CN116623255A - 一种功率器件引线框架电镀方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种功率器件引线框架电镀方法及系统，属于半导体引线框架表面处理技术领域，电镀包括：将覆盖有硅胶掩膜的引线框架导入电镀槽中进行电镀处理；将电镀溶液导入储液槽进行金属离子除杂处理：第二镍板为阳极，W型瓦楞板为阴极；储液槽中加入有35‑55mg/L柠檬酸氢二铵、13‑25ml/L氨水；去除金属离子后，将储液槽中溶液导入电镀槽继续进行电镀处理。采用一定浓度柠檬酸氢二铵作为电镀镍的缓冲剂，使不同电极电位的金属分类沉积，进而去除不同金属杂质，避免镍镀液中微量元素干扰镍离子在直流电的作用下对渗透液的电力线穿透能力；同时配合机械硅胶掩膜阻挡电力，使非镀区表面不被镀液渗透而镀上镍层，以此准确控制镀镍区面积。

Description

一种功率器件引线框架电镀方法及系统

技术领域

本发明涉及半导体引线框架表面处理技术领域，尤其涉及一种功率器件引线框架电镀方法及系统。

背景技术

功率器件引线框架是半导体封装中主要的材料，引线框架、塑封料及芯片共同组成半导体封装的三大基本原材料。功率器件引线框架由专用铜合金作为基材，制造过程主要是模具冲压、表面清洗和电镀、切断成型三大工序，冲压之后经过表面处理以增加其表面焊接性。表面处理主要是除油、电镀和镀层保护，引线框架的表面处理之所以重要是因为焊接工艺直接作用于其表面，作为键合丝的连接点，是实现芯片功能和外部电路连接的桥梁，对于内部互联来说非常重要；而内部互联是否稳定首要考虑的是半导体封装的可靠性，作为半导体封装中的关键质量指标之一，封装的可靠性主要取决于引线框架与塑封料的结合力是否良好。

应用于车载等领域的功率器件具有承受大电流高电压的特点，在塑封体内部互联通常使用直径较粗的硅铝丝、铝丝，实现管脚与芯片之间的连接，引线框架需要焊线的管脚局部面积是镀镍层，镍层与硅铝丝、铝丝的焊接较为牢固，铜层与环氧树脂塑封料的结合力较好，而镍层与环氧树脂塑封料的结合力却很差，镍层与塑封料之间经常出现分层现象，因此要提高封装可靠性的首先要解决镀镍层的面积做到最小，但是要达到键合丝焊接的最小面积，因此采用选择电镀镍的工艺技术。

为了达到局部选择电镀镍的目的，一直以来行业都是采用在卷式原材料上预先贴附抗电镀膜胶带，然后进行预电镀镍层，再撕掉膜胶带，经冲压后进行清洗达到电镀镍的目的，整个工艺流程冲压出来的铜边角料含有部分镍层，回收价值低，制造成本高。因此我们采用电镀模具的工艺技术进行试验直接电镀镍层，然而会出现镍层漏镀严重，镀区远远超出不需要电镀的地方，到目前为止现有技术均无法采用电解方式对超出的镀镍层进行电解剥离，因此无法良好控制镀镍区面积，这也是选择电镀镍的技术难点。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的问题，提供了一种功率器件引线框架电镀方法及系统。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种功率器件引线框架电镀方法，该方法电镀步骤包括：

将覆盖有硅胶掩膜的引线框架导入电镀槽中进行电镀处理，第一镍板为阳极，引线框架为阴极；电镀溶液包括金属镍、硼酸；

将电镀溶液导入储液槽进行金属离子除杂处理：第二镍板为阳极，W型瓦楞板为阴极；储液槽中加入有35-55mg/L柠檬酸氢二铵、13-25ml/L氨水；去除金属离子后，将储液槽中溶液导入电镀槽继续进行电镀处理，直至完成对引线框架的电镀处理。

在一示例中，所述电镀溶液包括70±10g/L金属镍、55±5g/L硼酸；电镀溶液PH值为3.5-5.5；电镀温度为50±5℃；电镀时间为10±5s；电流密度为0.25～0.5安培/平方分米。

