CN116487859A - 基于环形偶极共振的eit谐振器 - Google Patents
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Abstract
基于环形偶极共振的EIT谐振器，涉及无线通信技术领域。本发明为解决了现有基于超材料的环形偶极共振结构只能在一个极化方向的电磁波入射下产生EIT现象的问题。本发明包括多个谐振单元拼接形成的阵列；每个谐振单元包括位于矩形SiO2衬底上的两个混合条形带和一个中心开口的谐振环；中心开口的谐振环的中心与矩形SiO2衬底的中心重合，且中心开口的谐振环位于两个混合条形带之间，两个混合条形带交错设置；位于上方混合条形带从左至右依次由1号光敏硅条带、1号铝条带和1号二氧化钒条带拼接形成；位于下方的混合条形带从左至右依次由2号二氧化钒条带、2号铝条带和2号光敏硅条带拼接形成。主要用在光存储器件和太赫兹传感器领域。
Description
技术领域
本发明涉及无线通信技术领域。
背景技术
电磁诱导透明现象(Electromagnetically Induced Transparency，EIT)最初是在原子系统被科学家发现，由于该现象能够对入射的电磁波产生“慢光”现象而得到了极大关注，为光存储技术带来了希望，但原子系统的EIT现象由于需要极低的温度而制约了其应用。电磁超材料是指通过构建亚波长尺寸的结构实现对电磁波的耦合作用而获得超常的电磁特性的一类结构总称。近年来科研人员已经设计出多种的EIT超材料，该类超材料不需要苛刻的实验条件，为光存储、太赫兹传感器领域的研究开辟了道理。然而当前EIT超材料大都基于电共振或磁共振的近场耦合方式。
环形共振是电共振和磁共振外的第三种共振形式，最初被发现于核物理材料中，而环形偶极共振是环形共振的一种形式，能够由头尾排列磁偶极子谐振激发。但核物理材料中的环形偶极共振现象能量较弱，不利于检测和应用。近年来，科研人员相继设计出了多种基于超材料的环形偶极共振结构实现了谐振能量的增强。然而当前基于环形偶极共振超材料的研究大都关注于不同结构的实现以及主动调控能力的研究，基于环形偶极共振超材料的应用研究甚少。
当前已有的基于超材料的环形偶极共振结构只能在一个极化方向的电磁波入射下产生EIT现象，极化方向翻转90°后，EIT现象即消失。因此，以上问题亟需解决。
发明内容
本发明目的是为了解决现有基于超材料的环形偶极共振结构只能在一个极化方向的电磁波入射下产生EIT现象的问题，本发明提供了一种基于环形偶极共振的EIT谐振器。
基于环形偶极共振的EIT谐振器，包括多个谐振单元拼接形成的阵列；
每个谐振单元包括位于矩形SiO2衬底上的两个混合条形带和一个中心开口的谐振环；
中心开口的谐振环的中心与矩形SiO2衬底的中心重合，且中心开口的谐振环位于两个混合条形带之间，并与混合条形带间存在间隙，两个混合条形带交错设置；
位于上方的混合条形带从左至右依次由1号光敏硅条带、1号铝条带和1号二氧化钒条带拼接形成；
位于下方的混合条形带从左至右依次由2号二氧化钒条带、2号铝条带和2号光敏硅条带拼接形成。
作为优选，中心开口的谐振环采用铝制成。
作为优选，中心开口的谐振环包括一个圆环和两个矩形条；
圆环的中心作为中心开口的谐振环的中心；
两个矩形条均位于圆环内部，两个矩形条的固定端均固定在圆环的内环上，两个矩形条间存在间距，且二者的连线垂直于矩形SiO2衬底的底边。
作为优选，1号光敏硅条带和2号光敏硅条带的电导率利用入射光的强度进行调节，且光敏硅条带的电导率的调节范围为从10s/m到3×105s/m；
1号二氧化钒条带和2号二氧化钒条带的相对电导率利用温度进行调节，且二氧化钒条带的相对电导率的调节范围为从1000s/m到2×105s/m。
