CN112447241A - 一种实现数据重读的方法、装置、计算机存储介质及终端 - Google Patents

一种实现数据重读的方法、装置、计算机存储介质及终端 Download PDF

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CN112447241A CN202011335373.6A CN202011335373A CN112447241A CN 112447241 A CN112447241 A CN 112447241A CN 202011335373 A CN202011335373 A CN 202011335373A CN 112447241 A CN112447241 A CN 112447241A
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Abstract

本文公开一种实现数据重读的方法、装置、计算机存储介质及终端,本发明实施例根据包括写入温度和读取温度在内的读写温度确定出由高低温引起的错误检查和纠正(ECC)失败后,按照预先存储的读写温度与在该读写温度用于数据重读的重试表的映射关系,确定用于数据重读的重试表;通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读。通过本申请实施例降低了ECC失败的概率,提升了数据读取的效率。

Description

一种实现数据重读的方法、装置、计算机存储介质及终端
技术领域
本文涉及但不限于数据存储技术,尤指一种实现数据重读的方法、装置、计算机存储介质及终端。
背景技术
与非门(Nand)闪存(Flash)存储是基于浮栅(Floating Gate)的存储技术,在栅极(控制栅)与漏极之间存在浮置栅,Nand Flash可以进行擦除(erase)放电和编译(program)充电动作,数据在Nand Flash中以电荷形式存储。
在Nand闪存中进行数据写入和读取时,以下四种高温和/或低温情况容易发生错误检查和纠正(ECC)失败(Fail):在高温环境读取低温环境下写入的数据,在低温环境下读取高温环境下写入的数据,在高温环境下读取高温环境下写入的数据,及在低温环境下读取低温环境下写入的数据。在发生ECC Fail情况时,相关技术会进行重读(Retry Read),例如、通过厂商提供的产品手册中的重试表(Retry table)进行数据重读。一些电子由于高温或低温时会产生较远偏移,当由于偏移产生的错误位(Error bits)大于一定数量时,即使使用重试表进行数据重读,也会因为超出ECC的纠错能力而发生ECC Fail。
为了解决数据重读发生ECC Fail的问题,相关技术会使用纠错能力更强的软解码(soft decode)进行数据读取,软解码的原理是调整不同读取标准(Read level),根据读取结果判断比特(bit)为1或0的概率,然后根据判断获得的比特为1或0概率进行解码,软解码处理过程复杂,且需要预先设置一些准确的读取标准(Read level),因此,数据读取效率低。
如何提升高低温情况下进行数据读取的效率,成为一个有待解决的问题。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本发明实施例提供一种实现数据重读的方法、装置、计算机存储介质及终端,能够提升高低温情况下进行数据读取的效率。
本发明实施例提供了一种实现数据重读的方法,包括:
获取数据读取发生错误检查和纠正ECC失败时的读写温度;
判断获取的读写温度是否位于预设的温度区间;
读写温度位于预设的温度区间时,按照预先存储的读写温度与在该读写温度用于数据重读的重试表的映射关系,确定用于数据重读的重试表;
通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读;
其中,所述读写温度包括:数据写入时的写入温度和当前的读取温度。
在一种示例性实例中,所述温度区间包括:
小于第一预设温度且大于第二预设温度的第一温度区间、和/或大于第三预设温度且小于第四预设温度的第二温度区间;
其中,所述第一预设温度小于所述第三预设温度。
在一种示例性实例中,所述判断获取的读写温度是否位于预设的温度区间,包括:
所述温度区间包括所述第一温度区间,所述写入温度和所述读取温度均位于所述第一温度区间时,确定所述读写温度位于所述温度区间;
所述温度区间包括所述第二温度区间,所述写入温度和所述读取温度均位于所述第二温度区间时,确定所述读写温度位于所述温度区间;
所述温度区间包括所述第一温度区间和所述第二温度区间,所述写入温度位于所述第一温度区间或所述第二温度区间、且所述读取温度位于所述第一温度区间或所述第二温度区间时,确定所述读写温度位于所述温度区间。
在一种示例性实施例中,所述获取数据读取发生ECC失败时的读写温度之前,所述方法还包括:
对每一个不同的位于所述温度区间的读写温度,分别通过以下处理确定相应的用于数据重读的重试表:
在数据读取发生ECC失败时,从预先存储的所有重试表中每一次选出一个用于数据重读的重试表;
