CN116699749A - 传感器用罩和传感器模块 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 206
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 21
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 19
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 6
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001362 electron spin resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/281—Interference filters designed for the infrared light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本发明涉及传感器用罩和传感器模块。本发明提供兼具可见光阻隔性和近红外线透射性的技术。传感器用罩将被设置在容纳传感器的壳体的开口。所述传感器用罩具备:具有第一主面和第二主面的基板;和形成在所述基板的所述第一主面和所述第二主面中的至少一个主面上的介质多层膜。所述介质多层膜以所期望的顺序包含:一个以上的包含第一材料的第一层;多个包含第二材料的第二层;和多个包含第三材料的第三层。所述第一层的所述第一材料为自旋密度为5.0×1010个/(nm·cm2)以上的非晶硅。所述第一层的总厚度为250nm以下。所述第一层、所述第二层和所述第三层的总数为40层以上。
Description
技术领域
本公开涉及传感器用罩和传感器模块。
背景技术
在容纳LiDAR(光探测和测距)传感器等传感器的壳体的开口设置传感器用罩。传感器用罩例如为滤光片,并且透射近红外线且阻隔可见光。在专利文献1中公开了使用介质多层膜的滤光片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2021/117598号
发明内容
发明所要解决的问题
专利文献1的滤光片具有氢化硅膜。氢化硅膜通过如下方式得到:利用溅射法形成硅膜,然后使用等离子体对硅膜进行氢化(使用等离子体在硅膜中掺杂氢)。
与未掺杂氢的硅膜相比,掺杂了氢的硅膜能够提高近红外线透射性,但是可见光阻隔性变差。另一方面,与掺杂了氢的硅膜相比,未掺杂氢的硅膜能够提高可见光阻隔性,但是近红外线透射性变差。
本公开的一个方式提供兼具可见光阻隔性和近红外线透射性的技术。
用于解决问题的手段
本公开的一个方式的传感器用罩将被设置在容纳传感器的壳体的开口。所述传感器用罩具有:基板,所述基板具有朝向所述壳体的外侧的第一主面和朝向所述壳体的内侧的第二主面;和介质多层膜,所述介质多层膜形成在所述基板的所述第一主面和所述第二主面中的至少一个主面上。所述介质多层膜以所期望的顺序包含:一个以上的第一层,所述第一层包含第一材料;多个第二层,所述第二层包含第二材料,所述第二材料具有与所述第一材料不同的折射率;和多个第三层,所述第三层包含第三材料,所述第三材料具有与所述第一材料和所述第二材料不同的折射率。所述第一层的所述第一材料为自旋密度为5.0×1010个/(nm·cm2)以上的非晶硅。所述第一层的总厚度为250nm以下。所述第一层、所述第二层和所述第三层的总数为40层以上。
发明效果
根据本公开的一个方式,能够兼具可见光阻隔性和近红外线透射性。
附图说明
图1为一个实施方式的传感器模块的剖视图。
图2为示出第一介质多层膜的一例的剖视图。
图3为示出第二介质多层膜的一例的剖视图。
