CN116613258A - 一种发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种发光二极管，包括：半导体叠层；第一绝缘层，所述第一绝缘层具有一系列第一开口部；连接电极，形成于所述金属层之上，包括第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极环绕于所述第二连接电极，所述第一连接电极与所述第一半导体层电连接，所述第二连接电极与所述金属层电连接，所述第一连接电极具有靠近发光二极管边缘的外边缘与靠近第二连接电极的内边缘；焊盘电极，形成于所述连接电极之上，包括第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘与所述第一连接电极电连接，所述第二焊盘与所述第二连接电极电连接；其中，在垂直于所述半导体叠层生长方向的平面上，所述第一连接电极的内边缘投影与所述第一开口部的投影不重叠。
Description
技术领域
本申请涉及半导体制作设备相关技术领域，尤其涉及一种发光二极管。
背景技术
发光二极管(英文Light Emitting Diode，简称LED)包含有不同的发光材料及发光部件，是一种固态半导体发光二极管。它因成本低、功耗低、光效高、体积小、节能环保、具有良好的光电特性等优点而被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等各种场景。
发明内容
为达本发明中的至少一个优点或其他优点，本发明的一实施例提出一种发光二极管，包括：半导体叠层，其包含依次层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；第一绝缘层，形成于所述半导体层叠层上，所述第一绝缘层具有一系列第一开口部；金属层，形成于所述第一绝缘层上，通过所述第一开口部与所述第二半导体层电连接，连接电极，形成于所述金属层之上，包括第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极环绕于所述第二连接电极，所述第一连接电极与所述第一半导体层电连接，所述第二连接电极与所述金属层电连接，所述第一连接电极具有靠近发光二极管边缘的外边缘与靠近第二连接电极的内边缘；焊盘电极，形成于所述连接电极之上，包括第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘与所述第一连接电极电连接，所述第二焊盘与所述第二连接电极电连接；其中，在垂直于所述半导体叠层生长方向的平面上，所述第一连接电极的内边缘投影与所述第一开口部的投影不重叠。
本发明的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变 得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他有益效果可通过在说明书、 权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据 这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述的位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。
图1显示本发明一实施例发光二极管1a的俯视图；
图2a至图10b显示本发明一实施例发光二极管1制造方法中各阶段的俯视图以及剖面图；
图11为显示本发明一实施例发光二极管2的俯视图。
具体实施方式
下文中，将参照图示详细地描述本发明的示例性实施例，已使得本发明领域技术人员能够充分地理解本发明的精神。本发明并不限于以下的实施例，而是可以以其他形式实施。在本说明书中，有一些相同的符号，其表示具有相同或是类似的结构、功能、原理的元件，且为业界具有一般知识能力者可以依据本说明书的教导而推知。为说明书的简洁度考虑，相同的符号的元件将不再重述。
图1显示本发明一实施例发光二极管1a的俯视图。图2a至图10b显示本发明一实施例发光二极管1制造方法中各阶段的俯视图以及剖面图。发光二极管1的制造方法详述如下。
首先，参照图2a及图2b，在基板110上方形成半导体叠层120。基板110可以是一晶片，与形成于其上的半导体叠层12构成一半导体晶片。半导体晶片在后续切割制作工艺后分离成多个发光二极管1，以下的实施例图示及说明将以单一个发光二极管1做代表。
