CN116656247A - 一种daf膜及其制备工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体封装技术领域，具体为一种DAF膜及其制备工艺；所述DAF膜由上至下依次包括第一胶面、树脂导热层及第二胶面；其特征在于：所述树脂导热层内均匀铺设有若干个形状和尺寸均相同支撑微球；本发明所制备的DAF膜不仅具有较好的导热性能，而且还具有较好的抗老化性能，在一定程度上保证了其存储性能；再者，支撑微球的使用能保证芯片在受力挤压DAF膜时起到有效的支撑作用，防止由于受力不均匀而导致芯片倾斜，装片时芯片始终保持水平，提高了芯片封装质量和效率。

Description

一种DAF膜及其制备工艺
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域，具体为一种DAF膜及其制备工艺。
背景技术
在芯片封装过程中，DAF（晶片黏结薄膜）被用来粘结芯片和被贴的基材，基材可能是金属框架引线框，也可能是多层线路基板。越来越多的芯片封装场景客户选择DAF主要由于以下两点原因：
1、芯片的发展趋势小型化、超薄化、多功能集成化，封装的尺寸也越来越小，越来越薄，越来越多的芯片放在同一个器件中，所以过去用的贴片胶无法满足这些需求，因此就要用DAF的技术。
2、在一些特殊应用，无法使用胶水来反复粘结，只能用胶膜粘结，比如存储芯片，快擦型存储器，一般客户使用多层芯片堆叠在一个器件里面，每层芯片底部都通过DAF与下面的基板或芯片粘结，这种场景只有DAF能够实现。
目前，市售的DAF膜虽然在芯片封装领域中得到广泛应用，在一定程度上提高芯片封装的质量和效率，但其导热性能相对不足，在进行镭射切割过程中DAF贴片可能会发生由于受热不均匀而发生倾斜现象。此外，由于DAF膜常以环氧树脂及其固化剂为原料，固化剂的加入易在常温下缓慢反应而固化，温度的升高容易致使DAF胶的老化甚至失效，也在一定程度上影响其存储性。因此，本发明提供一种DAF膜及其制备工艺，以解决上述所提出的相关技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种DAF膜及其制备工艺，本发明所制备的DAF膜不仅具有较好的导热性能，而且还具有较好的抗老化性能，在一定程度上保证了其存储性能。再者，支撑微球的使用能保证芯片在受力挤压DAF膜时，起到有效的支撑作用，防止由于受力不均匀而导致芯片倾斜，装片时芯片始终保持水平，提高了芯片封装质量和效率。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种DAF膜，所述DAF膜由上至下依次包括第一胶面、树脂导热层及第二胶面；所述树脂导热层内均匀铺设有若干个形状和尺寸均相同（此处的相同表示形状及尺寸极为接近）支撑微球；其中，
所述支撑微球的制备方法包括以下步骤：
步骤一、采用十二烷基三甲基氯化铵分别对第一功能填料及第二功能填料进行物理改性，洗涤后重新分散于去离子水中，得到浓度均为2～5wt%的第一功能填料分散液及第二功能填料分散液；其中，十二烷基三甲基氯化铵的用量为第一功能填料质量的10～15%、第二功能填料质量的10～15%；
步骤二、将硅橡胶微球分散液与体积分别为其6～10%的第一功能填料分散液、8～15%第二功能填料分散液混合分散均匀，通过静电吸附将第一功能填料及第二功能填料吸附在硅橡胶微球的表面；然后于800～1200r/min的条件下离心处理15～20min；
步骤三、所得固体滤料于温度为-50～-40℃、压强为8～12Pa的条件下冷冻干燥处理20～25h；然后将所得固体微粉在20MPa的条件下室温模压20～25h；最终所得即为支撑微球成品。
更近一步地，所述硅橡胶微球分散液的制备方法为：将液体硅橡胶溶解于氯仿中配制成浓度为80～90wt%的硅橡胶溶液，然后向其中加入体积为其10～15%、浓度为0.4～0.6wt%的十二烷基苯磺酸钠水相分散液，预混合搅拌均匀后将其温度升至45～55℃，并以500～800r/min的速率混合搅拌5～6h，所得即为硅橡胶微球分散液。
更近一步地，所述液体硅橡胶选用加成型液体硅橡胶，其型号为迈图RTV615；基体树脂与甲基含氢聚硅氧烷的质量比为10～15：1。
更近一步地，所述第一功能填料的制备方法为：
