CN112928485A - 基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料与应用 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料与应用,所述超材料包括硅环、硅矩形棒和石墨烯条,硅环外边缘与硅矩形棒之间留有间隙,石墨烯条置于硅环或硅矩形棒底部。通过将石墨烯集成到谐振器,对全介质的电磁诱导透明现象进行主动调谐,很好的实现了对透明窗口的开关效应。
Description
技术领域
本发明涉及太赫兹超材料功能器件技术领域,具体为基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料与应用。
背景技术
公开该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解,而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
太赫兹波是指频率在0.1-10THz的电磁波谱,处于电子学与光子学的交叉领域,是人类最后一个尚未完全开发的电磁波段。依靠其独特的高投射性、宽带性、低能量等性质,在大容量通讯、生物成像、安全检查等众多领域发挥了重大作用。太赫兹波具有高穿透性、光子能量低、高宽带等众多优良特性,其在国防安全、天文观测、无限电通信等方面逐渐展现出巨大的应用价值。
超材料为人为设计的人工电磁材料,超材料可以产生一些自然材料所不具备的现象,如负折射率现象、逆多普勒现象等,人们可以通过对超材料结构进行设计来实现所需要的功能。随着人工超材料的发展,各种金属的谐振器被设计作为明暗模式来激发电磁诱导透明,特别是在THz领域。但是,传统的超材料功能器件,电磁响应特性由其单元几何结构决定,功能器件制备之后,几何结构便固定下来,则电磁响应固定,对于太赫兹超材料则表现为拥有固定频率的吸收峰,因此,只能被动调节吸收频率。然而,随着技术应用的不断发展,需要主动协调改变太赫兹超材料吸收频率的情况越来越多。
但是,发明人发现,基于太赫兹超材料的电磁诱导透明现象的主动调谐有待进一步研究。目前,还没有研究使用石墨烯对全介质超材料结构实现调控。
发明内容
为了解决现有技术的不足,本公开的目的是提供一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料与应用,通过将石墨烯集成到谐振器,对全介质的电磁诱导透明现象进行主动调谐,很好的实现了对透明窗口的开关效应,实现了方法应用上的创新。
具体地,本公开的技术方案如下所述:
在本公开的第一方面,本公开提供了一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料,所述超材料包括硅环、硅矩形棒和石墨烯条,硅环外边缘与硅矩形棒之间留有间隙,石墨烯条置于硅环或硅矩形棒底部。
在本公开的第二方面,本公开提供了一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料在微电子技术、太赫兹超材料功能器件领域中的应用。
本公开中的一个或多个技术方案具有如下有益效果:
(1)、通过硅环和硅矩形棒谐振器的结合,利用全介质材料实现THz频段范围的电磁诱导透明现象。
(2)、利用石墨烯的半金属性质,通过将单层石墨烯集成到THz超材料中,通过石墨烯来影响硅环与硅棒的耦合作用,进而对EIT效应实现实时调控。
(3)、通过改变石墨烯的数量、石墨烯与全介质谐振器的相对位置,实现两种不同主动调制现象。
(4)、全介质材料相比于之前大部分金属材料器件最大的的不同在于避免了辐射损耗,辐射损耗是实现高传输、高Q因子或大群指数的主要限制,之前一些对于超材料的调谐器的方法有很多,但是通过加电压改变石墨烯的费米能级的方法更加的简单,方便,通过使用石墨烯对全介质超材料结构实现调控既可以避免辐射损耗,又可以更好的实现调谐。
附图说明
构成本公开的一部分的说明书附图用来提供对本公开的进一步理解,本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开,并不构成对本公开的不当限定。
以下,结合附图来详细说明本公开的实施方案,其中:
图1:实施例1所述的基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料的结构装置;
图2:利用实施例1的装置测定在1.10THz到1.12THz频段的透射曲线的变化,石墨烯费米能级从0-0.6eV;
图3:实施例2所述的基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料的结构装置;
图4:利用实施例2的装置测定在1.09THz到1.13THz频段的透射曲线的变化,石墨烯费米能级从0-0.3eV;
图5:对比例所述的不包含石墨烯的太赫兹电磁诱导透明超材料的结构装置;
图6:利用对比例的装置测定在1.05THz到1.14THz频段的透射曲线的变化;
图中:1-结构单元;2-硅矩形棒;3-硅环;4-石墨烯条。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐述本公开。应理解,这些实施例仅用于说明本公开而不用于限制本公开的范围。下列实施例中未注明具体条件的实验方法,通常按照常规条件或按照制造厂商所建议的条件。