在本发明的一实施例中，所述基板110可以使用适合于半导体材料生长的载体晶片来形成。此外，基板110可以由具有优异的热导率的材料形成或者可以是导电衬底或绝缘衬底。此外，基板110可由透光材料形成，并且可具有不会引起整个半导体叠层120弯曲并且使得能够通过划线和断裂工艺有效地划分成分开芯片的机械强度。例如，基板110可以使用蓝宝石（Al2O3）基板、碳化硅（SiC）基板、硅（Si）基板、氧化锌（ZnO）基板、氮化镓（GaN）基板、砷化镓（GaAs）基板或磷化镓（GaP）基板等，尤其，优选使用蓝宝石（Al2O3）基板。在本实施例中基板110为表面具有一系列凸起的蓝宝石，包括例如采用干法蚀刻制作的没有固定斜率的凸起，又或者采用湿法蚀刻的具有一定斜率的凸起。
在本发明的一实施例中，通过有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相沉积法(HVPE)、物理气相沉积法(PVD)或离子电镀方法以于基板110上形成具有光电特性的半导体叠层120，例如发光(light-emitting)叠层，其中物理气象沉积法包含溅镀(Sputtering)或蒸镀(Evoaporation)法。依序在基板110上形成第一半导体层121、有源层122和第二半导体层123。第一半导体层121、有源层122和第二半导体层123可由Ⅲ族氮化镓系列的化合物半导体，例如，GaN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN及包括这些组中的至少一种形成。第一半导体层121是提供电子的层，可通过注入n型掺杂物（例如，Si、Ge、Se、Te、C等）来形成。第二半导体层123是提供空穴的层，可通过注入p型掺杂物（例如，Mg、Zn、Be、Ca、Sr、Ba等）来形成。有源层122是第一半导体层121提供的电子和第二半导体层123提供的空穴再次结合而输出预定波长的光的层，可由具备交替地层叠势阱层和势垒层的单层或多层量子阱结构的多层的半导体薄膜形成。有源层122会依据输出的光波长不同的而选择不同的材料组成或配比。例如，本发明实施例的发光二极管1的发射波长介于420nm至580nm之间。有源层122可以形成为具有包括使用第III族至第V族化合物半导体材料（例如，InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs或GaP(InGaP)/AlGaP中的至少一种）的阱层和阻挡层的对结构，但是本公开内容不限于此。阱层可由具有比阻挡层的能带隙小的能带隙的材料形成。
在半导体叠层120形成在基板110上之后，参见图3a和图3b，在此步骤中，通过光刻、蚀刻的方式图案化半导体叠层120，形成台面1201以及多个通孔1202。相对于台面1201以及多个通孔1202，其他区域的半导体叠层120形成一高台。围绕半导体叠层120周围的第二半导体层123和有源层122被移除以形成台面1201，且台面1201露出第一半导体层121的第一表面121a。在一实施例中，在光刻和蚀刻工艺中，第一半导体层121的一部分进一步地被蚀刻至更深的蚀刻深度，以露出第一表面121a。在一实施例中，再进一步移除位于半导体叠层120的周围，台面1201区域外的部分第一半导体层121，露出基板110上表面110s，形成走道区ISO。走道区ISO分隔并定义出多个发光单元，并作为后续切割制作工艺中预备分割线(图未示)的所在位置。于此，台面1201由第一外侧壁1200a、第二外侧壁1200b和第一表面121a所定义，其中第一外侧壁1200a一端连接至台面1201的第一表面121a，另一端连接至基板110的上表面110s；第二外侧壁1200b一端连接至台面1201的第一表面121a，另一端连接至第二半导体层123的表面123s。第一外侧壁1200a和第二外侧壁1200b可以倾斜于第一表面121a。在一实施例中，第一外侧壁1200a倾斜于基板110的上表面110s。第一外侧壁1200a与基板110的上表面110s之间包含一锐角。在一实施例中，第一外侧壁1200a与基板110的上表面110s之间包含一钝角(图未示)。在相同或另一个光刻(photolithography)和蚀刻工艺，第二半导体层123和有源层122的内部的一部分被移除以形成多个通孔1202，并且多个通孔1202对应地裸露出第一半导体层121的第二表面121b。于此，通孔1202由一内侧壁1200c和第二表面121b所定义。内侧壁1200c的一端连接至第一半导体层121的第二表面121b，而内侧壁1200c的另一端连接至第二半导体层123的表面123s。在一实施例中，如图2a所示，高台MS的轮廓呈波浪状、锯齿状、方波状或其他非直线的图案，通过高台MS轮廓的图案设计可提高发光二极管1的光取出效率。
