CN116536742A - 基于tp值的基板孔铜电镀方法、装置、电镀设备 - Google Patents
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 219
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 219
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 219
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 title claims abstract description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000005282 brightening Methods 0.000 claims abstract description 116
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 116
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 85
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims abstract description 54
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 65
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 27
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 19
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 10
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 3
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/12—Process control or regulation
- C25D21/14—Controlled addition of electrolyte components
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
本发明提出了一种基于TP值的基板孔铜电镀方法、装置、电镀设备，包括：获取目标基板的目标孔铜厚度、记载有孔铜厚度与铜电镀溶液的TP值的第一映射表、记载有可选光亮剂与TP值上限的第二映射表；根据目标孔铜厚度和第一映射表确定目标TP值，根据目标TP值和第二映射表确定目标光亮剂；通过光亮剂注入设备将目标光亮剂注入铜槽，当注入实时TP值达到目标TP值，停止目标光亮剂的注入并以完成目标基板的孔铜电镀。根据本实施例的技术方案，能够根据TP值上限确定目标光亮剂，确保铜电镀溶液的TP值能够满足目标孔铜厚度的电镀需求，根据实时的TP值控制目标光亮剂的注入，节约目标光亮剂的成本，提高孔铜电镀的控制精准度，提高基板的生产良率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体工艺技术领域，特别涉及一种基于TP值的基板孔铜电镀方法、装置、电镀设备。
背景技术
电镀孔铜是基板的重要制作步骤，将钻孔后的基板放入铜槽中通电，使得铜电镀溶液中的铜离子附着在孔壁形成铜层。电镀溶液沉积金属的能力通常采用TP值进行衡量，TP值即为深镀能力，电镀溶液的TP值越高，基板的灌孔率越高，孔内沉积的金属层越厚。由于不同客户对基板的孔铜厚度要求不同，因此确保孔铜厚度达标，是提高基板生产良率和效率的基础。
