CN116597771A - 一种发光基板及其驱动方法、显示装置 - Google Patents

一种发光基板及其驱动方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种发光基板及其驱动方法、显示装置，用以提升发光基板的响应速度。本申请实施例提供的一种发光基板的驱动方法，包括：获取所述多个发光区中的部分所述发光区的电压状态参数；其中，所述发光区的电压状态参数为所述发光区包括的所述驱动芯片的输出端口的电压状态参数；根据部分所述发光区的所述电压状态参数确定每一所述发光区的电压状态参数。

Description

一种发光基板及其驱动方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光基板及其驱动方法、显示装置。
背景技术
目前，显示器件正朝着高对比度、高色域、高帧频和低功耗方向发展。尤其是迷你发光二极管(mini-LED)作为光源的显示器件在高对比度和高色域方向均具有很大的优势。
现有技术中，mini-LED发光基板需要利用驱动芯片确定其所在发光区的电压状态参数，并将电压状态参数反馈给控制芯片，控制芯片需要获取发光基板包括的所有驱动芯片输出的电压状态参数，导致响应时长较长。
发明内容
本申请实施例提供了一种发光基板及其驱动方法、显示装置，用以提升发光基板的响应速度。
本申请实施例提供的一种发光基板的驱动方法，发光基板包括：多个发光区；发光区包括：驱动芯片以及至少一个发光单元；方法包括：
获取多个发光区中的部分发光区的电压状态参数；其中，发光区的电压状态参数为发光区包括的驱动芯片的输出端口的电压状态参数；
根据部分发光区的电压状态参数确定每一发光区的电压状态参数。
在一些实施例中，多个发光区划分为：沿第一方向延伸且沿第二方向排列的m个发光区行，以及沿第二方向延伸且沿第一方向排列的n个发光区列；第一方向与第二方向交叉；m个发光区行划分为k个发光组；其中，m、n、k为整数，m、n大于1、m/k为大于1的整数；
获取多个发光区中的部分发光区的电压状态参数，具体包括：
获取每一发光组中位于不同发光区列的n个发光区的电压状态参数。
在一些实施例中，获取每一发光组中位于不同发光区列的n个发光区的电压状态参数，具体包括：
获取每一发光组中的第i行发光区行中发光区的电压状态参数；其中，i为大于或等于1且小于或等于m/k的整数。
在一些实施例中，获取每一发光组中位于不同发光区列的n个发光区的电压状态参数，具体包括：
获取每一发光组中位于不同发光区列的m个发光区的电压状态参数，且m个发光区中任意相邻两个发光区位于不同发光区行。
在一些实施例中，每一发光组中，m个发光区中任意相邻两个发光区之间间隔至少一个发光区行。
在一些实施例中，每一发光组中，m个发光区位于奇数行或偶数行。
在一些实施例中，根据部分发光区的电压状态参数确定多个发光区的电压状态参数，具体包括：
每一发光组中，m个发光区中的第j个发光区的电压状态参数，作为该发光组中第j列发光区列中所有发光区的电压状态参数；其中，j为大于或等于1且小于或等于n的整数。
在一些实施例中，多个发光区划分为沿第二方向延伸且沿第一方向排列的n个发光区列，n为大于1的整数；第一方向与第二方向交叉；
获取多个发光区中的部分发光区的电压状态参数，具体包括：
获取部分发光区列中的至少部分发光区的电压状态参数。
在一些实施例中，n个发光区列划分为k个发光组；每一发光区列划分为r个子发光区列，子发光区列包括至少2个发光区；多个发光区划分为：沿第一方向延伸且沿第二方向排列的m个发光区行；其中，k为正整数，m、n/k、m/r为大于1的正整数；
获取部分发光区列中的至少部分发光区的电压状态参数，具体包括：
获取每一发光组中第h列发光区列中每一子发光区列中的第g个发光区的电压状态参数；
其中，h为大于或等于1且小于或等于n/k的整数，g为大于或等于1且小于或等于m/r的整数。
在一些实施例中，根据部分发光区的电压状态参数确定多个发光区的电压状态参数，具体包括：
将每一发光组中第h列发光区列中的第s个子发光区列中的第g个发光区的电压状态参数，作为该发光组中所有发光区列中第s个子发光区列的发光区的电压状态参数；其中，s为大于或等于1且小于或等于r的整数。
在一些实施例中，获取多个发光区中的部分发光区的电压状态参数之前，方法还包括：
向发光区发送电压状态参数获取指令；
根据电压状态参数获取指令，确定发光区的电压状态参数。
在一些实施例中，向发光区发送电压状态参数获取指令，具体包括：
向每一驱动芯片发送电压状态参数获取指令；或者，向部分驱动芯片发送电压状态参数获取指令。
本申请实施例提供的一种发光基板，发光基板包括：多个发光区，以及控制单元；发光区包括：驱动芯片以及至少一个发光单元；驱动芯片的输出端口与发光单元电连接；控制单元与多个发光区包括的驱动芯片电连接；
控制单元用于：获取多个发光区中的部分发光区的电压状态参数，其中，发光区的电压状态参数为发光区包括的驱动芯片输出端口的电压状态参数；并根据部分发光区的电压状态参数确定多个发光区的电压状态参数。
在一些实施例中，多个发光区划分为：沿第一方向延伸且沿第二方向排列的m个发光区行，以及沿第二方向延伸且沿第一方向排列的n个发光区列；第一方向与第二方向交叉；m个发光区行划分为k个发光组；其中，m、n、k为整数，m、n大于1、m/k为大于1的整数；
控制单元用于获取多个发光区中的部分发光区的电压状态参数，具体包括：
控制单元获取每一发光组中位于不同发光区列的n个发光区的电压状态参数。
在一些实施例中，多个发光区划分为沿第二方向延伸且沿第一方向排列的n个发光区列，n为大于1的整数；第一方向与第二方向交叉；
控制单元用于获取多个发光区中的部分发光区的电压状态参数，具体包括：
控制单元获取部分发光区列中的至少部分发光区的电压状态参数。
本申请实施例提供的一种显示装置，包括：本申请实施例提供的发光基板，以及位于发光基板发光侧的显示面板。
综上所述，本申请实施例提供的发光基板及其驱动方法、显示装置，控制单元仅获取部分发光区的电压状态参数，可以减少控制单元获取电压状态参数的数量，进而可以减少控制单元获取电压状态参数的响应时长，降低发光基板功耗。并且，控制单元获取电压状态参数的数量减少，即控制单元存储的数据量减少，可以避免造成控制单元存储空间的浪费，还可以降低控制单元对电压状态参数进行处理的难度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种发光基板的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种发光基板的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种发光基板的驱动方法的流程示意图；
图4为本申请实施例提供的一种驱动芯片的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的又一种发光基板的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的又一种发光基板的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的又一种发光基板的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例的附图，对本申请实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本申请的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非另外定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本申请内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