接着，参照图4a及图4b，在半导体叠层120上形成及透明导电层130。透明导电层130覆盖第二半导体层123的上表面，与第二半导体层123电性接触。透明导电层130可以大体接触第二半导体层123的几乎整个上表面。在这种结构中，电流在被提供给发光二极管时能够通过透明导电层130沿水平方向散布，且因此能够均匀地提供给第二半导体层123的整体。在一优选实施例中，该透明导电层130的厚度为5~60nm，当厚度低于5nm，容易适成发光二极管的正向电压(Vf)升高，超过60nm侧其吸光效应将明显上升。该透明导电层130的厚度更佳为10~30nm，例如可以为15nm或者20nm。透明导电层130的材料可为ITO、InO、SnO、CTO、ATO、ZnO、GaP或其组合。透明导电层130可由蒸镀或溅镀形成。
在另一实施例中（图未示），该透明导电层130设有使得第二半导体层123的一部分露出的多个开口部，通过控制该开口部的尺寸及密度，使得所述半导体叠层120被该透明导电层130所占据的面积比例大于50%且小于95%，在保证透明导电层130与第二半导体层123具有足够欧姆接触的同时，减少透明导电层130的面积，从而提升发光二极管的亮度。较佳的，所述半导体叠层120被该透明导电层130所占据的面积比例为70~90%。具体的，所述开口部呈阵列分布，直径为2~50μm，相邻第一开口部OP1部分之间的间距为1~20μm。在本实施例，该开口部的直径选为2~10μm，间距为5~20μm。
接着，参照图5a及图5b，实施第一绝缘层140的形成步骤。第一绝缘层140形成于半导体叠层120上。第一绝缘层140包括一或多个第一开口部OP1以露出透明导电层130的部分表面。第一绝缘层140可包括SiO2、SiN、SiOxNy、TiO2、Si3N4、Al2O3、TiN、AlN、ZrO2、TiAlN、TiSiN、HfO、TaO2和MgF2中的至少一种。在示例实施例中，第一绝缘层140可具有其中具有不同折射率的绝缘膜交替地堆叠的多层膜结构，并且可设为分布式布拉格反射器(DBR)。多层膜结构可为其中具有(作为不同折射率的)第一折射率和第二折射率的第一绝缘膜和第二绝缘膜交替地堆叠的结构。
第一绝缘层140的厚度可以具有100nm至1500nm范围内的厚度，具体地，可以具有200nm至1000nm范围内的厚度。当第一绝缘层140的厚度小于200nm时，正向电压高且光输出低而不理想。另一方面，若第一绝缘层140厚度超过1000nm，则光输出饱和。因此，优选第一绝缘层140的厚度不超过1000nm，尤其可以是900nm以下。
在另一示例实施例中，第一绝缘层140可由折射率低于第二半导体层123的折射率的材料形成。第一绝缘层140可与布置为接触第一绝缘层140的上部的金属层150一起构成全向反射器(ODR)。这样，可单独使用第一绝缘层140，或者与金属层150结合使用，作为增大有源层122发射的光的反射率的反射结构，因此，可明显提高光提取效率。
该第一开口部OP1横截面面积总和占半导体叠层120的横截面面积比值的3%~50%，优选5%~20%，更优选10%，如果比值太低，则后续形成的金属层150与透明导电层130通过第一开口部OP1接触的面积太小，不利于控制电压，而如果比值太高，则会影响第一绝缘层140（如低折射率）配合金属层150形成全方位反射层结构的反射效果。
接着，参照图6a及图6b以及图6c，实施金属层150的形成步骤。金属层150形成于第一绝缘层140上，通过第一开口部OP1与透明导电层130电性接触。金属层150包含反射层151和阻挡层152。阻挡层152形成于反射层151上，阻挡层152可以降低工艺制备过程中（例如在去除光刻胶）反射层151可能被空气氧化或者被蚀刻溶液腐蚀的风险。
反射层151包含对发光二极管发出的光具有高反射率的反射金属，例如Ag、Al、Rh、Ru、Ti、Cr、Ni或上述材料的合金或叠层。
阻挡层152的材料可包括镍（Ni）、铬(Cr)、铂(Pt)、钛(Ti)、钨(W)、锌(Zn)或上述材料的合金或叠层。在一实施例中，当阻挡层152为金属叠层时，阻挡层152是由两层或两层以上的金属交替堆叠而形成，例如Cr/Pt、Cr/Ti、Cr/TiW、Cr/W、Cr/Zn、Ti/Pt、Ti/W、Ti/TiW、Ti/Zn、Pt/TiW、Pt/W、Pt/Zn、TiW/W、TiW/Zn、 W/Zn、Ni/Pt、Ni/Ti、Ni /TiW、Ni /W、或Ni/Zn等。