通过选出的重试表读取出正确数据时,将该选出的重试表作为在当前的读写温度用于数据重读的重试表;
根据确定的在各不同读写温度用于数据重读的重试表,获得所述映射关系。
在一种示例性实例中,所述确定所述在各读写温度用于数据重读的重试表之前,所述方法还包括:
将所述温度区间按预设策略划分为一个以上子区间;
将属于不同子区间的读取温度确定为不同的读取温度。
在一种示例性实例中,所述通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读之后,所述方法还包括:
通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读发生ECC失败时,从除所述确定的用于数据重读的重试表以外的其他重试表中、每一次重新选出一个用于数据重读的重试表;
通过重新选出的重试表读取出正确数据时,将该重新选出的重试表新增为在当前读写温度用于数据重读的重试表。
另一方面,本发明实施例还提供一种计算机存储介质,所述计算机存储介质中存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现上述实现数据重读的方法。
再一方面,本发明实施例还提供一种终端,包括:存储器和处理器,所述存储器中保存有计算机程序;其中,
处理器被配置为执行存储器中的计算机程序;
所述计算机程序被所述处理器执行时实现如上述实现数据重读的方法。
还一方面,本发明实施例还提供一种实现数据重读的装置,包括:获取温度单元、判断单元、确定单元和处理单元;其中,
获取温度单元设置为:获取数据读取发生错误检查和纠正ECC失败时的读写温度;
判断单元设置为:判断获取的读写温度是否位于预设的温度区间;
确定单元设置为:读写温度位于预设的温度区间时,按照预先存储的读写温度与在该读写温度用于数据重读的重试表的映射关系,确定用于数据重读的重试表;
处理单元设置为:通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读;
其中,所述读写温度包括:数据写入时的写入温度和当前的读取温度;
在一种示例性实例中,所述温度区间包括:
小于第一预设温度且大于第二预设温度的第一温度区间、和/或大于第三预设温度且小于第四预设温度的第二温度区间;
其中,所述第一预设温度小于所述第三预设温度。
本发明实施例根据包括写入温度和读取温度在内的读写温度确定出由高低温引起的错误检查和纠正(ECC)失败后,按照预先存储的读写温度与在该读写温度用于数据重读的重试表的映射关系,确定用于数据重读的重试表;通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读。通过本申请实施例降低了ECC失败的概率,提升了数据读取的效率。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案,并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为本发明实施例实现数据重读的方法的流程图;
图2为本发明实施例实现数据重读的装置的结构框图;
图3为本发明应用示例的方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且,虽然在流程图中示出了逻辑顺序,但是在某些情况下,可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
重试表(Retry table)是生产Nand闪存的厂商在出厂的Nand闪存的说明书中附录的用于数据重读的重试表;本申请发明人发现:相关技术中,厂商仅列出其根据产品设置的重试表,技术人员在每一次读取数据发生ECC失败时,采用遍历方式逐个确定重试表是否可以读取出正确数据。这种处理ECC失败的概率高,数据读取效率低。
图1为本发明实施例实现数据重读的方法的流程图,如图1所示,包括:
步骤101、获取数据读取发生错误检查和纠正(ECC)失败时的读写温度;
其中,本发明实施例读写温度包括:数据写入时的写入温度和当前的读取温度;
在一种示例性实例中,本发明实施例数据读取发生ECC失败包括:读取Nand闪存中的数据发生ECC失败。
在一种示例性实例中,相关技术在数据写入时会进行写入温度的记录;参照写入温度的记录方式,本发明实施例可以参照写入方式的记录方式,获取并记录读取温度。
步骤102、判断获取的读写温度是否位于预设的温度区间;
在一种示例性实例中,本发明实施例温度区间包括:
小于第一预设温度且大于第二预设温度的第一温度区间、和/或大于第三预设温度且小于第四预设温度的第二温度区间;
其中,第一预设温度小于第三预设温度。
在一种示例性实例中,本发明实施例第一预设温度可以由本领域技术人员参考由于温度过低而发生ECC失败时的最高温度设定;第三预设温度可以由本领域技术人员参考由于温度过高而发生ECC失败时的最低温度设定。第二预设温度和第四预设温度,可以由本领域技术人员根据Nand闪存的最低工作温度和最高工作温度确定;例如、设置第二预设温度为Nand闪存的最低工作温度,设置第四预设温度为Nand闪存的最高工作温度。
