CN116686423A - 器件传输材料组合物的制备方法、组合物、包含其的传输层和包含传输层的电子器件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于制造用作电子设备的传输材料的组合物的方法，该方法包括以下步骤：a)提供一种第一有机半导体；b)提供一种自由基化合物；c)提供一种偶极矩至少6.0德拜的极性化合物；d)混合所述第一有机半导体、所述自由基化合物和以获得所述组合物。
Description
技术领域
该专利发明了一种用于制造用作器件的传输材料的组合物的方法，通过这种方法获得的组合物，包括这种组合物的传输层和包括这种传输层的电子器件。
背景技术
在过去的几个世纪里，快速运行和发展的社会带来了能源消耗的稳步增长。时至今日，大部分的能源供给仍然依赖于不可再生资源。由于我们已经日趋接近地球资源的消耗极限，同时也面临着由于资源消耗方法不当带来的严重环境问题，因此对可持续和可再生能源的关注和发展变得越来越重要。在目前的可持续能源利用方案中较为成熟的就是利用最大的能量源——太阳，的太阳能电池。
尽管目前太阳能电池的能源产量只占世界总产量的0.1％，但作为市场主体的硅基太阳能电池的功率转换效率(PCE)已超过24％，并且每年装机量都在快速增长。决定太阳能电池商业化的主要推动因素主要包括高能量转换效率和低制备成本。近期快速发展的钙钛矿太阳能电池能量转换效率也超过了25％，同时相比硅基电池，制备工艺更加简单，成本更低；且轻便可柔性并易于和基于其他材料的器件集成。这些优势使得钙钛矿太阳能电池成为了硅基电池的有力竞争者。
太阳能电池的基本原理是让入射光在光敏材料中被吸收并激发出载流子，由内建电场驱动载流子定向移动从而产生电流。典型的钙钛矿太阳能电池器件通常由五层构成，包括透明导电氧化物电极、电子传输层、光吸收钙钛矿材料层、空穴传输层和金属电极。在太阳光照射下时，钙钛矿层吸收光子产生激子(电子-空穴对)，即一种由库仑相互作用结合在一起的准粒子。由于钙钛矿材料的激子结合能很小，这些电子-空穴对很容易分离。然而，产生的电子和空穴可能在材料内随机扩散并最移向错误的电极，与其对应物重新结合，从而构成能量损失。为了防止这种能量损失并促进电荷的定向传输，空穴传输层(HTL)和电子传输层(ETL)通常会被制备在钙钛矿活性层的两边，去构建内建电场并选择性地收集传输某一种载流子(电子或空穴)到两边电极，最终形成这样一个典型的钙钛矿太阳能电池器件的结构。鉴于此，传输层，空穴传输层(HTL)和电子传输层(ETL)，对于促进光电器件，如钙钛矿/有机太阳能电池/发光二极管等，的光生载流子的分离及选择性传输至关重要。有机半导体是一类目前主要被广泛用作运输层的的材料。然而，通常情况下还需要添加剂来进一步增强有机物半导体的载流子迁移率。例如，当2,2'，7,7'-四[N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)用作空穴传输材料中，需要使用添加剂Li[(CF3SO2)2N](LiTFSI)和4-叔丁基吡啶(tBP)增强其空穴选择和输运的能力。然而，包含添加剂的混合物也存在明显缺点。特别是LiTFSI吸水，tBP易挥发，稳定性差，容易导致设备退化。此外，这种添加剂充分起作用还需要长时间的后氧化过程(10-24小时)，这会增加器件的制备周期。同时，后氧化效率和速率很大程度上取决于环境湿度和光照，需要小心控制。此外，各组分之间反应过程中产生的杂质也会对实现设备的高效率和高稳定性、形成阻碍。
WO2018/105431描述了一种光电转换元件，包括一个基板，设置在基板上的一个透明电极，设置在第一透明电极上的空穴阻挡层，设置在空穴阻挡层上的并在表明吸附有光敏半导体化合物的电子传输层，与电子传输层连接的空穴传输层和设置在空穴传输材料上的第二个电极传输层。在WO2018/105431中提到的的光电转换元件中，作为载流子提取输出的终端部分，具有空穴阻隔作用的空穴阻挡层还能够有效抑制作为第一导电电极的ITO由于激光加工等过程剥离脱落造成的电阻增加。从而可以降低载流子提取电阻得到较高的输出电流。同时，一种氧化剂也会被加入到空穴传输层材料中将部分空穴传输材料氧化为自由基阳离子。不过，这种氧化添加剂的引入就会如上文所述，带来湿度敏感性的增加和较长的氧化时间和制备周期这类问题。