ⅰ、按0.01～0.03g/mL的固液比将无机基材超声分散于浓度为60～75%的乙醇水溶液中，将其温度升至50～65℃，并于此温度下边搅拌边向其中加入质量为无机基材20～40%的N-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基硅烷，而后将其pH调节至2.8～3.2，所得记为第二混合组分；
ⅱ、分别按0.05～0.08g/mL、0.007～0.012g/mL的用量比向第二混合组分中加入亚磷酸三壬基苯酯、2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚，超声分散均匀后，加入质量为无机基材0.8～1.5倍的3，5-二叔丁基-4-羟基苯基丙酸，混合搅拌均匀后将其温度升至55～65℃，并于此温度下保温搅拌反应12～18h；待反应完毕后，对所得生成物组分依次进行离心分离、乙醇洗涤至中性及真空干燥处理；最终所得即为第一功能填料成品。
更近一步地，超声分散时超声频率设置为35～45kHz，超声时间设置为40～60min。
更近一步地，所述无机基材的制备方法为：按0.002～0.005g/mL的用量比将十二烷基三甲基溴化铵均匀分散于去离子水中，然后加入质量为十二烷基三甲基溴化铵0.6～1.2倍的碳酸钠，将所得第一混合组分的温度升至65～85℃，并在此温度下以250～450r/min的速率下机械搅拌60～90min；搅拌完毕后，加入质量为十二烷基三甲基溴化铵5～8倍的正硅酸乙酯，并于70～90℃的条件下以350～500r/min的速率搅拌反应6～10h；待反应完毕，对所得生成物组分依次进行离心分离、去离子水及无水乙醇交替洗涤2～3次后再对其进行真空干燥处理，所得即为无机基材。
更近一步地，所述第二功能填料的制备方法包括以下步骤：
Ⅰ、按2～5mg/mL的固液比将由Hummers改进法制备的氧化石墨烯超声分散于氯仿中，然后向其中加入乙二酰氯，混合搅拌均匀后将其温度升至55～75℃，并与氮气气氛的保护下保温搅拌反应20～40h；待反应完毕后，采用减压蒸馏的方式回收其中过量的乙二酰氯；所得生成物组分保存、备用；其中，氧化石墨烯与乙二酰氯的用量比为0.01～0.02g/mL；
Ⅱ、向所得生成物组分中加入N，N-二甲基-4-吡啶胺、三乙烯二胺及体积为其10～20%的混合液，混合搅拌均匀后将其温度升至60～80℃，并于氮气气氛的保护下保温反应2～4天；其中，三乙烯二胺及N，N-二甲基-4-吡啶胺的加入量分别为氧化石墨烯的3～8%、2～5%；
Ⅲ、待反应完毕，对所得反应产物进行抽滤处理，所得滤饼分别用N，N-二甲基甲酰胺、丙酮及乙醇洗涤2～3次后，再对其进行真空干燥处理，最终所得即为第二功能填料成品。
更近一步地，所述混合液由N，N-二甲基甲酰胺及质量分别为其5～8%的2，5-二-叔丁基-对苯二酚、3～6%的4-羟甲基-2，6-二叔丁基苯酚混合均匀后制成。
一种DAF膜的制备工艺，包括以下步骤：在所述第二胶面的顶部平铺一层高导热树脂液，再将支撑微球平铺于高导热树脂液的顶部；而后，在支撑微球的顶部灌入高导热树脂液，形成高导热树脂液-支撑微球-高导热树脂液的“三明治”结构的导热层；最后，将所述第一胶面平铺于所述导热层的顶部，最终所得即为DAF膜成品。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、本发明中先以十二烷基三甲基溴化铵、碳酸钠及正硅酸乙酯等为原料，制备出粒径小，孔径均一的多孔结构纳米二氧化硅微球（粒径约200nm，孔径约2.5～3nm），即无机基材成品。然后将其分散于乙醇水溶液中，并加入N-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基硅烷对其进行改性处理，再向第二混合组分中加入亚磷酸三壬基苯酯、2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚；超声分散使亚磷酸三壬基苯酯、2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚均匀分散并滞留在无机基材表面的多孔结构中，而后加入3，5-二叔丁基-4-羟基苯基丙酸使之与无机基材表面的相关基团发生化学反应，最终在无机基材表面形成由3，5-二叔丁基-4-羟基苯基丙酸组成的三维网络结构，实现了对滞留在无机基材多孔结构及其表面的亚磷酸三壬基苯酯、2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚的“封堵”，减小其流失的几率。由于无机基材本身为多孔结构，使得其具有较好的散热性能。而亚磷酸三壬基苯酯、2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚、及3，5-二叔丁基-4-羟基苯基丙酸三者的协同配合，能有效地提高第一功能填料的抗老化性能。