所述半导体叠层120辐射的光能通过第一绝缘层140到达金属层150表面并被金属层150反射回来，因此第一绝缘层140对有源层发出的光具有一定的透光性。更佳的，根据光反射原理，第一绝缘层140折射率低于半导体叠层120的材料，能够允许部分有源层122辐射的光到达其表面的小角度光透射或折射到第一反射层130，超过全反射角的入射光线被全反射回来。因此，依靠第一绝缘层140与金属层150组合对光的反射效果相对于金属层150对光的反射效果更高。
在本发明的一实施例中，反射层151的厚度为100~200nm，阻挡层152的厚度为100~500nm。
接着，参照图7a及图7b，可通过物理气相沉积法或化学气相沉积法等方式形成第二绝缘层160。第二绝缘层160形成在金属层150上，并且包括部分暴露第一半导体层121部分表面的第二开口部OP2和部分暴露金属层150部分表面的第三开口部OP3。第三开口部OP3为一个环形开口，将第二绝缘层160分割为第一绝缘部161和第二绝缘部162，且第一绝缘部161环绕于第二绝缘部162外围。以俯视图的视角看，参照图7a，第三开口部OP3包括靠近第一绝缘部161的外边缘OP31和靠近第二绝缘部162的内边缘OP32，在垂直于半导体叠层120生长方向的平面上，第三开口部OP3的外边缘OP31投影与第一开口部OP1的投影不重叠，第三开口部OP3的内边缘OP32投影与第一开口部OP1的投影不重叠，如此一来，可以避免第一开口部OP1的线条与第二绝缘层160的线条之间出现交叉，使得第二绝缘层160的膜层尾端保持平整性。
第二绝缘层160可以包括利用物理气相沉积法或化学气相沉积法制备的绝缘材料，例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化钛(TiOx)，或氟化镁(MgF2)等。另外，第二绝缘层160可以由多层构成，并且可以包括其中具有不同折射率的绝缘材料交替相互堆叠的分布式布拉格反射器。其中第二绝缘层160包括所述分布式布拉格反射器的结构再次反射已通过全方向反射器而非被反射的光，从而改善所述发光设备的发光效率。
在一实施例中，第二绝缘层160可以包括第一子层和第二子层，第一子层可以为由原子沉积法制备的介质材料，第二子层可以为由物理气相沉积法或化学气相沉积法等方式形成的介质材料，第一子层的致密性比第二子层致密性好，更能有效隔绝外界水汽对发光二极管的影响。因而在该实施例中，第二绝缘层160可以达到同样的绝缘和保护效果的同时，可以减薄第二绝缘层160的厚度，从而还可以提升发光二极管1的亮度，减少制程时间、节省成本，并且由于第二绝缘层160的厚度减薄，可以使发光二极管1内部的热阻降低，增强散热。较佳地，第二绝缘层160的厚度介于500nm与1400nm之间，其中，第一子层的厚度为20nm~100nm，第二子层的厚度为400nm~1300nm。第一子层可以为氧化铝(Al2O3)或者氧化硅(SiOx)，第二子层可以为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)、氧化铌(Nb2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化钛(TiOx)、氟化镁(MgF2)、氧化铝(Al2O3)。
在另一实施例中，第二绝缘层160可以为由原子沉积法制备的氧化铝(Al2O3)或者氧化硅(SiOx)，但从实际的工艺角度出发，原子沉积法镀膜工艺速率相对于物理气相沉积法或化学气相沉积法的速率较慢，第二绝缘层160的膜层若全部采用原子沉积法制备，反而导致成本上升。
接着，参照图8a、图8b及图8c，实施连接电极170的形成步骤。连接电极170形成于第二绝缘层160上，连接电极170包括第一连接电极171和第二连接电极172。第一连接电极171通过第二开口部OP2与第一半导体层121电性接触，并延伸覆盖于第二绝缘层160表面上，其中第一连接电极171通过第二绝缘层160与第二半导体层123相绝缘。第二连接电极172通过第三开口部OP3与金属层150相接触，部分填充于第三开口部OP3内，并延伸覆盖于第二绝缘层160表面上，其中第二连接电极172通过金属层150与第二半导体层123电性接触。在垂直于所述半导体叠层120生长方向的平面上，第一连接电极171的投影位于第一绝缘部161的投影面内，第二绝缘部162的投影位于第二连接电极172的投影面内。