在一示例中，所述储液槽中还加入有3-5mg/L糖精钠。

在一示例中，所述金属离子除杂处理时电流密度为0.01-0.02安培/平方米。

在一示例中，所述电镀步骤前还包括除油以及酸活化步骤。

在一示例中，所述除油包括超声波除油和/或电解除油；

超声波除油：将引线框架导入溶液A：55±5g/L碳酸钠、65±5g/L氢氧化钠中进行超声波除油，超声波功率为3KW，频率为80～120KHz；

电解除油：将引线框架导入溶液B：35±5g/L碳酸钠、15±5g/L磷酸钠、45±5g/L氢氧化钠、25±5g/L葡糖酸钠中进行电解除油，电流密度为20～40安培/平方分米。

在一示例中，所述酸活化包括：将引线框架导入50±5ml/L溶液硫酸中进行酸中和与活化处理。

在一示例中，所述电镀步骤后还包括：对引线框架进行保护层镀膜处理。

需要进一步说明的是，上述方法各示例对应的技术特征可以相互组合或替换构成新的技术方案。

本发明还包括一种一种功率器件引线框架电镀系统，该系统包括硅胶掩膜、电镀装置和除杂装置；

硅胶掩膜与引线框架贴合；

电镀装置包括电镀槽，电镀槽盛有电镀溶液，以第一镍板为阳极，引线框架为阴极，将覆盖有硅胶掩膜的引线框架导入电镀槽中进行电镀处理；电镀溶液包括金属镍、硼酸；

除杂装置包括储液槽，将电镀溶液导入储液槽进行金属离子除杂处理；第二镍板为阳极，W型瓦楞板为阴极；储液槽中加入有35-55mg/L柠檬酸氢二铵、13-25ml/L氨水；去除金属离子后，将储液槽中溶液导入电镀槽继续进行电镀处理，直至完成对引线框架的电镀处理。

在一示例中，所述电镀槽与储液槽之间连接有输送管道，输送管道上设有阀门以及增压泵。

需要进一步说明的是，上述各示例对应的技术特征可以相互组合或替换构成新的技术方案。

与现有技术相比，本发明有益效果是：

1.在一示例中，采用一定浓度柠檬酸氢二铵作为电镀镍的缓冲剂，使不同电极电位的金属分类沉积，进而去除不同金属杂质，控制不同金属离子杂质的含量，避免镍镀液中微量元素干扰镍离子在直流电的作用下对渗透液的电力线穿透能力，以此减轻造成漏镀镍的问题；同时配合机械硅胶掩膜阻挡电力，使非镀区表面不被镀液渗透而镀上镍层，以此准确控制镀镍区面积。

2.在一示例中，采用一定浓度糖精钠降低电解溶液的表面张力，减小极化效应，加速电镀过程中的离子沉积速度。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明，此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。

图1为本发明一示例中的方法流程图；

图2为本发明优选示例方法流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，属于“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系为基于附图所述的方向或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，使用序数词(例如，“第一和第二”、“第一至第四”等)是为了对物体进行区分，并不限于该顺序，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，属于“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

本发明是为了解决功率器件引线框架电镀镍工艺和降低制造成本，提出了一套新电镀工艺及有效的控制方案，为了增强封装可靠性和控制制造成本，在功率器件硅铝丝封装工艺中，直接选择电镀镍工艺，相对于传统的贴膜电镀镍后冲压的生产工艺，此工艺综合制造成本最低，封装可靠性可以通过一级测试标准。

具体而言，本发明对功率器件引线框架电镀镍工艺进行改进和创新，改进电镀工艺和提高镀镍层的镀区面积准确度，主要是通过控制电镀镍药水的关键工艺参数和部分添加剂的使用，获取一种镀镍区面积精准和均匀致密的镍层，控制漏镀的引线框架，杜绝漏镀镍区域，严格控制镍镀层面积，保留大面积的铜层表面与环氧树脂塑封料的牢固结合力，提高半导体封装的可靠性。