2、本发明中以氧化石墨烯为起始原料，将其在氮气气氛的保护下与乙二酰氯发生化学反应后，再加入N，N-二甲基-4-吡啶胺、三乙烯二胺及体积为其10～20%的混合液。其中，混合液中的2，5-二-叔丁基-对苯二酚及4-羟甲基-2，6-二叔丁基苯酚与氧化石墨烯发生化学反应，最终两者通过化学键“接枝”在氧化石墨烯的表面。由于氧化石墨烯本身就具备一定的阻隔氧气及清除自由基的作用，最终在2，5-二-叔丁基-对苯二酚及4-羟甲基-2，6-二叔丁基苯酚的协同配合下有效地增强了氧化石墨烯的抗老化性能。
3、本发明中以十二烷基三甲基氯化铵对第一功能填料及第二功能填料进行改性处理，然后通过静电吸附将第一功能填料及第二功能填料“固定”在硅橡胶微球表面形成的“微型凹坑”中，十二烷基苯磺酸钠不仅能对硅橡胶微球的形成起到很好的促进作用。同时，其与十二烷基三甲基氯化铵之间相互作用，使得第一功能填料及第二功能填料更加牢固地吸附在硅橡胶微球的表面，减小其发生脱落的几率。由于硅橡胶微球本身具有较好的散热性能，再配合其“凹坑”中所负载的第一功能添加剂及第二功能添加剂的协同配合，不仅能进一步地改善了硅橡胶微球的散热性能。而且还能有效地改善其抗老化性能，在一定程度上保证了其存储性能。
此外，通过在DAF膜中添加支撑微球，保证芯片在受力挤压DAF膜时，DAF膜能够提供有效支撑，防止由于受力不均匀而导致芯片倾斜。本发明的DAF膜通过支撑体的加入，装片时芯片始终保持水平，提高了芯片封装质量和效率。
附图说明
图1为本发明制备的DAF膜的结构示意图；
图中：1、第一胶面；2、树脂导热层；3、第二胶面；4、支撑微球。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种DAF膜，DAF膜由上至下依次包括第一胶面1、树脂导热层2及第二胶面3；树脂导热层2内均匀铺设有若干个形状和尺寸均相同支撑微球4；其中，
支撑微球4的制备方法包括以下步骤：
步骤一、采用十二烷基三甲基氯化铵分别对第一功能填料及第二功能填料进行物理改性，洗涤后重新分散于去离子水中，得到浓度均为2wt%的第一功能填料分散液及第二功能填料分散液；其中，十二烷基三甲基氯化铵的用量为第一功能填料质量的10%、第二功能填料质量的10%；
步骤二、将硅橡胶微球分散液与体积分别为其6%的第一功能填料分散液、8%第二功能填料分散液混合分散均匀，通过静电吸附将第一功能填料及第二功能填料吸附在硅橡胶微球的表面；然后于800r/min的条件下离心处理15min；
步骤三、所得固体滤料于温度为-50℃、压强为8Pa的条件下冷冻干燥处理20h；然后将所得固体微粉在20MPa的条件下室温模压20h；最终所得即为支撑微球4成品。
硅橡胶微球分散液的制备方法为：将液体硅橡胶溶解于氯仿中配制成浓度为80wt%的硅橡胶溶液，然后向其中加入体积为其10%、浓度为0.4wt%的十二烷基苯磺酸钠水相分散液，预混合搅拌均匀后将其温度升至45℃，并以500r/min的速率混合搅拌5h，所得即为硅橡胶微球分散液。
液体硅橡胶选用加成型液体硅橡胶，其型号为迈图RTV615；基体树脂与甲基含氢聚硅氧烷的质量比为10：1。
第一功能填料的制备方法为：
ⅰ、按0.01g/mL的固液比将无机基材超声分散于浓度为60%的乙醇水溶液中，将其温度升至50℃，并于此温度下边搅拌边向其中加入质量为无机基材20%的N-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基硅烷，而后将其pH调节至2.8，所得记为第二混合组分；其中，超声分散时超声频率设置为35kHz，超声时间设置为40min；