第一连接电极171和第二连接电极172通过环状的第四开口部OP4相间隔，并显露第二绝缘层160的部分表面，以使第一连接电极171与第二连接电极172之间相互绝缘。同时，第四开口部OP4的最小开口尺寸也会根据第三开口部OP3的设置方式的不同而不同。在本实施例中，第三开口部OP3为连续的环状开口时，为保证第二连接电极172的边缘能够通过第三开口部OP3与金属层150电性接触，而第一连接电极171能够远离第三开口部OP3以与第二连接电极172电绝缘，第四开口部OP4的最小间距范围应不低于10μm。
在一实施例中，第一连接电极171具有靠近发光二极管边缘的外边缘171a与靠近第二连接电极172的内边缘171b，第二连接电极172的边缘172a位于第三开口部OP3内，与金属层150电性接触。在垂直于半导体叠层120生长方向的平面上，第一连接电极171的内边缘171b投影与第一开口部OP1的投影不重叠，第二连接电极172的边缘投影与第一开口部的投影OP1不重叠，如此一来，可以避免第一开口部OP1的线条与第一连接电极171和/或第二连接电极172的线条之间出现交叉，使得第一连接电极171和第二连接电极172的膜层尾端保持平整性。若第一连接电极171和第二连接电极172存在线条尾端不平整，例如在第一开口部OP1上方沉积金属膜层，该金属膜层的尾端在第一开口部OP1的台阶处容易出现空洞。因而，本申请第一连接电极171的内边缘171b投影与第一开口部OP1的投影不重叠，第二连接电极172的边缘投影与第一开口部的投影OP1不重叠，可以降低发光二极管1可靠性失效的风险。
在一实施例中，在垂直于半导体叠层120生长方向的平面上，第一连接电极171的外边缘171a与第一开口部OP1的投影不重叠。
在一实施例中，第一连接电极171包括第一电极连接部1711和多个朝第二连接电极172延伸的第一电极延伸部1712，第二连接电极172包括第二电极连接部1721和多个朝第一连接电极171延伸的第二电极延伸部1722。
接着，参照图9a及图9b，可通过物理气相沉积法或化学气相沉积法等方式形成第三绝缘层180。第三绝缘层180形成于连接电极170上，覆盖第一连接电极171、第二连接电极172以及第四开口部OP4。第三绝缘层180包括第五开口部OP5露出第一连接电极171的部分表面和第六开口部OP6露出第二连接电极172的部分表面。在本实施例中仅绘示单个第五开口部OP5及单个第六开口部OP6，然而本发明不限于此，第三绝缘层180可包含多个第五开口部OP5及第六开口部OP6。
第三绝缘层180的材料包括为非导电材料，包含有机材料或无机材料。其中有机材料包含Su8、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(AcrylicResin)、环烯烃聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)、聚酰亚胺(Polyimide)或氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)。无机材料包含硅胶(Silicone)、玻璃(Glass)或是介电材料，介电材料例如为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)、氧化铌(Nb2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化钛(TiOx)、氟化镁(MgF2)、氧化铝(Al2O3)等。
在一实施例中，第三绝缘层180可以为由高折射率的介质膜和低折射率的介质膜交替堆叠而成的多层膜结构，如布拉格反射层(DBR)，对特定波长范围的光线提供反射功能。其中，高折射率的介质膜的材料可以为TiO2、NB2O5、TA2O5、HfO2、ZrO2等；低折射的介质膜的材料可以为SiO2、MgF2、SiON等。
第三绝缘层180的厚度介于500nm与2000nm之间。若第三绝缘层180的厚度小于500nm，较薄的厚度可能会使得第三绝缘层180的绝缘性和抗湿性变弱，降低发光二极管1的可靠度。在一实施例中，第三绝缘层180的厚度大于第二绝缘层160的厚度。