在一示例中，如图1所示，一种功率器件引线框架电镀方法，以车载功率器件硅铝丝封装工艺为例，该方法中的电镀步骤包括：

将覆盖有硅胶掩膜的引线框架导入电镀槽中进行电镀处理，第一镍板为阳极，引线框架为阴极；电镀溶液包括金属镍、硼酸；

将电镀溶液导入储液槽进行金属离子除杂处理：第二镍板为阳极，W型瓦楞板为阴极；储液槽中加入有35-55mg/L柠檬酸氢二铵、13-25ml/L氨水；去除金属离子后，将储液槽中溶液导入电镀槽继续进行电镀处理，循环往复，直至完成对引线框架的电镀处理。

其中，硅胶掩膜与引线框架贴合，将引线框架上无需电镀的部位进行遮挡、覆盖。本示例中，电镀槽、储液槽分别采用不同供电设备提供电压、电流，以实现不同电解电流的控制。本示例中，关键金属阳离子杂质控制目标为：Cu：60-120ppm，Fe：90-180ppm，Zn:60-120ppm，Cr≤50ppm；关键控制手段为：储液槽安装W型瓦楞板连续过滤和电流密度0.01-0.02ASD弱电解以去除铜铁锌等金属阳离子杂质，其中W型瓦楞板紧靠储液槽长边侧板设置。

本发明设计了一种镍镀液的电镀活性相对钝化，在产品(引线框架)阴极导通的过程中使用机械硅胶掩膜阻挡电力线，并控制微量元素(Cu/Fe/Zn/Cr)含量弱化其对电力线的干扰，使非镀区的表面不被镀液渗透而镀上镍层。

具体地，电镀模具设计上考虑到镀液中电力线的直线电流最大尖端放电原理，设计使用硅胶掩膜机械阻挡电力线的效果，防止漏镀镍，按照设计标准严格控制镍镀层面积，进而精准控制镀镍区面积，并获取均匀致密的镍层，保留大面积的铜层表面与环氧树脂塑封料的牢固结合力，解决引线框架表面层与环氧树脂分层的问题，提高半导体封装的可靠性。在封装好的功率元器件里面，使用时整个塑封体将持续经受芯片发热疲劳冲击，因此性能的可靠性将直接影响车载半导体元器件的功能和寿命。

进一步地，为了进一步解决电镀模具掩膜屏蔽不能控制漏镀镍问题，在电镀镍药水特性做DOE试验，发现电镀镍药水的几个特性影响着漏镀镍的大小，尤其是镍镀液的微量元素含量和部分添加剂起到了决定性作用，最主要是微量元素金属阳离子铜、铁、锌、铬的含量，严重干扰镍离子在直流电的作用下，对渗透液的电力线穿透能力。本示例中，采用35-55mg/L柠檬酸氢二铵(C₆H₁₄N₂O₇)作为电镀镍的缓冲剂，调节药液的PH值在控制的范围，从而保证镀层的均匀性和结合力，作为络合物与金属离子形成稳定的配合物，还可以促进金属离子还原为金属单质状态，随着电压和电流的变化，让不同电极电位的金属分类沉积出来，利用该特点，对镀镍药水的不同金属杂质进行分离去除，控制不同金属离子杂质的含量，从而控制镀镍药液的质量，避免镍镀液中微量元素干扰镍离子在直流电的作用下对渗透液的电力线穿透能力，以此减轻造成漏镀镍的问题。

在一示例中，电镀溶液包括70±10g/L金属镍、55±5g/L硼酸；电镀溶液PH值为3.5-5.5；电镀温度为50±5℃；电镀时间为10±5s；电流密度为0.25～0.5安培/平方分米。

在一示例中，储液槽中还加入有3-5mg/L糖精钠，作为电镀的有机添加剂，与金属离子形成络合物。在电镀过程中，金属离子需要在电解质中游离出来，才能被还原成金属而沉积在基材的表面。然而金属离子在电解质中容易被其他离子或者分子所包围，形成配合物，难以游离出来。糖精的分子结构中含有多个羟基与金属离子形成氢键或配位键，可以稳定金属离子保证金属离子处于游离状态，在电镀中可以被还原成金属；还可以调剂药液的表面张力，作为表面活性剂使用，电镀中药水的表面张力会影响金属离子的扩散和沉积，产生极化效应，糖精的分子结构中含有亲水基和憎水基，在电极周围形成分子膜，降低药水的表面张力，减少极化效应，加速电镀过程的离子沉积速度。