ⅱ、分别按0.05g/mL、0.007g/mL的用量比向第二混合组分中加入亚磷酸三壬基苯酯、2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚，超声分散均匀后，加入质量为无机基材0.8倍的3，5-二叔丁基-4-羟基苯基丙酸，混合搅拌均匀后将其温度升至55℃，并于此温度下保温搅拌反应12h；待反应完毕后，对所得生成物组分依次进行离心分离、乙醇洗涤至中性及真空干燥处理；最终所得即为第一功能填料成品。
无机基材的制备方法为：按0.002g/mL的用量比将十二烷基三甲基溴化铵均匀分散于去离子水中，然后加入质量为十二烷基三甲基溴化铵0.6倍的碳酸钠，将所得第一混合组分的温度升至65℃，并在此温度下以250r/min的速率下机械搅拌60min；搅拌完毕后，加入质量为十二烷基三甲基溴化铵5倍的正硅酸乙酯，并于70℃的条件下以350r/min的速率搅拌反应6h；待反应完毕，对所得生成物组分依次进行离心分离、去离子水及无水乙醇交替洗涤2次后再对其进行真空干燥处理，所得即为无机基材。
第二功能填料的制备方法包括以下步骤：
Ⅰ、按2mg/mL的固液比将由Hummers改进法制备的氧化石墨烯超声分散于氯仿中，然后向其中加入乙二酰氯，混合搅拌均匀后将其温度升至55℃，并与氮气气氛的保护下保温搅拌反应20h；待反应完毕后，采用减压蒸馏的方式回收其中过量的乙二酰氯；所得生成物组分保存、备用；其中，氧化石墨烯与乙二酰氯的用量比为0.01g/mL；
Ⅱ、向所得生成物组分中加入N，N-二甲基-4-吡啶胺、三乙烯二胺及体积为其10%的混合液，混合搅拌均匀后将其温度升至60℃，并于氮气气氛的保护下保温反应2天；其中，三乙烯二胺及N，N-二甲基-4-吡啶胺的加入量分别为氧化石墨烯的3%、2%；其中，混合液由N，N-二甲基甲酰胺及质量分别为其5%的2，5-二-叔丁基-对苯二酚、3%的4-羟甲基-2，6-二叔丁基苯酚混合均匀后制成；
Ⅲ、待反应完毕，对所得反应产物进行抽滤处理，所得滤饼分别用N，N-二甲基甲酰胺、丙酮及乙醇洗涤2次后，再对其进行真空干燥处理，最终所得即为第二功能填料成品。
一种DAF膜的制备工艺，包括以下步骤：在第二胶面3的顶部平铺一层高导热树脂液，再将支撑微球4平铺于高导热树脂液的顶部；而后，在支撑微球4的顶部灌入高导热树脂液，形成高导热树脂液-支撑微球4-高导热树脂液的“三明治”结构的导热层；最后，将第一胶面1平铺于导热层的顶部，最终所得即为DAF膜成品。
实施例2
本实施例中的DAF膜及其制备工艺与实施例1基本相同，但两者的不同之处在于，本实施例中支撑微球4、第一功能填料及第二功能填料的制备方法有所不同，本实施例中支撑微球4、第一功能填料及第二功能填料的制备方法具体如下：
支撑微球4的制备方法包括以下步骤：
步骤一、采用十二烷基三甲基氯化铵分别对第一功能填料及第二功能填料进行物理改性，洗涤后重新分散于去离子水中，得到浓度均为4wt%的第一功能填料分散液及第二功能填料分散液；其中，十二烷基三甲基氯化铵的用量为第一功能填料质量的12%、第二功能填料质量的12%；
步骤二、将硅橡胶微球分散液与体积分别为其8%的第一功能填料分散液、12%第二功能填料分散液混合分散均匀，通过静电吸附将第一功能填料及第二功能填料吸附在硅橡胶微球的表面；然后于1000r/min的条件下离心处理20min；
步骤三、所得固体滤料于温度为-45℃、压强为10Pa的条件下冷冻干燥处理23h；然后将所得固体微粉在20MPa的条件下室温模压22h；最终所得即为支撑微球4成品。
硅橡胶微球分散液的制备方法为：将液体硅橡胶溶解于氯仿中配制成浓度为85wt%的硅橡胶溶液，然后向其中加入体积为其12%、浓度为0.5wt%的十二烷基苯磺酸钠水相分散液，预混合搅拌均匀后将其温度升至50℃，并以700r/min的速率混合搅拌5.5h，所得即为硅橡胶微球分散液。
液体硅橡胶选用加成型液体硅橡胶，其型号为迈图RTV615；基体树脂与甲基含氢聚硅氧烷的质量比为12：1。
第一功能填料的制备方法为：
ⅰ、按0.02g/mL的固液比将无机基材超声分散于浓度为70%的乙醇水溶液中，将其温度升至60℃，并于此温度下边搅拌边向其中加入质量为无机基材30%的N-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基硅烷，而后将其pH调节至3.0，所得记为第二混合组分；其中，超声分散时超声频率设置为40kHz，超声时间设置为50min；