铜槽中不仅装有铜电镀溶液，还会添加光亮剂和硫酸，硫酸成分能够使铜离子能够更好地附着在孔壁，光亮剂能够使铜层表面更加光滑细致。光亮剂的种类和添加量都会影响铜电镀溶液的TP值，从而对灌孔率造成影响。光亮剂添加不足，会导致TP值过低，孔铜厚度不足，影响基本的导电性能。当光亮剂添加过多，虽然TP达标，但是会导致光亮剂成本上升，甚至可能导致孔铜厚度过厚，影响基板的良率。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种基于TP值的基板孔铜电镀方法、装置、电镀设备，能够确保铜电镀溶液的TP值满足孔铜电镀需求，提高基板生产良率。
第一方面，本发明实施例提供了一种基于TP值的基板孔铜电镀方法，应用于电镀设备，所述电镀设备包括光亮剂注入装置、下板装置、通电装置和TP值检测装置，所述光亮剂注入装置用于将光亮剂注入铜槽，所述铜槽中装有铜电镀溶液，所述下板装置用于将多个目标基板浸入所述铜电镀溶液，所述通电装置用于向所述铜电镀溶液通电，所述TP值检测装置用于检测所述铜电镀溶液的TP值，所述基于TP值的基板孔铜电镀方法包括：
当获取到输入的所述目标基板的目标孔铜厚度，获取预设的第一映射表和第二映射表，其中，所述第一映射表记载有孔铜厚度与所述铜电镀溶液的TP值的映射关系，所述第二映射表记载有可选光亮剂与TP值上限的映射关系，所述TP值上限用于指示所述铜电镀溶液添加所述可选光亮剂添后可到达的最大的TP值；
根据所述目标孔铜厚度和所述第一映射表确定目标TP值，根据所述目标TP值和所述第二映射表确定目标光亮剂，所述目标光亮剂的所述TP值上限大于或等于所述目标TP值；
通过所述光亮剂注入设备将所述目标光亮剂注入所述铜槽，通过所述TP值检测装置检测的所述铜电镀溶液的注入实时TP值，当所述注入实时TP值达到所述目标TP值，停止所述目标光亮剂的注入；
通过所述通电装置向所述铜电镀溶液通电以完成所述目标基板的孔铜电镀。
根据本发明的一些实施例，所述通过所述通电装置向所述铜电镀溶液通电以完成所述目标基板的孔铜电镀，包括：
获取预设的通电时长，根据所述通电时长控制所述通电装置向所述铜电镀溶液通电；
通过所述TP值检测装置检测的所述铜电镀溶液的电镀实时TP值；
当所述电镀实时TP值下降至小于所述目标TP值，重新通过所述光亮剂注入装置注入所述目标光亮剂，以使所述电镀实时TP值等于所述目标TP值，并维持至所述目标基板完成孔铜电镀。
根据本发明的一些实施例，所述电镀设备还包括硫酸注入装置，所述硫酸注入装置用于向所述铜槽注入硫酸，在所述通过所述通电装置向所述铜电镀溶液通电以完成所述目标基板的孔铜电镀之前，所述方法还包括：
获取输入的所述铜电镀溶液的溶液体积信息；
获取与所述目标光亮剂所对应的预设酸铜比；
根据所述预设酸铜比和所述溶液体积信息确定硫酸体积信息；
根据所述硫酸体积信息控制所述硫酸注入装置向所述铜槽注入硫酸。
根据本发明的一些实施例，当所述目标孔铜厚度大于或等于10微米，所述目标TP值大于或等于100，所述预设酸铜比为3.5比1；或者，当所述目标孔铜厚度大于或等于8微米且小于10微米，所述目标TP值为90，所述预设酸铜比为3比1。
根据本发明的一些实施例，所述根据所述目标TP值和所述第二映射表确定目标光亮剂，包括：
根据所述目标TP值和所述第二映射表从多个所述可选光亮剂中确定多个候选光亮剂；
获取每个所述候选光亮剂所对应的表面效果参数，所述表面效果参数用于指示所述目标基板在所述候选光亮剂作用下的表面细致程度；
根据所述TP值上限、所述表面效果参数和预设的权重系数，从多个所述候选光亮剂中确定所述目标光亮剂。
根据本发明的一些实施例，在所述通过所述通电装置向所述铜电镀溶液通电以完成所述目标基板的孔铜电镀之前，所述目标基板还依次经过以下工艺：除油、水洗、溢流水洗、微蚀、溢流水洗、酸洗、水洗。
根据本发明的一些实施例，在所述通过所述通电装置向所述铜电镀溶液通电以完成所述目标基板的孔铜电镀之后，所述目标基板还依次经过以下工艺：水洗-酸洗-水洗-自动下板-烘干。
第二方面，本发明实施例提供了一种基于TP值的基板孔铜电镀装置，包括少一个控制处理器和用于与所述至少一个控制处理器通信连接的存储器；所述存储器存储有可被所述至少一个控制处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个控制处理器执行，以使所述至少一个控制处理器能够执行如上述第一方面所述的基于TP值的基板孔铜电镀方法。