在一示例中，金属离子除杂处理时电流密度为0.01-0.02安培/平方米。

将上述多个示例进行结合，此时电镀为：

将引线框架导入溶液D中进行电镀镍，溶液D各组份的含量具体是：70±10g/L金属镍、55±5g/L硼酸、pH值为3.5-5.5；电镀镍时，电解镍板作为阳极，引线框架为阴极。主要控制点为：溶液温度：50±5℃(摄氏度)，电镀时间：10±5S，电流密度为0.25～0.5安培/平方分米；储液槽中加入3-5mg/L C₆H₄SO₂NNaCO.2H₂O(糖精钠、35-55mg/LC₆H₁₄N₂O₇(柠檬酸氢二铵)以及13-25ml/LNH₃·H₂O；关键的金属阳离子杂质控制要点：Cu：60-120ppm，Fe：90-180ppm，Zn:60-120ppm，Cr≤50ppm；离子除杂关键控制方法为：储液槽安装W型瓦楞板连续过滤(镍板为阳极，W型瓦楞板为阴极)，且以0.01-0.02ASD电流密度弱电解以去除铜铁锌等金属阳离子杂质。

在一示例中，电镀步骤前还包括对引线框架进行除油以及酸活化处理。可选地，除油包括超声波除油和/或电解除油，以保持引线框架表面洁净度。其中，超声波除油是利用声波振动使表面覆着的油污疏松脱落，以除去基体表面在冲压时残留的油脂；具体将引线框架导入溶液A：55±5g/L碳酸钠、65±5g/L氢氧化钠中进行超声波除油，超声波功率为3KW，频率为80～120KHz；电解除油是利用电解时表面析出氢气使表面覆着的油污脱落，以除去基体表面在冲压时残留的油脂，具体将引线框架导入溶液B：35±5g/L碳酸钠、15±5g/L磷酸钠、45±5g/L氢氧化钠、25±5g/L葡糖酸钠中进行电解除油，电流密度为20～40安培/平方分米。

可选地，酸活化是将引线框架导入50±5ml/L溶液硫酸中进行酸中和与活化处理，以中和除去基体表面碱性物质并对基体表面的氧化层进行还原反应，当然也可加入其他酸性活化剂进行活化处理。

在一示例中，电镀步骤后还包括：对引线框架进行保护层镀膜处理，如镀铜膜或者金膜等。可选地，将引线框架导入溶液I：10±5g/LC₆H₅N₃溶液中附上铜保护膜，具体以铜棒作为阳极，引线框架作为阴极进行电镀处理，溶液温度：20±10℃(摄氏度)，浸泡时间：10±3S，溶液连续过滤。

将上述示例进行组合，得到本发明优选电镀示例，如图2所示，此时工艺流程为：超声波除油→电解除油→水洗→硫酸中和活化→水洗→选择电镀镍→水洗→铜保护→水洗→热水洗→烘干。具体地，此时电镀方法包括以下步骤：

A：超声波除油；将引线框架导入超声波脱脂剂的溶液A中进行超声波除油，超声波脱脂采用温度为60±5℃(摄氏度)，超声波脱脂剂：碳酸钠55±5g/L氢氧化钠65±5g/L(克每升)，超声波功率为3KW，频率为80～120KHz，超声波脱脂时间20±5S(秒)；超声波脱脂剂的组分、温度、浓度、时间可以根据需要进行调整。

B：电解除油；将引线框架导入电解除油剂的溶液B中进行电解除油，溶液温度为60±5℃(摄氏度)，碳酸钠35±5g/L磷酸钠15±5g/L氢氧化钠45±5g/L葡糖酸钠25±5g/L(克每升)，时间20±5S(秒)，电镀电流密度30±10A/dm2(安培/平方分米)。脱脂剂的组分、温度、浓度、时间可以根据需要进行调整。

C：硫酸中和与活化；将引线框架导入硫酸的溶液C中进行酸洗，硫酸溶液浓度为硫酸50±5ml/L，酸洗时间15±5s。其中，该步骤选用的硫酸溶液的浓度和进行酸洗的时间均可根据实际需要进行调整。