在一实施例中，第三绝缘层180可以包括第一子层和第二子层，第一子层可以为由原子沉积法制备的介质材料，第二子层可以为由物理气相沉积法或化学气相沉积法等方式形成的介质材料，第一子层的致密性比第二子层致密性好，更能有效隔绝外界水汽对发光二极管的影响。因而在该实施例中，第三绝缘层180可以达到同样的绝缘和保护效果的同时，可以减薄第三绝缘层180的厚度，从而还可以提升发光二极管1的亮度，减少制程时间、节省成本，并且由于第三绝缘层180的厚度减薄，可以使发光二极管1内部的热阻降低，增强散热。较佳地，第三绝缘层的厚度介于500nm与1400nm之间，其中，第一子层的厚度为20nm~100nm，第二子层的厚度为400nm~1300nm。第一子层可以为氧化铝(Al2O3)或者氧化硅(SiOx)，第二子层可以为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)、氧化铌(Nb2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化钛(TiOx)、氟化镁(MgF2)、氧化铝(Al2O3)。
在另一实施例中，第三绝缘层180可以为由原子沉积法制备的氧化铝(Al2O3)或者氧化硅(SiOx)，但从实际的工艺角度出发，原子沉积法镀膜工艺速率相对于物理气相沉积法或化学气相沉积法的速率较慢，第三绝缘层180的膜层若全部采用原子沉积法制备，反而导致成本上升。
在一实施例中，第三绝缘层180具有靠近所述发光二极管边缘的外边缘180a和靠近焊盘电极190的内边缘180b，在垂直于半导体叠层120生长方向的平面上，第三绝缘层180的内边缘180投影与第一开口部OP1的投影不重叠。即，第五开口部OP5及第六开口部OP6的边缘投影与第一开口部OP1的投影不重叠，如此一来，可以避免第一开口部OP1的线条与第三绝缘层180的线条之间出现交叉，使得第三绝缘层180的膜层尾端保持平整性。
最后，参照图10a及图10b，实施焊盘电极190的形成步骤。焊盘电极190包括第一焊盘191和第二焊盘192。第一焊盘191设置在第五开口部OP5内与第一连接电极171相接触，从而与第一半导体层121电性接触；第二焊盘192设置在第六开口部OP6内与第二连接电极172相接触，从而与第二半导体层123电性接触。
在一种实施方式中，第一焊盘191包括第一焊盘连接部1911和多个朝第二焊盘192延伸的第一焊盘延伸部1912。第二焊盘192包括第二焊盘连接部1921和多个朝第一焊盘191延伸的第二焊盘延伸部1922。
在本发明的一实施例中，第一焊盘电极191和第二焊盘电极192中的每一个可包含包括选自由金(Au)、锡(Sn)、镍(Ni)、铅(Pb)、银(Ag)、铟(In)、铬(Cr)、锗(Ge)、硅(Si)、钛(Ti)、钨(W)和铂(Pt)构成的组中的单一材料或者包括其中的至少两种材料的合金的单膜，或者包括它们的组合的多层结构。
第一焊盘电极191和第二焊盘电极层192中的每一个可用作发光二极管的外部端子，但是本发明构思不限于此。
在一实施例中，参照图10a，焊盘电极的边缘投影与第一开口部OP1的投影不重叠，可以避免第一开口部OP1的线条与焊盘电极的线条之间出现交叉，使得焊盘电极的膜层尾端保持平整性。
在一实施中，参照图10a，位于第一焊盘191下方的第一开口部OP1的个数大于第二焊盘192下方的第一开口部OP1的个数。
图11为显示本发明一实施例发光二极管2的俯视图。相对于发光二极管1，参照图11，第二绝缘层160具有第二开口部OP2和第三开口部OP3，在垂直半导体叠层120生长方向的平面上，第三开口部OP3设置在第二连接电极172投影下方，第二连接电极172完全填充第三开口部OP3，从而与金属层150接触。将第一连接电极171和第二连接电极172间隔开的第四开口部OP4的投影下方设置第一开口部OP1，第一连接电极171的内边缘171a投影与第一开口部OP1的投影不重叠，第二连接电极172的边缘172a与第一开口部OP1的投影不重叠。第二开口部OP3投影下方设置第一开口部OP1。
上述实施例仅为例示性说明本申请案的原理及其功效，而非用于限制本申请案。任何本申请案所属技术领域中具有通常知识者均可在不违背本申请案的技术原理及精神的情况下，对上述实施例进行修改及变化。举凡依本申请案权利要求所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本申请案的权利要求内。
Claims (13)
1.一种发光二极管，包括：
半导体叠层，其包含依次层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；