作为优选，每个谐振单元中，Px＝200μm，Py＝120μm，Ln1＝30μm，Ln2＝30μm，Ln3＝33.5μm，Lm1＝40μm，Lm2＝20μm，Lm3＝23.5μm，R1＝25μm，R2＝15μm，g＝4μm，s1＝65μm，s2＝41.5μm，w1＝10μm，w2＝10μm；
其中，Px为矩形SiO2衬底的长度，Py为矩形SiO2衬底的宽度，Ln1为1号铝条带的长度，Ln2为1号光敏硅条带的长度，Ln3为1号二氧化钒条带的长度，Lm1为2号铝条带的长度，Lm2为2号光敏硅条带的长度，Lm3为2号二氧化钒条带的长度，R1为圆环的外径，R2为圆环的内径，g为两个矩形条间的间距，s1为位于上方的混合条形带距离矩形SiO2衬底的左边框的间距，s2为位于下方的混合条形带距离矩形SiO2衬底的左边框的间距，w1为矩形条的宽度，w2为混合条形带的宽度。
作为优选，每个谐振单元中，d＝27μm，其中，d为圆环的圆心距离位于上方的混合条形带间的距离。
作为优选，两个混合条形带的厚度均为5μm，矩形SiO2衬底的厚度均为10μm。
作为优选，中心开口的谐振环包括一个矩形环和两个矩形条；
矩形环的中心作为中心开口的谐振环的中心；
两个矩形条均位于矩形环内部，两个矩形条的固定端均固定在矩形环的内环上，两个矩形条间存在间距，且二者的连线垂直于矩形SiO2衬底的底边。
作为优选，当在极化方向为y方向的垂直入射电磁波作用下，通过温度调节1号和2号二氧化钒条带的相对电导率为1000s/m、通过光强度调节1号和2号光敏硅条带的电导率为3×105s/m时，EIT谐振器产生电磁诱导透明现象，此时，中心开口的谐振环所激发的环形偶极共振为明谐振模式，而两个混合条形带为暗谐振模式；
当在极化方向为x方向的垂直入射电磁波作用下，通过温度调节1号和2号二氧化钒条带的相对电导率为2×105s/m、通过光强度调节1号和2号光敏硅条带的电导率为10s/m时，EIT谐振器产生电磁诱导透明现象，此时，中心开口的谐振环所激发的环形偶极共振为暗谐振模式，而两个混合条形带为明谐振模式。
本发明利用主动调控材料二氧化钒(VO2)和光敏硅(Si)，设计出一种混合EIT结构，该结构是一种基于环形偶极共振的EIT谐振器，在不改变结构尺寸的条件下，通过温度和光强的调节可以实现两个极化方向相互垂直的入射太赫兹电磁波入射下均能产生电磁诱导透明现象，即相对于当前基于环形偶极共振的EIT超材料，本发明可利用光调控和温度调控相结合的方式实现在一个极化方向的电磁波入射下产生EIT现象，而当极化方向翻转90°后，仍能产生一个EIT现象。该设计既能丰富电磁诱导透明超材料的耦合形式，又能为环形偶极共振超材料的应用开辟新的领域。
本发明的优点：
本发明所述基于环形偶极共振的EIT谐振器可利用光调控和温度调控相结合的方式实现在两个极化方向相互垂直的入射太赫兹电磁波单独照射下均能产生电磁诱导透明现象，具体为：由于本发明二氧化钒(VO2)的电导率可利用温度进行调节，而光敏硅(Si)的电导率可利用入射光的强度进行调节，因此，本发明可通过光强度和温度的相应调节而改变结构中的有效谐振单元，从而实现在一个极化方向的电磁波入射下产生EIT现象，而当极化方向翻转90°后，仍能产生一个EIT现象，且所产生的EIT现象具备主动调节特性，也即：本发明针对同一电磁波的两个垂直极化方向上，均能产生EIT现象。
附图说明
图1是本发明所述基于环形偶极共振的EIT谐振器的结构示意图；图2是谐振单元的具体结构示意图；
图3是中心开口的谐振环谐振时的场强分布图；其中，(a)电场分布；(b)磁场分布；(c)电流密度分布；E为入射电磁波的电场方向，H为入射电磁波的磁场方向，
图4是在极化方向为y方向的垂直入射电磁波作用下，通过温度调节二氧化钒的相对电导率为1000s/m、通过光强度调节光敏硅的电导率为3×105s/m时，单独使用混合条形带、单独使用中心开口的谐振环、以及使用发明EIT谐振器所对应的传输谱变化图；H(x)表示当前入射电磁波的磁场强度为x方向，E(y)表示当前入射电磁波电场强度为y方向，即为当前入射电磁波的极化方向为y方向；