D：选择电镀镍；具体将引线框架导入溶液D中进行电镀镍，溶液D各组份的含量具体是：70±10g/L金属镍、55±5g/L硼酸、pH值为3.5-5.5；电镀镍时，电解镍板作为阳极，引线框架为阴极；主要控制点为：溶液温度：50±5℃(摄氏度)，电镀时间：10±5S，电流密度为0.25～0.5安培/平方分米。储液槽中加入3-5mg/L C₆H₄SO₂NNaCO.2H₂O(糖精钠、35-55mg/LC₆H₁₄N₂O₇(柠檬酸氢二铵)以及13-25ml/L NH₃·H₂O；关键的金属阳离子杂质控制要点：Cu：60-120ppm，Fe：90-180ppm，Zn:60-120ppm，Cr≤50ppm；离子除杂关键控制方法为：储液槽安装W型瓦楞板连续过滤(镍板为阳极，W型瓦楞板为阴极)，且以0.01-0.02ASD电流密度弱电解以去除铜铁锌等金属阳离子杂质。

E：铜保护；具体将引线框架导入溶液I：10±5g/LC₆H₅N₃溶液中附上铜保护膜，具体以铜棒作为阳极，引线框架作为阴极进行电镀处理，溶液温度：20±10℃(摄氏度)，浸泡时间：10±3S，溶液连续过滤。

F：水洗、烘干，烘干温度：130±10℃，时间：20±5s。

此外，为了保证每个步骤处理后不影响下一个步骤的操作产生药水相互污染和干扰，步骤A、B、C、D、E、F之后进行水洗的步骤，在去离子水中清洗5-15S左右，同时，将残留在基体表面的杂质去除干净，进入烘干机烘干，以确保基体表面的镀层干燥洁净。

相较于行业传统技术，本发发明具有以下技术优势：

(1)本发明提出的半导体功率器件引线框架选择电镀镍的表面处理方法，镍镀液的电镀活性相对钝化，同时通过在产品阴极导通的过程中使用机械硅胶掩膜阻挡电力线和微量元素(Cu/Fe/Zn/Cr)的干扰弱化电力线，能使非镀区的表面不被镀液渗透而镀上镍层，可以更有效地控制镍镀层面积，保留大面积的铜层表面与环氧树脂塑封料的牢固结合力，解决了引线框架表面层与环氧树脂分层的问题，极大提高了半导体封装的可靠性。

(2)相比传统工艺，先冲压再电镀的工艺可以避免角料上含镍的弊端，回收价值较含镍层的角料大幅提高，成本明显降低。

(3)本发明的产品表面与锡的湿润性和可焊性都很好，焊接性能优异，在封装前的焊线工段具有明显的质量优势。

(4)本发明相比于现有的贴膜后镀镍工艺具有操作简单、控制方便、综合制造成本低等优势，同时具有产品封装后可靠性更好的优点。

(5)传统工艺路线是通过在原材料表面预先贴附一层抗电镀的膜胶带，镀好镍层后撕掉膜胶带，然后进行冲压，再清洗，最后切断成型，流程长、工艺复杂、成本高。针对现有技术存在的不足，本发明半导体功率引线框架选择电镀镍工艺相比于现有的贴膜后镀镍工艺具有操作简单、控制方便、综合制造成本低等优势，同时具有产品封装后可靠性更好的优点。

本发明还包括一种功率器件引线框架电镀系统，与上述任一示例或者多个示例组合形成的电镀方法具有相同的发明构思，具体地本发明包括硅胶掩膜、电镀装置和除杂装置。

其中，硅胶掩膜与引线框架贴合，将无需进行电镀的引线框架部位进行遮挡、覆盖。

电镀装置包括电镀槽，电镀槽盛有电镀溶液，以第一镍板为阳极，引线框架为阴极，将覆盖有硅胶掩膜的引线框架导入电镀槽中进行电镀处理；电镀溶液包括金属镍、硼酸，具体电镀溶液含量为：70±10g/L金属镍、55±5g/L硼酸、pH值为3.5-5.5。