鉴于上述情况，有必要发展一种改进的方法去制造可用作电子器件中传输层材料的组合物，以消除现有技术的缺点。
发明内容
此发明创造了一种用于电子器件传输层材料组合物的制备方法，所述方法具体步骤包括：
a)提供一种第一有机半导体材料
b)提供一种自由基化合物
c)提供一种偶极矩大于6.0德拜(debye,D)的极性化合物
d)将上述第一有机半导体材料，自由基化合物和极性化合物有效混合得到这一组合物。
由上可知，上述发明方法并不需要加入一种自由基诱发剂，如一些氧化剂，去生成自由基。因此该发明方法无需消耗时间(至少花费10小时)的后氧化处理。另外，该发明方法提升了空穴传输层对于湿度和温度的稳定性。这一发明方法还提供了一种几乎无杂质的组合物，这一点在过去从未被实现过，因为添加自由基诱发剂和对叔丁基吡啶(tBP)会不可避免地引入杂质。最后，这一发明方法只需要极少的添加剂的含量。
在这一制备的组合物的步骤d)中，第一有机半导体材料，自由基化合物，和极性化合物的比例可以从1:0.01:0.03到1:0.3:0.9，其中较优比例范围为1:0.05:0.15到1:0.08:0.2，最优比例为1:0.07:0.2。参照传统方法中两种添加剂和第一有机半导体材料的配比，通常为1:0.5:2到1:0.6:4，本发明方法更加节约高效。步骤d)的混合方法中，第一有机半导体，自由基化合物，极性化合物会按照上述比例混合并溶解于合适的一种溶剂或几种溶剂的混合体中。或者这些第一有机半导体，自由基化合物，极性化合物会被各自溶解在合适的一种溶剂或几种溶剂的混合体中，最后再加以混合。
第一有机半导体材料可以是共轭小分子或者共轭聚合物，像三苯胺，噻吩或三苯基膦。比如，第一有机半导体材料可以在下述2,2'，7,7'-四[N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)，聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)，聚(3-己基噻吩)(P3HT),3,3’-(2,7-双(双(4-甲氧基苯基)氨基)-9H-芴-9,9-二基)双(N-乙基-N，N-二甲基丙烷-1-氨基)双(三氟甲磺酰基)酰亚胺(X44)，八(4-甲氧基苯基)螺[芴-9,9'-蒽]-2,2'，7,7'-四胺)(X60)，吲哚二硫代噻吩甲氧基三苯胺(IDTT-TPA)，聚[N-90-庚烷基-2,7咔唑-alt-3,6-双(噻吩-5-基)-2,5-二辛基-2，5-二氢吡咯并[3,4]吡咯-1,4-二酮](PCBTDPP)，苯基二吡喃氧化膦(POPy2)或者它们的混合物中选择。部分可以用作第一有机半导体材料的化合物的化学结构如下图所示：
这一发明方法中关键的一步在于在步骤d)混合之前就在步骤b)中提供了稳定的自由基化合物：该自由基，由类似于传统配方中的氧化法合成，但并不是原位生成，而是被预先独立合成好后再加入到混合组分中。这一改变使得不再需要加入自由基诱发剂和tBP，因而也就不再需要后氧化过程。没有了自由基诱发剂和tBP的加入也就不会导致有杂质产生，从而带来了稳定而无杂质的优势。
步骤b)可以依照以下方法进行。一种第二有机半导体会在惰性环境下被溶解于一种无水第一溶剂，该第二有机半导体可以和第一有机半导体相同或不同。将一种自由基诱发剂，如某种有机盐，在大气环境下加入该第二有机半导体溶液中。混合后室温搅拌24小时即可得到自由基化合物。第一溶剂可以是二氯甲烷(DCM)，自由基诱发剂可以是银(I)双(三氟甲磺酰基)酰亚胺。步骤b)中可以加入过滤，稀释，蒸发，析出等步骤。
本发明还涉及通过上述方法获得的组合物。
