CN116685166A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

一种显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116685166A
CN116685166A CN202310897186.4A CN202310897186A CN116685166A CN 116685166 A CN116685166 A CN 116685166A CN 202310897186 A CN202310897186 A CN 202310897186A CN 116685166 A CN116685166 A CN 116685166A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
substrate
display panel
compensation circuit
hole injection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310897186.4A
Other languages
English (en)
Inventor
申晓斌
余洪涛
李育豪
黄寅虎
蔡勤山
马思远
吴操
王欢欢
任友涛
杨芮搏
李桂琴
李玉垒
童慧
马艺文
张大成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Yunnan Chuangshijie Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Yunnan Chuangshijie Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Technology Development Co Ltd, Yunnan Chuangshijie Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202310897186.4A priority Critical patent/CN116685166A/zh
Publication of CN116685166A publication Critical patent/CN116685166A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • G09F9/335—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes being organic light emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本公开实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。显示面板包括基板、像素限定层以及发光功能层，像素限定层位于基板的一侧，像素限定层设置有多个开口，发光功能层包括在像素限定层远离基板的一侧依次层叠设置的空穴注入层、第一颜色发光层、第二颜色发光层、电荷产生层和第三颜色发光层；基板包括电压补偿电路，电压补偿电路与空穴注入层和/或电荷产生层耦接，电压补偿电路用于向空穴注入层和/或电荷产生层提供补偿电压。本公开技术方案可以改善显示面板漏电导致的色偏问题，提高显示产品低灰阶稳定性。

Description

一种显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开涉及显示装置技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是近年来逐渐发展起来的显示照明技术，尤其在显示行业，OLED显示由于具有高响应、高对比度、可柔性化等优点，被视为拥有广泛的应用前景。为了提高显示效果，高分辨率显示产品对OLED器件的寿命和功耗的要求越来越高，OLED器件由传统的单层结构升级为叠层结构(Tandem OLED)，但是叠层结构的OLED器件还存在低灰阶漏电造成色偏的问题。
发明内容
本公开实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
作为本公开实施例的第一方面，本公开实施例提供一种显示面板，包括：
基板；
像素限定层，位于基板的一侧，像素限定层设置有多个开口；
发光功能层，包括在像素限定层远离基板的一侧依次叠层设置的空穴注入层、第一颜色发光层、第二颜色发光层、电荷产生层和第三颜色发光层；
基板包括电压补偿电路，电压补偿电路与空穴注入层和/或电荷产生层耦接，用于向空穴注入层和/或电荷产生层提供补偿电压。
在一些可能的实施方式中，显示面板包括显示区以及位于显示区之外的边框区，空穴注入层包括位于显示区的第一部分以及位于边框区的第二部分，电压补偿电路包括第一补偿电路，第一补偿电路与第二部分耦接，第一补偿电路用于向空穴注入层提供第一补偿电压。