除非另行定义,文中所使用的所有专业与科学用语与本领域熟练人员所熟悉的意义相同。本发明所使用的试剂或原料均可通过常规途径购买获得,如无特殊说明,本发明所使用的试剂或原料均按照本领域常规方式使用或者按照产品说明书使用。此外,任何与所记载内容相似或均等的方法及材料皆可应用于本发明方法中。文中所述的较佳实施方法与材料仅作示范之用。
需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本公开的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作和/或它们的组合。
正如背景技术所介绍的,目前还没有使用石墨烯对全介质超材料结构实现调控的研究,为了解决上述问题,本公开提供了一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料与应用。
在本公开的一种实施方式中,公开了一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料,所述超材料包括硅环、硅矩形棒和石墨烯条,硅环外边缘与硅矩形棒之间留有间隙,石墨烯条置于硅环或硅矩形棒底部。
进一步地,所述超材料的衬底为二氧化硅。
进一步地,所述超材料由若干结构单元周期构成,结构单元周期的横向周期为150-300μm,优选的,为150μm;纵向周期为150-300μm,优选的,为150μm。
进一步地,每一个结构单元由硅环、硅矩形棒和石墨烯条构成,硅矩形棒的纵向轴线与硅环轴线平行;石墨烯条与硅矩形棒平行。
进一步地,所述硅环外径为45-90μm,优选的,为45μm;内径为22-44μm,优选的,为22μm;
或,所述硅环厚度为2-4μm,优选的,为2μm;
或,所述硅矩形棒长度为144-288μm,优选的,为144μm;宽度为30-60μm,优选的,为30μm;厚度为2-4μm,优选的,为2μm。
进一步地,每一个结构单元中,硅环外径边缘与硅矩形棒外边缘之间的距离为5-20μm,优选的,为14μm,通过硅环外径边缘与硅矩形棒外边缘之间的距离,可以影响两者的耦合强度,从而对电磁诱导透明现象产生影响。当选择14μm可以得到比较接近1的透射图谱透射峰值。
进一步地,所述石墨烯条为单层矩形石墨烯,宽度为1-10μm,优选的,为5μm,石墨烯带的宽度会对调谐能力有所影响,太宽时会导致较小的费米能级下电磁诱导透明就难以观察,而石墨烯带太宽则会导致调谐能力太弱,调谐效果不明显。
进一步地,当石墨烯条置于硅环底部时,硅环两侧分别设置石墨烯条,石墨烯条的外边缘与硅环外径边缘重合。
或,当石墨烯条置于硅矩形棒底部时,石墨烯条处于硅矩形棒底部中央,与硅矩形棒纵向轴线重合。
本公开所述的一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料,硅矩形棒谐振器作为电偶极子天线可以与入射的电磁波耦合,其作用相当于亮态谐振器;硅环不能够与入射的电磁波直接发生耦合,其作用相当于暗态谐振器。当硅矩形棒谐振器和硅环同时排列于衬底上时,由于亮态谐振器与暗态谐振器之间的近场耦合作用,实现了全介质超材料太赫兹频段的电磁诱导透明现象。进一步的,利用石墨烯的半金属性质,影响了两种谐振器之间的量子干涉相消,进而使得通过调谐石墨烯的费米能级,实现全介质超材料的电磁诱导透明现象的主动调谐。与此同时,通过改变石墨烯条的数量和放置位置,可以实现不同的主动调谐现象。
在本公开的一种实施方式中,本公开提供了一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料在微电子技术、太赫兹超材料功能器件领域中的应用。
为了使得本领域技术人员能够更加清楚地了解本公开的技术方案,以下将结合具体的实施例详细说明本公开的技术方案。
实施例1
一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料:
其中,结构单元1由硅环3、硅矩形棒2和石墨烯条4组成,其中,两条石墨烯条4放置于硅环3的底部,两条石墨烯4与硅环3的轴线平行,同时平行于硅矩形棒2,石墨烯条4的外侧边缘与硅环3的外径边缘重合,硅环3的外径边缘与硅矩形棒2的边缘之间设置有14μm的间隙。与石墨烯条4两石墨烯条宽度均为5μm,与硅矩形棒平行放置,边缘与硅环外边缘对齐。其中,该实施例中,硅环外径为45μm,内径为22μm,厚度为22μm,硅矩形棒的长度为144μm,宽度为14μm,厚度为22μm,衬底为二氧化硅,衬底为折射率为1.48。
该实施例1的具体结构如图1所示。
基于该结构的装置,通过改变石墨烯的费米能级,实现对电磁诱导透明现象的调谐,如图2,由于石墨烯的费米能级的改变导致电导率发生变化,进而影响周围的电磁能量分布,当通过改变石墨烯的费米能级从0-0.6eV时,电磁诱导透明现象减弱。
石墨烯作为半金属,其电磁特性因其费米能级的变化而变化。将石墨烯条置于硅环下时,改变石墨烯费米能级会导致全介质超材料的电磁诱导透明现象发生改变:当石墨烯的费米能量为0eV到0.6eV时,透射峰值从0.851到0.292逐渐衰减。这种调制是由于石墨烯电导率的增加导致暗模式阻尼率的变化。在没有石墨烯的情况下,电磁能量主要集中在硅环谐振器处。随着石墨烯费米能量的增加,硅环谐振器处的电磁能量减弱,导致硅环与硅棒谐振器在透射峰处的量子干涉相消作用减弱,因而电磁诱导透明现象减弱。
实施例2
一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料:
其中,结构单元1由硅环3、硅矩形棒2和石墨烯条4组成,其中,一条石墨烯条4放置于硅矩形棒2的底部,硅矩形棒2与石墨烯条4的纵向轴线平行,硅环3的外径边缘与硅矩形棒2的边缘之间设置有14μm的间隙。与石墨烯条4两石墨烯条宽度均为5μm,与硅矩形棒平行放置,边缘与硅环外边缘对齐。其中,该实施例中,硅环外径为45μm,内径为22μm,厚度为22μm,硅矩形棒的长度为144μm,宽度为14μm,厚度为22μm,衬底为二氧化硅,衬底为折射率为1.48。
该实施例2的具体结构如图3所示。
基于该结构的装置,通过改变石墨烯的费米能级,实现对电磁诱导透明现象的调谐,如图4,由于石墨烯的费米能级的改变导致电导率发生变化,进而影响周围的电磁能量分布,当通过改变石墨烯的费米能级从0-0.3eV时,电磁诱导透明现象减弱。
将石墨烯条置于硅棒谐振器下时,改变石墨烯费米能级会导致全介质超材料的电磁诱导透明现象发生改变:当石墨烯的费米能量为0eV到0.3eV时,透射峰值从0.944到0.284逐渐衰减。入射光与棒状谐振腔的共振会随着费米能量的增加而受到影响。当石墨烯的费米能量为0eV时,硅环谐振器处的电磁诱导透明现象是通过与硅棒与硅环耦合激发的,且电磁能量主要分布在硅环处,随着费米能量的增加,亮模式阻尼率的改变会引起电磁能量的衰减。最终,硅环与硅棒谐振器之间的破坏性干扰消失,电磁能量衰减至接近于0。
对比例
不包含石墨烯的太赫兹电磁诱导透明超材料:
该装置与实施例1的相比,区别在于该对比例中的装置不含有石墨烯条,其余结构参数与实施例1相同。
该对比例的具体结构如图5所示,由于硅矩形棒2谐振器作为电偶极子天线可以与入射的电磁波耦合,称为“亮”模式;而硅环3不能够与入射的电磁波直接发生耦合,但是可以通过明模式来激发,称为“暗”模式。此时单元结构中只有“硅矩形棒2谐振器”得到的透射光谱图如图6中“bar”所示;单元结构中只有“硅环3”得到的透射光谱图如图6中“ring”所示;当单元结构中包含“硅矩形棒2谐振器和硅环3”时,可以观察到电磁诱导透明现象,如图6中“EIT”所示。
由硅棒和硅环共同组成的谐振器阵列的透射图谱可在1.11THz处观察到一个狭窄的透明窗口,透射率达到0.979。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料,其特征在于,所述超材料包括硅环、硅矩形棒和石墨烯条,硅环外边缘与硅矩形棒之间留有间隙,石墨烯条置于硅环或硅矩形棒底部。
2.如权利要求1所述的一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料,其特征在于,所述超材料的衬底为二氧化硅。
3.如权利要求1所述的一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料,其特征在于,所述超材料由若干结构单元周期构成,结构单元周期的横向周期为150-300μm,优选的,为150μm;纵向周期为150-300μm,优选的,为150μm。
4.如权利要求3所述的一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料,其特征在于,每一个结构单元由硅环、硅矩形棒和石墨烯条构成,硅矩形棒的纵向轴线与硅环轴线平行;石墨烯条与硅矩形棒平行。
5.如权利要求1所述的一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料,其特征在于,所述硅环外径为45-90μm,优选的,为45μm;内径为22-44μm,优选的,为22μm;
或,所述硅环厚度为2-4μm,优选的,为2μm。
6.如权利要求1所述的一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料,其特征在于,所述硅矩形棒长度为144-288μm,优选的,为144μm;宽度为30-60μm,优选的,为30μm;厚度为2-4μm,优选的,为2μm。
7.如权利要求3所述的一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料,其特征在于,每一个结构单元中,硅环外径边缘与硅矩形棒外边缘之间的距离为5-20μm,优选的,为14μm。
8.如权利要求1所述的一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料,其特征在于,所述石墨烯条为单层矩形石墨烯,宽度为1-10μm,优选的,为5μm。
9.如权利要求1所述的一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料,其特征在于,当石墨烯条置于硅环底部时,硅环两侧分别设置石墨烯条,石墨烯条的外边缘与硅环外径边缘重合;
或,当石墨烯条置于硅矩形棒底部时,石墨烯条处于硅矩形棒底部中央,与硅矩形棒纵向轴线重合。
10.权利要求1-9任一项所述的一种基于石墨烯主动调谐的太赫兹电磁诱导透明超材料在微电子技术、太赫兹超材料功能器件领域中的应用。
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2021
- 2021-01-26 CN CN202110103835.XA patent/CN112928485A/zh active Pending
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