本发明的组合物可以用作电子器件中的载流子传输材料，其中传输材料可以是空穴传输材料或电子传输材料。术语“空穴传输材料”应理解为能够收集当电子从最高占据轨道(HOMO)被激发至最低未占据轨道(LUMO)产生的空穴，并进一步传输至阴极的材料。术语“电子传输材料”应被理解为收集并促进电子流向阳极的材料。
当使用该发明的组合物作为空穴传输层材料时，自由基化合物通常是一种可表示为R1 a·+(I1 b-)c的离子对，其中a＝b·c，a和b是价态。R1 a·+表示一种由第二有机半导体形成的自由基阳离子，I1 b-是第一对阴离子。第二有机半导体至少包含一个共轭骨架，例如三苯胺或噻吩。它可以和第一半导体相同或者不同。特别地，第二有机半导体可以是以下化合物中的一种或是几种的混合：2,2'，7,7'-四[N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)，聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)，聚(3-己基噻吩)(P3HT),3,3’-(2,7-双(双(4-甲氧基苯基)氨基)-9H-芴-9,9-二基)双(N-乙基-N，N-二甲基丙烷-1-氨基)双(三氟甲磺酰基)酰亚胺(X44)，八(4-甲氧基苯基)螺[芴-9,9'-蒽]-2,2'，7,7'-四胺)(X60)，吲哚二硫代噻吩甲氧基三苯胺(IDTT-TPA)，聚[N-90-庚烷基-2,7咔唑-alt-3,6-双(噻吩-5-基)-2,5-二辛基-2，5-二氢吡咯并[3,4]吡咯-1,4-二酮](PCBTDPP)。这些化合物的化学结构如下图所示：
第一对阴离子可以是有机或者无机离子。第一对阴离子可以从以下化合物的一种或几种的混合中选择：卤素阴离子(X-)，双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺阴离子(TFSI-),六氟磷酸(PF6 -),四氟硼酸(BF4 -),三氟甲基磺酸盐(CF3SO3 -)等。
典型来讲，自由基化合物可以是四-支链型的三芳胺(TAA)基自由基分子(M1和M2)，星状的TAA基自由基分子(M3和M4)，或者线型的TAA基自由基分子(M5和M6)。
R1可以是烷基，芳香族，杂芳族化合物，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，R9，R10，R11，R12，R13均为相互独立的R,-OR,-NR2取代基，其中R是卤素，烷基，芳香族，杂芳族化合物。X-对阴离子可以从卤素阴离子(X-)，双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺阴离子(TFSI-),六氟磷酸(PF6 -),四氟硼酸(BF4 -),三氟甲基磺酸盐(CF3SO3 -)阴离子中的一种或者几种混合物中选择。自由基阳离子可以独立或者同时出现在上述结构中的N原子上。值得注意的是，M1并不包括在R1-R8对位位置带有-OCH3取代基，并在R9位置为C，对阴离子为TFSI-的一个分子。
对应地，当使用该发明的组合物作为电子传输层材料时，自由基化合物通常是一种可表示为R2 d·-(I2 e+)f的离子对，其中d＝e·f，d和e是价态。R2 d·-表示一种由第三有机半导体形成的自由基阴离子，I2 e+是第一对阳离子。第三有机半导体材料通常异于第一和第二半导体材料；第一对阳离子可以是碱金属阳离子，例如Na+或K+，自由基阴离子可能的化学结构如下所示：
该发明方法的组合物中还包含了一个偶极矩大于6.0德拜的极性化合物。偶极是一种使用电偶极矩描述分子极性的标度。当分子的正电荷中心和负电荷中心不在同一个位置时，就会产生电偶极矩。偶极矩的定义如下：
μ＝δ·d
其中，δ是以10-10库伦为单位的电荷量，d是以(埃)为单位的正负电荷中心之间的距离。
该发明方法中的极性化合物可以是有机盐和极性有机分子。其中有机盐可以是有机小分子，一价或者多价有机盐，聚合物电解液或者内盐。有机小分子可以被理解为一种分子量小于900道尔顿的有机化合物。具体地，极性化合物可以表示为(Ax+)y(Bz-)w，其中x·y＝w·z。x和y是价态，Ax+是第二阳离子，Bz-是第二阴离子。