第一绝缘层，形成于所述半导体层叠层上，所述第一绝缘层具有一系列第一开口部；
金属层，形成于所述第一绝缘层上，通过所述第一开口部与所述第二半导体层电连接；
连接电极，形成于所述金属层之上，包括第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极环绕于所述第二连接电极，所述第一连接电极与所述第一半导体层电连接，所述第二连接电极与所述金属层电连接，所述第一连接电极具有靠近发光二极管边缘的外边缘与靠近第二连接电极的内边缘；
焊盘电极，形成于所述连接电极之上，包括第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘与所述第一连接电极电连接，所述第二焊盘与所述第二连接电极电连接；
其中，在垂直于所述半导体叠层生长方向的平面上，所述第一连接电极的内边缘投影与所述第一开口部的投影不重叠。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在垂直于所述半导体叠层生长方向的平面上，所述第二连接电极的边缘投影与所述第一开口部的投影不重叠。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在垂直于所述半导体叠层生长方向的平面上，所述第一连接电极的外边缘与所述第一开口部的投影不重叠。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述金属层和所述连接电极之间，所述第二绝缘层包括第二开口部和第三开口部，所述第二开口部露出所述第一半导体层的部分表面，所述第三开口部露出所述金属层的部分表面，所述第一连接电极通过所述第二开口部与所述第一半导体层电连接，所述第二连接电极通过所述第三开口部与所述第金属层电连接。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第二绝缘层包括第一绝缘部和第二绝缘部，所述第一绝缘部环绕于所述第二绝缘部周围，并以环形的第三开口部相间隔，所述第三开口部具有靠近所述第一绝缘部的外边缘与靠近所述第二绝缘部的内边缘。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，在垂直于所述半导体叠层生长方向的平面上，所述第三开口部的外边缘投影与所述第一开口部的投影不重叠。
7.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，在垂直于所述半导体叠层生长方向的平面上，所述第三开口部的内边缘投影与所述第一开口部的投影不重叠。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一连接电极与所述第二连接电极之间通过第四开口部相绝缘。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述连接电极上，所述第三绝缘层具有露出第一连接电极部分表面的第五开口部和露出第二连接电极部分表面的第六开口部，所述第一焊盘通过所述第五开口部与所述第一连接电极电连接，所述第二焊盘通过所述第六开口部与所述第二连接电极电连接。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，在垂直于所述半导体叠层生长方向的平面上，所述第一焊盘的投影位于所述第五开口部的投影内，所述第二焊盘的投影位于所述第六开口部内。
11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述第三绝缘层具有靠近所述发光二极管边缘的外边缘和靠近所述焊盘电极的内边缘，在垂直于所述半导体叠层生长方向的平面上，所述第三绝缘层的内边缘投影与所述第一开口部的投影不重叠。
12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在垂直于所述半导体叠层生长方向的平面上，所述焊盘电极的边缘投影与所述第一开口部的投影不重叠。
13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，位于所述第一焊盘下方的所述第一开口部的个数大于所述第二焊盘下方的所述第一开口部的个数。
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