在一种示例性实例中,本发明实施例判断获取的读写温度是否位于预设的温度区间,包括:
温度区间包括第一温度区间,写入温度和读取温度均位于第一温度区间时,确定读写温度位于温度区间;
温度区间包括第二温度区间,写入温度和读取温度均位于第二温度区间时,确定读写温度位于温度区间;
温度区间包括第一温度区间和第二温度区间,写入温度位于第一温度区间或第二温度区间、且读取温度位于第一温度区间或第二温度区间时,确定读写温度位于温度区间。
在一种示例性实例中,当数据的写入温度位于上述温度区间时,可以在写入数据的同时,在数据的描述信息中添加写入温度的信息。
步骤103、读写温度位于预设的温度区间时,按照预先存储的读写温度与在该读写温度用于数据重读的重试表的映射关系,确定用于数据重读的重试表;
在一种示例性实例中,步骤101获取数据读取发生ECC失败时的读写温度之前,本发明实施例方法还包括:
对每一个不同的位于所述温度区间的读写温度,分别通过以下处理确定相应的用于数据重读的重试表:
在数据读取发生ECC失败时,从预先存储的所有重试表中每一次选出一个用于数据重读的重试表;
通过选出的重试表读取出正确数据时,将该选出的重试表作为在当前的读写温度用于数据重读的重试表;
根据确定的在各不同读写温度用于数据重读的重试表,获得所述映射关系。
本发明实施例通过上述方法获得映射关系,记录了各读写温度数据重读获取正确数据的重试表,为后续发生ECC失败时选择进行数据重读的重试表提供参考信息。
在一种示例性实例中,预先存储的重试表包括:Nand闪存的产商在产品手册中提供的重试表。
在一种示例性实例中,确定在各读写温度用于数据重读的重试表之前,本发明实施例方法还包括:
将温度区间按预设策略划分为一个以上子区间;
将属于不同子区间的读取温度确定为不同的读取温度。
步骤104、通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读。
在一种示例性实例中,步骤104通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读之后,本发明实施例方法还包括:
通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读发生ECC失败时,从除确定的用于数据重读的重试表以外的其他重试表中、每一次重新选出一个用于数据重读的重试表;
通过重新选出的重试表读取出正确数据时,将该重新选出的重试表新增为在当前读写温度用于数据重读的重试表。
在一种示例性实例中,本发明实施例一个读写温度可以与多个重试表建立映射关系;一个读写温度与多个重试表建立映射关系时,重试表可以按照建立映射关系的先后顺序排列,也可以按照被用于数据重读的频率进行排列;
在一种示例性实例中,本发明实施例可以在预先设定的存储区域存储上述映射关系。
本发明实施例根据包括写入温度和读取温度在内的读写温度确定出由高低温引起的错误检查和纠正(ECC)失败后,按照预先存储的读写温度与在该读写温度用于数据重读的重试表的映射关系,确定用于数据重读的重试表;通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读。本发明实施例通过映射关系记录可提升数据重读正确率的各读写温度的重试表,降低了ECC失败的概率,提升了数据读取的效率。
本发明实施例还提供一种计算机存储介质,计算机存储介质中存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现上述实现数据重读的方法。
本发明实施例还提供一种终端,包括:存储器和处理器,存储器中保存有计算机程序;其中,
处理器被配置为执行存储器中的计算机程序;
计算机程序被处理器执行时实现如上述实现数据重读的方法。
图2为本发明实施例实现数据重读的装置的结构框图,如图2所示,包括:获取温度单元、判断单元、确定单元和处理单元;其中,
获取温度单元设置为:获取数据读取发生错误检查和纠正ECC失败时的读写温度;
判断单元设置为:判断获取的读写温度是否位于预设的温度区间;
确定单元设置为:读写温度位于预设的温度区间时,按照预先存储的读写温度与在该读写温度用于数据重读的重试表的映射关系,确定用于数据重读的重试表;
处理单元设置为:通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读;
其中,读写温度包括:数据写入时的写入温度和当前的读取温度;
在一种示例性实例中,本发明实施例中的温度区间包括:小于第一预设温度且大于第二预设温度的第一温度区间、和/或大于第三预设温度且小于第四预设温度的第二温度区间;
其中,第一预设温度小于第三预设温度。
在一种示例性实例中,本发明实施例判断单元是设置为:
温度区间包括第一温度区间,写入温度和读取温度均位于第一温度区间时,确定读写温度位于温度区间;
温度区间包括第二温度区间,写入温度和读取温度均位于第二温度区间时,确定读写温度位于温度区间;
温度区间包括第一温度区间和第二温度区间,写入温度位于第一温度区间或第二温度区间、且读取温度位于第一温度区间或第二温度区间时,确定读写温度位于温度区间。