第二阳离子可以是烷基或芳香族阳离子。特别地，第二阳离子可以用RNH3 +表示，其中R可以是烷基或芳香族化合物。特别地，第二阳离子可以是叔丁基吡啶离子(tBP基阳离子)。
第二阴离子可以和第一对阴离子相同或者不同。特别地，第二阴离子可以从如下化合物的一种或几种的混合物中选择：TFSI-,I-,SP6 -,ClO4 -,PF6 -,BF4 -,CF3SO3 -等。
当极性化合物是有机盐时，其偶极矩至少需大于15德拜，最好高于20德拜。极性化合物可以是具有如下结构的多价有机盐或聚合物电解质：
内盐又称双性离子，是一种包含了相同电荷量的正电荷基团和负基团的分子。内盐可以从以下一种或几种分子的混合物中选择：左旋肉碱内盐(I),2,7-双(1,3,2-二氧杂环戊环-2-基)-9,9-二辛基芴和2,7-二溴-9,9-双((N，二甲氨基)乙烷基)芴基双性离子(II),2,2’-(4,4’-磺酰基双(1,4-亚苯基)双(氧))双(N，N-二甲基乙胺)基双性离子(III),N1，N1，N6，N6-四甲基己烷-1,6-二胺基双性离子(IV)。如下图所示：
如上所述，此发明方法无需使用到后氧化过程，缩短了整个器件制备工艺的周期。此外，此方法还大大增强了器件对于湿度和温度的稳定性。
本发明还公开了一种用于电子器件的传输层，该传输层包括包含第一有机半导体、自由基化合物和具有至少6.0D偶极矩的极性化合物的组合物。该组合物各项组分的特征在上文均有定义描述。
该发明中的传输层可以通过如下方法得到，首先将上述提到的各组分溶解在一种或几种混合的溶剂中，例如氯苯,甲苯,氯仿,1,2-二氯乙烷,1,1,2,2-四氯乙烷等，接着将这一溶液通过特定沉积方法做成薄膜应用在电子器件中，如旋涂，喷涂，卷对卷印刷等。
值得强调的是，通过该发明方法制备的传输层是具有众多优势的，例如不包含杂质，添加剂对于湿度和温度不敏感，从而增加了器件寿命。另外无需后氧化过程，也大大缩短了器件制备周期。
该发明的组合物可以是空穴传输层，在这种情况下，自由基化合物通常是一种可表示为R1 a·+(I1 b-)c的离子对，其中a＝b·c，a和b是价态。R1 a·+表示一种由第二有机半导体形成的自由基阳离子，I1 b-是第一对阴离子。自由基化合物和对阴离子的具体内容已经在上文详细说明。
该发明的组合物可以是电子传输层，在这种情况下，自由基化合物通常是一种可表示为R2 d·-(I2 e+)f的离子对，其中d＝e·f，d和e是价态。R2 d·-表示一种由第三有机半导体形成的自由基阴离子，I2 e+是第一对阳离子。自由基化合物和对阳离子的具体内容已经在上文详细说明。
本发明还公开了一种包括至少一个根据上述的传输层的电子器件。因此，根据本发明，电子器件可以包括一个传输层，其中传输层可以是空穴传输层或电子传输层。可选地，根据本发明，电子器件也可以包括两个传输层，其中一层是电子传输层，另一层是空穴传输层。电子设备的其余部件是本领域技术人员公知的，并且不构成本发明的一部分。
电子器件可以是有机太阳能电池/发光二极管模块或钙钛矿太阳能电池/发射二极管模块或染料敏化太阳能电池(DSSC)。根据本发明的太阳能电池器件提供与本领域已知的那些相当的功率转换效率。此外，本发明的太阳电池装置表现出显著改善的抗潮湿和热稳定性，从而延长了太阳电池装置的使用寿命。
附图说明
发明主体将会被进一步用以下示例图片进行阐释
图一展示了该发明方法制备的空穴传输层材料的电导测试结果；
图二a-c描述了该发明方法制备的空穴传输层的形貌；
图三展示了使用该空穴传输层的钙钛矿电池的电流-电压特性曲线；
图四到七展示了在该发明方法制备的空穴传输层中使用不同极性化合物的钙钛矿电池的电流-电压特性曲线。
具体实施方式