在一些可能的实施方式中，电荷产生层包括第三部分和第四部分，第三部分在基板上的正投影与空穴注入层在基板上的正投影重合，第四部分位于第三部分的外围，电压补偿电路还包括第二补偿电路，第二补偿电路与第四部分耦接，第二补偿电路用于向电荷产生层提供第二补偿电压。
在一些可能的实施方式中，还包括隔离绝缘层，隔离绝缘层至少包括位于边框区第一绝缘部分，第一绝缘部分将空穴注入层与电荷产生层隔离。
在一些可能的实施方式中，
第二部分围绕第一部分设置，第二部分沿轴向设置有多个第一耦接点，第一补偿电路与各第一耦接点耦接；和/或，
第四部分围绕第三部分设置，第三部分沿轴向设置有多个第二耦接点，第二补偿电路与各第二耦接点耦接。
在一些可能的实施方式中，开口的侧壁面与基板表面之间的夹角为80°-100°。
在一些可能的实施方式中，像素限定层还包括位于相邻开口之间的隔断结构，隔断结构设置在像素限定层的背离基板的一侧，隔断结构将相邻开口的电荷产生层隔断。
在一些可能的实施方式中，第一颜色发光层和第二颜色发光层中的一个包括红色发光层，另一个包括绿色发光层，第三颜色发光层包括蓝色发光层。
在一些可能的实施方式中，显示面板还包括第一电极层和第二电极层，第一电极层位于基板和像素限定层之间，第一电极层包括多个第一电极，第一电极通过开口暴露，第二电极层位于第三颜色发光层的背离基板的一侧。
作为本公开实施例的第二方面，本公开实施例提供一种显示面板的制备方法，方法包括：
提供基板，基板包括电压补偿电路；
在基板一侧形成像素限定层，像素限定层设置有多个开口；
在基板一侧形成发光功能层，发光功能层包括在像素限定层远离基板的一侧依次叠层设置的空穴注入层、第一颜色发光层、第二颜色发光层、电荷产生层和第三颜色发光层；
其中，电压补偿电路与空穴注入层和/或电荷产生层耦接，电压补偿电路用于向空穴注入层和/或电荷产生层提供补偿电压。
作为本公开实施例的第三方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括本公开任一实施例的显示面板。
本公开实施例的技术方案可以得到如下有益效果：可以改善显示面板漏电导致的色偏问题，提高显示产品低灰阶稳定性。
上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本公开范围的限制。
图1为相关技术一种显示面板的截面示意图；
图2为本公开实施例的显示面板的截面示意图；
图3为本公开实施例的显示面板的平面示意图；
图4为本公开实施例的显示面板的截面示意图；
图5为相关技术的显示面板的电镜示意图；
图6为相关技术一种显示面板高低灰阶色偏示意图；
图7为本公开实施例显示面板高低灰阶色偏示意图；
图8为本公开实施例显示面板的截面示意图。
附图标记说明：
10、基板；20、像素限定层；30、发光功能层；40、电压补偿电路；50、第一电机层；60、第二电极层；
21、开口；21a、侧壁面；22、隔断结构；
31、空穴注入层；32、第一颜色发光层；33、第二颜色发光层；34、电荷产生层、35、第三颜色发光层；36、隔离绝缘层；
31a、第一部分；31b、第二部分；311、第一耦接点；
34a、第三部分；34b、第四部分；341、第二耦接点；
41、第一补偿电路；42、第二补偿电路。
具体实施方式
在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
目前，随着显示技术的发展，对于显示器件的显示质量要求也越来越高。而且，对于有户外使用需求的显示器件，对于显示器件的亮度要求也越来越高。为了提高显示器件的显示质量，可以采用白光OLED实现显示。白光OLED器件包括单叠层白光OLED器件和Tandem白光OLED器件，Tandem白光OLED器件具有寿命长、窄半峰宽、高色域以及低功耗等特点，成为显示器件的新发展方向。
图1为相关技术一种显示面板的截面示意图。如图1所示，相关技术的显示面板可以包括基板10、像素限定层20以及发光功能层30。其中，像素限定层20位于基板10的一侧，像素限定层20设置有多个开口21。发光功能层30包括在像素限定层20远离基板10的一侧依次层叠设置的空穴注入层、第一颜色发光层、第二颜色发光层、电荷产生层以及第三颜色发光层。发光功能层30还可以包括位于空穴注入层和第一颜色发光层之间的第一空穴传输层、位于第二颜色发光层和电荷产生层之间的第一电子传输层、位于电荷产生层和第三颜色发光层之间的第二空穴传输层、位于位于第三颜色发光层上的第二电子传输层和电子注入层。显示面板还包括阳极层和阴极层，阳极层位于基板10和发光功能层之间，阴极层位于发光功能层远离基板10的一侧。发光功能层30在阳极层和阴极层的电场作用下发光。
示例性地，第一颜色发光层可以为红色发光层，第二颜色发光层可以为绿色发光层，第三颜色发光层可以为蓝色发光层。电荷产生层由具有高载流子传输速率的有机材料掺杂活泼金属(例如锂金属)组成。在电场作用下，电荷产生层可以发生电荷分离，电子可以向电子传输层(ETL)传输，空穴向空穴传输层(HTL)传输，电子和空穴的再分离可以为发光层提供双倍的载离子。这样在相同电流密度下，显示面板可以实现数倍于单叠层OLED器件的发光效率。