ⅱ、分别按0.06g/mL、0.01g/mL的用量比向第二混合组分中加入亚磷酸三壬基苯酯、2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚，超声分散均匀后，加入质量为无机基材1.2倍的3，5-二叔丁基-4-羟基苯基丙酸，混合搅拌均匀后将其温度升至60℃，并于此温度下保温搅拌反应15h；待反应完毕后，对所得生成物组分依次进行离心分离、乙醇洗涤至中性及真空干燥处理；最终所得即为第一功能填料成品。
无机基材的制备方法为：按0.004g/mL的用量比将十二烷基三甲基溴化铵均匀分散于去离子水中，然后加入与十二烷基三甲基溴化铵等质量的碳酸钠，将所得第一混合组分的温度升至75℃，并在此温度下以400r/min的速率下机械搅拌80min；搅拌完毕后，加入质量为十二烷基三甲基溴化铵6倍的正硅酸乙酯，并于80℃的条件下以450r/min的速率搅拌反应8h；待反应完毕，对所得生成物组分依次进行离心分离、去离子水及无水乙醇交替洗涤3次后再对其进行真空干燥处理，所得即为无机基材。
第二功能填料的制备方法包括以下步骤：
Ⅰ、按4mg/mL的固液比将由Hummers改进法制备的氧化石墨烯超声分散于氯仿中，然后向其中加入乙二酰氯，混合搅拌均匀后将其温度升至65℃，并与氮气气氛的保护下保温搅拌反应30h；待反应完毕后，采用减压蒸馏的方式回收其中过量的乙二酰氯；所得生成物组分保存、备用；其中，氧化石墨烯与乙二酰氯的用量比为0.015g/mL；
Ⅱ、向所得生成物组分中加入N，N-二甲基-4-吡啶胺、三乙烯二胺及体积为其15%的混合液，混合搅拌均匀后将其温度升至70℃，并于氮气气氛的保护下保温反应3天；其中，三乙烯二胺及N，N-二甲基-4-吡啶胺的加入量分别为氧化石墨烯的6%、4%；其中，混合液由N，N-二甲基甲酰胺及质量分别为其6%的2，5-二-叔丁基-对苯二酚、5%的4-羟甲基-2，6-二叔丁基苯酚混合均匀后制成；
Ⅲ、待反应完毕，对所得反应产物进行抽滤处理，所得滤饼分别用N，N-二甲基甲酰胺、丙酮及乙醇洗涤3次后，再对其进行真空干燥处理，最终所得即为第二功能填料成品。
实施例3
本实施例中的DAF膜及其制备工艺与实施例1基本相同，但两者的不同之处在于，本实施例中支撑微球4、第一功能填料及第二功能填料的制备方法有所不同，本实施例中支撑微球4、第一功能填料及第二功能填料的制备方法具体如下：
支撑微球4的制备方法包括以下步骤：
步骤一、采用十二烷基三甲基氯化铵分别对第一功能填料及第二功能填料进行物理改性，洗涤后重新分散于去离子水中，得到浓度均为5wt%的第一功能填料分散液及第二功能填料分散液；其中，十二烷基三甲基氯化铵的用量为第一功能填料质量的15%、第二功能填料质量的15%；
步骤二、将硅橡胶微球分散液与体积分别为其10%的第一功能填料分散液、15%第二功能填料分散液混合分散均匀，通过静电吸附将第一功能填料及第二功能填料吸附在硅橡胶微球的表面；然后于1200r/min的条件下离心处理20min；
步骤三、所得固体滤料于温度为-40℃、压强为12Pa的条件下冷冻干燥处理25h；然后将所得固体微粉在20MPa的条件下室温模压25h；最终所得即为支撑微球4成品。
硅橡胶微球分散液的制备方法为：将液体硅橡胶溶解于氯仿中配制成浓度为90wt%的硅橡胶溶液，然后向其中加入体积为其15%、浓度为0.6wt%的十二烷基苯磺酸钠水相分散液，预混合搅拌均匀后将其温度升至55℃，并以800r/min的速率混合搅拌6h，所得即为硅橡胶微球分散液。
液体硅橡胶选用加成型液体硅橡胶，其型号为迈图RTV615；基体树脂与甲基含氢聚硅氧烷的质量比为15：1。
第一功能填料的制备方法为：
ⅰ、按0.03g/mL的固液比将无机基材超声分散于浓度为75%的乙醇水溶液中，将其温度升至65℃，并于此温度下边搅拌边向其中加入质量为无机基材40%的N-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基硅烷，而后将其pH调节至3.2，所得记为第二混合组分；其中，超声分散时超声频率设置为45kHz，超声时间设置为60min；
ⅱ、分别按0.08g/mL、0.012g/mL的用量比向第二混合组分中加入亚磷酸三壬基苯酯、2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚，超声分散均匀后，加入质量为无机基材1.5倍的3，5-二叔丁基-4-羟基苯基丙酸，混合搅拌均匀后将其温度升至65℃，并于此温度下保温搅拌反应18h；待反应完毕后，对所得生成物组分依次进行离心分离、乙醇洗涤至中性及真空干燥处理；最终所得即为第一功能填料成品。
无机基材的制备方法为：按0.005g/mL的用量比将十二烷基三甲基溴化铵均匀分散于去离子水中，然后加入质量为十二烷基三甲基溴化铵1.2倍的碳酸钠，将所得第一混合组分的温度升至85℃，并在此温度下以450r/min的速率下机械搅拌90min；搅拌完毕后，加入质量为十二烷基三甲基溴化铵8倍的正硅酸乙酯，并于90℃的条件下以500r/min的速率搅拌反应10h；待反应完毕，对所得生成物组分依次进行离心分离、去离子水及无水乙醇交替洗涤3次后再对其进行真空干燥处理，所得即为无机基材。
第二功能填料的制备方法包括以下步骤：
Ⅰ、按5mg/mL的固液比将由Hummers改进法制备的氧化石墨烯超声分散于氯仿中，然后向其中加入乙二酰氯，混合搅拌均匀后将其温度升至75℃，并与氮气气氛的保护下保温搅拌反应40h；待反应完毕后，采用减压蒸馏的方式回收其中过量的乙二酰氯；所得生成物组分保存、备用；其中，氧化石墨烯与乙二酰氯的用量比为0.02g/mL；
Ⅱ、向所得生成物组分中加入N，N-二甲基-4-吡啶胺、三乙烯二胺及体积为其20%的混合液，混合搅拌均匀后将其温度升至80℃，并于氮气气氛的保护下保温反应4天；其中，三乙烯二胺及N，N-二甲基-4-吡啶胺的加入量分别为氧化石墨烯的8%、5%；其中，混合液由N，N-二甲基甲酰胺及质量分别为其8%的2，5-二-叔丁基-对苯二酚、6%的4-羟甲基-2，6-二叔丁基苯酚混合均匀后制成；
Ⅲ、待反应完毕，对所得反应产物进行抽滤处理，所得滤饼分别用N，N-二甲基甲酰胺、丙酮及乙醇洗涤3次后，再对其进行真空干燥处理，最终所得即为第二功能填料成品。
对比例1：与实施例1的不同之处在于：本实施例中采用等量的相同形状及尺寸的硅橡胶微球代替支撑球体；
对比例2：与实施例1的不同之处在于：本实施例中的支撑球体“凹坑”中的第一功能填料被用等量的第二功能填料代替；
对比例3：与实施例1的不同之处在于：本实施例中的支撑球体“凹坑”中的第二功能填料被用等量的第一功能填料代替；
对比例4：与实施例1的不同之处在于：本实施例在制备第一功能填料的过程中所用的第二混合组分中未加入亚磷酸三壬基苯酯及2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚；
对比例5：与实施例1的不同之处在于：本实施例在制备第一功能填料的过程中所用的第二混合组分中加入的亚磷酸三壬基苯酯被等量的2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚代替；
对比例6：与实施例1的不同之处在于：本实施例在制备第一功能填料的过程中所用的第二混合组分中加入的2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚被等量的亚磷酸三壬基苯酯代替；
对比例7：与实施例1的不同之处在于：本实施例在制备第二功能填料的过程中所用的混合液中未加入2，5-二-叔丁基-对苯二酚及4-羟甲基-2，6-二叔丁基苯酚；
对比例8：与实施例1的不同之处在于：本实施例在制备第二功能填料的过程中所用的混合液中加入的2，5-二-叔丁基-对苯二酚被等量的4-羟甲基-2，6-二叔丁基苯酚代替；
对比例9：与实施例1的不同之处在于：本实施例在制备第二功能填料的过程中所用的混合液中加入的4-羟甲基-2，6-二叔丁基苯酚被等量的2，5-二-叔丁基-对苯二酚代替。
性能测试：分别对实施例1～3及对比例1～9所提供的DAF的样品性能进行测试，所得测试数据记录于相应表中：
其中，DAF膜的测试方法如下：
1、剥离力：贴合钢板60℃辊压10min，UV前后的180°剥离力测试，参照GB2792-81；
2、老化测试：DAF膜在50℃烘箱分别放置72h/168h，然后参照上述测试方法进行180°剥离力测试；老化测试实验使用 500W的汞灯照射，其辐射的波长范围为250～320nm，样品距灯管的距离为 35cm，照射时间为12h；
3、导热系数：采用GB/T 3399-1982标准测试其导热系数。
通过对比及分析表中的相关数据可知，本发明所制备的DAF膜不仅具有较好的导热性能，而且还具有较好的抗老化性能，在一定程度上保证了其存储性能。再者，支撑微球的使用能保证芯片在受力挤压DAF膜时，起到有效的支撑作用，防止由于受力不均匀而导致芯片倾斜，装片时芯片始终保持水平，提高了芯片封装质量和效率。由此，表明本发明所提供的DAF膜及其制备工艺具有更广阔的市场前景，更适宜推广。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (9)

1.一种DAF膜，所述DAF膜由上至下依次包括第一胶面、树脂导热层及第二胶面；其特征在于：所述树脂导热层内均匀铺设有若干个形状和尺寸均相同支撑微球；其中，
所述支撑微球的制备方法包括以下步骤：
步骤一、采用十二烷基三甲基氯化铵分别对第一功能填料及第二功能填料进行物理改性，洗涤后重新分散于去离子水中，得到浓度均为2～5wt%的第一功能填料分散液及第二功能填料分散液；
步骤二、将硅橡胶微球分散液与体积分别为其6～10%的第一功能填料分散液、8～15%第二功能填料分散液混合分散均匀，通过静电吸附将第一功能填料及第二功能填料吸附在硅橡胶微球的表面；然后于800～1200r/min的条件下离心处理15～20min；
步骤三、所得固体滤料于温度为-50～-40℃、压强为8～12Pa的条件下冷冻干燥处理20～25h；然后将所得固体微粉在20MPa的条件下室温模压20～25h；最终所得即为支撑微球成品。
2.根据权利要求1所述的一种DAF膜，其特征在于，所述硅橡胶微球分散液的制备方法为：将液体硅橡胶溶解于氯仿中配制成浓度为80～90wt%的硅橡胶溶液，然后向其中加入体积为其10～15%、浓度为0.4～0.6wt%的十二烷基苯磺酸钠水相分散液，预混合搅拌均匀后将其温度升至45～55℃，并以500～800r/min的速率混合搅拌5～6h，所得即为硅橡胶微球分散液。
3.根据权利要求2所述的一种DAF膜，其特征在于：所述液体硅橡胶选用加成型液体硅橡胶，其型号为迈图RTV615；基体树脂与甲基含氢聚硅氧烷的质量比为10～15：1。
4.根据权利要求1所述的一种DAF膜，其特征在于，所述第一功能填料的制备方法为：
ⅰ、按0.01～0.03g/mL的固液比将无机基材超声分散于浓度为60～75%的乙醇水溶液中，将其温度升至50～65℃，并于此温度下边搅拌边向其中加入质量为无机基材20～40%的N-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基硅烷，而后将其pH调节至2.8～3.2，所得记为第二混合组分；
ⅱ、分别按0.05～0.08g/mL、0.007～0.012g/mL的用量比向第二混合组分中加入亚磷酸三壬基苯酯、2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚，超声分散均匀后，加入质量为无机基材0.8～1.5倍的3，5-二叔丁基-4-羟基苯基丙酸，混合搅拌均匀后将其温度升至55～65℃，并于此温度下保温搅拌反应12～18h；待反应完毕后，对所得生成物组分依次进行离心分离、乙醇洗涤至中性及真空干燥处理；最终所得即为第一功能填料成品。
5.根据权利要求4所述的一种DAF膜，其特征在于：超声分散时超声频率设置为35～45kHz，超声时间设置为40～60min。
6.根据权利要求4所述的一种DAF膜，其特征在于，所述无机基材的制备方法为：按0.002～0.005g/mL的用量比将十二烷基三甲基溴化铵均匀分散于去离子水中，然后加入质量为十二烷基三甲基溴化铵0.6～1.2倍的碳酸钠，将所得第一混合组分的温度升至65～85℃，并在此温度下以250～450r/min的速率下机械搅拌60～90min；搅拌完毕后，加入质量为十二烷基三甲基溴化铵5～8倍的正硅酸乙酯，并于70～90℃的条件下以350～500r/min的速率搅拌反应6～10h；待反应完毕，对所得生成物组分依次进行离心分离、去离子水及无水乙醇交替洗涤2～3次后再对其进行真空干燥处理，所得即为无机基材。
7.根据权利要求1所述的一种DAF膜，其特征在于，所述第二功能填料的制备方法包括以下步骤：
Ⅰ、按2～5mg/mL的固液比将由Hummers改进法制备的氧化石墨烯超声分散于氯仿中，然后向其中加入乙二酰氯，混合搅拌均匀后将其温度升至55～75℃，并与氮气气氛的保护下保温搅拌反应20～40h；待反应完毕后，采用减压蒸馏的方式回收其中过量的乙二酰氯；所得生成物组分保存、备用；其中，氧化石墨烯与乙二酰氯的用量比为0.01～0.02g/mL；
Ⅱ、向所得生成物组分中加入N，N-二甲基-4-吡啶胺、三乙烯二胺及体积为其10～20%的混合液，混合搅拌均匀后将其温度升至60～80℃，并于氮气气氛的保护下保温反应2～4天；其中，三乙烯二胺及N，N-二甲基-4-吡啶胺的加入量分别为氧化石墨烯的3～8%、2～5%；
Ⅲ、待反应完毕，对所得反应产物进行抽滤处理，所得滤饼分别用N，N-二甲基甲酰胺、丙酮及乙醇洗涤2～3次后，再对其进行真空干燥处理，最终所得即为第二功能填料成品。
8.根据权利要求7所述的一种DAF膜，其特征在于：所述混合液由N，N-二甲基甲酰胺及质量分别为其5～8%的2，5-二-叔丁基-对苯二酚、3～6%的4-羟甲基-2，6-二叔丁基苯酚混合均匀后制成。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的一种DAF膜的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：在所述第二胶面的顶部平铺一层高导热树脂液，再将支撑微球平铺于高导热树脂液的顶部；而后，在支撑微球的顶部灌入高导热树脂液，形成高导热树脂液-支撑微球-高导热树脂液的“三明治”结构的导热层；最后，将所述第一胶面平铺于所述导热层的顶部，最终所得即为DAF膜成品。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018120560A1 (zh) * 2016-12-29 2018-07-05 中国科学院深圳先进技术研究院 一种包含填料粒子三维网络的聚合物基复合材料及其制备方法
CN110003657A (zh) * 2019-04-18 2019-07-12 青岛科技大学 具有隔离结构的硅橡胶纳米复合材料及其制备方法
CN113337230A (zh) * 2021-05-11 2021-09-03 广东创辉鑫材科技股份有限公司 一种金属基板的高导热半固化胶膜及其制备方法
CN113480740A (zh) * 2021-07-16 2021-10-08 常州大学 硅橡胶用可调节双疏性填料的制备方法及硅橡胶膜的制备
US20220403133A1 (en) * 2022-01-22 2022-12-22 North University Of China Vulcanizing agent-modified graphene prepared through an in-situ chemical deposition process, and controllable crosslinked natural rubber composite comprising the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018120560A1 (zh) * 2016-12-29 2018-07-05 中国科学院深圳先进技术研究院 一种包含填料粒子三维网络的聚合物基复合材料及其制备方法
CN110003657A (zh) * 2019-04-18 2019-07-12 青岛科技大学 具有隔离结构的硅橡胶纳米复合材料及其制备方法
CN113337230A (zh) * 2021-05-11 2021-09-03 广东创辉鑫材科技股份有限公司 一种金属基板的高导热半固化胶膜及其制备方法
CN113480740A (zh) * 2021-07-16 2021-10-08 常州大学 硅橡胶用可调节双疏性填料的制备方法及硅橡胶膜的制备
US20220403133A1 (en) * 2022-01-22 2022-12-22 North University Of China Vulcanizing agent-modified graphene prepared through an in-situ chemical deposition process, and controllable crosslinked natural rubber composite comprising the same

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