在一种示例性实例中,本发明实施例装置还包括映射单元,设置为:
对每一个不同的位于所述温度区间的读写温度,分别通过以下处理确定相应的用于数据重读的重试表:
在数据读取发生ECC失败时,从预先存储的所有重试表中每一次选出一个用于数据重读的重试表;
通过选出的重试表读取出正确数据时,将该选出的重试表作为在当前的读写温度用于数据重读的重试表;
根据确定的在各不同读写温度用于数据重读的重试表,获得所述映射关系。
在一种示例性实例中,本发明实施例映射单元还设置为:
将温度区间按预设策略划分为一个以上子区间;
将属于不同子区间的读取温度确定为不同的读取温度。
在一种示例性实例中,本发明实施例映射单元还设置为:
通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读发生ECC失败时,从除确定的用于数据重读的重试表以外的其他重试表中、每一次重新选出一个用于数据重读的重试表;
通过重新选出的重试表读取出正确数据时,将该重新选出的重试表新增为在当前读写温度用于数据重读的重试表。
在一种示例性实例中,本发明实施例一个读写温度可以与多个重试表建立映射关系;一个读写温度与多个重试表建立映射关系时,重试表可以按照建立映射关系的先后顺序排列,也可以按照被用于数据重读的频率进行排列;
在一种示例性实例中,本发明实施例可以在预先设定的存储区域存储上述映射关系。
本发明实施例根据包括写入温度和读取温度在内的读写温度确定出由高低温引起的错误检查和纠正(ECC)失败后,按照预先存储的读写温度与在该读写温度用于数据重读的重试表的映射关系,确定用于数据重读的重试表;通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读。本发明实施例通过映射关系记录可提升数据重读正确率的各读写温度的重试表,降低了ECC失败的概率,提升了数据读取的效率。
读写温度中的写入温度位于第一温度区间或第二温度区间,且读取温度位于第一温度区间或第二温度区间时,确定读写温度均位于温度区间。
以下通过应用示例对本发明实施例进行简要说明,应用示例仅用于陈述本发明实施例,并不用于限定本发明的保护范围
应用示例
本应用示例温度区间包括:小于第一预设温度且大于第二预设温度的第一温度区间、和/或大于第三预设温度且小于第四预设温度的第二温度区间;其中,第一预设温度小于第三预设温度;其中,设定第一预设温度为10摄氏度,第三预设温度为60摄氏度。在Nand闪存的工作区域,设置用于确定其写入温度和读取温度的传感器。
图3为本发明应用示例的方法流程图,如图3所示,包括:
步骤301、在与非门(Nand)闪存中进行数据写入时,获取写入温度;
步骤302、写入温度位于温度区间时,将写入温度与数据一同写入Nand闪存;
步骤303、读取数据发生ECC失败时,获取读取温度;
步骤304、判断数据的写入温度和获取的读取温度是否均位于预设的温度区间;
需要说明的是,数据的写入温度或获取的读取温度存在一个以上未位于温度区间时,采用相关技术已有的方法进行数据重读。
步骤305、读写温度位于预设的温度区间时,按照预先存储的读写温度与在该读写温度用于数据重读的重试表的映射关系,确定用于数据重读的重试表;
在一种示例性实例中,本应用示例通过以下处理获得映射关系:
将温度区间按预设策略划分为一个以上子区间;
将属于不同子区间的读取温度确定为不同的读取温度;这里,不同读取温度,其读取温度所属子区间或写入温度所属子区间,一定存在一个以上不同。
对每一个不同的位于温度区间的读写温度,分别通过以下处理确定相应的用于数据重读的重试表:
在数据读取发生ECC失败时,从预先存储的所有重试表中每一次选出一个用于数据重读的重试表;
通过选出的重试表读取出正确数据时,将该选出的重试表作为在当前的读写温度用于数据重读的重试表;
根据确定的在各不同读写温度用于数据重读的重试表,获得所述映射关系。本应用示例,以第一预设温度为10摄氏度,第二预设温度为60摄氏度为基础,按以下间隔设定子区间:
将大于5摄氏度、小于或等于10摄氏度,划分为第一子区间(T1);
将大于0摄氏度、小于或等于5摄氏度,划分为第二子区间(T2);
将小于或等于0摄氏度,划分为第三子区间(T3);
将大于60摄氏度、小于或等于65摄氏度,划分为第四子区间(T4);
将大于65摄氏度、小于或等于70摄氏度,划分为第五子区间(T5);
若大于或等于70`C摄氏度、划分为第六子区间(T6)。
步骤306、通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读。
通过步骤305进行数据重读发生ECC失败时,本应用示例方法还包括从除确定的用于数据重读的重试表以外的其他重试表中、每一次重新选出一个用于数据重读的重试表;
通过重新选出的重试表读取出正确数据时,将该重新选出的重试表新增为在当前读写温度用于数据重读的重试表。
在一种示例性实例中,本发明实施例一个读写温度可以与多个重试表建立映射关系;一个读写温度与多个重试表建立映射关系时,重试表可以按照建立映射关系的先后顺序排列,也可以按照被用于数据重读的频率进行排列;
在一种示例性实例中,本发明实施例可以在预先设定的存储区域存储上述映射关系。存储区域包括但不限于设置在随机存取存储器(RAM)上的预先设定的区域:
本应用示例根据读写温度确定出由高低温引起的ECC失败后,按照预先存储的各读写温度与在各读写温度用于数据重读的重试表的映射关系,确定用于数据重读的重试表;通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读;降低了ECC失败的概率,提升了数据读取的效率。
“本领域普通技术人员可以理解,上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、装置中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。在硬件实施方式中,在以上描述中提及的功能模块/单元之间的划分不一定对应于物理组件的划分;例如,一个物理组件可以具有多个功能,或者一个功能或步骤可以由若干物理组件合作执行。某些组件或所有组件可以被实施为由处理器,如数字信号处理器或微处理器执行的软件,或者被实施为硬件,或者被实施为集成电路,如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上,计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的,术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外,本领域普通技术人员公知的是,通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据,并且可包括任何信息递送介质。”

Claims (10)

1.一种实现数据重读的方法,包括:
获取数据读取发生错误检查和纠正ECC失败时的读写温度;
判断获取的读写温度是否位于预设的温度区间;
读写温度位于预设的温度区间时,按照预先存储的读写温度与在该读写温度用于数据重读的重试表的映射关系,确定用于数据重读的重试表;
通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读;
其中,所述读写温度包括:数据写入时的写入温度和当前的读取温度。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述温度区间包括:
小于第一预设温度且大于第二预设温度的第一温度区间、和/或大于第三预设温度且小于第四预设温度的第二温度区间;
其中,所述第一预设温度小于所述第三预设温度。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述判断获取的读写温度是否位于预设的温度区间,包括:
所述温度区间包括所述第一温度区间,所述写入温度和所述读取温度均位于所述第一温度区间时,确定所述读写温度位于所述温度区间;
所述温度区间包括所述第二温度区间,所述写入温度和所述读取温度均位于所述第二温度区间时,确定所述读写温度位于所述温度区间;
所述温度区间包括所述第一温度区间和所述第二温度区间,所述写入温度位于所述第一温度区间或所述第二温度区间、且所述读取温度位于所述第一温度区间或所述第二温度区间时,确定所述读写温度位于所述温度区间。
4.根据权利要求1~3任一项所述的方法,其特征在于,所述获取数据读取发生ECC失败时的读写温度之前,所述方法还包括:
对每一个不同的位于所述温度区间的读写温度,分别通过以下处理确定相应的用于数据重读的重试表:
在数据读取发生ECC失败时,从预先存储的所有重试表中每一次选出一个用于数据重读的重试表;
通过选出的重试表读取出正确数据时,将该选出的重试表作为在当前的读写温度用于数据重读的重试表;
根据确定的在各不同读写温度用于数据重读的重试表,获得所述映射关系。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述确定所述在各读写温度用于数据重读的重试表之前,所述方法还包括:
将所述温度区间按预设策略划分为一个以上子区间;
将属于不同子区间的读取温度确定为不同的读取温度。
6.根据权利要求1~3任一项所述的方法,其特征在于,所述通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读之后,所述方法还包括:
通过确定的所述用于数据重读的重试表进行数据重读发生ECC失败时,从除所述确定的用于数据重读的重试表以外的其他重试表中、每一次重新选出一个用于数据重读的重试表;
通过重新选出的所述重试表读取出正确数据时,将该重新选出的重试表新增为在当前读写温度用于数据重读的重试表。
7.一种计算机存储介质,所述计算机存储介质中存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1~6中任一项所述的实现数据重读的方法。
8.一种终端,包括:存储器和处理器,所述存储器中保存有计算机程序;其中,
处理器被配置为执行存储器中的计算机程序;
所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1~6中任一项所述的实现数据重读的方法。
9.一种实现数据重读的装置,包括:获取温度单元、判断单元、确定单元和处理单元;其中,
获取温度单元设置为:获取数据读取发生错误检查和纠正ECC失败时的读写温度;
判断单元设置为:判断获取的读写温度是否位于预设的温度区间;
确定单元设置为:读写温度位于预设的温度区间时,按照预先存储的读写温度与在该读写温度用于数据重读的重试表的映射关系,确定用于数据重读的重试表;
处理单元设置为:通过确定的用于数据重读的重试表进行数据重读;
其中,所述读写温度包括:数据写入时的写入温度和当前的读取温度。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述温度区间包括:
小于第一预设温度且大于第二预设温度的第一温度区间、和/或大于第三预设温度且小于第四预设温度的第二温度区间;
其中,所述第一预设温度小于所述第三预设温度。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113643746A (zh) * 2021-07-02 2021-11-12 深圳市宏旺微电子有限公司 闪存数据的分析方法、装置、终端设备及存储介质

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109783297A (zh) * 2019-01-10 2019-05-21 湖南国科微电子股份有限公司 一种固态硬盘使用温宽提升方法与固态硬盘
CN110390987A (zh) * 2019-06-22 2019-10-29 合肥致存微电子有限责任公司 一种数据加速重读的方法以及存储设备
CN110659146A (zh) * 2019-08-05 2020-01-07 广州妙存科技有限公司 一种基于温度的闪存重读方法
CN111145820A (zh) * 2019-12-11 2020-05-12 合肥大唐存储科技有限公司 一种数据读取方法及装置、存储介质和设备
US20200185045A1 (en) * 2018-12-10 2020-06-11 Micron Technology, Inc. Defect detection in memories with time-varying bit error rate
CN111400099A (zh) * 2020-03-16 2020-07-10 深圳佰维存储科技股份有限公司 闪存的数据重读方法、装置、设备及计算机可读存储介质
CN111625194A (zh) * 2020-05-26 2020-09-04 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储介质的数据读取方法、存储系统及存储设备

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200185045A1 (en) * 2018-12-10 2020-06-11 Micron Technology, Inc. Defect detection in memories with time-varying bit error rate
CN109783297A (zh) * 2019-01-10 2019-05-21 湖南国科微电子股份有限公司 一种固态硬盘使用温宽提升方法与固态硬盘
CN110390987A (zh) * 2019-06-22 2019-10-29 合肥致存微电子有限责任公司 一种数据加速重读的方法以及存储设备
CN110659146A (zh) * 2019-08-05 2020-01-07 广州妙存科技有限公司 一种基于温度的闪存重读方法
CN111145820A (zh) * 2019-12-11 2020-05-12 合肥大唐存储科技有限公司 一种数据读取方法及装置、存储介质和设备
CN111400099A (zh) * 2020-03-16 2020-07-10 深圳佰维存储科技股份有限公司 闪存的数据重读方法、装置、设备及计算机可读存储介质
CN111625194A (zh) * 2020-05-26 2020-09-04 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储介质的数据读取方法、存储系统及存储设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113643746A (zh) * 2021-07-02 2021-11-12 深圳市宏旺微电子有限公司 闪存数据的分析方法、装置、终端设备及存储介质
CN113643746B (zh) * 2021-07-02 2023-09-26 深圳市宏旺微电子有限公司 闪存数据的分析方法、装置、终端设备及存储介质

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