第三方面，本发明实施例提供了一种电镀设备，包括有如上述第二方面所述的基于TP值的基板孔铜电镀装置。
第四方面，本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于执行如上述第一方面所述的基于TP值的基板孔铜电镀方法。
本发明的实施例包括：当获取到输入的所述目标基板的目标孔铜厚度，获取预设的第一映射表和第二映射表，其中，所述第一映射表记载有孔铜厚度与所述铜电镀溶液的TP值的映射关系，所述第二映射表记载有可选光亮剂与TP值上限的映射关系，所述TP值上限用于指示所述铜电镀溶液添加所述可选光亮剂添后可到达的最大的TP值；根据所述目标孔铜厚度和所述第一映射表确定目标TP值，根据所述目标TP值和所述第二映射表确定目标光亮剂，所述目标光亮剂的所述TP值上限大于或等于所述目标TP值；通过所述光亮剂注入设备将所述目标光亮剂注入所述铜槽，通过所述TP值检测装置检测的所述铜电镀溶液的注入实时TP值，当所述注入实时TP值达到所述目标TP值，停止所述目标光亮剂的注入；通过所述通电装置向所述铜电镀溶液通电以完成所述目标基板的孔铜电镀。根据本实施例的技术方案，能够根据TP值上限从多种可选光亮剂中确定目标光亮剂，确保添加目标光亮剂后铜电镀溶液的TP值能够满足目标孔铜厚度的电镀需求，根据实时的TP值控制目标光亮剂的注入，节约目标光亮剂的成本，提高孔铜电镀的控制精准度，提高基板的生产良率。
附图说明
图1是本发明一个实施例提供的基于TP值的基板孔铜电镀方法的流程图；
图2是本发明另一个实施例提供的维持电镀时TP值的流程图；
图3是本发明另一个实施例提供的控制酸铜比的流程图；
图4是本发明另一个实施例提供的确定目标光亮剂的流程图；
图5是本发明一个实施例提供的基于TP值的基板孔铜电镀装置的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
本发明提供了一种基于TP值的基板孔铜电镀方法、装置、电镀设备，方法包括：当获取到输入的所述目标基板的目标孔铜厚度，获取预设的第一映射表和第二映射表，其中，所述第一映射表记载有孔铜厚度与所述铜电镀溶液的TP值的映射关系，所述第二映射表记载有可选光亮剂与TP值上限的映射关系，所述TP值上限用于指示所述铜电镀溶液添加所述可选光亮剂添后可到达的最大的TP值；根据所述目标孔铜厚度和所述第一映射表确定目标TP值，根据所述目标TP值和所述第二映射表确定目标光亮剂，所述目标光亮剂的所述TP值上限大于或等于所述目标TP值；通过所述光亮剂注入设备将所述目标光亮剂注入所述铜槽，通过所述TP值检测装置检测的所述铜电镀溶液的注入实时TP值，当所述注入实时TP值达到所述目标TP值，停止所述目标光亮剂的注入；通过所述通电装置向所述铜电镀溶液通电以完成所述目标基板的孔铜电镀。根据本实施例的技术方案，能够根据TP值上限从多种可选光亮剂中确定目标光亮剂，确保添加目标光亮剂后铜电镀溶液的TP值能够满足目标孔铜厚度的电镀需求，根据实时的TP值控制目标光亮剂的注入，节约目标光亮剂的成本，提高孔铜电镀的控制精准度，提高基板的生产良率。
本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。
下面结合附图，对本发明实施例作进一步阐述。
如图1所示，图1是本发明一个实施例提供的基于TP值的基板孔铜电镀方法的流程图，该方法应用于电镀设备，电镀设备包括光亮剂注入装置、下板装置、通电装置和TP值检测装置，光亮剂注入装置用于将光亮剂注入铜槽，铜槽中装有铜电镀溶液，下板装置用于将多个目标基板浸入铜电镀溶液，通电装置用于向铜电镀溶液通电，该基于TP值的基板孔铜电镀方法包括但不限于有以下步骤：
S1，当获取到输入的目标基板的目标孔铜厚度，获取预设的第一映射表和第二映射表，其中，第一映射表记载有孔铜厚度与铜电镀溶液的TP值的映射关系，第二映射表记载有可选光亮剂与TP值上限的映射关系，TP值上限用于指示铜电镀溶液添加可选光亮剂添后可到达的最大的TP值；
S2，根据目标孔铜厚度和第一映射表确定目标TP值，根据目标TP值和第二映射表确定目标光亮剂，目标光亮剂的TP值上限大于或等于目标TP值；