图5是图4所示的使用发明EIT谐振器的群延时图；
图6是在极化方向为y方向的垂直入射电磁波作用下，当保持二氧化钒的相对电导率为1000s/m，光敏硅的电导率由3×105s/m降至10s/m时本发明EIT谐振器所对应的传输谱变化图；
图7是在极化方向为x方向的垂直入射电磁波作用下，通过温度调节二氧化钒的相对电导率为2×105s/m、通过光强度调节光敏硅的电导率为10s/m时，单独使用混合条形带、单独使用中心开口的谐振环、以及使用发明EIT谐振器所对应的传输谱变化图；E(x)表示当前入射电磁波的电场强度方向为x，即为入射电磁波的极化方向为x方向，H(y)表示当前入射电磁波的磁场强度方向为y方向；
图8是图7中使用发明EIT谐振器的群延时图；
图9是x极化方向下，当保持光敏硅的电导率为10s/m，二氧化钒的相对电导率由2×105s/m降至为1000s/m，使用发明EIT谐振器所对应的传输谱变化图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
具体实施方式一：下面结合图1和图2说明本实施方式，基于环形偶极共振的EIT谐振器，包括多个谐振单元拼接形成的阵列；
每个谐振单元包括位于矩形SiO2衬底上的两个混合条形带和一个中心开口的谐振环；
中心开口的谐振环的中心与矩形SiO2衬底的中心重合，且中心开口的谐振环位于两个混合条形带之间，并与混合条形带间存在间隙，两个混合条形带交错设置；
位于上方的混合条形带从左至右依次由1号光敏硅条带、1号铝条带和1号二氧化钒条带拼接形成；
位于下方的混合条形带从左至右依次由2号二氧化钒条带、2号铝条带和2号光敏硅条带拼接形成。
进一步的，参见图1和图2，中心开口的谐振环的第一种结构为：
中心开口的谐振环包括一个圆环和两个矩形条；
圆环的中心作为中心开口的谐振环的中心；
两个矩形条均位于圆环内部，两个矩形条的固定端均固定在圆环的内环上，两个矩形条间存在间距，且二者的连线垂直于矩形SiO2衬底的底边。
参见图3中心开口的谐振环采用铝制成，该铝制成中心开口的谐振环在相应电磁波入射下产生环形偶极共振现象，如图3所示，且相应电场、磁场和电流分布符合环形偶极共振特征。图3(a)所示电场分布情况会产生图3(c)所示的面电流流向，从而会生成图3(b)所示的磁场图。图3(b)展示的即为头尾排列磁偶极子形式，符合环形偶极共振的激发特征。
参见图2，每个谐振单元中，Px＝200μm，Py＝120μm，Ln1＝30μm，Ln2＝30μm，Ln3＝33.5μm，Lm1＝40μm，Lm2＝20μm，Lm3＝23.5μm，R1＝25μm，R2＝15μm，g＝4μm，s1＝65μm，s2＝41.5μm，d＝27μm，w1＝10μm；w2＝10μm；
其中，Px为矩形SiO2衬底的长度，Py为矩形SiO2衬底的宽度，Ln1为1号铝条带的长度，Ln2为1号光敏硅条带的长度，Ln3为1号二氧化钒条带的长度，Lm1为2号铝条带的长度，Lm2为2号光敏硅条带的长度，Lm3为2号二氧化钒条带的长度，R1为圆环的外径，R2为圆环的内径，g为两个矩形条间的间距，s1为位于上方的混合条形带距离矩形SiO2衬底的左边框的间距，s2为位于下方的混合条形带距离矩形SiO2衬底的左边框的间距，d为圆环的圆心距离位于上方的混合条形带间的距离，w1为矩形条的宽度，w2为混合条形带的宽度。具体应用时，两个混合条形带的厚度均为5μm，矩形SiO2衬底的厚度均为10μm。
更进一步的，1号光敏硅条带和2号光敏硅条带的电导率利用入射光的强度进行调节，且光敏硅条带的电导率的调节范围为从10s/m到3×105s/m；1号二氧化钒条带和2号二氧化钒条带的相对电导率利用温度进行调节，且二氧化钒条带的相对电导率的调节范围为从1000s/m到2×105s/m。
更进一步的，当在极化方向为y方向的垂直入射电磁波作用下，通过温度调节1号和2号二氧化钒条带的相对电导率为1000s/m、通过光强度调节1号和2号光敏硅条带的电导率为3×105s/m时，EIT谐振器产生电磁诱导透明现象，此时，中心开口的谐振环所激发的环形偶极共振为明谐振模式，而两个混合条形带为暗谐振模式；
当在极化方向为x方向的垂直入射电磁波作用下，通过温度调节1号和2号二氧化钒条带的相对电导率为2×105s/m、通过光强度调节1号和2号光敏硅条带的电导率为10s/m时，EIT谐振器产生电磁诱导透明现象，此时，中心开口的谐振环所激发的环形偶极共振为暗谐振模式，而两个混合条形带为明谐振模式。
中心开口的谐振环的第二种结构：包括一个矩形环和两个矩形条；
矩形环的中心作为中心开口的谐振环的中心；
两个矩形条均位于矩形环内部，两个矩形条的固定端均固定在矩形环的内环上，两个矩形条间存在间距，且二者的连线垂直于矩形SiO2衬底的底边。
验证试验：
作为示例，每个谐振单元中，Px＝200μm，Py＝120μm，Ln1＝30μm，Ln2＝30μm，Ln3＝33.5μm，Lm1＝40μm，Lm2＝20μm，Lm3＝23.5μm，R1＝25μm，R2＝15μm，g＝4μm，s1＝65μm，s2＝41.5μm，d＝27μm，w1＝10μm，w2＝10μm；
其中，Px为矩形SiO2衬底的长度，Py为矩形SiO2衬底的宽度，Ln1为1号铝条带的长度，Ln2为1号光敏硅条带的长度，Ln3为1号二氧化钒条带的长度，Lm1为2号铝条带的长度，Lm2为2号光敏硅条带的长度，Lm3为2号二氧化钒条带的长度，R1为圆环的外径，R2为圆环的内径，g为两个矩形条间的间距，s1为位于上方的混合条形带距离矩形SiO2衬底的左边框的间距，s2为位于下方的混合条形带距离矩形SiO2衬底的左边框的间距，d为圆环的圆心距离位于上方的混合条形带间的距离，w1为矩形条的宽度，w2为矩形SiO2衬底的厚度均为10μm。
已有研究成果表明二氧化钒的相对电导率可以在温度的调控下实现1000s/m到2×105s/m的变化，而光敏硅的电导率可在照射光强的调控下实现10s/m到3×105s/m的变化。
(一)当EIT谐振器通过温度和光强度调节二氧化钒的相对电导率为1000s/m、光敏硅的电导率为3×105s/m时，在极化方向为y方向的垂直入射电磁波作用下(即：电磁波垂直入射至EIT谐振器)，EIT谐振器可在1.76THz附近产生电磁诱导透明现象，验证如下：图4为该电磁波作用下，单独使用混合条形带(该情形下不发生谐振)、单独使用中心开口的谐振环、以及使用发明所述的EIT谐振器时所对应的传输谱变化图；且图4中本发明EIT谐振器的传输谱变化曲线为W形的谐振曲线，一个峰值、两个谷底，证明在峰值处传输谱接近于1，透射率高其发生EIT现象，是符合这个耦合机理；而单独使用混合条形带时，传输谱无变化，此时不发生谐振；而单独使用中心开口的谐振环时，传输谱变为仅有一个峰谷的谐振曲线，但是其并未发生EIT现象。
所谓的电磁诱导透明现象以图4为例进行说明，当仅有中心开口谐振环时，该结构对电磁波表现出的是谐振现象(如图4中黑色实线所示)，传输谱在1.8THz附近处有一传输谷点，即入射电磁波在1.8THz附近处透过率较低；而将两个混合条形带放置结构中后，通过温度和光强度调节，在传输谱的1.8THz附近处变成了有一个传输峰点和两个传输谷点(如图4中“点-线”所示)，传输峰点处透射率高，表现出该结构对该频率附近的入射电磁波“透明”现象，而此种透明现象是由于两种结构(即：混合条形带与中心开口的谐振环)的进近场耦合作用(明暗耦合)的结果。图5为极化方向为y方向的垂直入射电磁波的EIT谐振器的群延时图，如图5所所示，在1.76THz处电磁波的群延时为5.64ps，即被延时5.64ps。图4也说明在极化方向为y方向时，中心开口谐振环所激发的环形偶极共振为明谐振模式，而两个混合条形带中的金属铝和光敏硅为暗谐振模式，EIT谐振器在该电磁波作用下中心开口谐振环的能量通过近场耦合转移给混合条形带中铝条带和光敏硅条带，其中，两个混合条形带中铝条带和光敏硅条带为暗谐振模式下的有效谐振体，EIT谐振器中的场强分布也能佐证该结论。
此种极化方向为y方向电磁波入射情况下，当保持二氧化钒的相对电导率为1000s/m，而降低光敏硅的电导率时，EIT现象将减弱。图6展示的为光敏硅的电导率由3×105s/m降至10s/m时的单独使用在混合条形带、单独使用中心开口的谐振环、以及使用发明EIT谐振器所对应的传输谱的变化，从图6可以看出，当光敏硅的电导率σsi降至10s/m时传输谱无EIT现象，曲线为一谐振曲线，当前调节EIT现象即为主动调控现象。
(二)当所述EIT谐振器通过温度和光强度调节二氧化钒的相对电导率为2×105s/m、光敏硅的电导率为10s/m时，在极化方向为x方向的垂直入射电磁波作用下，该EIT谐振器可在1.75THz附近产生电磁诱导透明现象，图7为在极化方向为x方向的垂直入射电磁波作用下，单独使用在混合条形带、单独使用中心开口的谐振环、以及使用发明EIT谐振器所对应的传输谱变化图。图8为极化方向为x方向下电磁波的EIT谐振器群延时图，如图8所所示，在1.75THz处电磁波的群延时为5.02ps。图7也说明在该x极化方向时，中心开口谐振环所激发的环形偶极共振为暗谐振模式，而两个混合条形带中的金属铝和二氧化钒为明谐振模式，EIT谐振器在该电磁波作用下混合条形带中铝条带和二氧化钒条带的能量通过近场耦合转移给中心开口谐振环，其中，两个混合条形带中铝条带和二氧化钒条带为明谐振模式下的有效谐振体，EIT谐振器中的场强分布也能佐证该结论。
此种极化方向为x方向的电磁波入射情况下，当保持光敏硅的电导率为10s/m，而降低二氧化钒的相对电导率σVO2时，EIT也现象将减弱。图9展示的为二氧化钒的电导率σVO2由2×105s/m降至1000s/m时的传输谱，从图9可以看出，当二氧化钒的电导率σVO2降至1000s/m时传输谱无EIT现象，曲线为一非谐振曲线。
综上，由以上结论可知，由于本发明二氧化钒(VO2)的电导率可利用温度进行调节，而光敏硅(Si)的电导率可利用入射光的强度进行调节，因此，本发明可通过光强度和温度的相应调节而改变结构中的有效谐振单元，从而实现在一个极化方向的电磁波入射下产生EIT现象，而当极化方向翻转90°后，仍能产生一个EIT现象，且所产生的EIT现象具备主动调节特性，也即：本发明针对同一电磁波的两个垂直极化方向上，均能产生EIT现象。
虽然在本文中参照了特定的实施方式来描述本发明，但是应该理解的是，这些实施例仅仅是本发明的原理和应用的示例。因此应该理解的是，可以对示例性的实施例进行许多修改，并且可以设计出其他的布置，只要不偏离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。应该理解的是，可以通过不同于原始权利要求所描述的方式来结合不同的从属权利要求和本文中所述的特征。还可以理解的是，结合单独实施例所描述的特征可以使用在其他所述实施例中。
Claims (9)
1.基于环形偶极共振的EIT谐振器，其特征在于，包括多个谐振单元拼接形成的阵列；
每个谐振单元包括位于矩形SiO2衬底上的两个混合条形带和一个中心开口的谐振环；
中心开口的谐振环的中心与矩形SiO2衬底的中心重合，且中心开口的谐振环位于两个混合条形带之间，并与混合条形带间存在间隙，两个混合条形带交错设置；
位于上方的混合条形带从左至右依次由1号光敏硅条带、1号铝条带和1号二氧化钒条带拼接形成；
位于下方的混合条形带从左至右依次由2号二氧化钒条带、2号铝条带和2号光敏硅条带拼接形成。
2.根据权利要求1所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器，其特征在于，中心开口的谐振环采用铝制成。
3.根据权利要求1所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器，其特征在于，中心开口的谐振环包括一个圆环和两个矩形条；
圆环的中心作为中心开口的谐振环的中心；
两个矩形条均位于圆环内部，两个矩形条的固定端均固定在圆环的内环上，两个矩形条间存在间距，且二者的连线垂直于矩形SiO2衬底的底边。
4.根据权利要求1所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器，其特征在于，1号光敏硅条带和2号光敏硅条带的电导率利用入射光的强度进行调节，且光敏硅条带的电导率的调节范围为从10s/m到3×105s/m；
1号二氧化钒条带和2号二氧化钒条带的相对电导率利用温度进行调节，且二氧化钒条带的相对电导率的调节范围为从1000s/m到2×105s/m。
5.根据权利要求3所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器，其特征在于，每个谐振单元中，Px＝200μm，Py＝120μm，Ln1＝30μm，Ln2＝30μm，Ln3＝33.5μm，Lm1＝40μm，Lm2＝20μm，Lm3＝23.5μm，R1＝25μm，R2＝15μm，g＝4μm，s1＝65μm，s2＝41.5μm，w1＝10μm，w2＝10μm；
其中，Px为矩形SiO2衬底的长度，Py为矩形SiO2衬底的宽度，Ln1为1号铝条带的长度，Ln2为1号光敏硅条带的长度，Ln3为1号二氧化钒条带的长度，Lm1为2号铝条带的长度，Lm2为2号光敏硅条带的长度，Lm3为2号二氧化钒条带的长度，R1为圆环的外径，R2为圆环的内径，g为两个矩形条间的间距，s1为位于上方的混合条形带距离矩形SiO2衬底的左边框的间距，s2为位于下方的混合条形带距离矩形SiO2衬底的左边框的间距，w1为矩形条的宽度，w2为混合条形带的宽度。
6.根据权利要求5所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器，其特征在于，每个谐振单元中，d＝27μm，其中，d为圆环的圆心距离位于上方的混合条形带间的距离。
7.根据权利要求1所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器，其特征在于，两个混合条形带的厚度均为5μm，矩形SiO2衬底的厚度均为10μm。
8.根据权利要求1所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器，其特征在于，中心开口的谐振环包括一个矩形环和两个矩形条；
矩形环的中心作为中心开口的谐振环的中心；
两个矩形条均位于矩形环内部，两个矩形条的固定端均固定在矩形环的内环上，两个矩形条间存在间距，且二者的连线垂直于矩形SiO2衬底的底边。
9.根据权利要求5所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器，其特征在于，当在极化方向为y方向的垂直入射电磁波作用下，通过温度调节1号和2号二氧化钒条带的相对电导率为1000s/m、通过光强度调节1号和2号光敏硅条带的电导率为3×105s/m时，EIT谐振器产生电磁诱导透明现象，此时，中心开口的谐振环所激发的环形偶极共振为明谐振模式，而两个混合条形带为暗谐振模式；
当在极化方向为x方向的垂直入射电磁波作用下，通过温度调节1号和2号二氧化钒条带的相对电导率为2×105s/m、通过光强度调节1号和2号光敏硅条带的电导率为10s/m时，EIT谐振器产生电磁诱导透明现象，此时，中心开口的谐振环所激发的环形偶极共振为暗谐振模式，而两个混合条形带为明谐振模式。
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