本申请实施例提供了一种发光基板的驱动方法，如图1所示，发光基板包括：多个发光区1；如图2所示，发光区1包括：驱动芯片IC以及至少一个发光单元；如图3所示，发光基板的驱动方法包括：
S101、获取多个发光区中的部分发光区的电压状态参数；其中，如图4所示，发光区(未示出)的电压状态参数为发光区(未示出)包括的驱动芯片IC的输出端口OUT的电压状态参数；
S102、根据部分发光区的电压状态参数确定每一发光区的电压状态参数。
需要说明的是，通常情况，相邻发光区的驱动芯片输出端口的电压之间的差异较小。因此，本申请实施例，即便仅获取部分驱动芯片的电压状态参数，根据获取的部分电压状态参数来计算所有驱动芯片的电压状态参数，也不会导致计算的电压状态参数与实际电压状态参数差异较大，可以保证计算的所有驱动芯片的电压状态参数具有较高的准确率。
本申请实施例提供的发光基板的驱动方法，仅获取部分发光区的电压状态参数，可以减少获取的电压状态参数的数量，进而可以减少获取电压状态参数的响应时长，降低发光基板功耗。并且，获取电压状态参数的数量减少，即所需存储的数据量减少，可以避免造成存储空间的浪费，还可以降低对电压状态参数进行处理的难度。
为了便于对本申请进行理解，首先，将结合发光基板包括的各部分，对获取电压状态参数的目的进行简单介绍。
需要说明的是，图1中省略了发光区包括的发光单元。在具体实施时，一个发光区可以包括一个发光单元。或者，也可以如图2所示，发光区1包括多个发光单元101。图2以发光区1包括4个发光单元101为例进行举例说明。
在具体实施时，当一个发光区包括多个发光单元时，驱动芯片IC包括多个输出端口，输出端口的数量例如与发光单元的数量相同，驱动芯片IC通过输出端口向每一发光单元输出驱动信号。图1中以一个发光区1包括4个发光单元101为例进行举例说明，驱动芯片IC例如包括4个输出端口。
在一些实施例中，发光单元包括至少一个发光器件。在具体实施时，发光器件例如包括阳极、发光层以及阴极，阳极、发光层以及阴极之间具有叠层设置的区域。在一些实施例中，如图2所示，发光基板还包括：与控制单元2以及发光区1均电连接的电源模块5以及多条电源线6，电源模块5通过电源线6与发光区1电连接。电源模块例如通过电源线与各发光单元包括的至少一个发光器件的阳极电连接，电源模块向发光器件提供电源电压信号；驱动芯片的一个输出端口与一个发光单元包括的至少一个发光器件的阴极电连接，以向发光单元提供驱动信号。
在具体实施时，如图1所示，多个发光区1划分为：沿第一方向X延伸且沿第二方向Y排列的多个发光区行102，以及沿第一方向X排列且沿第二方向Y延伸多个发光区列103；第一方向X与第二方向Y交叉，图1中以第一方向X与第二方向Y垂直为例进行说明；发光基板还包括多条数据线3；一列发光区列103中的驱动芯片IC通过数据线3与控制单元2电连接；控制单元2通过数据线3获取部分发光区1的电压状态参数。
在具体实施时，如图4所示，驱动芯片IC还包括：供电端口V1，接地端口GND、以及地址端口DI、DO。供电端口用于接收工作电压，用于生成驱动信号，以控制相应发光单元的工作状态。接地端口用于接收公共电压信号。地址端口例如包括第一地址端口DI和第二地址端口DO，第一地址端口DI用于收地址信号，以用于选通相应地址的驱动芯片，第二地址端口DO用于输出中继信号，以向与该第二地址端口DO电连接的下一个驱动芯片的第一地址端口DI提供地址信号；数据线包括多个子数据线，多个子数据线包括连接控制单元和驱动芯片的第一地址端口DI的子数据线，多个子数据线还包括连接级联的两个驱动芯片中第二地址端口DO和第一地址端口DI的子数据线；地址端口还用于接收控制单元发出且经过数据线传输的信号，或还用于通过数据线向控制单元传输信号。但是，沿第二方向Y且沿远离控制单元方向上，电源线存在压降，可能导致发光器件阳极的电压存在波动，进而发光器件的阴极电压、驱动芯片输出端口的电压存在波动。驱动芯片的输出端口的电压值处于预设电压范围时驱动芯片才能正常工作，因此当驱动芯片输出端口的电压波动较大时，比如当输出端口的电压不在预设电压范围时，会导致驱动芯片无法正常工作。因此，发光区的电压参数状态即驱动芯片输出端口的电压参数状态可以反映发光器件阳极电压波动情况，从而可以根据所有发光区的电压状态参数对电源模块提供的电源电压进行调节，使得驱动芯片输出端口的电压处于预设电压范围以正常工作。
需要说明的是，图4中，以驱动芯片IC包括4个输出端口OUT0、OUT1、OUT2、OUT3为例进行举例说明。且图3中，仅示意了一种驱动芯片IC包括输出端口OUT、接地端口GND、以及地址端口DI、DO的位置关系，在具体实施时，可以根据实际需要设置输出端口OUT、接地端口GND、以及地址端口DI、DO的位置。
在一些实施例中，根据部分发光区的电压状态参数确定每一发光区的电压状态参数，具体包括：
根据预设算法对获取的部分电压状态参数进行计算，获得所有发光区的电压状态参数。
在具体实施时，可以根据所要获取的部分电压状态参数对应的发光区的位置，设置预设算法。
在一些实施例中，确定每一发光区的电压状态参数之后，还包括：
根据确定的每一发光区的电压状态参数，确定每一发光区的电源电压信号。
即本申请实施例提供的发光基板的驱动方法，通过确定的每一发光区的电压状态参数来调整每一发光区的电源电压信号，通过调整电源电压信号来对驱动芯片输出端口的电压进行调节，避免由于电源线存在压降导致发光器件阳极电压存在波动引起驱动芯片输出端口的电压存在波动而影响驱动芯片的正常工作。
在一些实施例中，获取多个发光区中的部分发光区的电压状态参数之前，还包括：
向发光区发送电压状态参数获取指令；
根据电压状态参数获取指令，确定发光区的电压状态参数。
在具体实施时，向发光区驱动芯片发送电压状态参数获取指令，具体包括向驱动芯片发送电压状态参数获取指令。根据电压状态参数获取指令，确定发光区的电压状态参数，具体包括：根据电压状态参数获取指令，确定输出端口的电压状态参数。
即本申请实施例提供的发光基板的驱动方法，向驱动芯片发送电压状态参数获取指令，驱动芯片接收电压状态参数获取指令后，根据电压状态参数获取指令，确定输出端口的电压状态参数；再获取部分驱动芯片确定的输出端口的电压状态参数，并根据部分发光区的电压状态参数确定多个发光区的电压状态参数。
在具体实施时，控制单元通过数据线向驱动芯片发送电压状态参数获取指令。
在一些实施例中，向发光区发送电压状态参数获取指令，具体包括：
向每一驱动芯片发送电压状态参数获取指令。
需要说明的是，即便向每一驱动芯片均发送电压状态参数获取指令，多个发光区包括的所有驱动芯片均根据电压状态参数获取指令确定输出端口的电压状态参数，但是，在获取电压状态参数时，仅获取多个发光区中的部分发光区的电压状态参数。
或者，在一些实施例中，向发光区发送电压状态参数获取指令，具体包括：
向部分驱动芯片发送电压状态参数获取指令。