S3，通过光亮剂注入设备将目标光亮剂注入铜槽，通过TP值检测装置检测的铜电镀溶液的注入实时TP值，当注入实时TP值达到目标TP值，停止目标光亮剂的注入；
S4，通过通电装置向铜电镀溶液通电以完成目标基板的孔铜电镀。
需要说明的是，电镀设备可以是部署在铜槽外围的设备，也可以是集成在铜槽中的设备，本实施例以部署在铜槽外围的设备为例，电镀设备包括光亮剂注入装置、下板装置、通电装置和TP值检测装置，光亮剂注入装置可以是安装有多个存储装置的注入装置，当确定目标光亮剂后，填充有目标光亮剂的注入装置移动到铜槽上方，打开注入口开始注入目标光亮剂；也可以是只有一个存储装置的注入装置，在确定目标光亮剂后，提示操作人员装入目标光亮剂后进行注入。下板装置可以是常见的输送装置，例如常见的作圆弧运动的机械臂，在下板装置安装多个基板后，通过移动将安装基板的部分移动至铜槽内，使得铜电镀溶液浸没基板即可，在完成电镀后反向移动使基板离开铜电镀溶液，取出后进行后续步骤。通电装置可以是安装在铜槽或者伸入铜槽的整流器，能够对基板进行通电实现电镀即可。TP值检测装置可以是常见的传感器等结构，在此不多做赘述。
需要说明的是，为了实现控制，电镀设备还可以设置一个上位机，目标孔铜厚度可以通过上位机的可视化界面进行输入，也可以输入其他数值，例如通电时长等，能够实现电镀相关的工艺参数的输入即可。
需要说明的是，对于浓度已知的铜电镀溶液，孔铜的厚度与TP值的关系是可知的，例如，要在孔内镀上10微米厚的孔铜，需要确保铜电镀溶液的TP值大于100，基于此，本实施例预先设置第一映射表记录孔铜厚度与TP值的映射关系，当输入目标孔铜厚度后，可以快速确定铜电镀溶液的目标TP值，便于快速确定目标光亮剂的注入标准。同理，每种目标光亮剂所能达到的最大TP值也是可知的，即在将某一种可选光亮剂添加至铜电镀溶液达到对应的TP值上限后，即使继续添加该可选光亮剂，铜电镀溶液的TP值也不会发生改变，而每种可选光亮剂的TP值上限是可以预先测出或者已知的，因此可以预先建立第二映射表，使得在确定目标TP值之后快速确定可用的光亮剂，例如，在确定目标TP值为100后，TP值上限小于100的可选光亮剂不可用，从TP值上限大于或等于100的可选光亮剂中确定目标光亮剂。
需要说明的是，第一映射表和第二映射表也可以通过如上所述的上位机输入得到，并且，由于不同品牌或者商家供应的光亮剂不同，可以在实际生产过程中实时更新第二映射表，例如新增供应商后增加第二映射表中的可选光亮剂的选项，以确保目标光亮剂的准确性。
需要说明的是，根据上述实施例的描述，目标光亮剂注入后，铜电镀溶液的TP值可以是大于或等于目标TP值，可以在目标光亮剂的注入过程中实时检测铜电镀溶液的注入实时TP值，当注入实时TP值达到目标TP值后停止注入，降低目标光亮剂的使用成本，也可以避免TP值过高导致镀铜厚度过厚。
需要说明的是，在铜电镀溶液的TP值满足目标TP值后，通过通电进行孔铜电镀为本领域技术人员熟知的技术，在此不多做赘述。
通过本实施例的技术方案，能够在输入目标孔铜厚度后快速确定目标TP值，并且基于目标TP值从多种可选光亮剂中确定目标光亮剂，确保注入目标光亮剂后铜电镀溶液的TP值能够满足目标TP值，提高电镀工艺的控制效率和精准度；并且在注入目标光亮剂的过程中实时检测注入实时TP值，避免目标光亮剂添加过多，节约目标光亮剂成本，提高电镀工艺的控制精度。
另外，在一些实施例中，参照图2，图1所示的步骤S4还包括但不限于有以下步骤：
S41，获取预设的通电时长，根据通电时长控制通电装置向铜电镀溶液通电；
S42，通过TP值检测装置检测的铜电镀溶液的电镀实时TP值；
S43，当电镀实时TP值下降至小于目标TP值，重新通过光亮剂注入装置注入目标光亮剂，以使电镀实时TP值等于目标TP值，并维持至目标基板完成孔铜电镀。
需要说明的是，由于本实施例根据目标孔铜厚度确定目标TP值，因此电镀孔铜的时长是可以预先确定的，也可以根据实际需求从上述所述的上位机输入，当电镀设备获取到通电时长后，控制通电装置运行实现电镀。
需要说明的是，在电镀过程中，铜电镀溶液的电镀实时TP值可能会发生变化，为了避免TP值降低导致孔铜厚度不足，本实施例在电镀过程中实时检测电镀实时TP值，当电镀实时TP值下降时，通过控制光亮剂注入装置添加目标光亮剂，确保铜电镀溶液的TP值在电镀过程中满足需求，提高电镀效率和准确性。
