理性结果得到屏蔽效果检测结果;
其中,所述基础属性为双重屏蔽绕组对应初级绕组与次级绕组。
S3-3-1具体包括:
S3-3-1-1、判断所述双重屏蔽绕组对应初级绕组至次级绕组间是否存在第一电容耦合,若是,则所述物理属性复验结果为异常,并返回S1-1,否则,执行S3-3-1-2;
S3-3-1-2、判断所述双重屏蔽绕组对应次级绕组至初级绕组间是否存在第二电容耦合,若是,则所述物理属性复验结果为异常,并返回S1-2,否则,执行S3-3-1-3;
S3-3-1-3、判断所述双重屏蔽绕组的对地耦合感应电动势波形是否正常,若是,则所述物理属性复验结果为正常,否则,所述物理属性复验结果为异常;
其中,所述第一电容耦合为初级绕组的开关噪声耦合到次级绕组,第二电容耦合为次级绕组开关噪声耦合到初级绕组。
S3-3-2具体包括:
S3-3-2-1、判断所述物理属性复验结果是否存在循环处理,若是,则执行S3-3-2-2,否则,直接执行S3-3-2-3;
S3-3-2-2、判断所述第一屏蔽效果检测结果对应波形与第二屏蔽效果检测结果对应波形是否与所述实时监测数据对应DS两端电压波形均为对应,若是,则执行S3-3-2-3,否则,所述数据合理性结果为异常,进行旁路滤波清除后返回S3-1;
S3-3-2-3、判断所述第一屏蔽效果检测结果对应波形与第二屏蔽效果检测结果对应波形是否相互对应,若是,则所述数据合理性结果为正常,否则,所述数据合理性结果为异常;
其中,所述循环处理为双重屏蔽绕组对应初级绕组至次级绕组间存在第一电容耦合或双重屏蔽绕组对应次级绕组至初级绕组间存在第二电容耦合。
S3-3-3具体包括:
S3-3-3-1、判断所述数据合理性结果是否为正常,若是,则直接输出第一屏蔽效果检测结果与第二屏蔽效果检测作为屏蔽效果检测结果,否则,执行S3-3-3-2;
S3-3-3-2、判断所述数据合理性结果是否存在循环处理,若是,则所述屏蔽效果检测结果为异常,并输出对应循环处理初级绕组与次级绕组,否则,直接输出屏蔽效果检测结果为异常。
本实施例中,一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法,现有的反激式开关电源方案中,变压器会随着芯片的高频开关产生电压和电流的变化,短时间内剧烈的di/dt,dv/dt是EMI噪声产生的源头。想要得到足够好的EMI实验结果,就需要针对性的去优化变压器设计来减小噪声产生。如图2所示,或者通过加屏蔽层的方式,来限制噪声的传递,抑制噪声。反激式开关电源中经常将高电压随着开关波动的点定义为动态点。在开关过程中,这些动态点上的电压波形是快速变化的。将电压基本不变化点定义为静态点。静态点在开关周期中,电压波形是相对不变化,稳定的;反激变压器绕组是需要接到这些动态点上,所以内部需要加屏蔽层来隔断这些变化的电动势。为了得到更好的整体EMI效果,推荐使用基本的变压器结构,同时采用屏蔽绕组进行屏蔽。需要两个单独的屏蔽绕组,如图3所示,磁芯和初级绕组之间的绕组定义为磁芯屏蔽绕组。初级绕组和次级绕组之间的绕组称为输出屏蔽绕组。
初级绕组与磁芯由于相互之间的耦合电容以及磁芯对大地的阻抗的原因,在开关工作过程中会产生一个对地的感应电动势。这个感应电压就是一个噪声源。通过在磁芯与初级绕组之间增加屏蔽层,消除初级绕组耦合到大地的路径。从而达到噪声屏蔽的作用,如图4所示。
磁芯屏蔽绕组的绕线方向需要与初级绕组的绕线方向相反,并且起绕点接到初级绕组的静态点。从而在工作过程中,产生一个相反的感应电动势,相互抵消。磁芯屏蔽绕组的起绕点一定要接正确,不然不起作用。圈数先设定为初级绕组第一层的一半。
正常绕制过程中,由于初级绕组和输出次级绕组之间只有绝缘胶带,相互之间的距很近,会形成一定的结电容,电容耦合的原因会导致初级绕组的开关噪声耦合到次级绕组,或者次级绕组的二极管开关噪声耦合到初级,从而导致EMI超标。通过在初级绕组和次级绕组之间增加屏蔽层,拉开初次级绕组之间的距离。改变结电容的容量,从而减低噪声的相互传递。通过屏蔽层平衡初次级绕组之间的感应电动势,减小噪声耦合。
输出屏蔽绕组的起绕点悬空,终绕点接初级绕组的地。圈数要求比相邻次级绕组少2-3圈。
变压器两个屏蔽绕组初步设计好之后,可以使用一种简易的方式来检测屏蔽层的屏蔽效果,来保证屏蔽层设计的有效性。先调试磁芯屏蔽绕组,再调试输出屏蔽绕组。