本申请实施例提供的发光基板的驱动方法，仅向部分驱动芯片发送电压状态参数获取指令，即仅部分驱动芯片接收电压状态参数获取指令获取电压状态参数，其余驱动芯片未接收电压状态参数获取指令，无需获取其电压状态参数，可以节省功耗。
在一些实施例中，确定发光区的电压状态参数，具体包括：
获取驱动芯片的输出端口的输出电压；
将输出电压与预设输出电压范围进行比较；
若输出电压落入预设输出电压范围内，则确定发光区的电压状态参数为正常状态；
若输出电压小于预设输出电压范围的最小值，则确定发光区的电压状态参数为低压状态；
若输出电压大于预设输出电压范围的最大值，则确定发光区的电压状态参数为高压状态。
需要说明的是，输出电压落入预设输出电压范围内是指，输出电压大于或等于预设输出电压范围的最小值且小于或等于预设输出电压范围的最大值。
需要说明的是，当驱动芯片包括多个输出端口时，多个输出端口的输出电压相等。
在具体实施时，预设输出电压范围可以根据实际需要进行选择。
在具体实施时，接收电压状态参数获取指令，获取驱动芯片的输出端口的输出电压，并将输出电压与预设输出电压范围进行比较，确定并输出该驱动芯片的电压状态参数。
在具体实施时，可以通过不同电压值反映不同电压状态参数，例如，当确定发光区的电压状态参数为正常压状态参数时，驱动芯片输出第一电平信号，当确定发光区的电压状态参数为低压状态参数时，驱动芯片输出第二电平信号，当确定发光区的电压状态参数为高压状态参数时，驱动芯片输出第三电平信号。
接下来，对获取多个发光区中的部分发光区的电压状态参数进行举例介绍。
在一些实施例中，如图1所示，多个发光区1划分为：沿第一方向X延伸且沿第二方向Y排列的m个发光区行102，以及沿第二方向Y延伸且沿第一方向X排列的n个发光区列103；第一方向X与第二方向Y交叉；m个发光区行102划分为k个发光组104；其中，m、n、k为整数，m、n大于1、m/k为大于1的整数；
获取多个发光区中的部分发光区的电压状态参数，具体包括：
获取每一发光组中位于不同发光区列的n个发光区的电压状态参数。
需要说明的是，相关技术中，控制单元需要获取每一驱动芯片的电压状态参数，由于电压状态参数需要通过数据线传输，一条数据线与m个驱动芯片电连接，则控制单元需要m帧才能获取所有电压状态参数，m数值越大，控制单元获取电压状态参数的响应时长越长。以m＝10、帧频为120赫兹(Hz)为例，则控制单元获取电压状态参数的响应时长L1＝(1×1000/120)×m＝(1×1000/120)×10＝83.33毫秒(ms)。而本公开实施例提供的发光基板的驱动方法，由于将发光区划分为k个发光组，对于一条数据线，仅需要获得预期电连接的k个驱动芯片的电压状态参数，仍以帧频为120Hz为例，获取电压状态参数的响应时长L2＝(1×1000/120)×k，由于k<m，因此，L2小于L1，可以减少获取电压状态参数的响应时长。若m＝10，m/k取最小值，即m/k＝2，每两个发光区行作为一个发光组，相应的k＝5，则L2＝41.66ms，与现有技术相比，响应时长降低为现有技术的一半。m/k越大，k越小，则L2越小，控制单元的响应速度越快，即与现有技术相比，响应时长至少可以降低为现有技术的一半。具体实施时，可以根据电源线的参数、电源线的压降等确定k的取值。并且，以多个发光区划分为：m个发光区行、n个发光区列为例，相关技术中，控制单元需要获取m×n个电压状态参数，而本申请仅需要获取k×n个电压状态参数，获取电压状态参数的数量减少，即控制单元存储的数据量减少，可以避免造成控制单元存储空间的浪费，还可以降低控制单元对电压状态参数进行处理的难度。
本申请实施例提供的发光基板的驱动方法，获取每一发光组中位于不同发光区列的n个发光区的电压状态参数，可以在减少获取电压状态参数的数量的同时，使得获取的电压状态参数对应的发光区的位置分布均匀，提高确定所有发光区的电压状态参数的准确度。
在一些实施例中，获取每一发光组中位于不同发光区列的n个发光区的电压状态参数，具体包括：
获取每一发光组中的第i行发光区行中发光区的电压状态参数；其中，i为大于或等于1且小于或等于m/k的整数。
本申请实施例提供的发光基板的驱动方法，仅获取每一发光组中其中一行发光区行中发光区的电压状态参数，可以减少获取电压状态参数的数量，进而可以减少获取电压状态参数的响应时长。并且，获取电压状态参数的数量减少，即控制单元存储的数据量减少，可以避免造成控制单元存储空间的浪费，还可以降低控制单元对电压状态参数进行处理的难度。
需要说明的是，图1中以一个发光组104包括两个发光区行102为例进行举例说明，即m/k＝2。在具体实施时，以图1为例，例如，获取每一发光组中的第1行发光区行中发光区的电压状态参数。当然，在具体实施时，当一个发光组包括两个发光区行时，也可以是控制单元获取每一发光组中第2行发光区行中发光区的电压状态参数。
在具体实施时，当需要获取每一发光组中的第i行发光区行中发光区的电压状态参数时，可以向每一驱动芯片发送电压状态参数获取指令，每一驱动芯片根据电压状态参数获取指令确定输出端口的电压状态参数；或者，向每一发光组中的第i行发光区行中的驱动芯片发送电压状态参数获取指令，每一发光组中的第i行发光区行中的驱动芯片根据电压状态参数获取指令确定输出端口的电压状态参数。
或者，在一些实施例中，获取每一发光组中位于不同发光区列的n个发光区的电压状态参数，具体包括：
获取每一发光组中位于不同发光区列的m个发光区的电压状态参数，且m个发光区中任意相邻两个发光区位于不同发光区行。
本申请实施例提供的发光基板的驱动方法，获取的n个电压状态参数对应的发光区位于不完全相同的发光区行，从而获取的电压状态参数对应的驱动芯片的位置更加均匀，每一发光区行中均有驱动芯片的电压状态参数被获取，可以进一步提高计算获得的所有发光区的电压状态参数的准确度。
在具体实施时，以图5、图6为例，获取图5、图6中附图标记为1-M1～1-Mn的发光区1的电压状态参数，且每一发光组104中，m个发光区1-M1～1-Mn中任意相邻两个发光区1位于不同发光区行102。
需要说明的是，图5中以一个发光组104包括两个发光区行102为例进行举例说明，即m/k＝2。m个发光区1中，第奇数个发光区位于奇数行，第偶数个发光区位于偶数行，即对于所有发光区，第奇数个数据线仅传输奇数行发光区的电压状态参数，第偶数个数据线仅传输偶数行发光区的电压状态参数。或者，也可以是m个发光区1中，第奇数个发光区位于偶数行，第偶数个发光区位于奇数行，即对于所有发光区，第奇数个数据线仅传输偶数行发光区的电压状态参数，第偶数个数据线仅传输奇数行发光区的电压状态参数。
需要说明的是，仍以帧频为120Hz为例，如图5所示的发光基板，控制单元获取电压状态参数的响应时长L2＝(1×1000/120)×k，由于k<m，因此，L2小于现有技术的响应时长L1，可以减少控制单元获取电压状态参数的响应时长。若m＝10，m/k＝2，相应的k＝5，则L2＝41.66ms，相比于现有技术，仍可以减少一半响应时长。
在一些实施例中，发光组包括的发光区行数大于2；每一发光组中，m个发光区中任意相邻两个发光区之间间隔至少一个发光区行。
在具体实施时，以图6为例，获取图6中附图标记为1-M1～1-Mn的发光区1的电压状态参数，且每一发光组104中，m个发光区1-M1～1-Mn中任意相邻两个发光区1之间间隔至少一个发光区行102。
需要说明的是，由于相邻发光区的驱动芯片输出端口的电压之间的差异较小，当发光组包括的发光区行数大于2时，m个发光区中任意相邻两个发光区之间间隔至少一个发光区行，也不会导致计算的电压状态参数与实际电压状态参数差异较大，可以保证计算的所有驱动芯片的电压状态参数具有较高的准确率。当发光组包括的发光区行数m/k大于2时，相比于m/k＝2的情况，可以进一步减少获取电压状态参数的响应时长。即可以在保证计算的所有驱动芯片的电压状态参数具有较高的准确率的情况下，进一步减少获取电压状态参数的响应时长。
在一些实施例中，每一发光组中，m个发光区位于奇数行或偶数行。
在一些实施例中，如图6所示，m/k为偶数，每一发光组104中，m个发光区1(图6中附图标记为1-M1～1-Mn)位于奇数行。
需要说明的是，图6以一个发光组104包括四个发光区行102为例进行举例说明，即m/k＝4。且图6中每一发光组104中，m个发光区1(图6中附图标记为1-M1～1-Mn)位于奇数行。
需要说明的是，由于越远离控制单元电源线压降越严重，相应的，越远离控制单元的发光区包括的发光器件的阳极电压越容易出现波动，进而越远离控制单元的发光区包括的驱动芯片输出端口的电压越容易出现波动。本申请实施例提供的发光基板的驱动方法，m个发光区位于奇数行，最远离控制单元的发光区行中的部分发光区的电压状态参数传输至控制芯片，可以提高计算所有发光区的电压状态参数的准确率。
需要说明的是，仍以帧频为120Hz为例，如图6所示的发光基板，获取电压状态参数的响应时长L2＝(1×1000/120)×k，由于k<m，因此，L2小于现有技术的响应时长L1，可以减少获取电压状态参数的响应时长。当m/k＝4时，L2＝L1/4，相比于现有技术，仍可以减少3/4响应时长。
或者，在一些实施例中，m/k为偶数，每一发光组中，m个发光区位于偶数行。
在具体实施时，当需要获取每一发光组中的m个发光区的电压状态参数时，向每一驱动芯片发送电压状态参数获取指令，驱动芯片根据电压状态参数获取指令确定输出端口的电压状态参数；或者，向如图5、图6中附图标记为1-M1～1-Mn的发光区1中的驱动芯片IC发送电压状态参数获取指令，每一发光组中附图标记为1-M1～1-Mn的发光区1中的驱动芯片IC根据电压状态参数获取指令确定输出端口的电压状态参数。
在具体实施时，获取每一发光组中位于不同发光区列的n个发光区的电压状态参数，对于未获取电压状态参数的发光区，可以将与该发光区相邻或相近的发光区中已获取的电压状态参数作为该发光区的电压状态参数。
在一些实施例中，根据部分发光区的电压状态参数确定每一发光区的电压状态参数，具体包括：
每一发光组中，m个发光区中的第j个发光区的电压状态参数，作为该发光组中第j列发光区列中所有发光区的电压状态参数；其中，j为大于或等于1且小于或等于n的整数。
具体的，如图1所示，每一发光组104中，可以将第一行发光区行102中的第j个发光区的电压状态参数作为第二行发光区行102中的第j个发光区的电压状态参数。如图5所示，每一发光组104中，偶数行的第奇数个发光区1的电压状态参数等于奇数行的第奇数个发光区1的电压状态参数，奇数行的第偶数个发光区1的电压状态参数等于偶数行的第偶数个发光区1的电压状态参数。如图6所示，每一发光组104中，奇数列中各发光区1的电压状态参数等于该列的第1个发光区电压状态参数，偶数列中各发光区1的电压状态参数等于该列的第3个发光区电压状态参数。
在一些实施例中，如图7所示，多个发光区1划分为沿第二方向Y延伸且沿第一方向X排列的n个发光区列，n为大于1的整数；第一方向X与第二方向Y交叉；
获取多个发光区中的部分发光区的电压状态参数，具体包括：
获取部分发光区列中的至少部分发光区的电压状态参数。
本申请实施例提供的发光基板的驱动方法，仅获取部分发光区列中至少部分发光区的电压状态参数，其余发光区列中发光区的电压状态参数不获取，从而可以减少获取的电压状态参数的数量，进而可以减少获取电压状态参数的响应时长，降低发光基板功耗。获取的电压状态参数的数量减少，即存储的数据量减少，可以避免造成存储空间的浪费，还可以降低对电压状态参数进行处理的难度。并且，由于电压线压降发生在其延伸方向上即第二方向，在第一方向上，相邻两个发光区中驱动芯片输出端口不容易出现电压差异，因此即便仅获取部分发光区列中的电压状态参数也不会对计算全部电压状态参数的准确度造成较大影响。
在一些实施例中，获取部分发光区列中的至少部分发光区的电压状态参数，具体包括：
获取部分发光区列中的所有发光区的电压状态参数。
或者，在一些实施例中，获取部分发光区列中的至少部分发光区的电压状态参数，具体包括：
获取部分发光区列中的部分发光区的电压状态参数。
从而可以进一步减少控制单元获取电压状态参数的响应时长，降低发光基板功耗。
在一些实施例中，如图7所示，n个发光区列103划分为k个发光组104；每一发光区列103划分为r个子发光区列1031，子发光区列1031包括至少2个发光区1；多个发光区1划分为：沿第一方向X延伸且沿第二方向Y排列的m个发光区行102；其中，k为正整数，m、n/k、m/r为大于1的正整数；
获取部分发光区列中的至少部分发光区的电压状态参数，具体包括：
获取每一发光组中第h列发光区列中每一子发光区列中的第g个发光区的电压状态参数；
其中，h为大于或等于1且小于或等于n/k的整数，g为大于或等于1且小于或等于m/r的整数。
需要说明的是，图7中以n/k＝m/r＝2为例，即每一发光组104包括2个发光区列103，每一子发光区列1031包括两个发光区1。h＝g＝1，即控制单元2获取每一发光组104中第1列发光区列103中每一子发光区列1031中的第1个发光区1-r1的电压状态参数。当然，在具体实施时，也可以是控制单元获取每一发光组中第1列发光区列中每一子发光区列中的第2个发光区的电压状态参数，或者，也可以是控制单元获取每一发光组中第2列发光区列中每一子发光区列中的第1个发光区的电压状态参数，或者，也可以是控制单元获取每一发光组中第2列发光区列中每一子发光区列中的第2个发光区的电压状态参数。
在具体实施时，k越小、m/r越大，控制单元获取的电压状态参数的数量越少，响应时长越短，响应速度越快，且越有利于降低功耗。在具体实施时，k最小可以等于1，即n个发光区列即为1个发光组。但为了提高控制单元计算多个发光区的电压状态参数的准确度，使得获取的电压状态参数对应的发光区均匀分布，可以设置为k大于1。在具体实施时，k、r的数量可以根据实际需要进行选择。
在一些实施例中，根据部分发光区的电压状态参数确定多个发光区的电压状态参数，具体包括：
将每一发光组中第h列发光区列中的第s个子发光区列中的第g个发光区的电压状态参数，作为该发光组中所有发光区列中第s个子发光区列的发光区的电压状态参数；其中，s为大于或等于1且小于或等于r的整数。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种发光基板，如图1所示，发光基板包括：多个发光区1，以及控制单元2；发光区1包括：驱动芯片IC以及至少一个发光单元(未示出)；驱动芯片IC的输出端口与发光单元(未示出)电连接；控制单元2与多个发光区1包括的驱动芯片IC电连接；
如图2所示，控制单元2用于：获取多个发光区1中的部分发光区1的电压状态参数，其中，发光区1的电压状态参数为发光区1包括的驱动芯片IC输出端口的电压状态参数；并根据部分发光区1的电压状态参数确定多个发光区1的电压状态参数。
本申请实施例提供的发光基板，控制单元仅获取部分发光区的电压状态参数，可以减少控制单元获取电压状态参数的数量，进而可以减少控制单元获取电压状态参数的响应时长，提高响应速度，降低发光基板功耗。并且，控制单元获取电压状态参数的数量减少，即控制单元存储的数据量减少，可以避免造成控制单元存储空间的浪费，还可以降低控制单元对电压状态参数进行处理的难度。
需要说明的是，图1中省略了发光区包括的发光单元。在具体实施时，一个发光区可以包括一个发光单元。或者，也可以如图2所示，发光区1包括多个发光单元101。图2以发光区1包括4个发光单元101为例进行举例说明。
在具体实施时，当一个发光区包括多个发光单元时，驱动芯片IC包括多个输出端口，输出端口的数量例如与发光单元的数量相同，驱动芯片IC通过输出端口向每一发光单元输出驱动信号。图1中以一个发光区1包括4个发光单元101为例进行举例说明，驱动芯片IC例如包括4个输出端口。
在一些实施例中，发光单元包括至少一个发光器件。即发光单元可以仅包括一个发光器件，也可以包括多个发光器件。当发光单元包括多个发光器件时，多个发光器件可以串联也可以并联。
在一些实施例中，发光器件为微尺寸无机发光二极管器件。
在具体实施时，微尺寸无机发光二极管例如为迷你发光二极管(Mini LightEmitting Diode，Mini-LED)或微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)。Mini-LED、Micro-LED的尺寸小且亮度高，可以大量应用于显示装置或其背光模组中。例如，Micro-LED的典型尺寸(例如长度)小于100微米，例如10微米～80微米；Mini-LED的典型尺寸(例如长度)为80微米～350微米，例如80微米～120微米。
在具体实施时，发光器件例如包括阳极、发光层以及阴极，阳极、发光层以及阴极之间具有叠层设置的区域。在一些实施例中，如图2所示，发光基板还包括：与控制单元2以及发光区1均电连接的电源模块5以及多条电源线6，电源模块5通过电源线6与发光区1电连接。电源模块例如通过电源线与各发光单元包括的至少一个发光器件的阳极电连接，电源模块向发光器件提供电源电压信号；驱动芯片的一个输出端口与一个发光单元包括的至少一个发光器件的阴极电连接，以向发光单元提供驱动信号。
在具体实施时，如图1所示，多个发光区1划分为：沿第一方向X延伸且沿第二方向Y排列的多个发光区行102，以及沿第一方向X排列且沿第二方向Y延伸多个发光区列103；第一方向X与第二方向Y交叉，图1中以第一方向X与第二方向Y垂直为例进行说明；发光基板还包括多条数据线3；一列发光区列103中的驱动芯片IC通过数据线3与控制单元2电连接；控制单元2通过数据线3获取部分发光区1的电压状态参数。
在具体实施时，如图4所示，驱动芯片IC还包括：供电端口V1，接地端口GND、以及地址端口DI、DO。
在一些实施例中，控制单元包括数据处理电路，数据处理电路用于：根据预设算法对获取的部分电压状态参数进行计算，获得所有发光区的电压状态参数。
在具体实施时，可以根据所要获取的部分电压状态参数对应的发光区的位置，设置预设算法。
在一些实施例中，电源模块还用于：接收控制单元确定的每一发光区的电压状态参数，并根据每一发光区的电压状态参数确定每一发光区的电源电压信号。
在具体实施时，电源模块通过电源信号线向发光单元提供电源电压信号。
即电源模块根据控制单元确定的每一发光区的电压状态参数来调整每一发光区的电源电压信号，通过调整电源电压信号来对驱动芯片输出端口的电压进行调节，避免由于电源线存在压降导致发光器件阳极电压存在波动引起驱动芯片输出端口的电压存在波动而影响驱动芯片的正常工作。
在具体实施时，例如，数据处理电路的输出端与电源模块电连接，从而电源模块可以接收数据处理电路的输出端输出的每一发光区的电压状态参数。
在一些实施例中，控制单元还用于：向驱动芯片发送电压状态参数获取指令；
驱动芯片用于：根据电压状态参数获取指令，确定输出端口的电压状态参数。
即本申请实施例提供的发光基板，控制单元向驱动芯片发送电压状态参数获取指令，驱动芯片接收电压状态参数获取指令后，根据电压状态参数获取指令，确定输出端口的电压状态参数；控制单元获取部分驱动芯片确定的输出端口的电压状态参数，并根据部分发光区的电压状态参数确定多个发光区的电压状态参数。
在具体实施时，控制单元通过数据线向驱动芯片发送电压状态参数获取指令。
在一些实施例中，控制单元向驱动芯片发送电压状态参数获取指令，具体包括：
控制单元向每一驱动芯片发送电压状态参数获取指令。
需要说明的是，即便控制单元向每一驱动芯片均发送电压状态参数获取指令，多个发光区包括的所有驱动芯片均根据电压状态参数获取指令确定输出端口的电压状态参数，但是，控制单元在获取电压状态参数时，仅获取多个发光区中的部分发光区的电压状态参数。
或者，在一些实施例中，控制单元向驱动芯片发送电压状态参数获取指令，具体包括：
控制单元向部分驱动芯片发送电压状态参数获取指令。
本申请实施例提供的发光基板，控制单元向部分驱动芯片发送电压状态参数获取指令，即仅部分驱动芯片接收电压状态参数获取指令获取电压状态参数，其余驱动芯片未接收电压状态参数获取指令，无需获取其电压状态参数，可以节省功耗。
在一些实施例中，驱动芯片用于确定发光区的电压状态参数，具体包括：
获取驱动芯片的输出端口的输出电压；
将输出电压与预设输出电压范围进行比较；
若输出电压落入预设输出电压范围内，则确定发光区的电压状态参数为正常状态参数；
若输出电压小于预设输出电压范围的最小值，则确定发光区的电压状态参数为低压状态参数；
若输出电压大于预设输出电压范围的最大值，则确定发光区的电压状态参数为高压状态参数。
需要说明的是，输出电压落入预设输出电压范围内是指，输出电压大于或等于预设输出电压范围的最小值且小于或等于预设输出电压范围的最大值。
需要说明的是，当驱动芯片包括多个输出端口时，多个输出端口的输出电压相等。
在具体实施时，预设输出电压范围可以根据实际需要进行选择。
在具体实施时，驱动芯片例如包括电压状态参数确定电路，电压状态参数确定电路与地址端口电连接，电压状态参数确定电路用于：接收电压状态参数获取指令，获取驱动芯片的输出端口的输出电压，并将输出电压与预设输出电压范围进行比较，确定并输出该驱动芯片的电压状态参数。
在具体实施时，可以通过不同电压值反映不同电压状态参数，例如，当确定发光区的电压状态参数为正常压状态参数时，驱动芯片输出第一电平信号，当确定发光区的电压状态参数为低压状态参数时，驱动芯片输出第二电平信号，当确定发光区的电压状态参数为高压状态参数时，驱动芯片输出第三电平信号。
接下来，对控制单元获取多个发光区中的部分发光区的电压状态参数进行举例介绍。
在一些实施例中，如图1、图5、图6所示，多个发光区1划分为：沿第一方向X延伸且沿第二方向Y排列的m个发光区行102，以及沿第二方向Y延伸且沿第一方向X排列的n个发光区列103；m个发光区行102划分为k个发光组104；其中，m、n、k为整数，m、n大于1，m/k为大于1的整数；
控制单元2用于获取多个发光区1中的部分发光区1的电压状态参数，具体包括：
控制单元2获取每一发光组104中位于不同发光区列103的n个发光区1的电压状态参数。
需要说明的是，相关技术中，控制单元需要获取每一驱动芯片的电压状态参数，由于电压状态参数需要通过数据线传输，一条数据线与m个驱动芯片电连接，则控制单元需要m帧才能获取所有电压状态参数，m数值越大，控制单元获取电压状态参数的响应时长越长。以m＝10、帧频为120赫兹(Hz)为例，则控制单元获取电压状态参数的响应时长L1＝(1×1000/120)×m＝(1×1000/120)×10＝83.33毫秒(ms)。而本公开实施例提供的发光基板，由于将发光区划分为k个发光组，对于一条数据线，仅需要获得预期电连接的k个驱动芯片的电压状态参数，仍以帧频为120Hz为例，控制单元获取电压状态参数的响应时长L2＝(1×1000/120)×k，由于k<m，因此，L2小于L1，可以减少控制单元获取电压状态参数的响应时长。若m＝10，m/k取最小值，即m/k＝2，每两个发光区行作为一个发光组，相应的k＝5，则L2＝41.66ms，与现有技术相比，响应时长降低为现有技术的一半。m/k越大，k越小，则L2越小，控制单元的响应速度越快，即本申请实施例提供的发光基板，与现有技术相比，响应时长至少可以降低为现有技术的一半。具体实施时，可以根据电源线的参数、电源线的压降等确定k的取值。并且，以多个发光区划分为：m个发光区行、n个发光区列为例，相关技术中，控制单元需要获取m×n个电压状态参数，而本申请仅需要获取k×n个电压状态参数，本申请实施例提供的发光基板，控制单元获取电压状态参数的数量减少，即控制单元存储的数据量减少，可以避免造成控制单元存储空间的浪费，还可以降低控制单元对电压状态参数进行处理的难度。
本申请实施例提供的发光基板，控制单元获取每一发光组中位于不同发光区列的n个发光区的电压状态参数，可以在减少控制单元获取电压状态参数的数量的同时，使得控制单元获取的电压状态参数对应的发光区的位置分布均匀，提高控制单元计算所有发光区的电压状态参数的准确度。
在一些实施例中，如图1所示，控制单元2获取每一发光组104中位于不同发光区列103的n个发光区的电压状态参数，具体包括：
控制单元2获取每一发光组104中的第i行发光区行102-i中发光区1的电压状态参数；其中，i为大于或等于1且小于或等于m/k的整数。
本申请实施例提供的发光基板，控制单元仅获取每一发光组中其中一行发光区行中发光区的电压状态参数，可以减少控制单元获取电压状态参数的数量，进而可以减少控制单元获取电压状态参数的响应时长。并且，控制单元获取电压状态参数的数量减少，即控制单元存储的数据量减少，可以避免造成控制单元存储空间的浪费，还可以降低控制单元对电压状态参数进行处理的难度。
需要说明的是，图1中以一个发光组104包括两个发光区行102为例进行举例说明，即m/k＝2。在具体实施时，例如，控制单元2获取每一发光组104中的第1行发光区行102-1中发光区1的电压状态参数。当然，在具体实施时，当一个发光组包括两个发光区行时，也可以是控制单元获取每一发光组中第2行发光区行中发光区的电压状态参数。
在具体实施时，当控制单元需要获取每一发光组中的第i行发光区行中发光区的电压状态参数时，控制单元向每一驱动芯片发送电压状态参数获取指令，每一驱动芯片根据电压状态参数获取指令确定输出端口的电压状态参数；或者，控制单元向每一发光组中的第i行发光区行中的驱动芯片发送电压状态参数获取指令，每一发光组中的第i行发光区行中的驱动芯片根据电压状态参数获取指令确定输出端口的电压状态参数。
或者，在一些实施例中，如图5、图6所示，控制单元2获取每一发光组104中位于不同发光区列103的n个发光区1的电压状态参数，具体包括：
控制单元2获取每一发光组104中位于不同发光区列103的m个发光区1(图6、图6中附图标记为1-M1～1-Mn)的电压状态参数，且每一发光组104中，m个发光区1(图6、图6中附图标记为1-M1～1-Mn)中任意相邻两个发光区1位于不同发光区行102。
本申请实施例提供的发光基板，控制单元获取的n个电压状态参数对应的发光区位于不完全相同的发光区行，从而获取的电压状态参数对应的驱动芯片的位置更加均匀，每一发光区行中均有驱动芯片的电压状态参数被获取，可以进一步提高计算获得的所有发光区的电压状态参数的准确度。
需要说明的是，图5中以一个发光组104包括两个发光区行102为例进行举例说明，即m/k＝2。m个发光区1中，第奇数个发光区位于奇数行，第偶数个发光区位于偶数行，即对于所有发光区，第奇数个数据线仅传输奇数行发光区的电压状态参数，第偶数个数据线仅传输偶数行发光区的电压状态参数。或者，也可以是m个发光区1中，第奇数个发光区位于偶数行，第偶数个发光区位于奇数行，即对于所有发光区，第奇数个数据线仅传输偶数行发光区的电压状态参数，第偶数个数据线仅传输奇数行发光区的电压状态参数。
需要说明的是，仍以帧频为120Hz为例，如图5所示的发光基板，控制单元获取电压状态参数的响应时长L2＝(1×1000/120)×k，由于k<m，因此，L2小于现有技术的响应时长L1，可以减少控制单元获取电压状态参数的响应时长。若m＝10，m/k＝2，相应的k＝5，则L2＝41.66ms，相比于现有技术，仍可以减少一半响应时长。
在一些实施例中，发光组包括的发光区行数大于2；如图6所示，每一发光组104中，m个发光区1(图6中附图标记为1-M1～1-Mn)中任意相邻两个发光区1之间间隔至少一个发光区行102。
需要说明的是，由于相邻发光区的驱动芯片输出端口的电压之间的差异较小，当发光组包括的发光区行数大于2时，m个发光区中任意相邻两个发光区之间间隔至少一个发光区行，也不会导致计算的电压状态参数与实际电压状态参数差异较大，可以保证计算的所有驱动芯片的电压状态参数具有较高的准确率。当发光组包括的发光区行数m/k大于2时，相比于m/k＝2的情况，可以进一步减少控制单元获取电压状态参数的响应时长。即本申请实施例提供的发光基板，可以在保证计算的所有驱动芯片的电压状态参数具有较高的准确率的情况下，进一步减少控制单元获取电压状态参数的响应时长。
在一些实施例中，如图6所示，m/k为偶数，每一发光组104中，m个发光区1(图6中附图标记为1-M1～1-Mn)位于奇数行。
需要说明的是，图6以一个发光组104包括四个发光区行102为例进行举例说明，即m/k＝4。且图6中每一发光组104中，m个发光区1(图6中附图标记为1-M1～1-Mn)位于奇数行。
需要说明的是，由于越远离控制单元电源线压降越严重，相应的，越远离控制单元的发光区包括的发光器件的阳极电压越容易出现波动，进而越远离控制单元的发光区包括的驱动芯片输出端口的电压越容易出现波动。本申请实施例提供的发光基板，m个发光区位于奇数行，最远离控制单元的发光区行中的部分发光区的电压状态参数传输至控制芯片，可以提高控制单元计算所有发光区的电压状态参数的准确率。
需要说明的是，仍以帧频为120Hz为例，如图6所示的发光基板，控制单元获取电压状态参数的响应时长L2＝(1×1000/120)×k，由于k<m，因此，L2小于现有技术的响应时长L1，可以减少控制单元获取电压状态参数的响应时长。当m/k＝4时，L2＝L1/4，相比于现有技术，仍可以减少3/4响应时长。
或者，在一些实施例中，m/k为偶数，每一发光组中，m个发光区位于偶数行。
在具体实施时，当控制单元需要获取每一发光组中的m个发光区的电压状态参数时，控制单元向每一驱动芯片发送电压状态参数获取指令，驱动芯片根据电压状态参数获取指令确定输出端口的电压状态参数；或者，控制单元向如图5、图6中附图标记为1-M1～1-Mn的发光区1中的驱动芯片IC发送电压状态参数获取指令，每一发光组中附图标记为1-M1～1-Mn的发光区1中的驱动芯片IC根据电压状态参数获取指令确定输出端口的电压状态参数。
在具体实施时，控制单元获取每一发光组中位于不同发光区列的n个发光区的电压状态参数，对于未获取电压状态参数的发光区，可以将与该发光区相邻或相近的发光区中已获取的电压状态参数作为该发光区的电压状态参数。
在一些实施例中，控制单元用于根据部分发光区的电压状态参数确定每一发光区的电压状态参数，具体包括：
每一发光组中，m个发光区中的第j个发光区的电压状态参数，作为该发光组中第j列发光区列中所有发光区的电压状态参数；其中，j为大于或等于1且小于或等于n的整数。
具体的，如图1所示，每一发光组104中，可以将第一行发光区行102中的第j个发光区的电压状态参数作为第二行发光区行102中的第j个发光区的电压状态参数。如图5所示，每一发光组104中，偶数行的第奇数个发光区1的电压状态参数等于奇数行的第奇数个发光区1的电压状态参数，奇数行的第偶数个发光区1的电压状态参数等于偶数行的第偶数个发光区1的电压状态参数。如图6所示，每一发光组104中，奇数列中各发光区1的电压状态参数等于该列的第1个发光区电压状态参数，偶数列中各发光区1的电压状态参数等于该列的第3个发光区电压状态参数。
需要说明的是，图1、图5、图6以控制单元获取每一发光区列中的部分发光区的电压状态参数为例进行举例说明。当然，在具体实施时，也可以设置为控制单元仅获取部分发光区列中的电压状态参数。
在一些实施例中，如图7所示，多个发光区1划分为沿第二方向Y延伸且沿第一方向X排列的n个发光区列103，n为大于1的整数；
控制单元2用于获取多个发光区1中的部分发光区1的电压状态参数，具体包括：
控制单元2获取部分发光区列103中的至少部分发光区的电压状态参数。
本申请实施例提供的发光基板，控制单元仅获取部分发光区列中至少部分发光区的电压状态参数，其余发光区列中发光区的电压状态参数不获取，从而可以减少控制单元获取电压状态参数的数量，进而可以减少控制单元获取电压状态参数的响应时长，降低发光基板功耗。控制单元获取电压状态参数的数量减少，即控制单元存储的数据量减少，可以避免造成控制单元存储空间的浪费，还可以降低控制单元对电压状态参数进行处理的难度。并且，由于电源线压降发生在其延伸方向上即第二方向，在第一方向上，相邻两个发光区中驱动芯片输出端口不容易出现电压差异，因此即便仅获取部分发光区列中的电压状态参数也不会对控制单元计算全部电压状态参数的准确度造成较大影响。
在一些实施例中，控制单元获取部分发光区列中的所有发光区的电压状态参数。
或者，在一些实施例中，控制单元获取部分发光区列中的部分发光区的电压状态参数。从而可以进一步减少控制单元获取电压状态参数的响应时长，降低发光基板功耗。
在一些实施例中，如图7所示，n个发光区列103划分为k个发光组104；每一发光区列103划分为r个子发光区列1031，子发光区列1031包括至少2个发光区1；多个发光区1划分为：沿第一方向X延伸且沿第二方向Y排列的m个发光区行102；其中，k为正整数，m、n/k、m/r为大于1的正整数；
控制单元2获取部分发光区列103中的至少部分发光区1的电压状态参数，具体包括：
获取每一发光组104中第h列发光区列103中每一子发光区列1031中的第g个发光区的电压状态参数；
其中，h为大于或等于1且小于或等于n/k的整数，g为大于或等于1且小于或等于m/r的整数。
需要说明的是，图7中以n/k＝m/r＝2为例，即每一发光组104包括2个发光区列103，每一子发光区列1031包括两个发光区1。h＝g＝1，即控制单元2获取每一发光组104中第1列发光区列103中每一子发光区列1031中的第1个发光区1-r1的电压状态参数。当然，在具体实施时，也可以是控制单元获取每一发光组中第1列发光区列中每一子发光区列中的第2个发光区的电压状态参数，或者，也可以是控制单元获取每一发光组中第2列发光区列中每一子发光区列中的第1个发光区的电压状态参数，或者，也可以是控制单元获取每一发光组中第2列发光区列中每一子发光区列中的第2个发光区的电压状态参数。
在具体实施时，k越小、m/r越大，控制单元获取的电压状态参数的数量越少，响应时长越短，响应速度越快，且越有利于降低功耗。在具体实施时，k最小可以等于1，即n个发光区列即为1个发光组。但为了提高控制单元计算多个发光区的电压状态参数的准确度，使得获取的电压状态参数对应的发光区均匀分布，可以设置为k大于1。在具体实施时，k、r的数量可以根据实际需要进行选择。
在一些实施例中，控制单元用于根据部分发光区的电压状态参数确定多个发光区的电压状态参数，具体包括：
将每一发光组中第h列发光区列中的第s个子发光区列中的第g个发光区的电压状态参数，作为该发光组中所有发光区列中第s个子发光区列的发光区的电压状态参数；其中，s为大于或等于1且小于或等于r的整数。
本申请实施例提供的一种显示装置，包括：本申请实施例提供的发光基板，以及位于发光基板发光侧的显示面板。
即发光基板作为显示装置的背光源。
本申请实施例提供的显示装置，发光基板包括的控制单元仅获取部分发光区的电压状态参数，可以减少控制单元获取电压状态参数的数量，进而可以减少控制单元获取电压状态参数的响应时长，降低发光基板功耗。并且，控制单元获取电压状态参数的数量减少，即控制单元存储的数据量减少，可以避免造成控制单元存储空间的浪费，还可以降低控制单元对电压状态参数进行处理的难度。
在一些实施例中，显示面板为液晶显示面板，包括：相对设置的阵列基板和对向基板，以及位于阵列基板和对向基板之间的液晶层。例如，阵列基板包括多个子像素单元，每一子像素单元包括薄膜晶体管以及像素电极；对向基板包括与子像素单元一一对应的彩色色阻；阵列基板或对向基板还包括公共电极。
本申请实施例提供的显示装置为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本申请的限制。该显示装置的实施可以参见上述发光基板的实施例，重复之处不再赘述。
综上所述，本申请实施例提供的发光基板及其驱动方法、显示装置，控制单元仅获取部分发光区的电压状态参数，可以减少控制单元获取电压状态参数的数量，进而可以减少控制单元获取电压状态参数的响应时长，降低发光基板功耗。并且，控制单元获取电压状态参数的数量减少，即控制单元存储的数据量减少，可以避免造成控制单元存储空间的浪费，还可以降低控制单元对电压状态参数进行处理的难度。
本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或确定机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有确定机可用程序代码的确定机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器和光学存储器等)上实施的确定机程序产品的形式。
本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和确定机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由确定机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些确定机程序指令到通用确定机、专用确定机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过确定机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些确定机程序指令也可存储在能引导确定机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的确定机可读存储器中，使得存储在该确定机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些确定机程序指令也可装载到确定机或其他可编程数据处理设备上，使得在确定机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生确定机实现的处理，从而在确定机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (16)

1.一种发光基板的驱动方法，其特征在于，所述发光基板包括：多个发光区；所述发光区包括：驱动芯片以及至少一个发光单元；所述方法包括：
获取所述多个发光区中的部分所述发光区的电压状态参数；其中，所述发光区的电压状态参数为所述发光区包括的所述驱动芯片的输出端口的电压状态参数；
根据部分所述发光区的所述电压状态参数确定每一所述发光区的电压状态参数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个发光区划分为：沿第一方向延伸且沿第二方向排列的m个发光区行，以及沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排列的n个发光区列；所述第一方向与所述第二方向交叉；所述m个发光区行划分为k个发光组；其中，m、n、k为整数，m、n大于1、m/k为大于1的整数；
获取所述多个发光区中的部分所述发光区的电压状态参数，具体包括：
获取每一所述发光组中位于不同所述发光区列的n个所述发光区的所述电压状态参数。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，获取每一所述发光组中位于不同所述发光区列的n个所述发光区的所述电压状态参数，具体包括：
获取每一所述发光组中的第i行所述发光区行中所述发光区的电压状态参数；其中，i为大于或等于1且小于或等于m/k的整数。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，获取每一所述发光组中位于不同所述发光区列的n个所述发光区的所述电压状态参数，具体包括：
获取每一所述发光组中位于不同所述发光区列的m个所述发光区的电压状态参数，且m个所述发光区中任意相邻两个所述发光区位于不同所述发光区行。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，每一所述发光组中，m个所述发光区中任意相邻两个所述发光区之间间隔至少一个所述发光区行。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，每一所述发光组中，m个所述发光区位于奇数行或偶数行。
7.根据权利要求2～6任一项所述的方法，其特征在于，根据部分所述发光区的所述电压状态参数确定所述多个发光区的电压状态参数，具体包括：
每一所述发光组中，m个所述发光区中的第j个所述发光区的电压状态参数，作为该所述发光组中第j列所述发光区列中所有所述发光区的电压状态参数；其中，j为大于或等于1且小于或等于n的整数。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个发光区划分为沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排列的n个发光区列，n为大于1的整数；所述第一方向与所述第二方向交叉；
获取所述多个发光区中的部分所述发光区的电压状态参数，具体包括：
获取部分所述发光区列中的至少部分所述发光区的电压状态参数。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述n个发光区列划分为k个发光组；每一所述发光区列划分为r个子发光区列，所述子发光区列包括至少2个所述发光区；所述多个发光区划分为：沿第一方向延伸且沿第二方向排列的m个发光区行；其中，k为正整数，m、n/k、m/r为大于1的正整数；
获取部分所述发光区列中的至少部分所述发光区的电压状态参数，具体包括：
获取每一所述发光组中第h列所述发光区列中每一子发光区列中的第g个所述发光区的电压状态参数；
其中，h为大于或等于1且小于或等于n/k的整数，g为大于或等于1且小于或等于m/r的整数。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，根据部分所述发光区的所述电压状态参数确定所述多个发光区的电压状态参数，具体包括：
将每一所述发光组中第h列所述发光区列中的第s个子发光区列中的第g个所述发光区的电压状态参数，作为该所述发光组中所有所述发光区列中第s个子发光区列的所述发光区的电压状态参数；其中，s为大于或等于1且小于或等于r的整数。
11.根据权利要求1～6、8～10任一项所述的方法，其特征在于，获取所述多个发光区中的部分所述发光区的电压状态参数之前，所述方法还包括：
向所述驱动芯片发送电压状态参数获取指令；
所述驱动芯片根据所述电压状态参数获取指令，确定所述发光区的电压状态参数。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，向所述发光区发送电压状态参数获取指令，具体包括：
向每一所述驱动芯片发送电压状态参数获取指令；或者，向部分所述驱动芯片发送电压状态参数获取指令。
13.一种发光基板，其特征在于，所述发光基板包括：多个发光区，以及控制单元；所述发光区包括：驱动芯片以及至少一个发光单元；所述驱动芯片的输出端口与所述发光单元电连接；所述控制单元与所述多个发光区包括的所述驱动芯片电连接；
所述控制单元用于：获取所述多个发光区中部分所述发光区的电压状态参数，其中，所述发光区的电压状态参数为所述发光区包括的所述驱动芯片输出端口的电压状态参数；根据部分所述发光区的所述电压状态参数确定所述多个发光区的电压状态参数。
14.根据权利要求13所述的发光基板，其特征在于，所述多个发光区划分为：沿第一方向延伸且沿第二方向排列的m个发光区行，以及沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排列的n个发光区列；所述第一方向与所述第二方向交叉；所述m个发光区行划分为k个发光组；其中，m、n、k为整数，m、n大于1、m/k为大于1的整数；
所述控制单元用于获取所述多个发光区中部分所述发光区的电压状态参数，具体包括：
所述控制单元获取每一所述发光组中位于不同所述发光区列的n个所述发光区的所述电压状态参数。
15.根据权利要求13所述的发光基板，其特征在于，所述多个发光区划分为沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排列的n个发光区列，n为大于1的整数；所述第一方向与所述第二方向交叉；
所述控制单元用于获取所述多个发光区中的部分所述发光区的电压状态参数，具体包括：
所述控制单元获取部分所述发光区列中的至少部分所述发光区的电压状态参数。
16.一种显示装置，其特征在于，包括：根据权利要求13～15任一项所述的发光基板，以及位于所述发光基板发光侧的显示面板。
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