除杂装置包括储液槽，将电镀溶液导入储液槽进行金属离子除杂处理；第二镍板为阳极，W型瓦楞板为阴极；储液槽中加入有35-55mg/L柠檬酸氢二铵、13-25ml/L氨水；去除金属离子后，将储液槽中溶液导入电镀槽继续进行电镀处理，直至完成对引线框架的电镀处理。优选地，储液槽中还加入有3-5mg/L糖精钠。

在一示例中，电镀槽与储液槽之间连接有输送管道，输送管道上设有阀门以及增压泵，具体电镀槽底部、储液槽底部均设有一开关，配合增压泵，将电镀溶液泵入储液槽，再将储液槽中已经进行了离子除杂处理的溶液泵入电镀槽，以此在电镀过程中有效控制不同金属离子杂质的含量。

以上具体实施方式是对本发明的详细说明，不能认定本发明的具体实施方式只局限于这些说明，对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演和替代，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种功率器件引线框架电镀方法，其特征在于：其电镀步骤包括：

将覆盖有硅胶掩膜的引线框架导入电镀槽中进行电镀处理，第一镍板为阳极，引线框架为阴极；电镀溶液包括金属镍、硼酸；

将电镀溶液导入储液槽进行金属离子除杂处理：第二镍板为阳极，W型瓦楞板为阴极；储液槽中加入有35-55mg/L柠檬酸氢二铵、13-25ml/L氨水；去除金属离子后，将储液槽中溶液导入电镀槽继续进行电镀处理，直至完成对引线框架的电镀处理。

2.根据权利要求1所述的一种功率器件引线框架电镀方法，其特征在于：所述电镀溶液包括70±10g/L金属镍、55±5g/L硼酸；电镀溶液PH值为3.5-5.5；电镀温度为50±5℃；电镀时间为10±5s；电流密度为0.25～0.5安培/平方分米。

3.根据权利要求1所述的一种功率器件引线框架电镀方法，其特征在于：所述储液槽中还加入有3-5mg/L糖精钠。

4.根据权利要求1所述的一种功率器件引线框架电镀方法，其特征在于：所述金属离子除杂处理时电流密度为0.01-0.02安培/平方米。

5.根据权利要求1所述的一种功率器件引线框架电镀方法，其特征在于：所述电镀步骤前还包括除油以及酸活化步骤。

6.根据权利要求5所述的一种功率器件引线框架电镀方法，其特征在于：所述除油包括超声波除油和/或电解除油；

超声波除油：将引线框架导入溶液A：55±5g/L碳酸钠、65±5g/L氢氧化钠中进行超声波除油，超声波功率为3KW，频率为80～120KHz；

电解除油：将引线框架导入溶液B：35±5g/L碳酸钠、15±5g/L磷酸钠、45±5g/L氢氧化钠、25±5g/L葡糖酸钠中进行电解除油，电流密度为20～40安培/平方分米。

7.根据权利要求5所述的一种功率器件引线框架电镀方法，其特征在于：所述酸活化包括：将引线框架导入50±5ml/L溶液硫酸中进行酸中和与活化处理。

8.根据权利要求1所述的一种功率器件引线框架电镀方法，其特征在于：所述电镀步骤后还包括：对引线框架进行保护层镀膜处理。

9.一种功率器件引线框架电镀系统，其特征在于：其包括硅胶掩膜、电镀装置和除杂装置；

硅胶掩膜与引线框架贴合；

电镀装置包括电镀槽，电镀槽盛有电镀溶液，以第一镍板为阳极，引线框架为阴极，将覆盖有硅胶掩膜的引线框架导入电镀槽中进行电镀处理；电镀溶液包括金属镍、硼酸；

除杂装置包括储液槽，将电镀溶液导入储液槽进行金属离子除杂处理；第二镍板为阳极，W型瓦楞板为阴极；储液槽中加入有35-55mg/L柠檬酸氢二铵、13-25ml/L氨水；去除金属离子后，将储液槽中溶液导入电镀槽继续进行电镀处理，直至完成对引线框架的电镀处理。

10.根据权利要求9所述的一种功率器件引线框架电镀系统，其特征在于：所述电镀槽与储液槽之间连接有输送管道，输送管道上设有阀门以及增压泵。