另外，在一些实施例中，电镀设备还包括硫酸注入装置，硫酸注入装置用于向铜槽注入硫酸，在参照图3，在执行图1所示的步骤S4之前，还包括但不限于有以下步骤：
S31，获取输入的铜电镀溶液的溶液体积信息；
S32，获取与目标光亮剂所对应的预设酸铜比；
S33，根据预设酸铜比和溶液体积信息确定硫酸体积信息；
S34，根据硫酸体积信息控制硫酸注入装置向铜槽注入硫酸。
在一实施例中，当目标孔铜厚度大于或等于10微米，目标TP值大于或等于100，预设酸铜比为3.5比1；或者，当目标孔铜厚度大于或等于8微米且小于10微米，目标TP值为90，预设酸铜比为3比1。需要说明的是，酸铜比越高，铜离子在孔壁沉积的效果越好，灌孔率越高，若酸铜比过高，也会导致孔铜厚度过厚，基于此，可以针对实际的电镀需求设置预设酸铜比，例如，由于铜槽中的溶液体积信息是可知的，因此可以根据已知的预设酸铜比确定需要注入的硫酸体积，使得铜电镀溶液中的酸铜比满足电镀需求。
需要说明的是，由于不同的光亮剂的效果不同，在光亮剂的工艺参数已知的情况下，本领域技术人员熟知如何设置每种可选光亮剂对应的酸铜比，本实施例对此不多做限定。
需要说明的是，注入硫酸也可以对酸铜比进行实时检测，具体方法参考上述注入实时TP值的检测方式，改成相应的检测装置即可，在此不重复赘述。
另外，在一些实施例中，参照图4，图1所示的步骤S2还包括但不限于有以下步骤：
S21，根据目标TP值和第二映射表从多个可选光亮剂中确定多个候选光亮剂；
S22，获取每个候选光亮剂所对应的表面效果参数，表面效果参数用于指示目标基板在候选光亮剂作用下的表面细致程度；
S23，根据TP值上限、表面效果参数和预设的权重系数，从多个候选光亮剂中确定目标光亮剂。
需要说明的是，虽然每种可选光亮剂的TP值上限可能不同，但是目标TP值的匹配是基于大于或等于，因此可能匹配出多个候选光亮剂，例如目标TP值为100，有至少两个可选光亮剂的TP值上限大于或等于100，基于此，还需要从候选光亮剂中进一步确定目标光亮剂。不同的光亮剂在表面处理效果上也有一定的区别，本实施例基于设置好的权重系数对TP值上限和表面效果参数进行计算，将计算结果最高的候选光亮剂确定为目标光亮剂。例如，光亮剂A的TP值上限较低，需要添加更多的光亮剂A才能达到目标TP值，但是基于光亮剂A进行电镀后铜层表面更加细腻，光亮剂B的TP值上限较高，只需要添加较少的光亮剂B即可达到目标TP值，但是基于光亮剂B进行电镀后铜层表面较为粗糙，对表面效果参数进行数值的分级，以分级数值结合表面效果的权重系数得到表面效果权重，再结合TP值上限与目标TP值的差值与TP值的权重系数得到TP值权重，基于两个权重之和确定目标光亮剂，本领域技术人员熟知如何设置权重系数综合考虑表面效果参数和TP值上限，在此不多做限定。
另外，在一些实施例中，在通过通电装置向铜电镀溶液通电以完成目标基板的孔铜电镀之前，目标基板还依次经过以下工艺：除油、水洗、溢流水洗、微蚀、溢流水洗、酸洗、水洗。
需要说明的是，在进行电镀之前，还需要对目标基板进行前处理，提高电镀效果。例如在钻孔之后进行除油以清洁目标基板的表面，通过水洗、溢流水洗清洁除油剩余的杂质，通过微蚀去除铜表面的氧化层，再通过溢流水洗、酸洗、水洗去除微蚀留下的药水，确保目标基板在电镀时孔铜的电镀效果。
需要说明的是，上述各工艺为本领域技术人员熟知的技术，在此不多做赘述。
另外，在一些实施例中，在通过通电装置向铜电镀溶液通电以完成目标基板的孔铜电镀之后，目标基板还依次经过以下工艺：水洗-酸洗-水洗-自动下板-烘干。
需要说明的是，在进行电镀之后，由于目标基板表面附着有铜电镀溶液，因此可以依次通过水洗、酸洗、水洗的操作清洁目标基板，再通过下板装置进行自动下板，取出目标基板后进行烘干，以进行后续操作。
需要说明的是，上述各工艺为本领域技术人员熟知的技术，在此不多做赘述。
如图5所示，图5是本发明一个实施例提供的基于TP值的基板孔铜电镀装置的结构图。本发明还提供了一种基于TP值的基板孔铜电镀装置，包括：
处理器501，可以采用通用的中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、微处理器、应用专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、或者一个或多个集成电路等方式实现，用于执行相关程序，以实现本申请实施例所提供的技术方案；
存储器502，可以采用只读存储器(Read Only Memory，ROM)、静态存储设备、动态存储设备或者随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)等形式实现。存储器502可以存储操作系统和其他应用程序，在通过软件或者固件来实现本说明书实施例所提供的技术方案时，相关的程序代码保存在存储器502中，并由处理器501来调用执行本申请实施例的数据库事务执行方法；
输入/输出接口503，用于实现信息输入及输出；
通信接口504，用于实现本设备与其他设备的通信交互，可以通过有线方式(例如USB、网线等)实现通信，也可以通过无线方式(例如移动网络、WIFI、蓝牙等)实现通信；
总线505，在设备的各个组件(例如处理器501、存储器502、输入/输出接口503和通信接口504)之间传输信息；
其中处理器501、存储器502、输入/输出接口503和通信接口504通过总线505实现彼此之间在设备内部的通信连接。
本申请实施例还提供了一种电镀设备，包括如上所述的基于TP值的基板孔铜电镀装置。
本申请实施例还提供了一种存储介质，存储介质为计算机可读存储介质，该存储介质存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述数据库事务执行方法。
存储器作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序以及非暂态性计算机可执行程序。此外，存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施方式中，存储器可选包括相对于处理器远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至该处理器。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，实现了以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器，如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包括计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。
以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的共享条件下还可作出种种等同的变形或替换，这些等同的变形或替换均包括在本发明权利要求所限定的范围内。
Claims (10)
1.一种基于TP值的基板孔铜电镀方法，其特征在于，应用于电镀设备，所述电镀设备包括光亮剂注入装置、下板装置、通电装置和TP值检测装置，所述光亮剂注入装置用于将光亮剂注入铜槽，所述铜槽中装有铜电镀溶液，所述下板装置用于将多个目标基板浸入所述铜电镀溶液，所述通电装置用于向所述铜电镀溶液通电，所述TP值检测装置用于检测所述铜电镀溶液的TP值，所述基于TP值的基板孔铜电镀方法包括：
当获取到输入的所述目标基板的目标孔铜厚度，获取预设的第一映射表和第二映射表，其中，所述第一映射表记载有孔铜厚度与所述铜电镀溶液的TP值的映射关系，所述第二映射表记载有可选光亮剂与TP值上限的映射关系，所述TP值上限用于指示所述铜电镀溶液添加所述可选光亮剂添后可到达的最大的TP值；
根据所述目标孔铜厚度和所述第一映射表确定目标TP值，根据所述目标TP值和所述第二映射表确定目标光亮剂，所述目标光亮剂的所述TP值上限大于或等于所述目标TP值；
通过所述光亮剂注入设备将所述目标光亮剂注入所述铜槽，通过所述TP值检测装置检测的所述铜电镀溶液的注入实时TP值，当所述注入实时TP值达到所述目标TP值，停止所述目标光亮剂的注入；
通过所述通电装置向所述铜电镀溶液通电以完成所述目标基板的孔铜电镀。
2.根据权利要求1所述的基于TP值的基板孔铜电镀方法，其特征在于，所述通过所述通电装置向所述铜电镀溶液通电以完成所述目标基板的孔铜电镀，包括：
获取预设的通电时长，根据所述通电时长控制所述通电装置向所述铜电镀溶液通电；
通过所述TP值检测装置检测的所述铜电镀溶液的电镀实时TP值；
当所述电镀实时TP值下降至小于所述目标TP值，重新通过所述光亮剂注入装置注入所述目标光亮剂，以使所述电镀实时TP值等于所述目标TP值，并维持至所述目标基板完成孔铜电镀。
3.根据权利要求2所述的基于TP值的基板孔铜电镀方法，其特征在于，所述电镀设备还包括硫酸注入装置，所述硫酸注入装置用于向所述铜槽注入硫酸，在所述通过所述通电装置向所述铜电镀溶液通电以完成所述目标基板的孔铜电镀之前，所述方法还包括：
获取输入的所述铜电镀溶液的溶液体积信息；
获取与所述目标光亮剂所对应的预设酸铜比；
根据所述预设酸铜比和所述溶液体积信息确定硫酸体积信息；
根据所述硫酸体积信息控制所述硫酸注入装置向所述铜槽注入硫酸。
4.根据权利要求3所述的基于TP值的基板孔铜电镀方法，其特征在于，当所述目标孔铜厚度大于或等于10微米，所述目标TP值大于或等于100，所述预设酸铜比为3.5比1；或者，当所述目标孔铜厚度大于或等于8微米且小于10微米，所述目标TP值为90，所述预设酸铜比为3比1。
5.根据权利要求1所述的基于TP值的基板孔铜电镀方法，其特征在于，所述根据所述目标TP值和所述第二映射表确定目标光亮剂，包括：
根据所述目标TP值和所述第二映射表从多个所述可选光亮剂中确定多个候选光亮剂；
获取每个所述候选光亮剂所对应的表面效果参数，所述表面效果参数用于指示所述目标基板在所述候选光亮剂作用下的表面细致程度；
根据所述TP值上限、所述表面效果参数和预设的权重系数，从多个所述候选光亮剂中确定所述目标光亮剂。
6.根据权利要求1所述的基于TP值的基板孔铜电镀方法，其特征在于，在所述通过所述通电装置向所述铜电镀溶液通电以完成所述目标基板的孔铜电镀之前，所述目标基板还依次经过以下工艺：除油、水洗、溢流水洗、微蚀、溢流水洗、酸洗、水洗。
7.根据权利要求1所述的基于TP值的基板孔铜电镀方法，其特征在于，在所述通过所述通电装置向所述铜电镀溶液通电以完成所述目标基板的孔铜电镀之后，所述目标基板还依次经过以下工艺：水洗-酸洗-水洗-自动下板-烘干。
8.一种基于TP值的基板孔铜电镀装置，其特征在于，包括至少一个控制处理器和用于与所述至少一个控制处理器通信连接的存储器；所述存储器存储有可被所述至少一个控制处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个控制处理器执行，以使所述至少一个控制处理器能够执行如权利要求1至7任一项所述的基于TP值的基板孔铜电镀方法。
9.一种电镀设备，其特征在于，包括权利要求8所述的基于TP值的基板孔铜电镀装置。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如权利要求1至7任一项所述的基于TP值的基板孔铜电镀方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202310462730.2A CN116536742A (zh) | 2023-04-21 | 2023-04-21 | 基于tp值的基板孔铜电镀方法、装置、电镀设备 |
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Family Applications (1)
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| Country | Link |
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- 2023-04-21 CN CN202310462730.2A patent/CN116536742A/zh active Pending
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