相关技术中，图1所示的显示面板可以通过像素限定层20形成多个开口21，像素限定层20的开口21的侧壁面21a相对基板10大致垂直设置，这样导致在蒸镀形成发光功能层30时，发光功能层30靠近开口21的侧壁面21a的部分的膜层由于阴影效应(ShadowEffects)变薄，从而形成第一漏电点Leak1，导致显示面板在低灰阶下在第一漏电点产生较严重的像素内器件漏电问题，该漏电造成L0～L10灰阶内第三颜色发光层提前点亮，拉低了第一颜色和第二颜色的色标。随着电压升高、灰阶提升后，第一颜色发光层和第二颜色发光层逐渐点亮，第一颜色和第二颜色的色标向正常方向移动。这种漏电现象不利于叠层OLED器件低灰阶稳定性，造成显示面板在全灰阶范围内色偏严重，影响客户端体验，降低了产品竞争力。
示例性地，开口21附近变薄部分的发光功能层30的内阻降低，第一颜色发光层32和第二颜色发光层33可能被短路，例如红色发光层和绿色发光层出现被短路，导致蓝色发光层与阳极层短接被提前起亮，从而拉低了红色发光层和绿色发光层的色标。随电压升高，灰阶提升后，红色发光层和绿色发光层逐渐起亮，色点趋向正常方向移动，最终导致在全灰阶范围内，RGB色偏严重，影响产品体验。
为了解决相关技术中的显示面板漏电导致的色偏问题，本公开实施例提供了一种显示面板，下面通过实施例详细介绍本公开的技术方案。
图2为本公开实施例的显示面板的截面示意图，图3为本公开实施例的显示面板的平面示意图，图4为本公开实施例的显示面板的截面示意图。图4可以为图3的C-C剖面示意图。如图2、图3以及图4所示，本公开实施例提供一种显示面板，显示面板包括基板10、像素限定层20以及发光功能层30。
如图2所示，其中，像素限定层20位于基板10的一侧，像素限定层20设置有多个开口21，开口21暴露基板10的部分表面。如图4所示，发光功能层30包括在像素限定层20远离基板10的一侧依次层叠设置的空穴注入层31、第一颜色发光层32、第二颜色发光层33、电荷产生层34以及第三颜色发光层35。相邻的第二颜色发光层33和第三颜色发光层35通过电荷产生层34连接，叠层设置的发光层形成叠层结构的显示面板。
如图4所示，基板10还包括电压补偿电路40，电压补偿电路40与空穴注入层31和/或电荷产生层34耦接。电压补偿电路40可以用于向空穴注入层31和/或电荷产生层34提供补偿电压。
相关技术中，在叠层器件结构的发光功能层30靠近开口21的侧壁面21a的部分的膜层由于阴影效应变薄，从而在开口21附近会形成漏电点，漏电点可能会导致第一颜色发光层32和第二颜色发光层33被短路(short)，从而导致第三颜色发光层35提前起亮，导致在低灰阶漏电造成色偏问题，影响产品低灰阶稳定性。
本公开实施例的显示面板，电压补偿电路40与空穴注入层31和/或电荷产生层34耦接，电压补偿电路40可以向空穴注入层31和/或电荷产生层34提供补偿电压，补偿电压可以调节空穴和电子注入的能力和水平，从而可以控制像素限定层20的侧壁面导致的漏电，有利于改善色偏问题，提高了低灰阶稳定性。
如图2所示，发光功能层30的靠近开口21侧壁面部分的厚度小于发光功能层30其余部分的厚度，例如发光功能层30在靠近开口21侧壁面位置出现凹陷，凹陷位置的发光功能层30的厚度更薄，从而可能导致在发光功能层30的薄弱部分形成漏电点。
示例性地，第一颜色发光层32可以用于发出第一颜色光线，第二颜色发光层33可以用于发出第二颜色光线，第三颜色发光层35可以用于发出第三颜色光线。
示例性地，电压补偿电路40可以与空穴注入层31耦接，电压补偿电路40可以向空穴注入层31提供补偿电压，从而可以改善空穴注入层31的电性，例如可以提高空穴注入层31的空穴注入的能力和水平，提升第一颜色发光层和第二颜色发光层的起亮效率，适当弥补第一颜色发光层和第二颜色发光层在低灰阶下因漏电造成的损失，控制像素限定层20的侧壁面附近的发光功能层漏电，进一步可以改善显示面板漏电导致的色偏问题，提高显示产品低灰阶稳定性。
示例性地，电压补偿电路40还可以与电荷产生层34耦接，电压补偿电路40可以向电荷产生层34提供补偿电压，从而可以改善电荷产生层34的电性，例如可以提升电荷产生层34电子注入的能力和水平，抑制第三颜色发光层在低灰阶下因异常漏电造成的提前点亮现象，控制像素限定层20的侧壁面附近的发光功能层漏电，进一步改善显示面板漏电导致的色偏问题，提高显示产品低灰阶稳定性。
示例性地，电压补偿电路40还可以与空穴注入层31和电荷产生层34均耦接。电压补偿电路40可以用于向空穴注入层31提供第一补偿电压，电压补偿电路40还可以用于向电荷产生层34提供第二补偿电压。从而可以同时改善空穴注入层31和电荷产生层34的电性，例如可以提升电荷产生层34电子注入的能力和水平，同时提高空穴注入的的能力和水平，从而实现控制像素限定层20的侧壁面附近的发光功能层漏电，进一步改善显示面板漏电导致的色偏问题，提高显示产品低灰阶稳定性。
示例性地，电荷产生层34可以包括叠层设置的N型电荷产生层和P型电荷产生层，N型电荷产生层和P型电荷产生层均为掺杂层。
示例性地，像素限定层20可以采用无机的或者有机的绝缘材料形成，如本领域常用的亚克力、聚酰亚胺、甲基丙烯酸甲酯等。像素限定层20形成多个开口，开口21可以是圆形、椭圆、矩形、五边形、六边形等任意形状，本公开实施例对像素限定层20中的开口21的形状不作限定，开口21可以实际需求的设置，例如根据所需要的开口率设置合适的形状。开口21的大小可以根据实际需求进行设置，在此不做限定。
需要说明的是，基板10还可以包括驱动电路层(图中未示出)，驱动电路层包括驱动电路，驱动电路可以可用于驱动子像素中的发光层发光以实现显示功能。驱动电路可以包括薄膜晶体管、存储电容以及各种信号线，各种信号线可以包括栅线、数据线、电源线等。电压补偿电路40可以与驱动电路层同层设置，即电压补偿电路40可以在形成驱动电路过程中形成。电压补偿电路40也可以包括薄膜晶体管以及金属走线等结构。电压补偿电路40的具体结构在此不做限定，可以根据实际使用需求进行设置。
如图3所示，显示面板包括显示区AA以及位于显示区AA之外的边框区BB。空穴注入层31包括位于显示区AA的第一部分31a以及位于边框区BB的第二部分31b。电压补偿电路40包括第一补偿电路41，第一补偿电路41与第二部分31b耦接，第一补偿电路41用于向空穴注入层31提供第一补偿电压。
示例性地，第一补偿电路41位于边框区BB，第一补偿电路41用于向空穴注入层31提供第一补偿电压，第一补偿电压可以提升起亮效率，提高第一颜色发光层32和第二颜色发光层33在低灰阶下因漏电损失的效率。
本公开实施例的显示面板，通过将空穴注入层31设置为第一部分31a以及第二部分31b，并将第一补偿电路41与位于边框区的第二部分31b连接，从而实现对空穴注入层31的电压补偿，实现改善低灰阶色偏。并且，第二部分31b位于边框区BB，第一补偿电路41与第二部分31b耦接，这样的设置方式不会对显示区的结构产生影响。
示例性地，第一补偿电压可以为+0.2V-0.4V。例如，第一补偿电压可以为0.2V、0.25V、0.3V、0.35V或者0.4V中的任一种。第一补偿电压的电压值可以根据显示面板的第一颜色发光层、第二颜色发光层的起亮情况灵活调整，在此不做限定，只要能够达到低灰阶色偏改善目的，提升产品低灰阶稳定性即可。
如图3所示，电荷产生层34包括第三部分34a和第四部分34b。第三部分34a在基板10上的正投影与空穴注入层31在基板10上的正投影重合，第四部分34b位于第三部分34a的外围。电压补偿电路40还包括第二补偿电路42，第二补偿电路42与第四部分34b耦接，第二补偿电路42用于向电荷产生层34提供第二补偿电压。
示例性地，第二补偿电路42也位于边框区BB，第二补偿电路42用于向电荷产生层34提供第二补偿电压，第二补偿电压可以提升电荷产生层34的电子注入能力，减弱漏电，抑制第三颜色发光层在低灰阶下因异常漏电造成的提前起亮。
示例性地，第二补偿电压可以为-0.2V-0.4V。例如，第二补偿电压可以为-0.2V、-0.1V、0.1V、0.2V、0.3V、0.4V中的任一种。第二补偿电压的电压值可以根据显示面板的第三颜色发光层的起亮情况灵活调整，在此不做限定，只要能够达到低灰阶色偏改善目的，提升产品低灰阶稳定性即可。
如图3和图4所示，显示面板还包括隔离绝缘层36。隔离绝缘层36至少包括位于边框区BB第一绝缘部分36a，第一绝缘部分36a夹设在空穴注入层31和电荷产生层34之间，将空穴注入层31与电荷产生层34隔离。
示例性地，隔离绝缘层36可以为空穴传输层。隔离绝缘层36夹设在空穴注入层31和第一颜色发光层32之间，空穴注入层31在基板10上的正投影在隔离绝缘层32在基板上的正投影内，确保电荷产生层35与空穴注入层31之间通过隔离绝缘层36隔离设置。
示例性地，第一绝缘部分36a的材质可以采用有机绝缘材料或者无机绝缘材料，从而，第一绝缘部分36a可以在边框区将空穴注入层31与电荷产生层35隔离绝缘，避免空穴注入层31上的第一补偿电压与电荷产生层35上的第二补偿电压发生短路导致损伤。
在一种实施例中，如图3所示，第二部分31b围绕第一部分31a设置，第二部分31b沿轴向设置有多个第一耦接点311，第一补偿电路41与各第一耦接点311耦接。
在一种实施例中，如图3所示，第四部分34b围绕第三部分34a设置，第三部分34a沿轴向设置有多个第二耦接点341，第二补偿电路42与各第二耦接点341耦接。
在一种实施例中，第二部分31b围绕第一部分31a设置，第四部分34b围绕第三部分34a设置。第二部分31b沿轴向设置有多个第一耦接点311，第一补偿电路41与各第一耦接点311耦接。第三部分34a沿轴向设置有多个第二耦接点341，第二补偿电路42与各第二耦接点341耦接。
在一种实施例中，开口21的侧壁面与基板10表面之间的夹角为80°-100°。例如，开口21的侧壁面与基板10表面之间的夹角可以为80°、85°、90°、95°、100°，开口21的侧壁面与基板10表面之间的夹角可以根据实际使用需求进行设置，在此不做限定。
如图1所示相关技术的显示面板，发光功能层30的电荷产生层具有较强的横向迁移能力，在分辨率较高的显示器件中将产生严重的横向串扰问题，降低器件效率，还可能会恶化RGB高低灰阶色偏问题。
如图2所示，在一种实施方式中，像素限定层20还包括位于相邻开口21之间的隔断结构22，隔断结构22设置在像素限定层20的背离基板10的一侧，隔断结构22将相邻开口21的电荷产生层34隔断。
如图2所示，示例性地，隔断结构22为底切结构(undercut)，隔断结构22为设置在像素限定层20的背离基板10的一侧的凹槽，隔断结构22可以将相邻开口21的电荷产生层34隔断，从而可以避免相邻开口21的子像素之间发生横向串扰。
图5为相关技术的显示面板的电镜示意图。如图5所示，相关技术的显示面板可以包括基板10、像素限定层20以及发光功能层30。其中，像素限定层20位于基板10的一侧，像素限定层20设置有多个开口21。发光功能层30包括在像素限定层20远离基板10的一侧依次层叠设置的空穴注入层、第一颜色发光层、第二颜色发光层、电荷产生层以及第三颜色发光层。图5所示的显示面板的像素限定层20还包括位于相邻开口21之间的隔断结构22，隔断结构22设置在像素限定层20的背离基板10的一侧，隔断结构22将相邻开口21的电荷产生层34隔断，从而可以将电荷产生层34隔断在相邻的子像素之间。图5的显示面板可以解决高低灰阶横向串色的问题，但是由于像素限定层20的开口的侧壁面与基板10表面之间的夹角大致垂直，这样在蒸镀形成发光功能层30时，由于阴影效应(Shadow Effects)，发光功能层30靠近像素限定层的侧壁面的膜层会变薄，从而导致发光功能层在靠近像素限定层的侧壁面的部分形成第一漏电点(Leak1)，导致在低灰阶下可能产生比较严重的漏电问题。
图5的显示面板由于隔断结构22的设置，隔断结构22部分上的发光功能层和相邻部分之间会形成漏电点(Leak2)，从而导致在低灰阶下漏电点可能会漏电造成色偏问题，不利于叠层OLED器件低灰阶稳定性。例如，电荷产生层34被隔断后，在隔断的电荷产生层34之间的有机材料会产生微电场，从而影响电荷产生层34的电场分布范围，导致漏电。
示例性地，如图5所示，图5中Y-unit可以表示红色发光层和绿色发光层，B-unit可以表示蓝色发光层。第一漏电点将造成起亮-10灰阶内蓝色发光层提前起亮，拉低红色发光层和绿色发光层色标。随着电压升高，灰阶提升后，红色发光层和绿色发光层逐渐起亮，色点趋向正常方向移动，最终导致在全灰阶范围内，显示面板的色偏严重，影响了显示面板的客户体验，降低了产品竞争力。
如图2和图3所示的本公开实施例的显示面板，像素限定层20通过在相邻开口21之间设置隔断结构22，从而可以通过隔断结构22将相邻开口21的电荷产生层34隔断，这样可以避免相关技术的显示面板的横向串扰问题，提高显示面板的显示效率，改善高低灰阶色偏问题，并且通过设置电压补偿电路可以改善由于隔断结构22产生的漏电问题，提高显示面板的低灰阶稳定性。
在一种实施例中，第一颜色发光层32包括红色发光层，第二颜色发光层33包括绿色发光层，第三颜色发光层35包括蓝色发光层。第一颜色发光层32发出红色光线，第二颜色发光层33发出绿色光线，第三颜色发光层35发出蓝色光线，发光功能层30可以发白光。
图6为相关技术一种显示面板高低灰阶色偏示意图，图7为本公开实施例显示面板高低灰阶色偏示意图。如图6所示，由于像素限定层20的开口21的侧壁面漏电导致蓝色发光层提前起亮，绿色发光层和红色发光层在低灰阶时几乎不出光，色偏严重。随着电压升高，红色坐标和绿色坐标恢复至正常颜色水平。这样导致相关技术的显示面板较大的高低灰阶色坐标偏离轨迹，影响客户体验。如图7所示，本公开实施例的显示面板，通过电压补偿电路40对空穴注入层31和/或电荷产生层34进行电压补偿，从而降低了像素限定层20的开口21的侧壁面形成复杂等效漏电电路的概率，抑制了漏电，降低了蓝色发光层提前起亮及绿色发光层和红色发光层被短路影响。在图7所示的色度学1931坐标体系内，RGB在低灰阶时即可实现较好的色纯度，色偏轨迹改善。
示例性地，红色发光层和绿色发光层在低灰阶下因漏电问题损失的效率，可以通过对空穴注入层31进行电压补偿，提升红色发光层和绿色发光层的起亮效率。蓝色发光层在低灰阶下因异常漏电导致提前起亮现象，可以通过对N型电荷产生层进行电压补偿，提升电子注入能力，减弱漏电。
在一种实施例中，第一颜色发光层32包括绿色发光层，第二颜色发光层33包括红色发光层，第三颜色发光层35包括蓝色发光层。
图8为本公开实施例显示面板的截面示意图，如图8所示，在一种实施例中，显示面板还包括第一电极层50和第二电极层60。第一电极层50位于基板10和像素限定层20之间，第一电极层50包括多个第一电极51，第一电极51通过开口21暴露，第二电极层60位于第三颜色发光层35的背离基板10的一侧。
示例性地，第一电极层50可以是阳极，第一电极层50用于提供空穴载流子，第一电极层50可以为透明电极层，透明电极层可以利用透明导电材料形成，例如氧化铟锡(ITO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌、氧化铟锌(IZO)、氧化镓铟锌(GIZO)等。第一电极层还可以为包括透明导电材料层和金属层的复合层例如ITO/Ag/ITO复合层。在其它示例性实施例中，第一电极层还可以采用不透明材料制作而成。
示例性地，第二电极层60可以是阴极，第二电极层60用于提供电子载流子，第二电极层60可以采用透明材料或者金属形成。透明导电材料可以包括ITO、IZO、ZTO、GIZO等。金属可以包括例如Ag、Al、Pt、Au、Cr等或这些材料的合金。
本公开实施例还提供一种显示面板的制备方法，方法包括：提供基板10，基板10包括电压补偿电路40。在基板10一侧形成像素限定层20，像素限定层20设置有多个开口21。在基板10一侧形成发光功能层30，发光功能层30包括在像素限定层20远离基板10的一侧依次叠层设置的空穴注入层31、第一颜色发光层32、第二颜色发光层33、电荷产生层34和第三颜色发光层35。其中，电压补偿电路40与空穴注入层31和/或电荷产生层34耦接，电压补偿电路40用于向空穴注入层31和/或电荷产生层34提供补偿电压。
本公开实施例的显示面板的制备方法，通过在基板10形成电压补偿电路40，使电压补偿电路40与空穴注入层和/或电荷产生层34耦接，电压补偿电路40用于向空穴注入层31和/或电荷产生层34提供补偿电压，补偿电压可以提高或者降低空穴和电子注入的能力和水平，可以改善空穴注入层和/或电荷产生层34的电性，从而可以控制像素限定层20的侧壁面等因素导致的漏电，有利于改善显示面板色偏问题，提高了低灰阶稳定性，提升了产品客户端体验。
下面通过本公开一实施例中显示面板的制备过程进一步说明本公开实施例的技术方案。可以理解的是，本文中所说的“图案化”，当图案化的材质为无机材质或金属时，“图案化”包括涂覆光刻胶、掩膜曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等工艺，当图案化的材质为有机材质时，“图案化”包括掩模曝光、显影等工艺，本文中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。
制备基板10，具体步骤如下：提供衬底，衬底可以为柔性衬底或者刚性衬底，在衬底一侧通过图案化工艺形成驱动电路和电压补偿电路40，电压补偿电路40可以包括第一补偿电路41和第二补偿电路42，如图4所示。
在基板10的一侧形成像素限定层20，像素限定层20形成有多个开口21。具体步骤如下：在基板10的一侧沉积像素限定材料层，通过图案化工艺形成多个开口21，通过图案化工艺在像素限定层20的相邻开口21之间形成隔断结构22，在基板10的一侧沉积金属薄膜，通过图案化工艺在基板10的一侧形成第一电极层50，第一电极层50包括多个第一电极51，第一电极51通过开口21暴露，第一电极51与驱动电路连接。
在基板10的一侧形成发光功能层30。具体步骤如下：在像素限定层20远离基板10的一侧通过蒸镀工艺形成空穴注入层31。在空穴注入层31的背离基板10的一侧通过蒸镀工艺形成隔离绝缘层36，隔离绝缘层36至少包括位于边框区BB第一绝缘部分36a。在隔离绝缘层36的背离基板10的一侧通过蒸镀工艺形成第一颜色发光层32，在第一颜色发光层32的背离基板10的一侧通过蒸镀工艺形成第二颜色发光层33，在第二颜色发光层33的背离基板10的一侧通过蒸镀工艺形成电荷产生层34，在电荷产生层34的背离基板10的一侧通过蒸镀工艺形成第三颜色发光层35，在第三颜色发光层35的背离基板10的一侧形成第二电极层60。第一绝缘部分36a将空穴注入层31与电荷产生层34隔离。空穴注入层31包括位于显示区AA的第一部分31a以及位于边框区BB的第二部分31b，第一补偿电路41和第二部分31b耦接。电荷产生层34包括第三部分34a和第四部分34b。第三部分34a在基板10上的正投影与空穴注入层31在基板10上的正投影重合，第四部分34b位于第三部分34a的外围，第二补偿电路42与第四部分34b耦接，如图3和图4所示。
本公开又一实施例提供一种显示装置，包括本公开任一实施例所述的显示面板。采用本公开实施例的显示面板的显示装置，可以补偿空穴注入层和/或电荷产生层的电压范围，调整空穴注入层和/或电荷产生层的电性，改善显示装置在低灰阶漏电造成的色偏问题，提高显示装置的低灰阶稳定性，提高产品竞争力。
示例性地，本公开实施例提供的显示装置可以是例如智能手机、可穿戴式智能手表、智能眼镜、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、车载显示器、电子书、生物识别设备例如智能皮肤设备、软机器人和生物医学设备等任何具有显示和触控功能的产品或部件。
上述实施例的显示面板以及显示装置的其他构成可以采用于本领域普通技术人员现在和未来知悉的各种技术方案，这里不再详细描述。
在本说明书的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本公开中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本公开的不同结构。为了简化本公开，上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本公开。此外，本公开可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
像素限定层，位于所述基板的一侧，所述像素限定层设置有多个开口；
发光功能层，包括在所述像素限定层远离所述基板的一侧依次叠层设置的空穴注入层、第一颜色发光层、第二颜色发光层、电荷产生层和第三颜色发光层；
所述基板包括电压补偿电路，所述电压补偿电路与所述空穴注入层和/或所述电荷产生层耦接，用于向所述空穴注入层和/或所述电荷产生层提供补偿电压。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区以及位于所述显示区之外的边框区，所述空穴注入层包括位于所述显示区的第一部分以及位于所述边框区的第二部分，所述电压补偿电路包括第一补偿电路，所述第一补偿电路与所述第二部分耦接，所述第一补偿电路用于向所述空穴注入层提供第一补偿电压。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述电荷产生层包括第三部分和第四部分，所述第三部分在所述基板上的正投影与所述空穴注入层在所述基板上的正投影重合，所述第四部分位于所述第三部分的外围，所述电压补偿电路还包括第二补偿电路，所述第二补偿电路与所述第四部分耦接，所述第二补偿电路用于向所述电荷产生层提供第二补偿电压。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括隔离绝缘层，所述隔离绝缘层至少包括位于所述边框区第一绝缘部分，所述第一绝缘部分将所述空穴注入层与所述电荷产生层隔离。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述第二部分围绕所述第一部分设置，所述第二部分沿轴向设置有多个第一耦接点，所述第一补偿电路与各所述第一耦接点耦接；和/或，
所述第四部分围绕所述第三部分设置，所述第三部分沿轴向设置有多个第二耦接点，所述第二补偿电路与各所述第二耦接点耦接。
6.根据权利要求1至4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述开口的侧壁面与所述基板表面之间的夹角为80°-100°。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述像素限定层还包括位于相邻所述开口之间的隔断结构，所述隔断结构设置在所述像素限定层的背离所述基板的一侧，所述隔断结构将相邻所述开口的所述电荷产生层隔断。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一颜色发光层和所述第二颜色发光层中的一个包括红色发光层，另一个包括绿色发光层，所述第三颜色发光层包括蓝色发光层。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层位于所述基板和所述像素限定层之间，所述第一电极层包括多个第一电极，所述第一电极通过所述开口暴露，所述第二电极层位于所述第三颜色发光层的背离所述基板的一侧。
10.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供基板，所述基板包括电压补偿电路；
在所述基板一侧形成像素限定层，所述像素限定层设置有多个开口；
在所述基板一侧形成发光功能层，所述发光功能层包括在所述像素限定层远离所述基板的一侧依次叠层设置的空穴注入层、第一颜色发光层、第二颜色发光层、电荷产生层和第三颜色发光层；
其中，所述电压补偿电路与所述空穴注入层和/或所述电荷产生层耦接，所述电压补偿电路用于向所述空穴注入层和/或所述电荷产生层提供补偿电压。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的显示面板。
CN202310897186.4A 2023-07-20 2023-07-20 一种显示面板及其制备方法、显示装置 Pending CN116685166A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310897186.4A CN116685166A (zh) 2023-07-20 2023-07-20 一种显示面板及其制备方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310897186.4A CN116685166A (zh) 2023-07-20 2023-07-20 一种显示面板及其制备方法、显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116685166A true CN116685166A (zh) 2023-09-01

Family

ID=87783978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310897186.4A Pending CN116685166A (zh) 2023-07-20 2023-07-20 一种显示面板及其制备方法、显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116685166A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210257581A1 (en) Array substrate and method for manufacturing the same, display panel and display device
US20190181202A1 (en) Electroluminescent display device
US10403696B2 (en) Organic light emitting display device and method of fabricating the same
US9461095B2 (en) OLED display device and manufacturing method thereof
US10608070B2 (en) Organic EL display device
CN212874542U (zh) 一种显示面板和显示装置
US7538489B2 (en) Full-color active matrix organic electroluminescent device, fabrication method thereof and electronic devices employing the same
US11653522B2 (en) Electroluminescent device with improved resolution and reliability
US20230165094A1 (en) Display device, display panel and manufacturing method thereof, driving circuit and driving method
CN109860416B (zh) 像素结构及具有该像素结构的oled显示面板
KR101352121B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
CN109119438B (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
US20220102449A1 (en) Organic light emitting display device
US20220393131A1 (en) Organic light-emitting display panel and preparation method therefor, and display apparatus
CN116685166A (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN211428171U (zh) 有机电致发光显示面板
US20240090271A1 (en) Display panel, preparation method therefor, and terminal
US11856830B2 (en) Display device and method of manufacturing same
US20240138232A1 (en) Light Emitting Display Device
US20230059253A1 (en) Display device
US12029060B2 (en) Display device, display panel and fabricating method thereof
EP4131392A1 (en) Display device, and display panel and manufacturing method therefor
US20240237480A9 (en) Light Emitting Display Device
US20200411612A1 (en) Electroluminescent device
CN115101687A (zh) 一种显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination