CN116665761B - 数据分析方法、数据分析装置、电子设备和存储介质 - Google Patents
数据分析方法、数据分析装置、电子设备和存储介质 Download PDFInfo
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Abstract
本申请提出了一种数据分析方法、数据分析装置、电子设备和存储介质，包括：首先，本申请实施例会获取page总数和retry总数；接着，在当前遍历的page小于page总数并且当前遍历的电压偏移量retery小于retry总数的情况下，本申请实施例会获取无偏移读数据的纠正情况；最后，当无偏移读数据无法有效纠正所有数据，本申请实施例会将无偏移读数据和每个电压偏移量retery进行运算，以得到每个电压偏移量retery对page的分析数据。由于本申请实施例在实验期间会遍历所有的page和所有的电压偏移量retery，因此，本申请实施例可以分析到更多的数据，从而无需通过多种不同的策略来进行重复实验，操作简单。
Description
技术领域
本申请涉及数据处理技术领域，特别涉及一种数据分析方法、数据分析装置、电子设备和存储介质。
背景技术
在相关技术中，对于芯片相关产品，在出厂期间往往会设置若干组电压偏移量retry，为了提升nand的读速度，往往会针对这些retry做一些策略，而这些策略在特性分析阶段得到的数据仅能够分析到部分nand特性，为了分析到更多的nand特性，往往需要采用重复实验来对不同策略进行数据获取。对于实验时间上是一种耗费，其次部分场景的实验对于nand本身的磨损是不可逆的，无法进行二次重复实验，这使得对于样本量和实验设备的需求增大。
发明内容
本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种数据分析方法、数据分析装置、电子设备和存储介质，旨在无需分别采用不同的读策略进行重复实验。
第一方面，本申请实施例提供了一种数据分析方法，包括：
获取page总数和retry总数；
在当前遍历的page小于所述page总数并且当前遍历的电压偏移量retery小于retry总数的情况下，获取无偏移读数据的纠正情况；
当所述无偏移读数据无法有效纠正所有数据，将所述无偏移读数据和每个所述电压偏移量retery进行运算，以得到每个所述电压偏移量retery对所述page的分析数据。
在一些实施例中，所述将所述无偏移读数据和每个所述电压偏移量retery进行运算，以得到每个所述电压偏移量retery对所述page的分析数据，包括：
判断所述无偏移读数据是否第一次读错；
当所述无偏移读数据为第一次读错，将所述无偏移读数据和当前遍历的所述电压偏移量retery进行运算，得到第一运算结果；
根据所述第一运算结果得到当前遍历的所述电压偏移量retery的分析数据。
在一些实施例中，所述根据所述第一运算结果得到当前遍历的所述电压偏移量retery的分析数据，包括：
当所述第一运算结果全部纠回数据，记录当前遍历的所述电压偏移量retery为可纠回的电压偏移量retery。
在一些实施例中，所述根据所述第一运算结果得到当前遍历的所述电压偏移量retery的分析数据，包括：
当所述第一运算结果无法全部纠回数据，返回继续遍历下一个电压偏移量retery。
在一些实施例中，所述将所述无偏移读数据和每个所述电压偏移量retery进行运算，以得到每个所述电压偏移量retery对所述page的分析数据，包括：
判断所述无偏移读数据是否第一次读错；
当所述无偏移读数据不是第一次读错，将所述无偏移读数据和记录的电压偏移量retery进行运算，得到第二运算结果；
根据所述第二运算结果得到记录的所述电压偏移量retery的分析数据。
在一些实施例中，所述根据所述第二运算结果得到记录的所述电压偏移量retery的分析数据，包括：
当所述第二运算结果全部纠回数据，从第一个所述电压偏移量retery开始重新遍历；
根据所述无偏移读数据与每一个所述电压偏移量retery的运算结果判断当前的所述page的纠回情况。
在一些实施例中，所述数据分析方法还包括：
对每个chip的数据进行预处理，以使非结构化数据转换为结构化数据。
第二方面，本申请实施例提供了一种数据分析装置，包括：
数据获取单元，用于获取page总数和retry总数；
纠正分析单元，用于在当前遍历的page小于所述page总数并且当前遍历的电压偏移量retery小于retry总数的情况下，获取无偏移读数据的纠正情况；
数据分析单元，用于当所述无偏移读数据无法有效纠正所有数据，将所述无偏移读数据和每个所述电压偏移量retery进行运算，以得到每个所述电压偏移量retery对所述page的分析数据。
第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行如上述第一方面的数据分析方法。
第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于执行如上述第一方面的数据分析方法。
根据本申请实施例的技术方案，至少具有如下有益效果：首先，本申请实施例会获取page总数和retry总数；接着，在当前遍历的page小于page总数并且当前遍历的电压偏移量retery小于retry总数的情况下，本申请实施例会获取无偏移读数据的纠正情况；最后，当无偏移读数据无法有效纠正所有数据，本申请实施例会将无偏移读数据和每个电压偏移量retery进行运算，以得到每个电压偏移量retery对page的分析数据。由于本申请实施例在实验期间会遍历所有的page和所有的电压偏移量retery，因此，本申请实施例可以分析到更多的数据，从而无需通过多种不同的策略来进行重复实验，操作简单。