图4为示出未掺杂氢的非晶硅和掺杂了氢的非晶硅的消光系数的一例的图。
图5为示出例1~例5的传感器用罩的透射率的图。
图6为示出例1~例5的传感器用罩的反射率的图。
标号说明
2 传感器用罩
3 基板
31 第一主面
32 第二主面
4A 第一介质多层膜(介质多层膜)
4B 第二介质多层膜(介质多层膜)
41 第一层
42 第二层
43 第三层
6 壳体
7 传感器
具体实施方式
以下,参照附图对本公开的实施方式进行说明。需要说明的是,在各附图中,对相同或对应的结构赋予相同的符号,有时省略说明。在说明书中,表示数值范围的“~”表示包含在其前后记载的数值作为下限值和上限值。
首先,参照图1对一个实施方式的传感器模块1进行说明。传感器模块1具有传感器用罩2、壳体6和传感器7。壳体6容纳传感器7。壳体6可以起到机架接地的功能,在此情况下,壳体6例如由金属等导电材料形成。对传感器7没有特别限制,例如为车载传感器。车载传感器例如为LiDAR(光探测和测距)传感器。
LiDAR传感器通过向对象物照射近红外线并接收由对象物反射的近红外线而检测出到对象物的距离和对象物的方向。LiDAR传感器未图示,例如具有激光光源、从激光光源向对象物照射近红外线的照射光学系统、将由对象物反射的近红外线引导到光接收器的光接收光学系统和光接收器。需要说明的是,车载传感器不限于LiDAR传感器。
利用传感器7检测的光为近红外线。近红外线是指具有700nm~2500nm的波长的电磁波。用于LiDAR传感器的近红外线的波长例如为900nm~910nm、1300nm~1320nm或1530nm~1570nm。需要说明的是,传感器7不限于车载传感器,只要是光学传感器即可。
接着,参照图1~图3对一个实施方式的传感器用罩2进行说明。传感器用罩2设置在壳体6的开口处,防止雪、雨和尘埃等进入壳体6的内部,并且保护传感器7。传感器用罩2例如为透射近红外线并且阻隔可见光的红外带通滤光片。通过传感器7容易检测近红外线,传感器7的灵敏度良好。另外,通过阻隔可见光,能够使得从壳体6的外侧看不到传感器7。
传感器用罩2具有基板3。基板3具有朝向壳体6的外侧的第一主面31和朝向壳体6的内侧的第二主面32。第二主面32与第一主面31朝向相反,并且第二主面32与传感器7相对。基板3用于形成后述的第一介质多层膜4A和第二介质多层膜4B中的至少一者。
从(A)减小在形成第一介质多层膜4A和第二介质多层膜4B等时产生的翘曲、(B)薄型化和(C)抑制破裂的观点考虑,基板3的厚度优选为0.1mm以上且5mm以下,更优选为2mm~4mm。
基板3的材料只要是透射利用传感器7检测的光的材料即可,可以为有机材料,也可以为无机材料,没有特别限制。基板3可以为通过将不同的多种材料复合而形成的基板。基板3可以为单层结构,也可以为多层结构。作为基板3的无机材料,优选使用玻璃或晶体材料。
玻璃为钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃、无碱玻璃、石英玻璃或铝硅酸盐玻璃。玻璃可以为化学强化玻璃。化学强化玻璃为在玻璃化转变温度以下的温度下通过离子交换在玻璃表面形成了压应力层的玻璃。压应力层通过将在玻璃中所含的离子半径小的碱金属离子置换为离子半径较大的碱金属离子而形成。
晶体材料可以为双折射性晶体,例如为二氧化硅、铌酸锂或蓝宝石。
传感器用罩2具有第一介质多层膜4A和第二介质多层膜4B。第一介质多层膜4A形成在基板3的第一主面31上。第二介质多层膜4B形成在基板3的第二主面32上。传感器用罩2从壳体6的外侧向壳体6的内侧依次具有第一介质多层膜4A、基板3和第二介质多层膜4B。需要说明的是,传感器用罩2只要具有第一介质多层膜4A和第二介质多层膜4B中的至少一者即可。
第一介质多层膜4A和第二介质多层膜4B为透射近红外线并且阻隔可见光的红外带通滤光片。第一介质多层膜4A和第二介质多层膜4B可以兼作为了提高近红外线的透射率而防止近红外线反射的减反射膜。减反射膜与空气接触,并且防止空气与传感器用罩2的界面处的近红外线的反射。
传感器用罩2优选波长为400nm~680nm的可见光的最大透射率T400-680max为5%以下,波长为900nm的近红外线的透射率T900为95%以上。T400-680max和T900为入射角为0°的光的透射率。
如果T400-680max为5%以下,则能够使得从壳体6的外部看不到传感器7。T400-680max更优选为1%以下。T400-680max为0%以上。
如果T900为95%以上,则在利用传感器7检测的光为近红外线的情况下,传感器7的灵敏度良好。T900更优选为97%以上。T900为100%以下。
传感器用罩2优选波长为400nm~680nm的可见光的最大反射率R400-680max为25%以下。R400-680max为从壳体6的外侧观察传感器用罩2时的反射率,并且为入射角为0°的光的反射率。
如果R400-680max为25%以下,则从壳体6的外侧观察传感器用罩2时,传感器用罩2呈现黑色,因此外观设计性良好。R400-680max更优选为22%以下。R400-680max为0%以上。
T400-680max、T900和R400-680max在本实施方式中通过使用矩阵法的模拟进行计算,但是也可以使用市售的分光光度计测定。
第一介质多层膜4A和第二介质多层膜4B分别如图2和图3所示以所期望的顺序包含一个以上的第一层41、多个第二层42和多个第三层43。第一层41包含第一材料,第二层42包含第二材料,所述第二材料具有与第一材料不同的折射率,第三层43包含第三材料,所述第三材料具有与第一材料和第二材料不同的折射率。
第一介质多层膜4A和第二介质多层膜4B各自通过利用光的干涉作用而实现所期望的光学特性。反射率R、透射率T和吸收率A的合计为100%。反射率R越大,则透射率T越小。透射率T还取决于消光系数k。消光系数k由材料的种类确定。消光系数k越大,则吸收率A越大,透射率T越小。
接着,参照图4对未掺杂氢的非晶硅和掺杂了氢的非晶硅的消光系数k的一例进行说明。在图4中,“aSi”表示未掺杂氢的非晶硅,“aSi:H”表示掺杂了氢的非晶硅。
如图4所示,与未掺杂氢的非晶硅相比,掺杂了氢的非晶硅在400nm~1000nm的波长范围内具有较低的消光系数k。因此,与未掺杂氢的非晶硅相比,掺杂了氢的非晶硅能够提高近红外线透射性,但是可见光阻隔性变差。另一方面,与掺杂了氢的非晶硅相比,未掺杂氢的非晶硅能够提高可见光阻隔性,但是近红外线透射性变差。
为了兼顾可见光阻隔性和近红外线透射性,本实施方式的传感器用罩2具有下述(1)~(3)的构成。
(1)第一层41的第一材料为自旋密度为5.0×1010个/(nm·cm2)以上、优选为1.0×1012个/(nm·cm2)以上的非晶硅。在此,自旋密度表示膜中的悬空键的量。自旋密度例如可以使用电子自旋共振装置测定。利用电子自旋共振装置能够测定的自旋除了包含非晶硅的悬空键以外,还包含构成基板3的玻璃中的过渡金属离子等,因此需要测定前的试样的加工和测定后的峰分离。在试样的加工中,适当切断形成有第一层41等的基板3,然后通过研磨尽可能除去基板3。由此,能够降低来自构成基板3的玻璃的自旋信号的影响。另外,测定后的峰分离例如可以通过曲线拟合而进行。硅悬空键的信号被观测为g=2.004~2.007、线宽4高斯~8高斯的各向同性信号,并且作为通过使用使线宽一致的高斯函数和洛伦兹函数的线性组合函数的曲线拟合而进行的峰分离的结果得到。在此所说的线宽是指以微分形式得到的电子自旋共振谱的峰顶和峰底的磁场差。另外,第一层41的第一材料的自旋密度优选为8.0×1012个/(nm·cm2)以下。
第一层41的第一材料例如为未掺杂氢的非晶硅、或即使掺杂了氢、氢掺杂量也少的非晶硅。非晶硅的氢含量越少,则非晶硅的自旋密度越大。通过使用自旋密度为5.0×1010个/(nm·cm2)以上的非晶硅作为第一材料,能够提高可见光阻隔性。
(2)第一层41的总厚度为250nm以下。如果第一层41的总厚度为250nm以下,则近红外线透射性良好。第一层41的总厚度优选为200nm以下,更优选为160nm以下。从可见光阻隔性的观点考虑,第一层41的总厚度优选为100nm以上。
(3)第一层41、第二层42和第三层43的总数为40层以上。以下,将第一层41、第二层42和第三层43的总数也记载为总层数。如果总层数为40层以上,则通过多重反射,可见光多次通过各第一层41。因此,即使第一层41的总厚度为250nm以下,可见光阻隔性也良好。总层数优选为50层以上。从生产率和翘曲的观点考虑,总层数优选为100层以下。以发生可见光的多重反射但不发生红外线的多重反射的方式构成第一层41、第二层42和第三层43。
根据上述(1),通过采用自旋密度为5.0×1010个/(nm·cm2)以上的非晶硅作为第一层41的第一材料,从而提高可见光阻隔性。而且,通过像上述(2)一样减小第一层41的总厚度,从而抑制作为上述(1)的弊端的红外线透射性的变差。此外,通过像上述(3)一样能够进行可见光的多重反射,从而抑制通过像上述(2)一样使第一层41的总厚度减小而产生的可见光阻隔性的变差。由此,能够兼顾可见光阻隔性和近红外线透射性。
第二层42的第二材料例如具有比第一材料低的折射率。第二材料的折射率在587.6nm的波长下例如为1.7~2.7。第二材料例如为氧化钽(例如五氧化二钽:Ta2O5)、氧化钛(例如二氧化钛:TiO2)、氧化铌(例如五氧化二铌:Nb2O5)或氮化硅(SiN)。
第三层43的第三材料例如具有比第二材料低的折射率。第三材料的折射率在587.6nm的波长下例如为1.2~2.2。第三材料例如为氧化硅(例如二氧化硅:SiO2或一氧化硅:SiO)或氮氧化硅(SiOxNy)。
需要说明的是,第一介质多层膜4A或第二介质多层膜4B除了具有第一层41、第二层42和第三层43以外,还可以具有未图示的第四层。第四层包含具有与第一材料、第二材料和第三材料不同的折射率的第四材料。
接着,再次参照图2对第一介质多层膜4A的一例进行说明。第一介质多层膜4A的成膜方法可以为干式,也可以为湿式。干式成膜方法例如为溅射法、CVD法或真空蒸镀法。湿式成膜方法例如为喷雾法或浸渍法。
第一介质多层膜4A优选从基板3的第一主面31向壳体6的外侧(图2中左侧)包含9个以上的层,并且在从基板3的第一主面31向壳体6的外侧的第一个~第八个层中交替地包含第二层42和第三层43而不包含第一层41。由此,能够将可见光吸收率高的第一层41配置在壳体6的外侧。结果,在从壳体6的外侧观察传感器用罩2时,传感器用罩2呈现黑色,因此外观设计性良好。
第一介质多层膜4A优选从基板3的第一主面31向壳体6的外侧(图2中左侧)包含n(n为5以上的自然数)个层,并且在从基板3的第一主面31向壳体6的外侧的第(n-1)个层中包含第一层41。即,第一介质多层膜4A在从最外侧的层开始数的第二个层中包含第一层41。通过将可见光折射率高的第一层41配置在从最外侧的层开始数的第二个层中,能够降低入射角大的可见光的反射率。
第一介质多层膜4A优选从基板3的第一主面31向壳体6的外侧(图2中左侧)包含8个以上的层,并且从基板3的第一主面31起向壳体6的外侧包含4个以上的第一层41。通过在从基板3的第一主面31起向壳体6的外侧分开地配置4个以上可见光吸收率高的第一层41,能够有效地吸收可见光,能够有效地降低可见光透射率。
第一介质多层膜4A优选具有第一组45,在所述第一组45中,第一层41、第二层42和第三层43以该顺序从基板3的第一主面31向壳体6的外侧(图2中左侧)连续地排列。在第一组45中,第二层42的第二材料具有比第一层41的第一材料低的折射率,第三层43的第三材料具有比第二层42的第二材料低的折射率。
第一介质多层膜4A优选具有第二组46,在所述第二组46中,第三层43、第二层42和第一层41以该顺序从基板3的第一主面31向壳体6的外侧(图2中左侧)连续地排列。在第二组46中,第二层42的第二材料具有比第一层41的第一材料低的折射率,第三层43的第三材料具有比第二层42的第二材料低的折射率。
第一介质多层膜4A只要具有第一组45和第二组46中的至少一者即可,可以不具有两者。第一介质多层膜4A通过具有第一组45和第二组46中的至少一者,即使近红外线的入射角大,也能够在保持高的近红外线透射率的状态下将近红外线反射率设计得低。
从可见光阻隔性的观点考虑,第一介质多层膜4A的膜厚优选为1.5μm以上,更优选为2.0μm以上。从生产率的观点考虑,第一介质多层膜4A的膜厚优选为3.5μm以下,更优选为3.0μm以下。
接着,再次参照图3对第二介质多层膜4B的一例进行说明。第二介质多层膜4B的成膜方法可以为干式,也可以为湿式。干式成膜方法例如为溅射法、CVD法或真空蒸镀法。湿式成膜方法例如为喷雾法或浸渍法。
第二介质多层膜4B优选从基板3的第二主面32向壳体6的内侧(图3中右侧)包含9个以上的层,并且在从基板3的第二主面32向壳体6的内侧的第一个~第八个层中交替地包含第二层42和第三层43而不包含第一层41。由此,能够将折射率高的第一层41配置在壳体6的内侧。结果,即使从传感器用罩2的内侧入射到传感器用罩2的近红外线的入射角大,也能够在保持高的近红外线透射率的状态下将近红外线反射率设计得低。因此,能够抑制被传感器用罩2反射的近红外线入射到传感器7中,能够降低传感器7的检测噪声。
第二介质多层膜4B优选具有第三组47,在所述第三组47中,第一层41、第二层42和第三层43以该顺序从基板3的第二主面32向壳体6的内侧(图3中右侧)连续地排列。在第三组47中,第二层42的第二材料具有比第一层41的第一材料低的折射率,第三层43的第三材料具有比第二层42的第二材料低的折射率。
第二介质多层膜4B优选具有第四组48,在所述第四组48中,第三层43、第二层42和第一层41以该顺序从基板3的第二主面32向壳体6的内侧(图3中右侧)连续地排列。在第四组48中,第二层42的第二材料具有比第一层41的第一材料低的折射率,第三层43的第三材料具有比第二层42的第二材料低的折射率。
第二介质多层膜4B只要具有第三组47和第四组48中的至少一者即可,可以不具有两者。第二介质多层膜4B通过具有第三组47和第四组48中的至少一者,即使近红外线的入射角大,也能够在保持高的近红外线透射率的状态下将近红外线反射率设计得低。
从可见光阻隔性的观点考虑,第二介质多层膜4B的膜厚优选为1.0μm以上,更优选为1.5μm以上。从生产率的观点考虑,第二介质多层膜4B的膜厚优选为3.0μm以下,更优选为2.5μm以下。
需要说明的是,在本实施方式中,第一介质多层膜4A和第二介质多层膜4B各自具有第一层41、第二层42和第三层43,但是本公开的技术不限于此。例如,可以是第一介质多层膜4A具有第一层41、第二层42和第三层43,第二介质多层膜4B具有第一层41、第三层43和第四层。第一介质多层膜4A和第二介质多层膜4B各自只要包含第一层41并且具有折射率不同的3种层即可。
[实施例]
以下,对实验数据进行说明。下述例1~例2和例5为比较例,例3~例4为实施例。
(例1)
在例1中,准备铝硅酸盐玻璃基板作为基板,通过溅射法在铝硅酸盐玻璃基板的第一主面上形成第一介质多层膜,并通过溅射法在铝硅酸盐玻璃基板的第二主面上形成第二介质多层膜,由此制作了传感器用罩。将第一介质多层膜的层结构和第二介质多层膜的层结构示于表1中。
[表1]
例1
在表1中,第一介质多层膜的层编号表示将层进行层叠的顺序。在第一介质多层膜中,层编号1的层与铝硅酸盐玻璃基板的第一主面接触,层编号19的层与空气(壳体外侧的空气)接触。
同样地,在表1中,第二介质多层膜的层编号表示将层进行层叠的顺序。在第二介质多层膜中,层编号1的层与铝硅酸盐玻璃基板的第二主表面接触,层编号20的层与空气(壳体内侧的空气)接触。
如表1所示,第一介质多层膜和第二介质多层膜各自具有包含自旋密度为2.4×1011个/(nm·cm2)且折射率为4.6的“aSi”的第一层、包含折射率为2.1的Ta2O5的第二层和包含折射率为1.5的SiO2的第三层。
(例2)
在例2中,准备硼硅酸盐玻璃基板作为基板,通过溅射法在硼硅酸盐玻璃基板的第一主面上形成第一介质多层膜,并通过溅射法在硼硅酸盐玻璃基板的第二主面上形成第二介质多层膜,由此制作了传感器用罩。将第一介质多层膜的层结构和第二介质多层膜的层结构示于表2中。
[表2]
例2
在表2中,第一介质多层膜的层编号表示将层进行层叠的顺序。在第一介质多层膜中,层编号1的层与硼硅酸盐玻璃基板的第一主面接触,层编号32的层与空气(壳体外侧的空气)接触。
同样地,在表2中,第二介质多层膜的层编号表示将层进行层叠的顺序。在第二介质多层膜中,层编号1的层与硼硅酸盐玻璃基板的第二主面接触,层编号22的层与空气(壳体内侧的空气)接触。
如表2所示,第一介质多层膜和第二介质多层膜各自具有包含自旋密度为3.3×1010个/(nm·cm2)且折射率为3.7的“aSi:H”的第一层、包含折射率为2.3的Nb2O5的第二层和包含折射率为1.5的SiO2的第三层。
(例3)
在例3中,准备硼硅酸盐玻璃基板作为基板,通过溅射法在硼硅酸盐玻璃基板的第一主面上形成第一介质多层膜,并通过溅射法在硼硅酸盐玻璃基板的第二主面上形成第二介质多层膜,由此制作了传感器用罩。将第一介质多层膜的层结构和第二介质多层膜的层结构示于表3中。
[表3]
例3
在表3中,第一介质多层膜的层编号表示将层进行层叠的顺序。在第一介质多层膜中,层编号1的层与硼硅酸盐玻璃基板的第一主面接触,层编号36的层与空气(壳体外侧的空气)接触。
同样地,在表3中,第二介质多层膜的层编号表示将层进行层叠的顺序。在第二介质多层膜中,层编号1的层与硼硅酸盐玻璃基板的第二主面接触,层编号22的层与空气(壳体内侧的空气)接触。
如表3所示,第一介质多层膜和第二介质多层膜各自具有包含自旋密度为2.2×1011个/(nm·cm2)且折射率为4.4的“aSi”的第一层、包含折射率为2.3的Nb2O5的第二层和包含折射率为1.5的SiO2的第三层。
(例4)
在例4中,准备硼硅酸盐玻璃基板作为基板,通过溅射法在硼硅酸盐玻璃基板的第一主面上形成第一介质多层膜,并通过溅射法在硼硅酸盐玻璃基板的第二主面上形成第二介质多层膜,由此制作了传感器用罩。将第一介质多层膜的层结构和第二介质多层膜的层结构示于表4中。
[表4]
例4
在表4中,第一介质多层膜的层编号表示将层进行层叠的顺序。在第一介质多层膜中,层编号1的层与硼硅酸盐玻璃基板的第一主面接触,层编号35的层与空气(壳体外侧的空气)接触。
同样地,在表4中,第二介质多层膜的层编号表示将层进行层叠的顺序。在第二介质多层膜中,层编号1的层与硼硅酸盐玻璃基板的第二主面接触,层编号23的层与空气(壳体内侧的空气)接触。
如表4所示,第一介质多层膜和第二介质多层膜各自具有包含自旋密度为2.4×1011个/(nm·cm2)且折射率为4.6的“aSi”的第一层、包含折射率为2.1的Ta2O5的第二层和包含折射率为1.5的SiO2的第三层。
(例5)
在例5中,准备硼硅酸盐玻璃基板作为基板,通过溅射法在硼硅酸盐玻璃基板的第一主面上形成第一介质多层膜,并通过溅射法在硼硅酸盐玻璃基板的第二主面上形成第二介质多层膜,由此制作了传感器用罩。将第一介质多层膜的层结构和第二介质多层膜的层结构示于表5中。
[表5]
例5
在表5中,第一介质多层膜的层编号表示将层进行层叠的顺序。在第一介质多层膜中,层编号1的层与硼硅酸盐玻璃基板的第一主面接触,层编号23的层与空气(壳体外侧的空气)接触。
同样地,在表5中,第二介质多层膜的层编号表示将层进行层叠的顺序。在第二介质多层膜中,层编号1的层与硼硅酸盐玻璃基板的第二主面接触,层编号13的层与空气(壳体内侧的空气)接触。
如表5所示,第一介质多层膜和第二介质多层膜各自具有包含自旋密度为2.4×1011个/(nm·cm2)且折射率为4.6的“aSi”的第一层、包含折射率为2.1的Ta2O5的第二层和包含折射率为1.5的SiO2的第三层。
(光学特性)
以下,主要参照图5~图6和表6对在例1~例5中制作的传感器用罩的光学特性进行说明。图5~图6和表6中所示的透射率T和反射率R通过使用矩阵法的模拟而计算。
[表6]
如表1~表6(主要为表6)所示,根据例3~例4,与例1~例2和例5不同,第一层的第一材料为自旋密度为5.0×1010个/(nm·cm2)以上的非晶硅,第一层的总厚度为250nm以下,并且第一层、第二层和第三层的总数(总层数)为40层以上。因此,根据例3~例4,与例1~例2和例6不同,T400-680max为5%以下,并且T900为95%以上,可见光阻隔性和近红外线透射性良好。另外,根据例3~例4,R400-680max为25%以下,当从壳体的外侧观察时传感器用罩呈现黑色,外观设计性良好。
根据例1,由于第一层41的总厚度大于250nm,因此T900小于95%,近红外线透射率差。根据例2,由于第一层41的材料为自旋密度小于5.0×1010个/(nm·cm2)的非晶硅,因此T400-680max大于5%,可见光阻隔性差。根据例5,由于总层数小于40层,因此T400-680max大于5%,可见光阻隔性差。
以上,对本公开的传感器用罩和传感器模块进行了说明,但是本公开不限于上述实施方式等。在权利要求书所记载的范畴内可以进行各种变更、修正、置换、附加、删除和组合。这些当然也属于本公开的技术范围。
Claims (11)
1.一种传感器用罩,其中,所述传感器用罩将被设置在容纳传感器的壳体的开口,其中,
所述传感器用罩具有:基板,所述基板具有朝向所述壳体的外侧的第一主面和朝向所述壳体的内侧的第二主面;和介质多层膜,所述介质多层膜形成在所述基板的所述第一主面和所述第二主面中的至少一个主面上,
所述介质多层膜以所期望的顺序包含:一个以上的第一层,所述第一层包含第一材料;多个第二层,所述第二层包含第二材料,所述第二材料具有与所述第一材料不同的折射率;和多个第三层,所述第三层包含第三材料,所述第三材料具有与所述第一材料和所述第二材料不同的折射率,
所述第一层的所述第一材料为自旋密度为5.0×1010个/(nm·cm2)以上的非晶硅,
所述第一层的总厚度为250nm以下,并且
所述第一层、所述第二层和所述第三层的总数为40层以上。
2.如权利要求1所述的传感器用罩,其中,所述介质多层膜从所述基板的所述第一主面向所述壳体的外侧包含9个以上的层,并且在从所述基板的所述第一主面向所述壳体的外侧的第一个~第八个层中交替地包含所述第二层和所述第三层而不包含所述第一层。
3.如权利要求1或2所述的传感器用罩,其中,所述介质多层膜从所述基板的所述第二主面向所述壳体的内侧包含9个以上的层,并且在从所述基板的所述第二主面向所述壳体的内侧的第一个~第八个层中交替地包含所述第二层和所述第三层而不包含所述第一层。
4.如权利要求1~3中任一项所述的传感器用罩,其中,所述介质多层膜从所述基板的所述第一主面向所述壳体的外侧包含n个层,n为5以上的自然数,并且在从所述基板的所述第一主面向所述壳体的外侧的第(n-1)层中包含所述第一层。
5.如权利要求1~4中任一项所述的传感器用罩,其中,所述介质多层膜从所述基板的所述第一主面向所述壳体的外侧包含8个以上的层,并且所述介质多层膜从所述基板的所述第一主面起向所述壳体的外侧包含4个以上的所述第一层。
6.如权利要求1~5中任一项所述的传感器用罩,其中,所述第二材料具有比所述第一材料低的折射率,并且所述第三材料具有比所述第二材料低的折射率,并且
所述介质多层膜具有第一组和第二组中的至少一个组,在所述第一组中,所述第一层、所述第二层和所述第三层以该顺序从所述基板的所述第一主面向所述壳体的外侧连续地排列,在所述第二组中,所述第三层、所述第二层和所述第一层以该顺序从所述基板的所述第一主面向所述壳体的外侧连续地排列。
7.如权利要求1~6中任一项所述的传感器用罩,其中,所述第二材料具有比所述第一材料低的折射率,并且所述第三材料具有比所述第二材料低的折射率,并且
所述介质多层膜具有第三组和第四组中的至少一个组,在所述第三组中,所述第一层、所述第二层和所述第三层以该顺序从所述基板的所述第二主面向所述壳体的内侧连续地排列,在所述第四组中,所述第三层、所述第二层和所述第一层以该顺序从所述基板的所述第二主面向所述壳体的外侧连续地排列。
8.如权利要求1~7中任一项所述的传感器用罩,其中,所述第二材料为氧化钽或氧化铌,所述第三材料为氧化硅。
9.如权利要求1~8中任一项所述的传感器用罩,其中,所述传感器用罩的对波长为400nm~680nm的可见光的最大透射率为5%以下,并且所述传感器用罩的对波长为400nm~680nm的可见光的最大反射率为25%以下。
10.如权利要求1~9中任一项所述的传感器用罩,其中,所述传感器为LiDAR(光探测和测距)传感器。
11.一种传感器模块,其中,所述传感器模块具有权利要求1~10中任一项所述的传感器用罩、所述壳体和所述传感器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022033738A JP2023129006A (ja) | 2022-03-04 | 2022-03-04 | センサ用カバー、及びセンサモジュール |
JP2022-033738 | 2022-03-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116699749A true CN116699749A (zh) | 2023-09-05 |
Family
ID=87826473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310182719.0A Pending CN116699749A (zh) | 2022-03-04 | 2023-02-28 | 传感器用罩和传感器模块 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023129006A (zh) |
CN (1) | CN116699749A (zh) |
-
2022
- 2022-03-04 JP JP2022033738A patent/JP2023129006A/ja active Pending
-
2023
- 2023-02-28 CN CN202310182719.0A patent/CN116699749A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023129006A (ja) | 2023-09-14 |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication |