CN116573711A - 一种聚吲哚-蒙脱石复合体及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及环境治理技术领域，尤其涉及一种聚吲哚‑蒙脱石复合体及其制备方法和应用。制备方法包括如下步骤：使用三氯化铁对蒙脱石进行阳离子饱和处理，制备三价铁离子交换的蒙脱石Fe3+‑mmt；配制吲哚水溶液；将Fe3+‑mmt加入至吲哚水溶液中，使吲哚分子在蒙脱石层间原位聚合生成聚吲哚，得到聚吲哚‑蒙脱石复合本体；使用季铵盐阳离子表面活性剂对聚吲哚‑蒙脱石复合本体进行有机改性，得到聚吲哚‑蒙脱石复合体。本发明公开了一种在蒙脱石层间原位合成二维聚吲哚的方法，还公开了利用Pind‑mmt高效稳定产生水合电子降解全氟化合物，且不受水体溶解氧和pH影响的方法，对于应对PFASs环境污染具有重要意义。
Description
技术领域
本发明涉及环境治理技术领域，尤其涉及一种聚吲哚-蒙脱石复合体及其制备方法和应用。
背景技术
全氟化合物（Perfluoroalkyl substances， PFASs）是一类具有重要应用价值的含氟有机化合物，由于具有疏油、疏水特性，广泛应用于工业和民用领域。许多PFASs具有持久性有机污染物（POPs）的特性，对生态系统和人类健康造成严重威胁。PFASs分子的C-F键极性强，键能高，极难断裂，常规的水处理技术无法将其降解，因此亟须开发能够高效降解PFASs的方法。
水合电子还原是近年来新兴的一种高级还原技术，可有效降解PFASs。水合电子（eaq -）的氧化还原电位为-2.9 V，在降解PFASs方面具有独特优势，如：具有高效性、普适性和脱氟彻底等优点。但是，水合电子还原法还存在局限。一方面，母体物质在产生水合电子后，性质和结构发生变化，不能再产生水合电子，因此水合电子产率不高，母体消耗大；另一方面，水合电子活性强，极易被水体中的O2和H+淬灭，导致反应体系大多需要控制在厌氧和碱性条件。因此，需要探寻新的反应机制以克服其局限。
发明内容
本发明提供一种聚吲哚-蒙脱石复合体及其制备方法和应用，用以解决现有利用水合电子还原降解PFASs的方法中存在的上述问题。本发明以光生水合电子能力较强的吲哚为母体，在蒙脱石层间原位聚合生成具有二维聚吲哚结构的聚吲哚-蒙脱石复合体，并将聚吲哚光生水合电子降解PFASs的反应放在蒙脱石层间进行，同步实现提高水合电子产率和保护水合电子不被淬灭，从而克服水合电子还原法的局限，提升水合电子对PFASs的降解效率。
根据本发明的第一方面，本发明提供一种聚吲哚-蒙脱石复合体的制备方法，包括如下步骤：
步骤（1）：使用三氯化铁对蒙脱石进行阳离子饱和处理，制备三价铁离子交换的蒙脱石Fe3+-mmt；配制吲哚溶液；
步骤（2）：将Fe3+-mmt加入至所述吲哚溶液中，使吲哚分子在蒙脱石层间原位聚合生成聚吲哚，得到聚吲哚-蒙脱石复合本体；
步骤（3）：使用季铵盐阳离子表面活性剂对得到的聚吲哚-蒙脱石复合本体进行有机改性，得到聚吲哚-蒙脱石复合体。
上述方案中，本发明的原理为：吲哚可以通过聚合反应生成聚吲哚，聚合主要发生在其2，3号位，吲哚结构不受破坏。发明人前期发现，聚吲哚可以在紫外照射下持续产生水合电子并以此降解全氟化合物，但是水合电子产率和反应速率有待进一步提高。研究表明，二维结构的材料与三维结构相比，在光生载流子、电子迁移等光化学性质方面具有显著优势。通过对聚吲哚进行尺寸调控，构建二维结构，改变聚吲哚光化学性质，有望进一步提升其水合电子产率，进而提高对全氟化合物的降解效率。目前，未见合成二维聚吲哚的报道，以现有方法制备的聚吲哚多为颗粒状、丝状、棒状、块状等，尺寸大多为微米级别，已报道的最小尺寸也超过几十纳米。蒙脱石是一种天然矿物，具有晶层结构，晶面天然带负电荷，晶层间存在交换性阳离子以平衡电荷，层间距随层间交换性阳离子的不同而发生变化，一般在0.1-1.0nm之间，可在化学反应中提供限域空间。本发明将蒙脱石层间阳离子全部交换为Fe3+，利用Fe3+作为氧化剂，在蒙脱石层间将吲哚原位聚合生成聚吲哚，借助蒙脱石的层间限域空间，控制聚吲哚在厚度上的生长，成功制备了具有二维结构的聚吲哚，获得了聚吲哚-蒙脱石复合本体，然后使用季铵盐阳离子表面活性剂对得到的聚吲哚-蒙脱石复合本体进行有机改性，增加其对有机物的吸附能力，得到聚吲哚-蒙脱石复合体（简称Pind-mmt）。将采用本发明制备方法制备得到的聚吲哚-蒙脱石复合体用于光生水合电子降解PFASs中，降解反应放在蒙脱石层间进行，可以同步实现提升水合电子产率和保护水合电子不被淬灭，为开发PFASs污染控制技术提供了新的有效方法，对于应对PFASs环境污染问题具有重要意义。
进一步地，所述步骤（1）中，Fe3+-mmt的制备方法如下：
将钠离子饱和的蒙脱土均匀分散到水溶液中；
向分散好的蒙脱土溶液中加入三氯化铁溶液，随后搅拌；
搅拌结束后离心，弃去上清液，得到沉淀物；优选该过程重复3次；
用水清洗得到的沉淀物，随后真空冻干，制得Fe3+-mmt；
优选地，所述Fe3+-mmt中，Fe3+的总量占Fe3+-mmt总量的1-3wt%。
上述方案中，通过对Fe3+-mmt的制备方法的设定，从而将具有氧化作用的Fe3+稳定地、适量地负载于蒙脱土，进而有利于后续吲哚的原位聚合。
进一步地，所述步骤（1）中，吲哚溶液的配制方法如下：在容器中加入溶剂，再加入吲哚，然后加热至40℃并超声溶解；其中，所述溶剂为水、甲醇或乙腈；
和/或，所述吲哚溶液的浓度为0.5-0.6g/L，优选为0.585g/L。
上述方案中，通过对吲哚溶液配制方法做特定的设计，有利于形成均匀稳定的吲哚溶液，通过对吲哚溶液浓度的进一步限定，有利于吲哚聚合反应效率的提升。
进一步地，所述步骤（2）中，所述Fe3+-mmt与所述吲哚溶液的用量比为（1-3）g：（0.1-0.3）L。
上述方案中，通过将所述步骤（2）中Fe3+-mmt与吲哚溶液的用量比限定在合理的范围值内，有利于控制聚吲哚在Fe3+-mmt厚度上的生长，制备具有特定二维结构的聚吲哚，获得了性能优异的聚吲哚-蒙脱石复合本体，进而更有利于提升聚吲哚的水合电子产率。
进一步地，所述原位聚合的条件为：振摇速度为200-250r/min，时间为10-14h，优选地，振摇速度为220r/min，时间为12h。
上述方案中，通过对原位聚合反应过程中振摇速度、时间做合理的限定，有利于提升原位聚合反应的效率。
进一步地，所述步骤（3）具体为：将得到的1重量份聚吲哚-蒙脱石复合本体分散到5-15重量份水溶液中，再加入15-40重量份所述季铵盐阳离子表面活性剂溶液并搅拌；搅拌结束后离心，弃去上清液，得到沉淀物；洗涤得到的沉淀物，制得有机改性的聚吲哚-蒙脱石复合体。优选地，将得到的1重量份聚吲哚-蒙脱石复合本体分散到10重量份水溶液中，再加入15-40重量份所述季铵盐阳离子表面活性剂溶液并搅拌。
上述方案中，通过对改性过程中各原料用量比进行合理的限定，更有利于对聚吲哚-蒙脱石复合本体进行有机改性，增加其对有机物的吸附能力，进而更有利于将全氟化合物吸附到聚吲哚-蒙脱石复合体层间，使水合电子降解全氟化合物的反应在层间进行，提高降解效率。
进一步地，所述季铵盐阳离子表面活性剂溶液的浓度为5-6g/L，优选为5.472g/L；优选地，所述季铵盐阳离子表面活性剂为十六烷基三甲基氯化铵。
上述方案中，通过对季铵盐阳离子表面活性剂溶液的浓度和季铵盐阳离子表面活性剂种类的限定，更有利于对聚吲哚-蒙脱石复合本体进行有机改性，增加其对有机物的吸附能力。
根据本发明的第二方面，本发明还提供一种聚吲哚-蒙脱石复合体，采用上述的制备方法制备得到。
进一步地，所述聚吲哚-蒙脱石复合体在降解全氟化合物中的应用。
根据本发明的第三方面，本发明还提供上述的应用，所述应用包括如下步骤：
配制全氟化合物水溶液；
将所述聚吲哚-蒙脱石复合体分散于配制的所述全氟化合物水溶液中，调节pH至5.0-7.0，然后搅拌均匀，得到混合液；
将得到的所述混合液转移至反应器内，随后将低压汞灯浸没到所述混合液，开灯进行降解反应。
上述方案中，本发明将本发明的聚吲哚-蒙脱石复合体应用到PFASs的降解过程中，Pind-mmt通过吸附作用，将PFASs吸附到层间，使水合电子降解PFASs的反应在层间进行。由于层间限域效应的存在，可以有效抑制水体中氧气和氢离子向层间的传质，保护了层间生成的水合电子不被淬灭，使反应不受水体溶解氧和pH影响，大大扩展了方法的应用范围。本发明人同时还观察到，溶液中的溶解氧和氢离子对降解反应几乎没有影响。由于水合电子可以被氧气和氢离子迅速淬灭，因此水合电子还原降解污染物的反应需要控制在厌氧和碱性条件。本发明人采用上述降解方法进行重复实验，重复利用实验表明，Pind-mmt具有良好的可持续利用性，显著降低了材料的消耗。Pind-mmt也具有很好的沉降性，反应结束停止搅拌后，Pind-mmt迅速沉降到反应器底部，反应溶液变的澄清，这些都为反应工艺设计提供了便利。
进一步地，所述降解反应体系为开放体系，不做隔绝空气处理；
和/或，所述降解反应温度控制在25±1℃，反应时间为1-6h，光源为一盏36W的低压汞灯，其出射光波长主要集中在254nm；
和/或，混合液中所述聚吲哚-蒙脱石复合体和所述全氟化合物的含量分别为0.5-1.5g/L和5-10mg/L，反应用水为超纯水；优选地，混合液中所述聚吲哚-蒙脱石复合体和所述全氟化合物的含量分别为1.0g/L和10mg/L。
上述方案中，通过对降解反应过程中体系条件、温度、时间、光源种类、聚吲哚-蒙脱石复合体和全氟化合物的含量等条件进行合理有效地设计，有利于降解反应效率的提升。
本发明的优点在于：
本发明一种聚吲哚-蒙脱石复合体的制备方法针对水合电子降解全氟化合物存在的局限，以光生水合电子能力较强的吲哚为母体，在蒙脱石层间原位聚合生成聚吲哚，借助蒙脱石的限域空间，控制聚吲哚在厚度上的生长，获取具有二维结构的聚吲哚，突破了单分子吲哚水合电子产率上限，获得了一种新的持续高效产生水合电子的新材料。
将本发明的聚吲哚-蒙脱石复合体应用到PFASs的降解中，可以将聚吲哚光生水合电子降解PFASs的反应放在蒙脱石层间进行，能够同步实现提升水合电子产率和保护水合电子不被淬灭，为实际利用水合电子高效降解PFASs提供了一条新的技术方法。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明中吲哚在蒙脱石层间聚合生成聚吲哚示意图；
图2为本发明实施例1得到的Pind-mmt、聚吲哚、蒙脱石的红外光谱图；
图3为本发明实验例中Na+-mmt、Fe3+-mmt和Pind-mmt的X-射线衍射表征图；
图4为本发明实验例中单纯用紫外照射、添加了Pind和添加了Pind-mmt进行紫外照射后的样品的电子顺磁共振图谱；
图5为本发明Pind-mmt在紫外照射下产生水合电子降解PFOA的反应机制示意图；
图6为本发明单纯用紫外照射、添加了Pind和添加了Pind-mmt对PFOA的降解率和脱氟率对比图；
图7为本发明Pind-mmt降解PFOA的重复利用实验的降解率和脱氟率图；
图8为本发明好氧和厌氧条件下Pind-mmt对PFOA的降解情况对比图；
图9为本发明不同pH条件下Pind-mmt对PFOA的降解情况对比图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
本实施例提供一种聚吲哚-蒙脱石复合体的制备方法，其包括如下步骤：
步骤（1）：将钠离子饱和的蒙脱土均匀分散到水溶液中；向分散好的蒙脱土溶液中加入0.1M浓度的三氯化铁溶液，随后搅拌；搅拌结束后离心，弃去上清液，得到沉淀物，该过程重复3次；用水清洗得到的沉淀物，随后真空冻干，制得Fe3+-mmt；其中，Fe3+-mmt中，Fe3+的总量占Fe3+-mmt总量的1-3wt%。
在容器中加入0.2L纯水，再加入117mg吲哚，然后加热至40℃并超声溶解，得到浓度为0.585g/L的吲哚水溶液。
步骤（2）：称取2g Fe3+-mmt加入配制好的0.5mM吲哚水溶液中，然后放入摇床中以220转/分钟振摇12小时。随后样品离心后弃去上清液，并用纯水反复清洗去除杂质，制得聚吲哚-蒙脱石复合本体。
步骤（3）：将制得的1g聚吲哚-蒙脱石复合本体再次分散到10g水溶液中，然后迅速加入30g浓度为5.472g/L的十六烷基三甲基氯化铵溶液并剧烈搅拌10分钟，搅拌结束后将样品放入摇床中以220转/分钟振摇12小时，然后离心弃去上清液，得到沉淀物；用纯水清洗得到的沉淀物，得到轻度有机改性的聚吲哚-蒙脱石复合体Pind-mmt，备用。吲哚在蒙脱石层间聚合生成聚吲哚示意图如图1所示。
对实施例1得到的Pind-mmt样品进行了红外表征，得到的红外光谱图如图2所示，由于Pind-mmt是聚吲哚和蒙脱石的插层复合体，理论上Pind-mmt的红外图谱是聚吲哚和蒙脱石的复合叠加图谱。由于Pind-mmt的主体结构是蒙脱石，从红外图谱可以看出，Pind-mmt中聚吲哚的红外特征吸收峰大部分被蒙脱石的红外特征吸收峰覆盖。但是，与常规方法合成的聚吲哚的红外图谱对比发现，仍观察到Pind-mmt在3398cm-1、1209cm-1和1107cm-1处有聚吲哚的红外特征吸收峰，其中3398cm-1代表N-H键的拉伸振动，1209cm-1和1107cm-1代表聚吲哚苯环的拉伸振动，证明在蒙脱石层间成功合成了聚吲哚。
对实施例1得到的Pind-mmt样品进行了X-射线衍射表征，X-射线衍射图谱如图3所示，Na+-mmt晶面间距约为12.6Å，Fe3+-mmt晶面间距约为15.7Å，Pind-mmt晶面间距约为15.6Å。一般的，蒙脱石晶片厚度约为10Å左右，由此计算可得，Na+-mmt、Fe3+-mmt和Pind-mmt晶片间的层间距分别约为2.6Å、5.7Å和5.6Å，即0.26nm、0.57nm和0.56nm。由此说明，在Fe3+-mmt层间原位聚合生成聚吲哚的过程没有使层间距进一步扩大，很好的控制了聚吲哚在厚度上的生长。由于吲哚是平面结构，其厚度约为0.2nm。聚吲哚由吲哚聚合生成，因此聚吲哚的单层厚度应大于0.2nm。由Pind-mmt层间距为0.56nm可知，蒙脱石层间原位合成的聚吲哚厚度小于0.56nm，为二维结构，甚至是单层结构。
Pind-mmt水合电子的测定，具体步骤为：首先将Pind-mmt分散到水溶液中，然后转移到15mL圆柱形石英反应管中，使用0.1M的NaOH和HCl调节溶液的pH=6.0，加入水合电子捕获剂二甲基吡啶N-氧化物（DMPO）。反应总体积为10mL，其中Pind-mmt和DMPO的含量分别为2.0g/L和100mM。使用汞灯照射上述配制好的样品1.5分钟后，用石英毛细管取样25μL放入电子顺磁共振仪（EPR）的谐振腔中检测自由基信号。由实验结果发现（图4），未添加Pind-mmt的条件下，体系中仅能检测到极微量的自由基信号，在添加了Pind-mmt后，样品中除了检测到羟基自由基的信号外，还检测到了较强的水合电子的信号，这证明Pind-mmt在紫外照射下可以产生水合电子。从水合电子信号强度看，Pind-mmt产生的水合电子显著高于聚吲哚产生的水合电子。实验中使用的聚吲哚为常规方法合成，三维结构，尺寸在微米级别。而Pind-mmt中的聚吲哚厚度小于0.56nm，是二维结构，这说明二维结构能够显著提升聚吲哚的水合电子产率。图中圆圈标注的为羟基自由基的电子顺磁共振信号，星号标注的为水合电子的电子顺磁共振信号。
实施例二
本实施例提供一种实施例1得到的聚吲哚-蒙脱石复合体在降解全氟化合物中的应用，应用包括如下步骤：
进行降解反应前，首先配制10mg/L的PFOA水溶液，随后将Pind-mmt分散于PFOA溶液中并使用0.1M的NaOH和HCl调节溶液的pH=6.0，使用磁力搅拌对配制好的混合液搅拌0.5小时，将准备好的混合液转移至圆柱形石英玻璃反应器内，开放环境下，将一盏低压汞灯浸没到混合液中，开灯进行降解反应。反应体积为200mL，反应温度控制在25±1℃，反应时间为6小时，光源为一盏36W的低压汞灯（出射光波长主要集中在254nm），混合液中Pind-mmt和PFOA的含量分别为1g/L和10mg/L。每隔1小时采样2mL，样品分成两份，一份用2倍体积的甲醇萃取后以高效液相色谱质谱（HPLC-MS/MS）检测PFOA剩余含量，以此计算PFOA的降解率；另一份加入两倍体积的纯水，漩涡震摇1分钟后，用0.22μm水相滤膜过滤，然后用离子色谱（IC）测量生成的F离子含量，以此计算PFOA的脱氟率。Pind-mmt在紫外照射下产生水合电子降解PFOA的反应机制示意图如图5所示。
本发明研究了单纯紫外照射、同时加入Pind或Pind-mmt后对PFOA的降解率和脱氟率的影响，图6的实验结果表明，单纯紫外照射，对PFOA的降解和脱氟率较低。加入Pind或Pind-mmt后，PFOA的降解率和脱氟率均明显提升。对比加入Pind和Pind-mmt的组别发现，Pind-mmt对PFOA的降解率和脱氟率均显著高于Pind。反应6小时后，Pind-mmt对PFOA的脱氟率可达88%。本发明还对Pind-mmt进行了可重复利用实验，如图7所示，4次重复实验表明，Pind-mmt对PFOA的脱氟率没有显著下降，第4次反应结束后，脱氟率仍能达到75%以上。根据已有研究，PFOA分子中有15个碳氟键，保守估计约有50%的碳氟键断裂由水合电子直接进攻引起。本发明实验中PFOA用量为10 mg/L，经过核算，四次重复实验后，Pind-mmt中吲哚单元的水合电子产率达到了900%，即每个吲哚单元至少产生了9个水合电子。1个吲哚分子产生1个水合电子后，自身发生结构变化，难以再产生水合电子，因此水合电子产率一般不超过100%。由此说明，Pind-mmt中的二维聚吲哚突破了单分子吲哚水合电子产率的上限，具备了持续稳定产生水合电子的能力。
本发明还研究了溶解氧和pH对Pind-mmt光生水合电子降解PFOA的影响。对比了Pind-mmt在厌氧和好氧条件下对PFOA的降解和脱氟效果，如图8所示，好氧条件下PFOA的降解率和脱氟率略低于厌氧条件，但下降不明显。本发明还考察了pH对反应影响，如图9所示，好氧条件下，Pind-mmt对PFOA的脱氟率几乎不受溶液pH影响。由此说明，Pind-mmt继承了蒙脱石的限域空间效应，能够阻碍O2和H+向其层间传质，可以同步实现保护水合电子不被淬灭的目的。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种聚吲哚-蒙脱石复合体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤（1）：使用三氯化铁对蒙脱石进行阳离子饱和处理，制备三价铁离子交换的蒙脱石Fe3+-mmt；配制吲哚溶液；
步骤（2）：将Fe3+-mmt加入至所述吲哚溶液中，使吲哚分子在蒙脱石层间原位聚合生成聚吲哚，得到聚吲哚-蒙脱石复合本体；
步骤（3）：使用季铵盐阳离子表面活性剂对得到的聚吲哚-蒙脱石复合本体进行有机改性，得到聚吲哚-蒙脱石复合体。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，Fe3+-mmt的制备方法如下：
将钠离子饱和的蒙脱土均匀分散到水溶液中；
向分散好的蒙脱土溶液中加入三氯化铁溶液，随后搅拌；
搅拌结束后离心，弃去上清液，得到沉淀物；
用水清洗得到的沉淀物，随后真空冻干，制得Fe3+-mmt。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Fe3+-mmt中，Fe3+的总量占Fe3+-mmt总量的1-3wt%。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，所述吲哚溶液的配制方法如下：在容器中加入溶剂，再加入吲哚，然后加热至40℃并超声溶解；其中，所述溶剂为水、甲醇或乙腈；
和/或，所述吲哚溶液的浓度为0.5-0.6g/L，优选为0.585g/L。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，所述Fe3+-mmt与所述吲哚溶液的用量比为（1-3）g：（0.1-0.3）L；
和/或，所述原位聚合的条件为：振摇速度为200-250r/min，时间为10-14h，优选地，振摇速度为220r/min，时间为12h。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）具体为：将得到的1重量份聚吲哚-蒙脱石复合本体分散到5-15重量份水溶液中，再加入15-40重量份所述季铵盐阳离子表面活性剂溶液并搅拌；搅拌结束后离心，弃去上清液，得到沉淀物；洗涤得到的沉淀物，制得有机改性的聚吲哚-蒙脱石复合体；
优选地，所述季铵盐阳离子表面活性剂溶液的浓度为5-6g/L；和/或，所述季铵盐阳离子表面活性剂为十六烷基三甲基氯化铵。
7.一种聚吲哚-蒙脱石复合体，其特征在于，采用权利要求1-6任一项所述的制备方法制备得到。
8.权利要求7所述的聚吲哚-蒙脱石复合体的应用，其特征在于，所述聚吲哚-蒙脱石复合体在降解全氟化合物中的应用。
9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述应用包括如下步骤：
配制全氟化合物水溶液；
将所述聚吲哚-蒙脱石复合体分散于配制的所述全氟化合物水溶液中，调节pH至5.0-7.0，然后搅拌均匀，得到混合液；
将得到的所述混合液转移至反应器内，随后将低压汞灯浸没到所述混合液，开灯进行降解反应。
10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，所述降解反应体系为开放体系，不做隔绝空气处理；
和/或，所述降解反应温度控制在25±1℃，反应时间为1-6h，光源为一盏36W的低压汞灯，其出射光波长主要集中在254nm；
和/或，混合液中所述聚吲哚-蒙脱石复合体和所述全氟化合物的含量分别为0.5-1.5g/L和5-15mg/L，反应用水为超纯水；优选地，混合液中所述聚吲哚-蒙脱石复合体和所述全氟化合物的含量分别为1.0g/L和10mg/L。
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| CN116573711B (zh) | 2023-10-10 |
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