本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
图1是本申请一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图；
图2是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图；
图3是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图；
图4是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图；
图5是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图；
图6是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图；
图7是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图；
图8是本申请一个实施例提供的数据分析方法的整体步骤流程图；
图9是本申请一个实施例提供的用于执行数据分析方法的电子设备的结构示意图；
图10是本申请一个实施例提供的数据分析装置的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
本申请的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本申请中的具体含义。
在一些情形下，对于芯片相关产品，在出厂期间往往会设置若干组电压偏移量retry，其中，在具体的一种读策略下，往往仅能够分析到部分电压偏移量的相关数据，对此，为了分析到所有电压偏移量的相关数据，往往需要采用多种读策略来覆盖补全数据，因此需要多次重复实验，操作繁琐。
基于上述情况，本申请实施例提出一种数据分析方法、数据分析装置、电子设备和存储介质，旨在无需分别采用不同的读策略进行重复实验。
下面结合附图，对本申请实施例的数据分析方法作进一步阐述。
如图1所示，图1是本申请一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图。本申请实施例的数据分析方法可以包括但不限于步骤S110、步骤S120和步骤S130。
步骤S110、获取page总数和retry总数；
步骤S120、在当前遍历的page小于page总数并且当前遍历的电压偏移量retery小于retry总数的情况下，获取无偏移读数据的纠正情况；
步骤S130、当无偏移读数据无法有效纠正所有数据，将无偏移读数据和每个电压偏移量retery进行运算，以得到每个电压偏移量retery对page的分析数据。
在一实施例中，首先，本申请实施例会获取page总数和retry总数；接着，在当前遍历的page小于page总数并且当前遍历的电压偏移量retery小于retry总数的情况下，本申请实施例会获取无偏移读数据的纠正情况；最后，当无偏移读数据无法有效纠正所有数据，本申请实施例会将无偏移读数据和每个电压偏移量retery进行运算，以得到每个电压偏移量retery对page的分析数据。由于本申请实施例在实验期间会遍历所有的page和所有的电压偏移量retery，因此，本申请实施例可以分析到更多的数据，从而无需通过多种不同的策略来进行重复实验，操作简单。
需要说明的是，本申请实施例可以运作在如下场景，例如，可以是高温写入场景，也可以是高温读取场景，也可以是高刷写次数场景，也可以是低刷写次数场景，也可以是其他类型的运行场景，本申请实施例对运行场景的类型不作具体限定。
另外，需要说明的是，关于上述page的类型，可以是FLC类型，也可以是MLC类型，也可以是SLC类型，也可以是SMLC类型，也可以是TLC类型，也可以是其他类型，本申请实施例对上述的page类型不作具体限定。
另外，需要说明的是，关于上述的电压偏移量，指Retry，其中，在出厂期间会预存多组电压偏移量，其中，电压偏移量的数量可以是5组，也可以是10组，本申请实施例对预存的电压偏移量的数量不作具体限定。
另外，如图2所示，图2是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图。关于上述步骤S130中的将无偏移读数据和每个电压偏移量retery进行运算，以得到每个电压偏移量retery对page的分析数据，可以包括但不限于步骤S210、步骤S220和步骤S230。
步骤S210、判断无偏移读数据是否第一次读错；
步骤S220、当无偏移读数据为第一次读错，将无偏移读数据和当前遍历的电压偏移量retery进行运算，得到第一运算结果；
步骤S230、根据第一运算结果得到当前遍历的电压偏移量retery的分析数据。
在一实施例中，本申请实施例可以判断无偏移读数据是否属于第一次读错，如果为第一次读错，本申请实施例则将无偏移读数据和当前遍历的电压偏移量retery进行运算，如或运算，从而得到第一运算结果，再根据第一运算结果得到当前遍历的电压偏移量retery的分析数据。
需要说明的是，关于上述的无偏移读数据，在出厂期间会预设好的，其中，关于无偏移读数据的具体数值，本申请实施例对此不作具体限定。
需要说明的是，关于上述步骤S230中的根据第一运算结果得到当前遍历的电压偏移量retery的分析数据，可以包括但不限于图3或者图4中的两种实施情况，具体分别如下：
如图3所示，图3是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图。关于上述步骤S230中的根据第一运算结果得到当前遍历的电压偏移量retery的分析数据，可以包括但不限于步骤S310和步骤S320。
步骤S310、当第一运算结果全部纠回数据；
步骤S320、记录当前遍历的电压偏移量retery为可纠回的电压偏移量retery。
在一实施例中，
如图4所示，图4是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图。关于上述步骤S230中的根据第一运算结果得到当前遍历的电压偏移量retery的分析数据，还可以包括但不限于步骤S410和步骤S420。
步骤S410、当第一运算结果无法全部纠回数据；
步骤S420、返回继续遍历下一个电压偏移量retery。
在一实施例中，本申请实施例可以判断无偏移读数据是否属于第一次读错，如果为第一次读错，本申请实施例则将无偏移读数据和当前遍历的电压偏移量retery进行运算，如或运算，从而得到第一运算结果；如果第一运算结果全部纠回数据，则表明当前遍历的电压偏移量retery为可纠回的电压偏移量retery，那么本申请实施例会对当前遍历的电压偏移量retery进行记录存储。如果第一运算结果无法全部纠回数据，那么本申请实施例会返回继续遍历下一个电压偏移量retery，从而不断进行遍历。
另外，如图5所示，图5是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图。关于上述步骤S130中的将无偏移读数据和每个电压偏移量retery进行运算，以得到每个电压偏移量retery对page的分析数据，可以包括但不限于步骤S510、步骤S520和步骤S530。
步骤S510、判断无偏移读数据是否第一次读错；
步骤S520、当无偏移读数据不是第一次读错，将无偏移读数据和记录的电压偏移量retery进行运算，得到第二运算结果；
步骤S530、根据第二运算结果得到记录的电压偏移量retery的分析数据。
在一实施例中，本申请实施例可以判断无偏移读数据是否属于第一次读错，如果不是第一次读错，本申请实施例则将无偏移读数据和记录的电压偏移量retery进行运算，如或运算，从而得到第二运算结果，再根据第二运算结果得到记录的电压偏移量retery的分析数据。
另外，如图6所示，图6是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图。关于上述步骤S530中的根据第二运算结果得到记录的电压偏移量retery的分析数据，可以包括但不限于步骤S610和步骤S620。
步骤S610、当第二运算结果全部纠回数据，从第一个电压偏移量retery开始重新遍历；
步骤S620、根据无偏移读数据与每一个电压偏移量retery的运算结果判断当前的page的纠回情况。
在一实施例中，本申请实施例可以判断无偏移读数据是否属于第一次读错，如果不是第一次读错，本申请实施例则将无偏移读数据和记录的电压偏移量retery进行运算，如或运算，从而得到第二运算结果；如果第二运算结果可以全部纠回数据，那么本申请会从第一个电压偏移量retery开始重新遍历，并且根据无偏移读数据与每一个电压偏移量retery的运算结果判断当前的page的纠回情况，从而可以得到每个电压偏移量retery所对应的的数据情况。
另外，如图7所示，图7是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图。本申请实施例的数据分析方法还可以包括但不限于步骤S700。
步骤S700、对每个chip的数据进行预处理，以使非结构化数据转换为结构化数据。
基于上述各个实施例的数据分析方法，下面提出本申请的数据分析方法的整体实施例。
如图8所示，图8是本申请一个实施例提供的数据分析方法的整体步骤流程图。本申请的数据分析方法的整体实施例包括但不限于步骤S801至步骤S814。
步骤S801、开始；
步骤S802、实验收集数据进行预处理；
步骤S803、以一个chip数据为例；
步骤S804、判断page＜测试总page数；
步骤S805、判断retry＜原厂retry总数；
步骤S806、判断无偏移读数据default read是否OK；
步骤S807、判断是否第一次读错；
步骤S808、default read数据和当前遍历的retry数据进行运算；
步骤S809、判断运算结果是否全部纠回数据；
步骤S810、记录当前retry为可纠回的retry；
步骤S811、无偏移读数据与记录的retry读出的数据进行运算；
步骤S812、判断运算结果是否全部纠回数据；
步骤S813、从retry1开始重新遍历，无偏移数据与每一组retry的数据做运算判断该page是否可纠回；
步骤S814、结束。
本申请实施例可以在有限的实验时间中得到更多的实验结果，而不用分别用不同的读策略进行重复实验。
基于上述各个实施例的数据分析方法，下面分别提出本申请的电子设备、数据分析装置和计算机可读存储介质的各个实施例。
如图9所示，图9是本申请一个实施例提供的用于执行数据分析方法的电子设备的结构示意图。本申请实施的电子设备100包括：处理器110、存储器120及存储在存储器120上并可在处理器110上运行的计算机程序，其中，图9中以一个处理器110及一个存储器120为例。
处理器110和存储器120可以通过总线或者其他方式连接，图9中以通过总线连接为例。
存储器120作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序以及非暂态性计算机可执行程序。此外，存储器120可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施方式中，存储器120可选包括相对于处理器110远程设置的存储器120，这些远程存储器120可以通过网络连接至该电子设备100。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
本领域技术人员可以理解，图9中示出的装置结构并不构成对电子设备100的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
在图9所示的电子设备100中，处理器110可以用于调用存储器120中储存的数据分析程序，从而实现上述的数据分析方法。具体地，实现上述实施例的数据分析方法所需的非暂态软件程序以及指令存储在存储器120中，当被处理器110执行时，执行上述实施例的数据分析方法。
值得注意的是，由于本申请实施例的电子设备100能够执行上述任一实施例的数据分析方法，因此，本申请实施例的电子设备100的具体实施方式和技术效果，可以参照上述任一实施例的数据分析方法的具体实施方式和技术效果。
此外，如图10所示，图10是本申请一个实施例提供的数据分析装置的结构示意图。本申请实施的数据分析装置200包括但不限于数据获取单元210、纠正分析单元220和数据分析单元230。
具体地，数据获取单元210用于获取page总数和retry总数；纠正分析单元220用于在当前遍历的page小于page总数并且当前遍历的电压偏移量retery小于retry总数的情况下，获取无偏移读数据的纠正情况；数据分析单元230用于当无偏移读数据无法有效纠正所有数据，将无偏移读数据和每个电压偏移量retery进行运算，以得到每个电压偏移量retery对page的分析数据。
在一实施例中，数据分析单元230还用于判断无偏移读数据是否第一次读错；当无偏移读数据为第一次读错，数据分析单元230用于将无偏移读数据和当前遍历的电压偏移量retery进行运算，得到第一运算结果；并根据第一运算结果得到当前遍历的电压偏移量retery的分析数据。
在一实施例中，当第一运算结果全部纠回数据，数据分析单元230还用于记录当前遍历的电压偏移量retery为可纠回的电压偏移量retery。
在一实施例中，当第一运算结果无法全部纠回数据，数据分析单元230还用于返回继续遍历下一个电压偏移量retery。
在一实施例中，数据分析单元230还用于判断无偏移读数据是否第一次读错；当无偏移读数据不是第一次读错，数据分析单元230用于将无偏移读数据和记录的电压偏移量retery进行运算，得到第二运算结果；并根据第二运算结果得到记录的电压偏移量retery的分析数据。
在一实施例中，当第二运算结果全部纠回数据，数据分析单元230还用于从第一个电压偏移量retery开始重新遍历；并根据无偏移读数据与每一个电压偏移量retery的运算结果判断当前的page的纠回情况。
在一实施例中，本申请实施的数据分析装置200还包括但不限于预处理单元240，该预处理单元240用于对每个chip的数据进行预处理，以使非结构化数据转换为结构化数据。
值得注意的是，由于本申请实施例的数据分析装置200对应于上述任一实施例的数据分析方法，因此，本申请实施例的数据分析装置200的具体实施方式和技术效果，可以参照上述任一实施例的数据分析方法的具体实施方式和技术效果。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，上述模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个模块或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
上述作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中，也可以是各个模块单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。
此外，本申请的一个实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，计算机可执行指令用于执行上述的数据分析方法。示例性地，执行以上描述的图1至图8中的方法步骤。
值得注意的是，由于本申请实施例的计算机可读存储介质能够执行上述任一实施例的数据分析方法，因此，本申请实施例的计算机可读存储介质的具体实施方式和技术效果，可以参照上述任一实施例的数据分析方法的具体实施方式和技术效果。
本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器，如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包括计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。
本申请实施例提供的数据分析方法、电子设备、数据分析装置及存储介质，其能够在实验期间会遍历所有的page和所有的电压偏移量retery，因此，本申请实施例可以分析到更多的数据，从而无需通过多种不同的策略来进行重复实验，操作简单。。
本申请实施例描述的实施例是为了更加清楚的说明本申请实施例的技术方案，并不构成对于本申请实施例提供的技术方案的限定，本领域技术人员可知，随着技术的演变和新应用场景的出现，本申请实施例提供的技术方案对于类似的技术问题，同样适用。
本领域技术人员可以理解的是，图中示出的技术方案并不构成对本申请实施例的限定，可以包括比图示更多或更少的步骤，或者组合某些步骤，或者不同的步骤。
本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、设备中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。
本申请的说明书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
以上是对本申请的较佳实施进行了具体说明，但本申请并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本申请精神的共享条件下还可作出种种等同的变形或替换，这些等同的变形或替换均包括在本申请权利要求所限定的范围内。
Claims (8)
1.一种数据分析方法，其特征在于，包括：
获取page总数和retry总数；
在当前遍历的page小于所述page总数并且当前遍历的电压偏移量retery小于retry总数的情况下，获取无偏移读数据的纠正情况；
当所述无偏移读数据无法有效纠正所有数据，将所述无偏移读数据和每个所述电压偏移量retery进行运算，以得到每个所述电压偏移量retery对所述page的分析数据；
其中，所述将所述无偏移读数据和每个所述电压偏移量retery进行运算，以得到每个所述电压偏移量retery对所述page的分析数据，包括：
判断所述无偏移读数据是否第一次读错；
当所述无偏移读数据为第一次读错，将所述无偏移读数据和当前遍历的所述电压偏移量retery进行运算，得到第一运算结果；根据所述第一运算结果得到当前遍历的所述电压偏移量retery的分析数据；
当所述无偏移读数据不是第一次读错，将所述无偏移读数据和记录的电压偏移量retery进行运算，得到第二运算结果；根据所述第二运算结果得到记录的所述电压偏移量retery的分析数据。
2.根据权利要求1所述的数据分析方法，其特征在于，所述根据所述第一运算结果得到当前遍历的所述电压偏移量retery的分析数据，包括：
当所述第一运算结果全部纠回数据，记录当前遍历的所述电压偏移量retery为可纠回的电压偏移量retery。
3.根据权利要求2所述的数据分析方法，其特征在于，所述根据所述第一运算结果得到当前遍历的所述电压偏移量retery的分析数据，包括：
当所述第一运算结果无法全部纠回数据，返回继续遍历下一个电压偏移量retery。
4.根据权利要求1所述的数据分析方法，其特征在于，所述根据所述第二运算结果得到记录的所述电压偏移量retery的分析数据，包括：
当所述第二运算结果全部纠回数据，从第一个所述电压偏移量retery开始重新遍历；
根据所述无偏移读数据与每一个所述电压偏移量retery的运算结果判断当前的所述page的纠回情况。
5.根据权利要求1所述的数据分析方法，其特征在于，所述数据分析方法还包括：
对每个chip的数据进行预处理，以使非结构化数据转换为结构化数据。
6.一种数据分析装置，其特征在于，包括：
数据获取单元，用于获取page总数和retry总数；
纠正分析单元，用于在当前遍历的page小于所述page总数并且当前遍历的电压偏移量retery小于retry总数的情况下，获取无偏移读数据的纠正情况；
数据分析单元，用于当所述无偏移读数据无法有效纠正所有数据，将所述无偏移读数据和每个所述电压偏移量retery进行运算，以得到每个所述电压偏移量retery对所述page的分析数据；
其中，所述将所述无偏移读数据和每个所述电压偏移量retery进行运算，以得到每个所述电压偏移量retery对所述page的分析数据，包括：
判断所述无偏移读数据是否第一次读错；
当所述无偏移读数据为第一次读错，将所述无偏移读数据和当前遍历的所述电压偏移量retery进行运算，得到第一运算结果；根据所述第一运算结果得到当前遍历的所述电压偏移量retery的分析数据；
当所述无偏移读数据不是第一次读错，将所述无偏移读数据和记录的电压偏移量retery进行运算，得到第二运算结果；根据所述第二运算结果得到记录的所述电压偏移量retery的分析数据。
7.一种电子设备，其特征在于，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行如权利要求1至5中任意一项所述的数据分析方法。
8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于执行如权利要求1至5中任意一项所述的数据分析方法。
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