磁芯屏蔽绕组测试方式:如图5所示,使用示波器的探头的正端接触磁芯,地悬空不接。来观察磁芯对地耦合的感应电动势波形,如图6所示。
示波器供电需要使用隔离变压器与市电隔离供电,防止探头接触开关电源造成损坏。探头最好使用*10比例探头。示波器采用交流测量模式。输出使用纯电阻来做负载。并且测试过程中需要拆除掉原来电源上焊接的所有的Y电容,因为Y电容有旁路滤波效果,会干扰信号采样。将采集到的波形与开关电源芯片DS两端电压波形比较。
判断标准:
磁芯波形与芯片DS波形相同方向,则屏蔽补偿为欠补偿。需要增加屏蔽层圈数;
磁芯波形与芯片DS波形相反方向,则屏蔽补偿为过补偿。需要减少屏蔽层圈数;
采到的感应电动势的电压值(峰峰值)需要小于300mV。并且处于欠补偿状态;
输出屏蔽绕组测试方式:如图7所示,使用示波器探头直接测试输出绕组地上的噪声波形。
示波器探头的正接次级绕组的地,探头地悬空不接。采集到的波形与DS波形进行比较判断。与DS波形相同为欠补偿,增加屏蔽圈数。相反为过补偿,减少屏蔽圈数。电压峰峰值要求小于300mV。
可以按照上述测试方案来检测屏蔽层的屏蔽效果,根据测试结果来调整屏蔽层的圈数。已达到最优的效果。绕制过程中可以选择不同的线径,并采用多线并绕的方法事屏蔽层刚好绕满一层,便于后续批量生产。
调试结果比较:
按照传统设计经验设置屏蔽层,屏蔽层圈数分别是16/7,如图8所示,依次为按照GT-9254 CLASS-B的标准测试,得出QP准峰值变化与AV均值变化示意图;采用磁芯屏蔽绕组的测试方式,测试得出磁芯屏蔽绕组对应电压波形峰峰值Vpc300mV时,电压-时刻示意图;采用输出屏蔽绕组的测试方式,测试得出输出屏蔽绕组对应电压波形峰峰值VPs为350mV时,电压-时刻示意图,设计已经增加两层屏蔽层,但是测试结果峰峰值均大于300mV;
基于上述检测方法调试后,如图9所示,依次为按照GT-9254 CLASS-B的标准测试,得出QP准峰值变化与AV均值变化示意图;采用磁芯屏蔽绕组的测试方式,测试得出磁芯屏蔽绕组对应电压波形峰峰值Vpc200mV时,电压-时刻示意图;采用输出屏蔽绕组的测试方式,测试得出输出屏蔽绕组对应电压波形峰峰值VPs为300mV时,电压-时刻示意图,各波形峰峰值均满足与小于300mV这个要求。
本领域内的技术人员应明白,本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此,本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且,本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器,使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中,使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品,该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上,使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理,从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制,尽管参照上述实施例对本发明进行了详细的说明,所属领域的普通技术人员应当理解:依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换,而未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换,其均应涵盖在本发明的权利要求保护范围之内。

Claims (3)

1.一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法,其特征在于,包括:
S1、在反激式变压器设置双重屏蔽绕组;
S2、获取所述双重屏蔽绕组对应实时监测数据;
S2-1、利用第一示波器采集所述双重屏蔽绕组对应反激式变压器的磁芯波形作为磁芯屏蔽绕组对应波形;
S2-2、利用第二示波器采集次级绕组的地上噪声波形作为输出屏蔽绕组对应波形;
S2-3、利用所述磁芯屏蔽绕组对应波形与输出屏蔽绕组对应波形作为双重屏蔽绕组对应实时监测数据;
其中,所述第一示波器为交流测量模式,所述第一示波器的输出负载为纯电阻,所述第一示波器的电源无Y电容;
S3、根据所述实时监测数据得到屏蔽效果检测结果;
S3-1、根据所述实时监测数据的磁芯屏蔽绕组对应波形得到第一屏蔽效果检测结果;
S3-1-1、当实时监测数据的磁芯屏蔽绕组对应波形小于300mV时,判断所述实时监测数据的磁芯屏蔽绕组对应波形与开关电源芯片的两端电压波形是否方向一致,若是,则所述第一屏蔽效果检测结果为欠补偿,否则,所述第一屏蔽效果检测结果为过补偿;
S3-2、根据所述实时监测数据的输出屏蔽绕组对应波形得到第二屏蔽效果检测结果;
S3-2-1、判断所述实时监测数据的输出屏蔽绕组对应波形与开关电源芯片的两端电压波形是否相同,若是,则所述第二屏蔽效果检测结果为欠补偿,否则,所述第二屏蔽效果检测结果为过补偿;
S3-3、利用所述第一屏蔽效果检测结果与第二屏蔽效果检测结果进行波形复验处理得到屏蔽效果检测结果;
S3-3-1、利用所述双重屏蔽绕组的基础属性进行物理属性复验得到双重屏蔽绕组的物理属性复验结果;
S3-3-1-1、判断所述双重屏蔽绕组对应初级绕组至次级绕组间是否存在第一电容耦合,若是,则所述物理属性复验结果为异常,并返回S1-1,否则,执行S3-3-1-2;
S3-3-1-2、判断所述双重屏蔽绕组对应次级绕组至初级绕组间是否存在第二电容耦合,若是,则所述物理属性复验结果为异常,并返回S1-2,否则,执行S3-3-1-3;
S3-3-1-3、判断所述双重屏蔽绕组的对地耦合感应电动势波形是否正常,若是,则所述物理属性复验结果为正常,否则,所述物理属性复验结果为异常;
其中,所述第一电容耦合为初级绕组的开关噪声耦合到次级绕组,第二电容耦合为次级绕组开关噪声耦合到初级绕组;
S3-3-2、根据所述物理属性复验结果获取第一屏蔽效果检测结果与第二屏蔽效果检测结果的数据合理性结果;
S3-3-2-1、判断所述物理属性复验结果是否存在循环处理,若是,则执行S3-3-2-2,否则,直接执行S3-3-2-3;
S3-3-2-2、判断所述第一屏蔽效果检测结果对应波形与第二屏蔽效果检测结果对应波形是否与所述实时监测数据对应DS两端电压波形均为对应,若是,则执行S3-3-2-3,否则,所述数据合理性结果为异常,进行旁路滤波清除后返回S3-1;
S3-3-2-3、判断所述第一屏蔽效果检测结果对应波形与第二屏蔽效果检测结果对应波形是否相互对应,若是,则所述数据合理性结果为正常,否则,所述数据合理性结果为异常;
其中,所述循环处理为双重屏蔽绕组对应初级绕组至次级绕组间存在第一电容耦合或双重屏蔽绕组对应次级绕组至初级绕组间存在第二电容耦合;
S3-3-3、根据所述数据合理性结果得到屏蔽效果检测结果;
其中,所述基础属性为双重屏蔽绕组对应初级绕组与次级绕组。
2.如权利要求1所述的一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法,其特征在于,所述在反激式变压器设置双重屏蔽绕组包括:
S1-1、在反激式变压器的磁芯与初级绕组间设置第一屏蔽绕组作为磁芯屏蔽绕组;
S1-2、在反激式变压器的初级绕组与次级绕组间设置第二屏蔽绕组作为输出屏蔽绕组;
S1-3、利用所述磁芯屏蔽绕组与输出屏蔽绕组作为双重屏蔽绕组;
其中,所述输出屏蔽绕组的起绕点悬空,输出屏蔽绕组的终绕点与初级绕组的接地端连接,所述输出屏蔽绕组的圈数比相邻次级绕组的圈数低。
3.如权利要求1所述的一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法,其特征在于,根据所述数据合理性结果得到屏蔽效果检测结果包括:
S3-3-3-1、判断所述数据合理性结果是否为正常,若是,则直接输出第一屏蔽效果检测结果与第二屏蔽效果检测作为屏蔽效果检测结果,否则,执行S3-3-3-2;
S3-3-3-2、判断所述数据合理性结果是否存在循环处理,若是,则所述屏蔽效果检测结果为异常,并输出对应循环处理初级绕组与次级绕组,否则,直接输出屏蔽效果检测结果为异常。
CN202310983541.XA 2023-08-07 2023-08-07 一种用于反激式变压器屏蔽层的屏蔽效果检测方法 Active CN116718862B (zh)

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