将用作电子器件传输材料的组合物是准备好。第一种有机半导体使用Spiro-OMeTAD，买自Sigma-Aldrich。自由基化合物是Spiro-OMeTAD2·+(TFSI-)2，按照如下方法制备：将Spiro-OMeTAD(1.26g,1mmol)和20mL无水二氯甲烷(DCM)，加入到在烘箱中预干燥好的50mL烧瓶，在氮气氛围中搅拌。接着在室温下添加银(I)双(三氟甲磺酰基)亚胺(0.39g，1mmol)，超过5分钟后将烧瓶抽空并回填氮气。将混合物在室温下搅拌24小时，然后用二氯甲烷稀释。用多孔过滤器滤出灰色的银(0)沉淀物，然后将从滤液中除去溶剂，留下深色固体。固体进一步溶解在少量DCM中并用无水乙醚洗出。最后通过烧结过的过滤器收集极深的粉末Spiro-OMeTAD2·+(TFSI-)2。因此，本发明中根据示例性实施方案的自由基阳离子是Spiro-OMeTAD·+，第一对阴离子是TFSI-。极性化合物是TBMP+TFSI-，其合成方法如下：tBP(1.35g,10mmol)和10ml无水乙腈混合加入至100ml烧瓶并在氮气氛围下搅拌。用2.5ml无水乙腈溶解的碘甲烷(4.2g,30mmol)溶液在室温条件下被缓慢滴加至tBP溶液中，整个滴加过程超过30分钟。混合溶液在16小时后进行回流并冷却至室温。在真空干燥去除溶剂后，得到初产物4-叔丁基-1-甲基吡啶-1-碘，并用重结晶进行提纯。接着，在5ml热的4-叔丁基-1-甲基吡啶-1-碘(1.39g,5mmol)甲醇溶液中，将5ml银(I)双(三氟甲磺酰基)亚胺(3.88g,10mmol)的乙腈溶液逐滴加入并搅拌。该过程中黄色碘化银会逐渐析出。将碘化银过滤并冲洗，再将过滤后的溶液中的溶剂去除，即可得到蜡状的TBMP+TFSI-固体。此处第二阳离子为TBMP+，第二阴离子是TFSI-。有机半导体化合物，自由基化合物和极性化合物按照1:0.07:0.2的摩尔比混合。有机半导体化合物，自由基化合物和极性化合物被分别溶解在氯苯或1,1,2,2-四氯乙烷中，再按照比例混合。也可以混合好后加入混合溶剂溶解。
进一步地，为了揭示极性化合物的作用机理，我们设计了一个由有机半导体化合物和自由基化合物混成的混合物作为参照组。该参照组由有机半导体化合物和自由基化合物按照1:0.07混合而成。
紧接着，发明组和参照组都和纯的第一半导体化合物，即spiro-OMeTAD做了对比。
在此发明方法里，spiro-OMeTAD在氯苯和四氯乙烷中浓度为0.07M。将溶液以5000转每分钟的转速旋涂在ITO玻璃基底上，形成的空穴传输层厚度大约是100纳米。作为电极，一层大约60纳米的金被蒸镀在其表面。
可以用源表对该层空穴传输层进行电导测试，相关结果如图一所示。可以看到，纯的spiro-OMeTAD电导率很低，在加入自由基化合物和极性化合物后大大改善。
图二显示了利用AFM测量到的该发明中空穴传输层的表面形貌。如图所示，不同组分的空穴传输层形貌区别不大。
最后，我们将该发明方法的空穴传输层应用于光伏器件，在25℃，功率密度为1000W/m2的一个标准太阳光源下，器件的电流密度-电压曲线如图三所示。三种不同空穴传输层的器件性能区别很大。纯的spiro-OMeTAD作为传输层，由于其电导太低，器件的开路电压和填充因子很低；加入自由基Spiro-OMeTAD2·+(TFSI-)2以后，电导改善，从而器件的开路电压和填充因子大大增加。进一步加入极性化合物TBMP+TFSI-以后，器件的开路电压，短路电流和填充因子都有进一步的提升。这些提升应当归功于极性化合物对于空穴提取效率的提升。
图四到七展示了在该发明方法制备的空穴传输层中使用不同极性化合物的钙钛矿电池的电流-电压特性曲线。这些结果表面，极性化合物的极性越高，器件的性能越好。
尽管已经参考各种实施例描述了本发明，但是本领域技术人员将认识到，在不脱离本发明范围的情况下可以进行改变。意图将详细描述视为说明性的，并且包括所有等同物的所附权利要求旨在限定本发明的范围。
Claims (15)
1.一种用于制造用作电子设备的传输材料的组合物的方法，所述方法包括以下步骤：
a)提供一种第一有机半导体；
b)提供一种自由基化合物；
c)提供一种偶极矩至少6.0德拜的极性化合物；
d)混合所述第一有机半导体、所述自由基化合物和以获得所述组合物。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一有机半导体是共轭小分子或共轭聚合物。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第一有机半导体包括三苯胺、噻吩或三苯基膦。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一有机半导体选自2,2'，
7,7'-四[N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)，聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)，聚(3-己基噻吩)(P3HT),
3,3’-(2,7-双(双(4-甲氧基苯基)氨基)-9H-芴-9,9-二基)双(N-乙基-N，N-二甲基丙烷-1-氨基)双(三氟甲磺酰基)酰亚胺(X44)，八(4-甲氧基苯基)螺[芴-9,9'-蒽]-2,2'，7,7'-四胺)(X60)，吲哚二硫代噻吩甲氧基三苯胺(IDTT-TPA)，聚[N-90-庚烷基-2,7咔唑-alt-3,6-双(噻吩-5-基)-2,5-二辛基-2，5-二氢吡咯并[3,4]吡咯-1,4-二酮](PCBTDPP)，苯基二吡喃氧化膦(POPy2)其中的一种或几种的混合。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中自由基化合物是一个自由基-阳离子对，可表示为R1 a·+(I1 b-)c的离子对，其中a＝b·c，a和b是价态。R1 a·+表示一种由第二有机半导体形成的自由基阳离子，I1 b-是第一对阴离子。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一反阴离子选自卤素阴离子(X-)，双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺阴离子(TFSI-)，六氟磷酸盐(PF6 -),四氟硼酸盐(BF4 -)，三氟甲磺酸(CF3SO3 -)以及它们的混合物。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述自由基化合物是基于三芳胺(TAA)的自由基化合物。
8.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述自由基化合物是自由基-阴离子对，可表示为R2 d·-(I2 e+)f的离子对，其中d＝e·f，d和e是价态。R2 d·-表示一种由第三有机半导体形成的自由基阴离子，I2 e+是第一对阳离子。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中化合物是有机盐、内盐或中性极性分子。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述有机盐是小有机物分子、多价有机盐或聚合物电解质。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述有机盐缩写为(Ax+)y(Bz-)w，其中x·y＝w·z。
x和y是价态，Ax+是第二阳离子，Bz-是第二阴离子。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二阳离子Ax+是烷基或芳族有机阳离子。
13.一种用作电子器件的传输材料的组合物，所述组合物根据前述权利要求中任一项所述的方法制造。
14.一种用于电子器件的传输层，所述传输层包括根据权利要求13所述的组合物。
15.一种电子器件，包括至少一个根据权利要求14所述的传输层。
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